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HGTG30N60A4 HGTG30N60A4
Produktcode: 42509
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FAIR HGTG30N60A4.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/150
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.4 EUR
10+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D
Produktcode: 31842
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Intersil HGTG30N60A4D.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 24/180
auf Bestellung 18 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+4 EUR
10+3.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60T IGW30N60T
Produktcode: 101922
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INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 1 Stück:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30N60A
auf Bestellung 48 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30N60C3
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW30N60CT-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.92 EUR
10+6.23 EUR
100+5.46 EUR
480+5.3 EUR
1200+5.16 EUR
2640+5.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP TECHNOLOGY 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Pulsed drain current: 89A
Technology: CoolMOS™
Gate charge: 88nC
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP TECHNOLOGY 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Pulsed drain current: 89A
Technology: CoolMOS™
Gate charge: 88nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 BOURNS BIDNW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Field Stop
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+3.29 EUR
200+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 Bourns Bourns_7-25-2022_BIDNW30N60H3_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.86 EUR
10+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60T BIDW30N60T BOURNS BIDW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Field Stop
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+3.65 EUR
150+3.22 EUR
300+3.16 EUR
600+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDW30N60T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
auf Bestellung 3887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.76 EUR
10+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+36.59 EUR
3+35.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+36.59 EUR
3+35.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP130N60 FCP130N60 onsemi / Fairchild FCP130N60-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.73 EUR
10+6.41 EUR
100+4.59 EUR
500+4.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3 IGB30N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGB30N60H3-DS-v02_03-en.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+2.87 EUR
100+2.11 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.64 EUR
5000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60T IGB30N60T Infineon Technologies Infineon-IGB30N60T-DataSheet-v02_05-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+2.82 EUR
100+1.94 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP30N60H3 Infineon INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP30N60H3 IGP30N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGP30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.45 EUR
10+2.87 EUR
100+2.11 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.51 EUR
2500+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.03 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.03 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3 IGW30N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+3.15 EUR
100+2.32 EUR
480+1.94 EUR
1200+1.66 EUR
2640+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.23 EUR
23+3.17 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
31+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.23 EUR
23+3.17 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
31+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60T IGW30N60T Infineon Technologies Infineon-IGW30N60T-DataSheet-v02_08-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.95 EUR
10+3.2 EUR
100+2.34 EUR
480+1.97 EUR
1200+1.68 EUR
2640+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.29 EUR
19+3.93 EUR
29+2.53 EUR
30+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.29 EUR
19+3.93 EUR
29+2.53 EUR
30+2.4 EUR
120+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TFKSA1 Infineon INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW30N60TP-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.03 EUR
10+1.76 EUR
100+1.44 EUR
480+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60DTPXKSA1 IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW30N60DTP-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+2.43 EUR
100+1.95 EUR
480+1.49 EUR
1200+1.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3 Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3 Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3 IKW30N60H3 Infineon Technologies Infineon-IKW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 3531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.14 EUR
10+3.34 EUR
100+2.55 EUR
480+2.15 EUR
1200+1.83 EUR
2640+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.56 EUR
30+2.4 EUR
32+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.56 EUR
30+2.4 EUR
32+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.19 EUR
10+3.34 EUR
100+2.55 EUR
480+2.09 EUR
1200+1.83 EUR
2640+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60T IKW30N60T Infineon Technologies Infineon-IKW30N60T-DataSheet-v02_06-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.55 EUR
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IKW30N60TFKSA1 Infineon IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
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IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-30N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 30A
auf Bestellung 1743 Stücke:
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IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.5 EUR
7+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.5 EUR
7+10.21 EUR
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Mindestbestellmenge: 6
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IXGH30N60C3D1 IXGH30N60C3D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-30N60C3D1-Datasheet.PDF IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
auf Bestellung 265 Stücke:
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1+15.63 EUR
10+12.23 EUR
120+10.19 EUR
510+9.08 EUR
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IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF MOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 3725 Stücke:
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10+24.94 EUR
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IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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8+9.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 6
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IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-30N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.14 EUR
10+10.26 EUR
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IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF MOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 295 Stücke:
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1+29.6 EUR
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IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-30N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.81 EUR
10+12.81 EUR
120+10.31 EUR
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IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF48F12B239E27&compId=IXXH30N60B3-DTE.pdf?ci_sign=fb346b9f3ffd7c0eb1f59c32431be20e1d64d489 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.75 EUR
11+6.98 EUR
13+5.56 EUR
14+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH30N60B3-Datasheet.PDF IGBTs TO247 600V 30A XPT
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+6.65 EUR
120+5.37 EUR
510+4.95 EUR
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IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH30N60B3D1-Datasheet.PDF IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.84 EUR
10+6.86 EUR
510+6.6 EUR
1020+6.48 EUR
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IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH30N60C3D1-Datasheet.PDF IGBTs XPT 600V IGBT 30A
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.84 EUR
10+7.62 EUR
120+6.55 EUR
510+6.2 EUR
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SIHB30N60E-GE3 SIHB30N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihb30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.42 EUR
10+5.51 EUR
100+5.46 EUR
500+4.33 EUR
1000+4.28 EUR
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SIHB30N60ET1-GE3 SIHB30N60ET1-GE3 Vishay / Siliconix sihb30n60e.pdf MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.87 EUR
10+6.86 EUR
100+5.05 EUR
500+4.93 EUR
800+4.28 EUR
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SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihf30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.47 EUR
10+6.92 EUR
100+5.09 EUR
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SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.17 EUR
10+7.18 EUR
100+6.11 EUR
500+5.63 EUR
1000+5.1 EUR
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SiHP30N60E-E3 SiHP30N60E-E3 Vishay / Siliconix sihp30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 3792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.56 EUR
10+7.32 EUR
100+5.9 EUR
500+5.24 EUR
1000+4.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW30N60E-GE3 SIHW30N60E-GE3 Vishay / Siliconix SiHW30N60E.pdf MOSFETs 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.03 EUR
10+7.18 EUR
100+5.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMI30N60D1 WMI30N60D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.96 EUR
31+2.36 EUR
41+1.77 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4
Produktcode: 42509
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HGTG30N60A4.pdf
HGTG30N60A4
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/150
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.4 EUR
10+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4D
Produktcode: 31842
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description HGTG30N60A4D.pdf
HGTG30N60A4D
Hersteller: Intersil
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 24/180
auf Bestellung 18 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4 EUR
10+3.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60T
Produktcode: 101922
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INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW30N60T
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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30N60A
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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30N60C3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW30N60CTXKSA1 Infineon-AIKW30N60CT-DS-v02_01-EN.pdf
AIKW30N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.92 EUR
10+6.23 EUR
100+5.46 EUR
480+5.3 EUR
1200+5.16 EUR
2640+5.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Pulsed drain current: 89A
Technology: CoolMOS™
Gate charge: 88nC
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Pulsed drain current: 89A
Technology: CoolMOS™
Gate charge: 88nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3.pdf
BIDNW30N60H3
Hersteller: BOURNS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Field Stop
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+3.29 EUR
200+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3 Bourns_7-25-2022_BIDNW30N60H3_datasheet.pdf
BIDNW30N60H3
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.86 EUR
10+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60T BIDW30N60T.pdf
BIDW30N60T
Hersteller: BOURNS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Field Stop
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+3.65 EUR
150+3.22 EUR
300+3.16 EUR
600+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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BIDW30N60T Bourns_7-25-2022_BIDW30N60T_datasheet.pdf
BIDW30N60T
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
auf Bestellung 3887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.76 EUR
10+3.71 EUR
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DAMI330N60
DAMI330N60
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+36.59 EUR
3+35.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI330N60
DAMI330N60
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+36.59 EUR
3+35.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP130N60 FCP130N60-D.pdf
FCP130N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 15 Stücke:
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1+8.73 EUR
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IGB30N60H3 Infineon-IGB30N60H3-DS-v02_03-en.pdf
IGB30N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 1400 Stücke:
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1+4.4 EUR
10+2.87 EUR
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IGB30N60T Infineon-IGB30N60T-DataSheet-v02_05-EN.pdf
IGB30N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
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500+1.61 EUR
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IGP30N60H3 INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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IGP30N60H3 Infineon-IGP30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGP30N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
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10+2.87 EUR
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IGP30N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2
IGP30N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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24+3.03 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IGP30N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2
IGP30N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.03 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3 Infineon-IGW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGW30N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.88 EUR
10+3.15 EUR
100+2.32 EUR
480+1.94 EUR
1200+1.66 EUR
2640+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6
IGW30N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.23 EUR
23+3.17 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
31+2.35 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6
IGW30N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.23 EUR
23+3.17 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
31+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60T Infineon-IGW30N60T-DataSheet-v02_08-EN.pdf
IGW30N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.95 EUR
10+3.2 EUR
100+2.34 EUR
480+1.97 EUR
1200+1.68 EUR
2640+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e
IGW30N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.29 EUR
19+3.93 EUR
29+2.53 EUR
30+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e
IGW30N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.29 EUR
19+3.93 EUR
29+2.53 EUR
30+2.4 EUR
120+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TFKSA1 INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+7.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TPXKSA1 Infineon-IGW30N60TP-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IGW30N60TPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.03 EUR
10+1.76 EUR
100+1.44 EUR
480+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60DTPXKSA1 Infineon-IKW30N60DTP-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKW30N60DTPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.49 EUR
10+2.43 EUR
100+1.95 EUR
480+1.49 EUR
1200+1.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3 Infineon-IKW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IKW30N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 3531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.14 EUR
10+3.34 EUR
100+2.55 EUR
480+2.15 EUR
1200+1.83 EUR
2640+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41
IKW30N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.56 EUR
30+2.4 EUR
32+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41
IKW30N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.56 EUR
30+2.4 EUR
32+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3FKSA1 Infineon-IKW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.19 EUR
10+3.34 EUR
100+2.55 EUR
480+2.09 EUR
1200+1.83 EUR
2640+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60T Infineon-IKW30N60T-DataSheet-v02_06-EN.pdf
IKW30N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.55 EUR
10+4.28 EUR
100+3.2 EUR
480+2.87 EUR
1200+2.43 EUR
2640+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+12.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-30N60P-Datasheet.PDF
IXFH30N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 30A
auf Bestellung 1743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.23 EUR
10+11.18 EUR
510+10.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948
IXFR30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.5 EUR
7+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948
IXFR30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.5 EUR
7+10.21 EUR
30+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N60C3D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-30N60C3D1-Datasheet.PDF
IXGH30N60C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.63 EUR
10+12.23 EUR
120+10.19 EUR
510+9.08 EUR
1020+8.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60L2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF
IXTH30N60L2
Hersteller: IXYS
MOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 3725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+31.2 EUR
10+24.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206
IXTH30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.84 EUR
8+9.38 EUR
9+8.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-30N60P-Datasheet.PDF
IXTH30N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.14 EUR
10+10.26 EUR
120+9.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60L2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF
IXTQ30N60L2
Hersteller: IXYS
MOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+29.6 EUR
10+21.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-30N60P-Datasheet.PDF
IXTQ30N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.81 EUR
10+12.81 EUR
120+10.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF48F12B239E27&compId=IXXH30N60B3-DTE.pdf?ci_sign=fb346b9f3ffd7c0eb1f59c32431be20e1d64d489
IXXH30N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.75 EUR
11+6.98 EUR
13+5.56 EUR
14+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH30N60B3-Datasheet.PDF
IXXH30N60B3
Hersteller: IXYS
IGBTs TO247 600V 30A XPT
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.82 EUR
10+6.65 EUR
120+5.37 EUR
510+4.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182
IXXH30N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182
IXXH30N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 270W
Pulsed collector current: 115A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 23ns
Gate charge: 39nC
Turn-off time: 125ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH30N60B3D1-Datasheet.PDF
IXXH30N60B3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.84 EUR
10+6.86 EUR
510+6.6 EUR
1020+6.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH30N60C3D1-Datasheet.PDF
IXXH30N60C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT 30A
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.84 EUR
10+7.62 EUR
120+6.55 EUR
510+6.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB30N60E-GE3 sihb30n60e.pdf
SIHB30N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.42 EUR
10+5.51 EUR
100+5.46 EUR
500+4.33 EUR
1000+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB30N60ET1-GE3 sihb30n60e.pdf
SIHB30N60ET1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.87 EUR
10+6.86 EUR
100+5.05 EUR
500+4.93 EUR
800+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF30N60E-GE3 sihf30n60e.pdf
SIHF30N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.47 EUR
10+6.92 EUR
100+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG30N60E-GE3 sihg30n60e.pdf
SIHG30N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.17 EUR
10+7.18 EUR
100+6.11 EUR
500+5.63 EUR
1000+5.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHP30N60E-E3 sihp30n60e.pdf
SiHP30N60E-E3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 3792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.56 EUR
10+7.32 EUR
100+5.9 EUR
500+5.24 EUR
1000+4.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW30N60E-GE3 SiHW30N60E.pdf
SIHW30N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.03 EUR
10+7.18 EUR
100+5.91 EUR
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WMI30N60D1
WMI30N60D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.96 EUR
31+2.36 EUR
41+1.77 EUR
56+1.29 EUR
59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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