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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4
Produktcode: 42509
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FAIR/ON HGTG30N60A4.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 75 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 463 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 25/150
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+23.9 EUR
10+3.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D
Produktcode: 31842
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ON HGTG30N60A4D.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 75 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 463 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 24/180
auf Bestellung: 20 St.
  • 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+15.28 EUR
10+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60T
Produktcode: 101922
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INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+7.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30N60A
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30N60C3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies infineon_aikw30n60ct_ds_en.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.1 EUR
10+8.85 EUR
100+7.46 EUR
480+7.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW30N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382bd177c9f Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.16 EUR
30+8.81 EUR
120+7.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 Bourns Bourns_7-25-2022_BIDNW30N60H3_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.17 EUR
10+6.2 EUR
100+4.96 EUR
600+3.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60T BIDW30N60T BOURNS BIDW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3; Eoff: 0.45mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Technology: Field Stop; Trench
Turn-on time: 30ns
Turn-off switching energy: 0.45mJ
Turn-on switching energy: 1.85mJ
Gate charge: 76nC
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns Inc. BIDW30N60T.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.52 EUR
30+5.89 EUR
120+4.88 EUR
510+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDW30N60T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.9 EUR
10+5.93 EUR
100+4.86 EUR
600+4.16 EUR
1200+4.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CT15Z-30N600-4 CT15Z-30N600-4 Challenge Electronics CT15Z-30N600-4.pdf Description: BUZZER ELEMENT 6KHZ 15MM
Packaging: Tray
Size / Dimension: 0.591" Dia (15.00mm)
Type: Standard
Operating Temperature: -20°C ~ 60°C
Capacitance @ Frequency: 14000pF @ 100Hz
Voltage - Input (Max): 30V p-p
Termination: None
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
11+1.99 EUR
25+1.8 EUR
50+1.65 EUR
100+1.54 EUR
250+1.39 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH130N60 FCH130N60 Fairchild Semiconductor FAIRS47137-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
108+5 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP130N60 FCP130N60 Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
82+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP130N60 FCP130N60 onsemi FCP130N60-D.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.59 EUR
10+6.75 EUR
100+6.15 EUR
500+5.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP130N60 FCP130N60 onsemi FCP130N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.52 EUR
10+8.45 EUR
50+6.7 EUR
100+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N60LSDTU FGA30N60LSDTU Fairchild Semiconductor FAIRS46107-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
96+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1N30N60A4D Fairchild Semiconductor FAIRS15402-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IGBT MOD 600V 96A 255W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 255 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+40.22 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT4E30N60B3S Harris Corporation Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
55+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT4E30N60C3S Harris Corporation Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
51+10.47 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3 HGTG30N60B3 Harris Corporation FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
auf Bestellung 16153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3 HGTG30N60C3 Harris Corporation HRISS478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 63A SUPER-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
109+5.37 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Fairchild Semiconductor FAIRS30031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 63A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
auf Bestellung 5413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+14.66 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGA30N60H3XKSA1 IGA30N60H3XKSA1 Infineon Technologies IGA30N60H3.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 43 W
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
149+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3 IGB30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.64 EUR
100+2.51 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB30N60H3-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Infineon Technologies IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96 Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
auf Bestellung 4394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.55 EUR
10+3.59 EUR
100+2.48 EUR
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Infineon Technologies IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96 Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.84 EUR
2000+1.73 EUR
3000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 Infineon info-tigp30n60h3.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3 IGW30N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.95 EUR
10+4.44 EUR
100+3.17 EUR
480+2.64 EUR
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2640+2.31 EUR
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IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies INFNS30182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
auf Bestellung 6475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.02 EUR
30+4.43 EUR
120+3.63 EUR
510+3.05 EUR
1020+2.83 EUR
2010+2.67 EUR
5010+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IGW30N60T IGW30N60T Infineon Technologies Infineon_IGW30N60T_DataSheet_v02_08_EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
auf Bestellung 1547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.54 EUR
10+4.16 EUR
100+3.8 EUR
480+3.17 EUR
1200+2.93 EUR
2640+2.76 EUR
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IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 Infineon info-tigw30n60t.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.52 EUR
30+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies infineon_igw30n60tp_datasheet_en.pdf IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+2.67 EUR
100+2.12 EUR
480+1.76 EUR
1200+1.67 EUR
2640+1.61 EUR
5040+1.58 EUR
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IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW30N60TP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbb9952d7cae Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.94 EUR
30+2.64 EUR
120+2.13 EUR
510+1.75 EUR
1020+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IKW30N60H3 IKW30N60H3 Infineon info-tikw30n60h3.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IKW30N60H3 IKW30N60H3 Infineon info-tikw30n60h3.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IKW30N60H3 IKW30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN.pdf IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.34 EUR
10+6.12 EUR
100+4.57 EUR
480+3.81 EUR
1200+3.53 EUR
2640+3.36 EUR
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IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies infineon_ikw30n60h3_datasheet_en.pdf IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.69 EUR
10+4.82 EUR
100+4.33 EUR
480+3.75 EUR
1200+3.36 EUR
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IKW30N60T INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0001300131-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 45A; 187W; TO247-3; Eoff: 0.77mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 45A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 23ns
Turn-off switching energy: 0.77mJ
Turn-on switching energy: 0.69mJ
Gate charge: 167nC
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IKW30N60T IKW30N60T Infineon Technologies Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.82 EUR
10+6.43 EUR
100+4.8 EUR
480+4 EUR
1200+3.71 EUR
2640+3.52 EUR
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IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 0.3µs
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 44ns
Kind of package: tube
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon info-tikw30n60t.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.48 EUR
30+5.27 EUR
120+4.36 EUR
510+3.67 EUR
1020+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon_ikw30n60t_datasheet_en.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
auf Bestellung 3053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.98 EUR
10+5.01 EUR
100+4.13 EUR
480+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS 99316.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.31 EUR
30+14.67 EUR
60+13.53 EUR
120+12.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_30N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 30A
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.42 EUR
10+13.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS IXFR30N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 85nC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N60C3D1 IXGH30N60C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n60c3d1-datasheet?assetguid=a96721d6-ae1c-4f3a-b849-92678fa8ad20 Description: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/42ns
Switching Energy: 270µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.22 EUR
30+13.32 EUR
120+11.36 EUR
510+10.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF MOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.89 EUR
10+27.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS DS100101IXTHTQTT30N60L2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.24 EUR
30+27.47 EUR
60+25.6 EUR
120+24.01 EUR
510+23.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 0.5µs
Mounting: THT
Power dissipation: 540W
Gate charge: 82nC
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-30n60p-datasheet?assetguid=d66c982f-8d20-456b-b7b1-9481824597ab Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.19 EUR
30+14.59 EUR
60+13.45 EUR
120+12.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_30N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.55 EUR
10+13.55 EUR
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IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF MOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.05 EUR
10+26.05 EUR
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IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS DS100101IXTHTQTT30N60L2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.86 EUR
30+26.51 EUR
60+24.68 EUR
120+23.15 EUR
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HGTG30N60A4
Produktcode: 42509
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HGTG30N60A4
Hersteller: FAIR/ON
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 75 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 463 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 25/150
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+23.9 EUR
10+3.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4D
Produktcode: 31842
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description HGTG30N60A4D.pdf
HGTG30N60A4D
Hersteller: ON
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 75 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 463 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 24/180
auf Bestellung: 20 St.
  • 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+15.28 EUR
10+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60T
Produktcode: 101922
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INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
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1+7.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30N60A
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30N60C3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW30N60CTXKSA1 infineon_aikw30n60ct_ds_en.pdf
AIKW30N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+15.1 EUR
10+8.85 EUR
100+7.46 EUR
480+7.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW30N60CTXKSA1 Infineon-AIKW30N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382bd177c9f
AIKW30N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.16 EUR
30+8.81 EUR
120+7.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3 Bourns_7-25-2022_BIDNW30N60H3_datasheet.pdf
BIDNW30N60H3
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.17 EUR
10+6.2 EUR
100+4.96 EUR
600+3.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60T BIDW30N60T.pdf
BIDW30N60T
Hersteller: BOURNS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 60A; 230W; TO247-3; Eoff: 0.45mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Technology: Field Stop; Trench
Turn-on time: 30ns
Turn-off switching energy: 0.45mJ
Turn-on switching energy: 1.85mJ
Gate charge: 76nC
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60T BIDW30N60T.pdf
BIDW30N60T
Hersteller: Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+10.52 EUR
30+5.89 EUR
120+4.88 EUR
510+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60T Bourns_7-25-2022_BIDW30N60T_datasheet.pdf
BIDW30N60T
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.9 EUR
10+5.93 EUR
100+4.86 EUR
600+4.16 EUR
1200+4.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CT15Z-30N600-4 CT15Z-30N600-4.pdf
CT15Z-30N600-4
Hersteller: Challenge Electronics
Description: BUZZER ELEMENT 6KHZ 15MM
Packaging: Tray
Size / Dimension: 0.591" Dia (15.00mm)
Type: Standard
Operating Temperature: -20°C ~ 60°C
Capacitance @ Frequency: 14000pF @ 100Hz
Voltage - Input (Max): 30V p-p
Termination: None
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.64 EUR
11+1.99 EUR
25+1.8 EUR
50+1.65 EUR
100+1.54 EUR
250+1.39 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI330N60
DAMI330N60
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH130N60 FAIRS47137-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCH130N60
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
108+5 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP130N60 ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP130N60
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
82+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP130N60 FCP130N60-D.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP130N60
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.59 EUR
10+6.75 EUR
100+6.15 EUR
500+5.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP130N60 FCP130N60-D.pdf
FCP130N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.52 EUR
10+8.45 EUR
50+6.7 EUR
100+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGA30N60LSDTU FAIRS46107-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGA30N60LSDTU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
96+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1N30N60A4D description FAIRS15402-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT MOD 600V 96A 255W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 255 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+40.22 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT4E30N60B3S
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT4E30N60C3S
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+10.47 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3 FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG30N60B3
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
auf Bestellung 16153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
84+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3 HRISS478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG30N60C3
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 63A SUPER-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
109+5.37 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3D FAIRS30031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG30N60C3D
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 63A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
auf Bestellung 5413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+14.66 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGA30N60H3XKSA1 IGA30N60H3.pdf
IGA30N60H3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 43 W
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
149+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3 Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en.pdf
IGB30N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.59 EUR
10+3.64 EUR
100+2.51 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3-DTE.pdf
IGB30N60H3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96
IGB30N60H3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
auf Bestellung 4394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.55 EUR
10+3.59 EUR
100+2.48 EUR
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96
IGB30N60H3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.84 EUR
2000+1.73 EUR
3000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP30N60H3XKSA1 info-tigp30n60h3.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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10+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3 Infineon-IGW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGW30N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.95 EUR
10+4.44 EUR
100+3.17 EUR
480+2.64 EUR
1200+2.45 EUR
2640+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3-DTE.pdf
IGW30N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3FKSA1 INFNS30182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW30N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
auf Bestellung 6475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.02 EUR
30+4.43 EUR
120+3.63 EUR
510+3.05 EUR
1020+2.83 EUR
2010+2.67 EUR
5010+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60T Infineon_IGW30N60T_DataSheet_v02_08_EN.pdf
IGW30N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
auf Bestellung 1547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.54 EUR
10+4.16 EUR
100+3.8 EUR
480+3.17 EUR
1200+2.93 EUR
2640+2.76 EUR
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IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf
IGW30N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TFKSA1 info-tigw30n60t.pdf
IGW30N60TFKSA1
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IGW30N60TFKSA1 INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW30N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.52 EUR
30+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TPXKSA1 infineon_igw30n60tp_datasheet_en.pdf
IGW30N60TPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.57 EUR
10+2.67 EUR
100+2.12 EUR
480+1.76 EUR
1200+1.67 EUR
2640+1.61 EUR
5040+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TPXKSA1 Infineon-IGW30N60TP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbb9952d7cae
IGW30N60TPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.94 EUR
30+2.64 EUR
120+2.13 EUR
510+1.75 EUR
1020+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IKW30N60H3 info-tikw30n60h3.pdf
IKW30N60H3
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+7.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3 info-tikw30n60h3.pdf
IKW30N60H3
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+7.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IKW30N60H3 Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IKW30N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.34 EUR
10+6.12 EUR
100+4.57 EUR
480+3.81 EUR
1200+3.53 EUR
2640+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3FKSA1 infineon_ikw30n60h3_datasheet_en.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.69 EUR
10+4.82 EUR
100+4.33 EUR
480+3.75 EUR
1200+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60T INFN-S-A0001300131-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 45A; 187W; TO247-3; Eoff: 0.77mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 45A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 23ns
Turn-off switching energy: 0.77mJ
Turn-on switching energy: 0.69mJ
Gate charge: 167nC
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60T Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN.pdf
IKW30N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.82 EUR
10+6.43 EUR
100+4.8 EUR
480+4 EUR
1200+3.71 EUR
2640+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T.pdf
IKW30N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 0.3µs
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 44ns
Kind of package: tube
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60TFKSA1 info-tikw30n60t.pdf
IKW30N60TFKSA1
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d
IKW30N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.48 EUR
30+5.27 EUR
120+4.36 EUR
510+3.67 EUR
1020+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60TFKSA1 infineon_ikw30n60t_datasheet_en.pdf
IKW30N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
auf Bestellung 3053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.98 EUR
10+5.01 EUR
100+4.13 EUR
480+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N60P 99316.pdf
IXFH30N60P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+24.31 EUR
30+14.67 EUR
60+13.53 EUR
120+12.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_30N60P_Datasheet.PDF
IXFH30N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 30A
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+24.42 EUR
10+13.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR30N60P IXFR30N60P.pdf
IXFR30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 85nC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N60C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n60c3d1-datasheet?assetguid=a96721d6-ae1c-4f3a-b849-92678fa8ad20
IXGH30N60C3D1
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/42ns
Switching Energy: 270µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.22 EUR
30+13.32 EUR
120+11.36 EUR
510+10.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60L2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF
IXTH30N60L2
Hersteller: IXYS
MOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+41.89 EUR
10+27.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60L2 DS100101IXTHTQTT30N60L2.pdf
IXTH30N60L2
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+43.24 EUR
30+27.47 EUR
60+25.6 EUR
120+24.01 EUR
510+23.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Reverse recovery time: 0.5µs
Mounting: THT
Power dissipation: 540W
Gate charge: 82nC
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-30n60p-datasheet?assetguid=d66c982f-8d20-456b-b7b1-9481824597ab
IXTH30N60P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+24.19 EUR
30+14.59 EUR
60+13.45 EUR
120+12.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_30N60P_Datasheet.PDF
IXTH30N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+17.55 EUR
10+13.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60L2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF
IXTQ30N60L2
Hersteller: IXYS
MOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+42.05 EUR
10+26.05 EUR
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IXTQ30N60L2 DS100101IXTHTQTT30N60L2.pdf
IXTQ30N60L2
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
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