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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
NTL-ANA-2-X-3MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C
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Accessory Type: Cable
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NTL-ANA-2-X-5MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
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NTL-GIGE-7-1-3-3MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY CAMERA CABLE, 3
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
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NTL-GIGE-7-1-3-5MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY CAMERA CABLE, 5
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
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NTL-T-CCB-84901-1003-03MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
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NTL-T-CCB-84901-2001-03MNEW TRYDescription: HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C
Packaging: Case
Accessory Type: Cable
Part Status: Active
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NTL-U3-1-2-3MNEW TRYDescription: U3 HIGH FLEXIBILITY CAMERA CABLE
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1+180.62 EUR
NTL02B5N6TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0056uH 0.1nH 500MHz 10Q-Factor 0.2A 1Ohm DCR 0201 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTL04B1N8TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0018uH 0.1nH 300MHz 13Q-Factor 1A 0.14Ohm DCR 0402 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTL04B3N0TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.003uH 0.1nH 300MHz 13Q-Factor 0.71A 0.24Ohm DCR 0402 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTL04C1N5TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0015uH 0.2nH 300MHz 13Q-Factor 1.2A 0.1Ohm DCR 0402 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTL04C3N9TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0039uH 0.2nH 300MHz 13Q-Factor 0.62A 0.3Ohm DCR 0402 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTL04C4N3TRFNIC ComponentsInductor RF Chip Thin Film 0.0043uH 0.2nH 300MHz 13Q-Factor 0.55A 0.46Ohm DCR 0402 T/R
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NTL04C8N2TRF
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NTL1NeutrikAudio Transformers / Signal Transformers TRANSFRMER LINE PCB VERT 1:1 RATIO
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1+170.04 EUR
10+ 161.28 EUR
50+ 161.25 EUR
100+ 140.5 EUR
250+ 138.76 EUR
500+ 137.31 EUR
NTL1NEUTRIKDescription: NEUTRIK - NTL1 - Audio-Übertrager, 1:1, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85043180
rohsCompliant: YES
Sekundärer DC-Widerstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Transformatormontage: Durchsteckmontage
Impedanz, sekundärseitig: 10kohm
Primärer DC-Widerstand: -
usEccn: EAR99
Leistung, Sekundärwicklung: -
Frequenz, min.: -
Impedanz, primärseitig: 10kohm
Isolationsspannung: -
Transformatoranschlüsse: Leiterplattenstift
euEccn: NLR
Windungsverhältnis: 1:1
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenz, max.: -
Anwendungen Transformator: Professionell - Anpassungsübertrager
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTL10-005MYAGEODescription: YAGEO - NTL10-005M - Thermistor, ICL, NTC, 5 Ohm, Produktreihe NT, 20mm, 10A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 10A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 5ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 20mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTL12-001MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,20mm, 1ohm 12A, +/-20% box
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NTL12-002MYAGEODescription: YAGEO - NTL12-002M - Thermistor, ICL, NTC, 2 Ohm, Produktreihe NT, 20mm, 12A
tariffCode: 85334010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 12A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 20mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTL12-2R5MYAGEODescription: YAGEO - NTL12-2R5M - Thermistor, ICL, NTC, 2.5 Ohm, Produktreihe NT, 20mm, 12A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 12A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 2.5ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 20mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2988 Stücke:
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NTL4502NT1onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN
Produkt ist nicht verfügbar
NTL4502NT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTL4502NT1 - NTL4502NT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTL4502NT1
auf Bestellung 898 Stücke:
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NTL4502NT1onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
181+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 181
NTL4532T-S3R6BTDK00+
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTL5152
auf Bestellung 1326 Stücke:
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NTLD7900ZR2
auf Bestellung 3000 Stücke:
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NTLGD3402PT1G
auf Bestellung 557 Stücke:
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NTLGD3501NT1G
auf Bestellung 1619 Stücke:
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NTLGD3502NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2910 Stücke:
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NTLGD3502NT1GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 14990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLGD3502NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLGD3502NT1G - MOSFET, N, 20V, DFN6 3X3MM
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLGD3502NT2GON SemiconductorMOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTLGD3502NT2G
auf Bestellung 3000 Stücke:
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NTLGD3502NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLGF3402PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLGF3402PT1G - NTLGF3402PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLGF3402PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLGF3402PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
740+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 740
NTLGF3402PT2GON SemiconductorMOSFET PFET 3X3 20V 2.7A 140MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTLGF3402PT2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
760+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 760
NTLGF3402PT2G
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLGF3402PT2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLGF3501NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLGF3501NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
auf Bestellung 192000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLGF3501NT2GON SemiconductorMOSFET NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTLGF3501NT2G
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJ3115
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJD2104PTAG
auf Bestellung 1413 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJD2104PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJD2104PTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD2104PTBG - NTLJD2104PTBG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLJD2104PTBGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJD2105LTBGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJD2105LTBGONQFN
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJD3115P
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJD3115PT1GonsemiMOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
auf Bestellung 6728 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
39+1.35 EUR
44+ 1.19 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.68 EUR
3000+ 0.58 EUR
6000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 39
NTLJD3115PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
auf Bestellung 101592 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.56 EUR
20+ 1.35 EUR
100+ 0.94 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NTLJD3115PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJD3115PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.59 EUR
6000+ 0.56 EUR
9000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTLJD3115PT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJD3115PTAG
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJD3115PTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
auf Bestellung 4077 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1697+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1697
NTLJD3115PTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJD3119Consemionsemi COMP WDFN6 20V 4.6A 65MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJD3119CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJD3119CTAG
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJD3119CTAGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJD3119CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJD3119CTAGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.86 EUR
197+ 0.77 EUR
254+ 0.57 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.4 EUR
3000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 181
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJD3119CTBGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.75 EUR
6000+ 0.71 EUR
9000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJD3119CTBGonsemiMOSFET COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm
auf Bestellung 97400 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
27+1.96 EUR
33+ 1.58 EUR
100+ 1.19 EUR
500+ 1 EUR
1000+ 0.85 EUR
3000+ 0.74 EUR
6000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 27
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.46 EUR
6000+ 0.4 EUR
15000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTLJD3119CTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLJD3119CTBGONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.8/-2.4A
Power dissipation: 1.5W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJD3119CTBGONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.8/-2.4A
Power dissipation: 1.5W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.48 EUR
6000+ 0.43 EUR
15000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTLJD3119CTBGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 18236 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+1.98 EUR
16+ 1.71 EUR
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NTLJD3119CTBGON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
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NTLJD3181PZTAGRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
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NTLJD3181PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
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NTLJD3182FZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD3182FZTAG - NTLJD3182FZTAG, SINGLE MOSFETS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NTLJD3182FZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
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NTLJD3182FZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
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NTLJD3183CZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJD3183CZTAG - NTLJD3183CZTAG, SINGLE MOSFETS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NTLJD3183CZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
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NTLJD3183CZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
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NTLJD4116NT1GRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
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NTLJD4116NT1GonsemiMOSFET NFET 2X2 30V 4.6A 70MOHM
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250+ 1.51 EUR
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1000+ 1.05 EUR
3000+ 0.83 EUR
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NTLJD4116NT1G
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NTLJD4116NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
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NTLJD4150PTBGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
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NTLJD4150PTBG
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NTLJF3117P
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NTLJF3117Ponsemionsemi PFET WDFN6 20V 4.1A 100MO
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NTLJF3117PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
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Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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NTLJF3117PT1GON09+ SOP8
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NTLJF3117PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+ 0.38 EUR
9000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTLJF3117PT1GONWDFN-6
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NTLJF3117PT1GonsemiMOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
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44+1.19 EUR
52+ 1.02 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.45 EUR
3000+ 0.38 EUR
9000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 44
NTLJF3117PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
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NTLJF3117PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJF3117PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
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NTLJF3117PT1GONQFN
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NTLJF3117PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V
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23+1.17 EUR
26+ 1.01 EUR
100+ 0.7 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NTLJF3117PT1GON Semiconductor
auf Bestellung 221 Stücke:
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NTLJF3117PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTLJF3117PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1603+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1603
NTLJF3117PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
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NTLJF3118NTAG
auf Bestellung 3236 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJF3118NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 10 V
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NTLJF3118NTBGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJF3118NTBGonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJF4156NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
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NTLJF4156NT1GON Semiconductor
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NTLJF4156NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
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NTLJF4156NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
auf Bestellung 752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLJF4156NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJF4156NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLJF4156NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
auf Bestellung 752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLJF4156NT1GonsemiMOSFET NFET 2X2 30V 4A 70MOHM
auf Bestellung 11994 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
29+1.85 EUR
33+ 1.58 EUR
100+ 1.18 EUR
500+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 29
NTLJF4156NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
auf Bestellung 6053 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.56 EUR
20+ 1.33 EUR
100+ 0.93 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NTLJF4156NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJF4156NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJF4156NTAGonsemiMOSFET NFET 2X2 30V 4A 70MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJF4156NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
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Produkt ist nicht verfügbar
NTLJF4156NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJF4156NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS053N12MCLTAGonsemiMOSFET PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
27+1.96 EUR
31+ 1.72 EUR
100+ 1.17 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.83 EUR
3000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 27
NTLJS1102PTAGON Semiconductor
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJS1102PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJS1102PTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS17D0P03P8ZTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJS17D0P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS17D0P03P8ZTAGonsemiMOSFET PT8 30V WDFN POWER CLIP
auf Bestellung 14993 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
21+2.59 EUR
25+ 2.09 EUR
100+ 1.63 EUR
500+ 1.35 EUR
1000+ 1.1 EUR
3000+ 1.03 EUR
6000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 21
NTLJS17D0P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS2103PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
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Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS2103PTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
auf Bestellung 94614 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1025+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
NTLJS2103PTBGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-Pin WDFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS2103PTBGonsemiMOSFET PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025
auf Bestellung 40835 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
35+1.5 EUR
41+ 1.3 EUR
100+ 0.9 EUR
500+ 0.75 EUR
1000+ 0.64 EUR
3000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 35
NTLJS2103PTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTLJS2103PTBGON Semiconductor
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJS2103PTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.48 EUR
21+ 1.29 EUR
100+ 0.89 EUR
500+ 0.75 EUR
1000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NTLJS3113PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
auf Bestellung 44238 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJS3113PT1GONWDFN-6
auf Bestellung 12800 Stücke:
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NTLJS3113PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
auf Bestellung 42000 Stücke:
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NTLJS3113PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
646+0.22 EUR
648+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 646
NTLJS3113PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS3113PT1G - MOSFET, P CHANNEL, -20V, -5.8A, WDFN-6
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 305413 Stücke:
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NTLJS3113PT1GON SemiconductorMOSFET PFET 2X2 20V 9.5A 42MOHM
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NTLJS3113PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin WDFN EP T/R
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NTLJS3113PTAGON SemiconductorMOSFET PFET 20V 9.5A 42MOHM 2X2
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NTLJS3113PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS3180PZTAGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJS3180PZTBGonsemiDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1603+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1603
NTLJS3A18PZTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS3A18PZTWG - NTLJS3A18PZTWG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLJS3A18PZTWGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJS3A18PZTXGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
auf Bestellung 25707 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJS3D0N02P8ZTAGonsemiMOSFET PT8 20V WDFN POWER CLIP
auf Bestellung 6132 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
26+2.01 EUR
32+ 1.65 EUR
100+ 1.28 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 0.89 EUR
3000+ 0.83 EUR
6000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NTLJS3D0N02P8ZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
auf Bestellung 3134 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJS3D0N02P8ZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJS3D0N02P8ZTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 20.2A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS3D9N03CTAGON Semiconductor30 V Single N Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS3D9N03CTAGON SemiconductorDescription: MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, W
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS3D9N03CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS3D9N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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NTLJS4114NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
auf Bestellung 7364 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.31 EUR
14+ 2 EUR
100+ 1.38 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NTLJS4114NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTLJS4114NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS4114NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.0203 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0203ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLJS4114NT1GonsemiMOSFET NFET 2X2 30V 7.8A 33mOhm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.25 EUR
27+ 1.96 EUR
100+ 1.36 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.96 EUR
3000+ 0.82 EUR
6000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NTLJS4114NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS4114NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2733 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJS4114NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin WDFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS4114NTAGonsemiMOSFET NFET WDFN6 30V 7.8A
auf Bestellung 4816 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
34+1.57 EUR
39+ 1.37 EUR
100+ 0.95 EUR
500+ 0.79 EUR
1000+ 0.67 EUR
3000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 34
NTLJS4114NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
auf Bestellung 5070 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.61 EUR
19+ 1.39 EUR
100+ 0.96 EUR
500+ 0.81 EUR
1000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NTLJS4114NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin WDFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS4114NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTLJS4149PTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS4149PTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN
auf Bestellung 308000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLJS4159NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS4159NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS4159NT1G - NTLJS4159NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLJS4159NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1697+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1697
NTLJS4D7N03HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.6A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS4D9N03HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS4D9N03HTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS4D9N03HTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS4D9N03HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS4D9N03HTAGonsemiMOSFET T8 30V
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS5D0N03CTAGON Semiconductor30 V Single N Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS5D0N03CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLJS5D0N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS5D0N03CTAGonsemiMOSFET T6 30V POWER CLIP 2
auf Bestellung 3320 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.61 EUR
18+ 2.99 EUR
100+ 2.38 EUR
250+ 2.28 EUR
500+ 1.99 EUR
1000+ 1.71 EUR
3000+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 15
NTLJS5D0N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
auf Bestellung 2689170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.85 EUR
10+ 3.47 EUR
100+ 2.78 EUR
500+ 2.29 EUR
1000+ 1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NTLJS5D0N03CTAGON Semiconductor30 V Single N Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS5D0N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
auf Bestellung 2685000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
auf Bestellung 270000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.9 EUR
6000+ 0.85 EUR
9000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTLJS7D2P02P8ZTAGON Semiconductor20 V Single P Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
auf Bestellung 276899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.16 EUR
15+ 1.77 EUR
100+ 1.38 EUR
500+ 1.17 EUR
1000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemiMOSFET PT8 20V WDFN POWER CLIP
auf Bestellung 5514 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
26+2.01 EUR
32+ 1.65 EUR
100+ 1.28 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 0.89 EUR
3000+ 0.83 EUR
6000+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NTLK3FIT
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLLD4901NFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
Produkt ist nicht verfügbar
NTLLD4901NFTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLLD4901NFTWGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN8 30V 9A 20MOHM
auf Bestellung 3327 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTLLD4901NFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
Produkt ist nicht verfügbar
NTLLD4951NFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
Produkt ist nicht verfügbar
NTLLD4951NFTWGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN8 30V 9A 20MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
NTLLD4951NFTWGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
268+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 268
NTLMS4504NR2onsemiDescription: TRANS MOSFET N-CH 24V 28A 3PIN S
Packaging: Bulk
auf Bestellung 18570 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
452+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 452
NTLMS4504NR2ONSEMIDescription: ONSEMI - NTLMS4504NR2 - NTLMS4504NR2, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 18570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLTD7900DR2
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLTD7900NR2Z
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLTD7900ZON07+ Micro-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLTD7900ZONMicro-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLTD7900ZR2ONMICRO-8
auf Bestellung 9300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLTD7900ZR2ON05+ QFN8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLTD7900ZR2ON Semicondu2002
auf Bestellung 310000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLTD7900ZR2G
auf Bestellung 20000 Stücke:
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NTLTD7900ZR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
Produkt ist nicht verfügbar
NTLTD7900ZR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLTD7900ZR2G - MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 6A, MSOP
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 297816 Stücke:
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NTLTD7900ZR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
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NTLTS3107PR2GRochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
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NTLTS3107PR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTLTS3107PR2G - NTLTS3107PR2G, SINGLE MOSFETS
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLUD3191PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUD3191PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
auf Bestellung 99480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1665+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1665
NTLUD3191PZTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1665+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1665
NTLUD3191PZTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUD3A260PZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUD3A260PZTAGonsemiMOSFET POWER MOSFET 20V 2A 200 M
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUD3A260PZTBGonsemiEncoders 3.3Vin IP65 Encoder
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUD3A260PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUD3A50PZonsemionsemi PFET UDFN6 20V 5.6A 50MOH
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUD3A50PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUD3A50PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUD3A50PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUD3A50PZTAGonsemiMOSFET PFET UDFN6 20V 5.6A 50MOH
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTLUD3A50PZTAGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUD3A50PZTAGON Semiconductor
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLUD3A50PZTBGonsemiDescription: DUAL P-CHANNEL COOL POWER MOSFE
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLUD3A50PZTBGON SemiconductorMOSFET Dual P-Channel Cool Power MOSFET -20V -5.6A 50m
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTLUD3A50PZTBGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUD3A50PZTBGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUD3A50PZTBGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUD4C26NTAGONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.3A; 1.7W; uDFN6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUD4C26NTAGONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.3A; 1.7W; uDFN6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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NTLUD4C26NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLUD4C26NTAGonsemiMOSFET NFET UDFN6 30V 8.7A
auf Bestellung 78725 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTLUD4C26NTBGON SemiconductorMOSFET NFET UDFN6 30V 8.7A 21MOH
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTLUF4189NZTAGON Semiconductor
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLUF4189NZTAGRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLUF4189NZTAGON SemiconductorMOSFET NFET WDFN6 30V 1.5A 200mOhm
auf Bestellung 1492 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTLUF4189NZTBGRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 454750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLUF4189NZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUF4189NZTBG - NTLUF4189NZTBG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 302750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLUS020N03CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUS020N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
auf Bestellung 56674 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.65 EUR
12+ 2.17 EUR
100+ 1.69 EUR
500+ 1.43 EUR
1000+ 1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NTLUS020N03CTAGonsemiMOSFET T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
auf Bestellung 2609 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.68 EUR
26+ 2.07 EUR
100+ 1.68 EUR
500+ 1.44 EUR
1000+ 1.18 EUR
3000+ 1.1 EUR
6000+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20
NTLUS020N03CTAGON Semiconductor
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLUS020N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+1.1 EUR
6000+ 1.05 EUR
9000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTLUS029N06T6TAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 3.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUS029N06T6TAGON SemiconductorMOSFET 60V 29 MOHM T6 1.6 X1.6 U
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUS029N06T6TAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 3.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUS030N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+1.23 EUR
6000+ 1.17 EUR
9000+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTLUS030N03CTAGonsemiMOSFET T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
auf Bestellung 24002 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+2.91 EUR
22+ 2.38 EUR
100+ 1.85 EUR
500+ 1.57 EUR
1000+ 1.23 EUR
3000+ 1.2 EUR
6000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NTLUS030N03CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUS030N03CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 640mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
auf Bestellung 17540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+2.96 EUR
11+ 2.42 EUR
100+ 1.89 EUR
500+ 1.6 EUR
1000+ 1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NTLUS3192PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1268+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
NTLUS3192PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUS3192PZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3192PZTBG - NTLUS3192PZTBG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLUS3192PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1268+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
NTLUS3A18PZCTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUS3A18PZCTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUS3A18PZCTAGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUS3A18PZCTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUS3A18PZCTBGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUS3A18PZCTBGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUS3A18PZCTCGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUS3A18PZCTCGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 20V 8.2A 18MOHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTLUS3A18PZCTCGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUS3A18PZCTCGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUS3A18PZTAGON Semiconductor
auf Bestellung 2541 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLUS3A18PZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLUS3A18PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 8.2A 6-Pin UDFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUS3A18PZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NTLUS3A18PZTAGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 2X2 UDFN
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTLUS3A18PZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLUS3A18PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
auf Bestellung 1935 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLUS3A18PZTBGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 2X2 UDFN
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTLUS3A18PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
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NTLUS3A18PZTCGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 20V 8.2A 18MOHM
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NTLUS3A18PZTCGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
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NTLUS3A18PZTCGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
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NTLUS3A18PZTCGON Semiconductor
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NTLUS3A39PZCTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
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NTLUS3A39PZCTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6
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NTLUS3A39PZCTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6
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NTLUS3A39PZTAGON Semiconductor
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NTLUS3A39PZTAGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6
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NTLUS3A39PZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6UDFN
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NTLUS3A39PZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3A39PZTAG - NTLUS3A39PZTAG, SINGLE MOSFETS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NTLUS3A39PZTBGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6
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NTLUS3A39PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
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NTLUS3A40PZCTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.4A 6-Pin UDFN EP T/R
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NTLUS3A40PZCTAGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
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NTLUS3A40PZCTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
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NTLUS3A40PZCTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
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NTLUS3A40PZTAGON Semiconductor
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NTLUS3A40PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.4A 6-Pin UDFN T/R
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NTLUS3A40PZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
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NTLUS3A40PZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
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NTLUS3A40PZTAGonsemiMOSFET T4 20/8 PCH 2X2 8 CHANNEL
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NTLUS3A40PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
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NTLUS3A40PZTBGON SemiconductorIGBT Transistors T4 20/8 PCH UDFN SING
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NTLUS3A40PZTBGON Semiconductor
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NTLUS3A40PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
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NTLUS3A90PZCTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6
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NTLUS3A90PZCTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6
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NTLUS3A90PZTAGON SemiconductorMOSFET POWER MOSFET 20V 3A 60 MO
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NTLUS3A90PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
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NTLUS3A90PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
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NTLUS3A90PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6UDFN
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NTLUS3A90PZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3A90PZTBG - MOSFET, P-CH, 20V, 4A, UDFN
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NTLUS3A90PZTBGON SemiconductorIGBT Transistors POWER MOSFET 20V 3A 60 MO
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NTLUS3C18PZTAGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 12V 7A 24MOHM
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NTLUS3C18PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
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NTLUS3C18PZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3C18PZTBG - MOSFET, P-CH, 12V, 7A, UDFN
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NTLUS3C18PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Part Status: Obsolete
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auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
683+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 683
NTLUS3C18PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
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Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
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NTLUS3C18PZTBGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 12V 7A 24MOHM
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NTLUS4195PZTAGRochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLUS4195PZTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN
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NTLUS4930NTAGON Semiconductor
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLUS4930NTAGON SemiconductorMOSFET NFET UDFN6 30V 6.3A 26.3M
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NTLUS4930NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS4930NTAG - NTLUS4930NTAG, SINGLE MOSFETS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 40899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLUS4930NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLUS4930NTBGON SemiconductorMOSFET NFET UDFN6 30V 6.3A 26.3M
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTLUS4930NTBGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A UDFN6
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLUS4C12NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
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NTLUS4C12NTAGON SemiconductorMOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH
auf Bestellung 3040 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTLUS4C12NTBGON SemiconductorMOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NTLUS4C12NTBGonsemiDescription: NTLUS4C12N - SINGLE N-CHANNEL CO
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTLUS4C16NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS4C16NTAG - MOSFET, N-CH, 30V, 9.4A, UDFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTLUS4C16NTAGON SemiconductorMOSFET 30V 9.4A 11.4mOhm SNGL N-CHAN PWR MSFT
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)