| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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SB07-03C-TB-E | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - SB07-03C-TB-E - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 700 mA, 550 mV, 5 A, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 5A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 550mV Sperrverzögerungszeit: 10ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SV267-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SV267-TB-E - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 2.5 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe usEccn: EAR99 Sperrspannung: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Durchlassspannung: 910mV Diodenkapazität: 0.23pF Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 50mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 2.5ohm |
auf Bestellung 49934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SB01-05C-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB01-05C-TB-E - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 100 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 550 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 550mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1811 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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15C01SS-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 15C01SS-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BAS16XV2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS16XV2T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAS16 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 68539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTK3139PT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTK3139PT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 780 mA, 0.38 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 780mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2652 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP5901BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5901BDR2G - MOSFET-Treiber High- & Low-Side, 4.5-32V Versorgung, 12.2mAout, 25ns Ausbreitungsverzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -10°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 32V Eingabeverzögerung: 16ns Ausgabeverzögerung: 11ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP5901DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5901DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgungsspannung, -11ns Verzögerung, SOIC-8 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: MOSFET Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -10 Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 4.5 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 13.2 Eingabeverzögerung: 16 Ausgabeverzögerung: 11 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCP5901DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5901DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgungsspannung, -11ns Verzögerung, SOIC-8 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: MOSFET Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -10 Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 4.5 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 13.2 Eingabeverzögerung: 16 Ausgabeverzögerung: 11 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCV8161BSN330T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8161BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 330mV Dropout, 3.3V/450mAout, TSOP-5 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 450mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.9V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 450mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 175mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 175mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 616 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP65N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDP65N06, | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP65N06, - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 65 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 135 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCB110N65F | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCB110N65F | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 357W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP59301DS50R4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP59301DS50R4G - LDO-Festspannungsregler, 2.24V bis 13.5Vin, 400mV Dropout, 5V/3Aout, TO-263-5 Ausgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: 5 Ausgangsstrom: 3 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK) Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 13.5 Eingangsspannung, min.: 2.24 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: 5V 3A LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 300 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP718ASNADJT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP718ASNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24Vin, 480mV Dropout, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5 tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 1.2V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 24V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 300mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.5V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 300mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 6535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SURHS8160T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SURHS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.4 V, 35 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 15A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.4V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTR4502PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTR4502PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CAT5112VI-10-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5112VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V Bauform - Potentiometer: SOIC Anzahl der Potentiometer: Einfach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl Schritte: 32 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.5 Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab Gesamtwiderstand: 10 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CAT5113ZI-10-T3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5113ZI-10-T3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V Bauform - Potentiometer: MSOP Anzahl der Potentiometer: Einfach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl Schritte: 100 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.5 Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab Gesamtwiderstand: 10 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CAT5111VI-10-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5111VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V Bauform - Potentiometer: SOIC Anzahl der Potentiometer: Einfach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl Schritte: 100 Betriebstemperatur, min.: -40 Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.5 Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab Gesamtwiderstand: 10 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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FQPF20N06L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF20N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15.7 A, 0.042 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 15.7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 30 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FQPF20N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.048 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 15 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 30 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FDPF320N06L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF320N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 21 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 26 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.5 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDP027N08B-F102 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 0.00221 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 223A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 246W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TIP140G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP140G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-218 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 817 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FQAF13N80 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQAF13N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.58 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NC7SZ32P5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: 7SZ Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 32mA IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 7S32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NL17SZ32DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17SZ32DFT2G - OR-Gatter, Baureihe NL17SZ32, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOT-353-5 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: 17SZ Bauform - Logikbaustein: SOT-353 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 17SZ32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP30N06L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP30N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP30N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 30 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 79 Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC144EET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC144EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC144E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CAT9532HV6I-GT2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT9532HV6I-GT2 - LED-Treiber, 16 Ausgänge, 16 Bit, I2C-Schnittstelle, 2.3V bis 5.5Vin, 400kHz, 25mAout, TQFN-24 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CAT9554YI-GT2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT9554YI-GT2 - I/O-Erweiterung, 8bit, 400 kHz, I2C, SMBus, 2.3 V, 5.5 V, TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt IC-Schnittstelle: I2C, SMBus Versorgungsspannung, min.: 2.3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Busfrequenz: 400 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 8 Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP Chipkonfiguration: 8bit SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FQU2N100TU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251 Drain-Source-Spannung Vds: 1 Dauer-Drainstrom Id: 1.6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 50 Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 5040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP2820FCT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP2820FCT1G - Audioleistungsverstärker, 2.63 W, D, 1 Kanal, 2.5V bis 5.5V, FCCSP, 9 Pin(s) tariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Bauform - Verstärker: FCCSP Betriebstemperatur, min.: -40°C Lastimpedanz: 4ohm Verstärkerklasse: D euEccn: NLR Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsleistung: 2.63W Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1822267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC808-25LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 24399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC808-25LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 24399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NLV74VHC00DTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV74VHC00DTR2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74VHC00 Logikfunktion: NAND-Gatter Logik-IC-Familie: 74VHC Bauform - Logikbaustein: TSSOP Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: 74VHC00 Versorgungsspannung, max.: 5.5 Anzahl der Eingänge: 2 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Vier SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC807-40LT1G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BC807-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 42684 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTHL067N65S3H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 266W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FFSH4065A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSH4065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 40 A, 119 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 119nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57080ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57080ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6A Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57080ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57080ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6A Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV33161DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33161DR2G - Universeller Spannungswächter, AEC-Q100, 40V Versorgungsspannung, 1.27V Schwellenspannung, SOIC-8 Rücksetzungs-Typ: - Verzögerungszeit: - Bauform - digitaler IC: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2 Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 40 Schwellenspannung: 1.27 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV210RSQT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV210RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 40 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C tariffCode: 85423390 CMRR: 125dB rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 Verstärkung: 200V/V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 40kHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Strommessverstärker: High-Side, Low-Side Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCV21911SN2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV21911SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 2 MHz, 1.6 V/µs, 4V bis 36V, SOT-23, 5 Pin(s) tariffCode: 85423190 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 4V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1.6V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2MHz Eingangsoffsetspannung: 1µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 100pA Anzahl der Pins: 5Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 5198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 74LCX245BQX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74LCX245BQX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C Logik-IC-Sockelnummer: 74245 Logik-IC-Familie: 74LCX Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2 Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX245 Logikbaustein: Transceiver, bidirektional Anzahl der Pins: 20 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| 74LCX245BQX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74LCX245BQX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP51145PDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51145PDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1V bis 5.5V Eingangsspannung, 1.8Aout, SOIC-8 MSL: MSL 2 - 1 Jahr Versorgungsspannung, min.: 4.75 Anzahl der Pins: 8 Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4 Bauform des DDR-Reglers: SOIC Versorgungsspannung, max.: 5.25 Source- / Sink-Strom: 1.8 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCP51145PDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51145PDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1V bis 5.5V Eingangsspannung, 1.8Aout, SOIC-8 MSL: MSL 2 - 1 Jahr Versorgungsspannung, min.: 4.75 Anzahl der Pins: 8 Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4 Bauform des DDR-Reglers: SOIC Versorgungsspannung, max.: 5.25 Source- / Sink-Strom: 1.8 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD5353 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1481 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FDD86252 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 97959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2SA1774G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1774G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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80SQ045NG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 80SQ045NG - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 8 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 550 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 140A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 550mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 80SQ0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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80SQ045NRLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 80SQ045NRLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 8 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 550 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 140A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 550mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 80SQ0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4579 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FDB14AN06LA0-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB14AN06LA0-F085 - MOSFET'S - SINGLE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BAT54XV2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAT54XV2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 800mV Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAT54 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 17864 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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1SS400T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SS40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 28567 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SB07-03C-TB-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB07-03C-TB-E - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 700 mA, 550 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SB07-03C-TB-E - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 700 mA, 550 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1SV267-TB-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SV267-TB-E - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 2.5 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Durchlassspannung: 910mV
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 50mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 2.5ohm
Description: ONSEMI - 1SV267-TB-E - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 2.5 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Durchlassspannung: 910mV
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 50mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 2.5ohm
auf Bestellung 49934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SB01-05C-TB-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB01-05C-TB-E - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 100 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SB01-05C-TB-E - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 100 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 15C01SS-TL-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 15C01SS-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 15C01SS-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAS16XV2T5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS16XV2T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAS16XV2T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 68539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTK3139PT5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTK3139PT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 780 mA, 0.38 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTK3139PT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 780 mA, 0.38 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP5901BDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5901BDR2G - MOSFET-Treiber High- & Low-Side, 4.5-32V Versorgung, 12.2mAout, 25ns Ausbreitungsverzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Eingabeverzögerung: 16ns
Ausgabeverzögerung: 11ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP5901BDR2G - MOSFET-Treiber High- & Low-Side, 4.5-32V Versorgung, 12.2mAout, 25ns Ausbreitungsverzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Eingabeverzögerung: 16ns
Ausgabeverzögerung: 11ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP5901DR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5901DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgungsspannung, -11ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -10
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Eingabeverzögerung: 16
Ausgabeverzögerung: 11
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP5901DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgungsspannung, -11ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -10
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Eingabeverzögerung: 16
Ausgabeverzögerung: 11
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP5901DR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5901DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgungsspannung, -11ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -10
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Eingabeverzögerung: 16
Ausgabeverzögerung: 11
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP5901DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgungsspannung, -11ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -10
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Eingabeverzögerung: 16
Ausgabeverzögerung: 11
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCV8161BSN330T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8161BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 330mV Dropout, 3.3V/450mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 175mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 175mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV8161BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 330mV Dropout, 3.3V/450mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 175mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 175mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQP65N06 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FQP65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDP65N06, |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP65N06, - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDP65N06, - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FCB110N65F |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FCB110N65F |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP59301DS50R4G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP59301DS50R4G - LDO-Festspannungsregler, 2.24V bis 13.5Vin, 400mV Dropout, 5V/3Aout, TO-263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 13.5
Eingangsspannung, min.: 2.24
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 3A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 300
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP59301DS50R4G - LDO-Festspannungsregler, 2.24V bis 13.5Vin, 400mV Dropout, 5V/3Aout, TO-263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 13.5
Eingangsspannung, min.: 2.24
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 3A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 300
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP718ASNADJT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718ASNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24Vin, 480mV Dropout, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP718ASNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24Vin, 480mV Dropout, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 6535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SURHS8160T3G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SURHS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.4 V, 35 ns, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.4V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - SURHS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.4 V, 35 ns, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.4V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NVTR4502PT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NVTR4502PT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CAT5112VI-10-GT3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5112VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - CAT5112VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT5113ZI-10-T3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113ZI-10-T3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - CAT5113ZI-10-T3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT5111VI-10-GT3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5111VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5111VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FQPF20N06L |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF20N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15.7 A, 0.042 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF20N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15.7 A, 0.042 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FQPF20N06 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.048 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.048 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDPF320N06L |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF320N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 21
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDPF320N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 21
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDP027N08B-F102 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 0.00221 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 0.00221 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TIP140G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP140G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-218
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - TIP140G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-218
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQAF13N80 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQAF13N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.58 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FQAF13N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.58 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NC7SZ32P5X |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7SZ32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NL17SZ32DFT2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ32DFT2G - OR-Gatter, Baureihe NL17SZ32, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 17SZ32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NL17SZ32DFT2G - OR-Gatter, Baureihe NL17SZ32, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 17SZ32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQP30N06L |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: ONSEMI - FQP30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQP30N06 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP30N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 79
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQP30N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 79
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DTC144EET1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC144EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC144E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - DTC144EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC144E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CAT9532HV6I-GT2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT9532HV6I-GT2 - LED-Treiber, 16 Ausgänge, 16 Bit, I2C-Schnittstelle, 2.3V bis 5.5Vin, 400kHz, 25mAout, TQFN-24
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - CAT9532HV6I-GT2 - LED-Treiber, 16 Ausgänge, 16 Bit, I2C-Schnittstelle, 2.3V bis 5.5Vin, 400kHz, 25mAout, TQFN-24
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT9554YI-GT2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT9554YI-GT2 - I/O-Erweiterung, 8bit, 400 kHz, I2C, SMBus, 2.3 V, 5.5 V, TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 2.3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Busfrequenz: 400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 8
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP
Chipkonfiguration: 8bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT9554YI-GT2 - I/O-Erweiterung, 8bit, 400 kHz, I2C, SMBus, 2.3 V, 5.5 V, TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 2.3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Busfrequenz: 400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 8
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP
Chipkonfiguration: 8bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FQU2N100TU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP2820FCT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP2820FCT1G - Audioleistungsverstärker, 2.63 W, D, 1 Kanal, 2.5V bis 5.5V, FCCSP, 9 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: FCCSP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Verstärkerklasse: D
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsleistung: 2.63W
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP2820FCT1G - Audioleistungsverstärker, 2.63 W, D, 1 Kanal, 2.5V bis 5.5V, FCCSP, 9 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: FCCSP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Verstärkerklasse: D
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsleistung: 2.63W
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1822267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC808-25LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 24399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC808-25LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 24399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NLV74VHC00DTR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74VHC00DTR2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74VHC00
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74VHC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74VHC00
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV74VHC00DTR2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74VHC00
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74VHC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74VHC00
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BC807-40LT1G | |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC807-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 42684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTHL067N65S3H |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTHL067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FFSH4065A |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH4065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 40 A, 119 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 119nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FFSH4065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 40 A, 119 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 119nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD57080ADR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCD57080ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD57080ADR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCD57080ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV33161DR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33161DR2G - Universeller Spannungswächter, AEC-Q100, 40V Versorgungsspannung, 1.27V Schwellenspannung, SOIC-8
Rücksetzungs-Typ: -
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 40
Schwellenspannung: 1.27
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV33161DR2G - Universeller Spannungswächter, AEC-Q100, 40V Versorgungsspannung, 1.27V Schwellenspannung, SOIC-8
Rücksetzungs-Typ: -
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 40
Schwellenspannung: 1.27
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 5250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV210RSQT2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV210RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 40 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 200V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 40kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV210RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 40 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 200V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 40kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV21911SN2T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21911SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 2 MHz, 1.6 V/µs, 4V bis 36V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423190
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.6V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2MHz
Eingangsoffsetspannung: 1µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100pA
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV21911SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 2 MHz, 1.6 V/µs, 4V bis 36V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423190
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.6V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2MHz
Eingangsoffsetspannung: 1µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100pA
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 74LCX245BQX |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX245BQX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
Logik-IC-Familie: 74LCX
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX245
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 74LCX245BQX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
Logik-IC-Familie: 74LCX
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX245
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 74LCX245BQX |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX245BQX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 74LCX245BQX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP51145PDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51145PDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1V bis 5.5V Eingangsspannung, 1.8Aout, SOIC-8
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Anzahl der Pins: 8
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Source- / Sink-Strom: 1.8
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP51145PDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1V bis 5.5V Eingangsspannung, 1.8Aout, SOIC-8
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Anzahl der Pins: 8
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Source- / Sink-Strom: 1.8
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP51145PDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51145PDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1V bis 5.5V Eingangsspannung, 1.8Aout, SOIC-8
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Anzahl der Pins: 8
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Source- / Sink-Strom: 1.8
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP51145PDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1V bis 5.5V Eingangsspannung, 1.8Aout, SOIC-8
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Anzahl der Pins: 8
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Source- / Sink-Strom: 1.8
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDD5353 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDD86252 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 97959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2SA1774G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1774G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SA1774G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 80SQ045NG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 80SQ045NG - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 8 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 140A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 80SQ0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 80SQ045NG - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 8 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 140A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 80SQ0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 80SQ045NRLG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 80SQ045NRLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 8 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 140A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 80SQ0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 80SQ045NRLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 8 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 140A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 80SQ0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDB14AN06LA0-F085 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB14AN06LA0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDB14AN06LA0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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| BAT54XV2T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54XV2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAT54XV2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1SS400T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1SS400T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 28567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH