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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2N6043G 2N6043G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB9AFC4A9B72469&compId=2N6040G.PDF?ci_sign=98611dc4ef044f64aa8d84271556337c8c4a7a99 Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 8A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.97 EUR
50+1.43 EUR
62+1.16 EUR
250+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6045G ONSEMI 2n6040-d.pdf 2N6045G NPN THT Darlington transistors
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
103+0.70 EUR
109+0.66 EUR
1750+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6284G 2N6284G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB9CA9305446469&compId=2N6284.PDF?ci_sign=8dbc786c4a3dc8e7253d572c34d06325f715983e Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3
Type of transistor: NPN
Case: TO3
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...18000
Collector current: 20A
Power dissipation: 160W
Polarisation: bipolar
Kind of package: in-tray
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.89 EUR
15+4.99 EUR
16+4.72 EUR
100+4.66 EUR
200+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6387G 2N6387G ONSEMI 2n6387-d.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 10A; 2W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Kind of transistor: Darlington
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
53+1.34 EUR
500+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388G ONSEMI 2n6387-d.pdf 2N6388G NPN THT Darlington transistors
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.59 EUR
79+0.90 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6487G ONSEMI 2n6487-d.pdf 2N6487G NPN THT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6488G ONSEMI 2n6487-d.pdf 2N6488G NPN THT transistors
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.20 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6491G ONSEMI 2n6487-d.pdf description 2N6491G PNP THT transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.46 EUR
24+2.97 EUR
65+1.10 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517BU 2N6517BU ONSEMI 2n6515-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40Hz...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 20...200
Collector current: 0.5A
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 5980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
940+0.08 EUR
980+0.07 EUR
1040+0.07 EUR
2000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 940
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517TA 2N6517TA ONSEMI 2n6515-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 30...200
Collector current: 0.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1703 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
311+0.23 EUR
404+0.18 EUR
598+0.12 EUR
881+0.08 EUR
932+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6520TA 2N6520TA ONSEMI 2n6515-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 30...200
Collector current: 0.5A
Frequency: 40...200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
311+0.23 EUR
494+0.14 EUR
767+0.09 EUR
4000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.50 EUR
215+0.33 EUR
295+0.24 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74Z 2N7000-D74Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
180+0.40 EUR
230+0.31 EUR
334+0.21 EUR
481+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
170+0.42 EUR
216+0.33 EUR
404+0.18 EUR
424+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BU 2N7000BU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8D7D6C8403D5EA&compId=2N7000TA.pdf?ci_sign=570549f6b8c8a8b920ec72fe65fd2392834410d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000TA 2N7000TA ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8D7D6C8403D5EA&compId=2N7000TA.pdf?ci_sign=570549f6b8c8a8b920ec72fe65fd2392834410d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
191+0.37 EUR
235+0.30 EUR
281+0.25 EUR
338+0.21 EUR
500+0.14 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002 2N7002 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
295+0.24 EUR
382+0.19 EUR
421+0.17 EUR
695+0.10 EUR
736+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW 2N7002DW ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BB753968D40A0D2&compId=2N7002DW.PDF?ci_sign=c4ff59784590c39884845c645f2eafbde65b15b6 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Pulsed drain current: 0.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4655 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
283+0.25 EUR
368+0.19 EUR
414+0.17 EUR
506+0.14 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1G 2N7002ET1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E523D3C5A480D2&compId=2N7002E.PDF?ci_sign=f6115950a09ebe5219ed22ec5aca5ee68011428a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET7G 2N7002ET7G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E523D3C5A480D2&compId=2N7002E.PDF?ci_sign=f6115950a09ebe5219ed22ec5aca5ee68011428a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 847 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
610+0.12 EUR
847+0.08 EUR
1659+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2N7002K ONSEMI 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 0.7nC
Pulsed drain current: 5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
348+0.21 EUR
479+0.15 EUR
552+0.13 EUR
1025+0.07 EUR
1085+0.07 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT1G 2N7002KT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E544751EA760D2&compId=2N7002K.PDF?ci_sign=9f984722eb7170f70bb3a1a94f008378c8683372 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.14 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
765+0.09 EUR
857+0.08 EUR
1880+0.04 EUR
1993+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT7G ONSEMI 2n7002k-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
556+0.13 EUR
1000+0.07 EUR
1462+0.05 EUR
1593+0.05 EUR
1916+0.04 EUR
2025+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KW 2N7002KW ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BB760A9DCDF00D2&compId=2N7002KW.pdf?ci_sign=620b92c63ac329a374a300d9bb7414496c71b623 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.3W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
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On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT7G ONSEMI 2n7002l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 0.8A; 225mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 800mA; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT523F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 800mA; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT523F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002V ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BB77815990380D2&compId=2N7002V_VA.pdf?ci_sign=5ee4f6f479d255e5589d3cc8cb7ee9bbc46472c7 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.5A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002W 2N7002W ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A9F45190CDF640C1&compId=2N7002W-FAI.pdf?ci_sign=87b74bd00bc6d2e3c2b48ac5592ee058e02e71fd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002WT1G 2N7002WT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E57AB63D2760D2&compId=2N7002W.PDF?ci_sign=a1b315c1a1ef3038a3060776b0118ddca3b4b365 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
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Mounting: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E ONSEMI EN2006-D.html Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1417T-TD-E 2SA1417T-TD-E ONSEMI EN2006-D.html Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E ONSEMI en1788-d.pdf ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1418T-TD-E 2SA1418T-TD-E ONSEMI en1788-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1419S-TD-E 2SA1419S-TD-E ONSEMI en2007-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1593T-TL-E ONSEMI en2511-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: DPAK
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1774T1G 2SA1774T1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABC9B378B1940E0C7&compId=2SA1774.PDF?ci_sign=d68385600f7f060a3ae8e11903fa625769fa5aff Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.1A; 0.15W; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 120...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
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381+0.19 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2012-TD-E 2SA2012-TD-E ONSEMI 2sa2012-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5A; 3.5W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 350MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...560
Collector current: 5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
138+0.52 EUR
158+0.45 EUR
167+0.43 EUR
250+0.41 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ONSEMI en6307-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 360MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E ONSEMI en6309-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 290MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.17 EUR
87+0.82 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2040-TL-E ONSEMI en6913-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 330MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2124-TD-E 2SA2124-TD-E ONSEMI en7920-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; 3.5W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 440MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 65...560
Collector current: 2A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2126-TL-E ONSEMI en7990-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 390MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2126-TL-H 2SA2126-TL-H ONSEMI en7990-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Frequency: 390MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.80 EUR
184+0.39 EUR
209+0.34 EUR
224+0.32 EUR
232+0.31 EUR
236+0.30 EUR
700+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2153-TD-E 2SA2153-TD-E ONSEMI 2sa2153-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 420MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2202-TD-E 2SA2202-TD-E ONSEMI 2sa2202-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...400
Collector current: 2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1123S-TD-E 2SB1123S-TD-E ONSEMI en1727-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Current gain: 140...280
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1123T-TD-E 2SB1123T-TD-E ONSEMI en1727-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Current gain: 200...400
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
126+0.57 EUR
256+0.28 EUR
269+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1202S-E ONSEMI 2sb1202-d.pdf 2SB1202S-E PNP THT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB815-7-TB-E 2SB815-7-TB-E ONSEMI EN694-D.html Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 15V; 0.7A; 0.2W; SC59
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 15V
Current gain: 300...600
Collector current: 0.7A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3646S-TD-E ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf 2SC3646S-TD-E NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3646T-TD-E ONSEMI 2sa1416-d.pdf 2SC3646T-TD-E NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E ONSEMI 2sa1417-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Current gain: 140...280
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
108+0.66 EUR
198+0.36 EUR
210+0.34 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647T-TD-E ONSEMI 2sa1417-d.pdf 2SC3647T-TD-E NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC3648S-TD-E ONSEMI en1788-d.pdf 2SC3648S-TD-E NPN SMD transistors
auf Bestellung 2936 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
134+0.54 EUR
232+0.31 EUR
246+0.29 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3648T-TD-E ONSEMI en1788-d.pdf 2SC3648T-TD-E NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC4027S-TL-E ONSEMI en2262-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.5A; 1W; DPAK
Frequency: 120MHz
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 140...280
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6043G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB9AFC4A9B72469&compId=2N6040G.PDF?ci_sign=98611dc4ef044f64aa8d84271556337c8c4a7a99
2N6043G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 8A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.97 EUR
50+1.43 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6045G 2n6040-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
2N6045G NPN THT Darlington transistors
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
103+0.70 EUR
109+0.66 EUR
1750+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6284G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB9CA9305446469&compId=2N6284.PDF?ci_sign=8dbc786c4a3dc8e7253d572c34d06325f715983e
2N6284G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3
Type of transistor: NPN
Case: TO3
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...18000
Collector current: 20A
Power dissipation: 160W
Polarisation: bipolar
Kind of package: in-tray
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.89 EUR
15+4.99 EUR
16+4.72 EUR
100+4.66 EUR
200+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6387G 2n6387-d.pdf
2N6387G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 10A; 2W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Kind of transistor: Darlington
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
53+1.34 EUR
500+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388G 2n6387-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
2N6388G NPN THT Darlington transistors
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.59 EUR
79+0.90 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6487G 2n6487-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
2N6487G NPN THT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6488G 2n6487-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
2N6488G NPN THT transistors
auf Bestellung 838 Stücke:
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60+1.20 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6491G description 2n6487-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
2N6491G PNP THT transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.46 EUR
24+2.97 EUR
65+1.10 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517BU 2n6515-d.pdf
2N6517BU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40Hz...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 20...200
Collector current: 0.5A
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 5980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
940+0.08 EUR
980+0.07 EUR
1040+0.07 EUR
2000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 940
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6517TA 2n6515-d.pdf
2N6517TA
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 30...200
Collector current: 0.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1703 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
311+0.23 EUR
404+0.18 EUR
598+0.12 EUR
881+0.08 EUR
932+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6520TA 2n6515-d.pdf
2N6520TA
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 30...200
Collector current: 0.5A
Frequency: 40...200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 767 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
311+0.23 EUR
494+0.14 EUR
767+0.09 EUR
4000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9
2N7000-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.50 EUR
215+0.33 EUR
295+0.24 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9
2N7000-D74Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9
2N7000-D75Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
180+0.40 EUR
230+0.31 EUR
334+0.21 EUR
481+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9
2N7000
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
170+0.42 EUR
216+0.33 EUR
404+0.18 EUR
424+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8D7D6C8403D5EA&compId=2N7000TA.pdf?ci_sign=570549f6b8c8a8b920ec72fe65fd2392834410d1
2N7000BU
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000TA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8D7D6C8403D5EA&compId=2N7000TA.pdf?ci_sign=570549f6b8c8a8b920ec72fe65fd2392834410d1
2N7000TA
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
191+0.37 EUR
235+0.30 EUR
281+0.25 EUR
338+0.21 EUR
500+0.14 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9
2N7002
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
295+0.24 EUR
382+0.19 EUR
421+0.17 EUR
695+0.10 EUR
736+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002DW pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BB753968D40A0D2&compId=2N7002DW.PDF?ci_sign=c4ff59784590c39884845c645f2eafbde65b15b6
2N7002DW
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Pulsed drain current: 0.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4655 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
283+0.25 EUR
368+0.19 EUR
414+0.17 EUR
506+0.14 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E523D3C5A480D2&compId=2N7002E.PDF?ci_sign=f6115950a09ebe5219ed22ec5aca5ee68011428a
2N7002ET1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002ET7G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E523D3C5A480D2&compId=2N7002E.PDF?ci_sign=f6115950a09ebe5219ed22ec5aca5ee68011428a
2N7002ET7G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 847 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
610+0.12 EUR
847+0.08 EUR
1659+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF
2N7002K
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 0.7nC
Pulsed drain current: 5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
348+0.21 EUR
479+0.15 EUR
552+0.13 EUR
1025+0.07 EUR
1085+0.07 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E544751EA760D2&compId=2N7002K.PDF?ci_sign=9f984722eb7170f70bb3a1a94f008378c8683372
2N7002KT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
765+0.09 EUR
857+0.08 EUR
1880+0.04 EUR
1993+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KT7G 2n7002k-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
1000+0.07 EUR
1462+0.05 EUR
1593+0.05 EUR
1916+0.04 EUR
2025+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002KW pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BB760A9DCDF00D2&compId=2N7002KW.pdf?ci_sign=620b92c63ac329a374a300d9bb7414496c71b623
2N7002KW
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.3W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
128+0.56 EUR
190+0.37 EUR
520+0.14 EUR
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E55F182FFE40D2&compId=2N7002L.PDF?ci_sign=aa36c0d7c199691184e1ec9a46e45f4fc475e56d
2N7002LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT3G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E55F182FFE40D2&compId=2N7002L.PDF?ci_sign=aa36c0d7c199691184e1ec9a46e45f4fc475e56d
2N7002LT3G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002LT7G 2n7002l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 0.8A; 225mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BB7679A219940D2&compId=2N7002T.pdf?ci_sign=25bd6bef3c66034e0673a7f4ddb77884ae70100c
2N7002T
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 800mA; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT523F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2208 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
230+0.31 EUR
285+0.25 EUR
394+0.18 EUR
516+0.14 EUR
544+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BB7679A219940D2&compId=2N7002T.pdf?ci_sign=25bd6bef3c66034e0673a7f4ddb77884ae70100c
2N7002T
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 800mA; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT523F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2208 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
230+0.31 EUR
285+0.25 EUR
394+0.18 EUR
516+0.14 EUR
544+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002V pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BB77815990380D2&compId=2N7002V_VA.pdf?ci_sign=5ee4f6f479d255e5589d3cc8cb7ee9bbc46472c7
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002W pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A9F45190CDF640C1&compId=2N7002W-FAI.pdf?ci_sign=87b74bd00bc6d2e3c2b48ac5592ee058e02e71fd
2N7002W
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7002WT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E57AB63D2760D2&compId=2N7002W.PDF?ci_sign=a1b315c1a1ef3038a3060776b0118ddca3b4b365
2N7002WT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
685+0.10 EUR
1153+0.06 EUR
2174+0.03 EUR
2294+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1417S-TD-E EN2006-D.html
2SA1417S-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1.00 EUR
107+0.67 EUR
200+0.36 EUR
211+0.34 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1417T-TD-E EN2006-D.html
2SA1417T-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1418S-TD-E en1788-d.pdf ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1418S-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
147+0.49 EUR
195+0.37 EUR
199+0.36 EUR
206+0.35 EUR
250+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1418T-TD-E en1788-d.pdf
2SA1418T-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1419S-TD-E en2007-d.pdf
2SA1419S-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1593T-TL-E en2511-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: DPAK
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA1774T1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABC9B378B1940E0C7&compId=2SA1774.PDF?ci_sign=d68385600f7f060a3ae8e11903fa625769fa5aff
2SA1774T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.1A; 0.15W; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 120...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
381+0.19 EUR
500+0.14 EUR
562+0.13 EUR
1000+0.07 EUR
1544+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 381
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2012-TD-E 2sa2012-d.pdf
2SA2012-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5A; 3.5W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 350MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...560
Collector current: 5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.77 EUR
138+0.52 EUR
158+0.45 EUR
167+0.43 EUR
250+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2013-TD-E en6307-d.pdf
2SA2013-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 360MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2016-TD-E en6309-d.pdf
2SA2016-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 290MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.17 EUR
87+0.82 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2040-TL-E en6913-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 330MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2124-TD-E en7920-d.pdf
2SA2124-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; 3.5W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 440MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 65...560
Collector current: 2A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2126-TL-E en7990-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 390MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2126-TL-H en7990-d.pdf
2SA2126-TL-H
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Frequency: 390MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.80 EUR
184+0.39 EUR
209+0.34 EUR
224+0.32 EUR
232+0.31 EUR
236+0.30 EUR
700+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2153-TD-E 2sa2153-d.pdf
2SA2153-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 420MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2202-TD-E 2sa2202-d.pdf
2SA2202-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...400
Collector current: 2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1123S-TD-E en1727-d.pdf
2SB1123S-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Current gain: 140...280
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1123T-TD-E en1727-d.pdf
2SB1123T-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Current gain: 200...400
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 733 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
126+0.57 EUR
256+0.28 EUR
269+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1202S-E 2sb1202-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
2SB1202S-E PNP THT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB815-7-TB-E EN694-D.html
2SB815-7-TB-E
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 15V; 0.7A; 0.2W; SC59
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 15V
Current gain: 300...600
Collector current: 0.7A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3646S-TD-E 2sa1416jp-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
2SC3646S-TD-E NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3646T-TD-E 2sa1416-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
2SC3646T-TD-E NPN SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3647S-TD-E 2sa1417-d.pdf
2SC3647S-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Current gain: 140...280
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
108+0.66 EUR
198+0.36 EUR
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2SC3647T-TD-E NPN SMD transistors
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Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.5A; 1W; DPAK
Frequency: 120MHz
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 140...280
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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