Suchergebnisse für "30n60" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4
Produktcode: 42509
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

FAIR HGTG30N60A4.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/150
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.4 EUR
10+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D
Produktcode: 31842
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Intersil HGTG30N60A4D.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 24/180
auf Bestellung 18 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+4 EUR
10+3.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60T IGW30N60T
Produktcode: 101922
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30N60A
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30N60C3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW30N60CT_DS_v02_01_EN-1730980.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.35 EUR
10+7.16 EUR
25+6.53 EUR
100+5.95 EUR
240+5.4 EUR
1200+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP TECHNOLOGY 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Gate charge: 88nC
Technology: CoolMOS™
Pulsed drain current: 89A
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP TECHNOLOGY 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Gate charge: 88nC
Technology: CoolMOS™
Pulsed drain current: 89A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30N60BC6 Microchip Technology APT47N60B_SC3_G__F-3444503.pdf MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 30 A TO-247
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.92 EUR
100+7.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3 BOURNS BIDNW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+3.3 EUR
200+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 Bourns Bourns_7_25_2022_BIDNW30N60H3_datasheet-3005228.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.02 EUR
25+3.41 EUR
100+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60T BOURNS BIDW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+3.66 EUR
150+3.23 EUR
300+3.17 EUR
600+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDW30N60T_datasheet-3005225.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.6 EUR
25+3.73 EUR
100+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+36.74 EUR
3+35.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+36.74 EUR
3+35.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP130N60 FCP130N60 onsemi / Fairchild fcp130n60-d.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.12 EUR
10+6.58 EUR
100+4.73 EUR
500+4.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4D Fairchaild hgtg30n60a4d-d.pdf description IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+34.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3 IGB30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en-3360235.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+3.57 EUR
100+2.48 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.87 EUR
5000+1.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60T IGB30N60T Infineon Technologies Infineon_IGB30N60T_DataSheet_v02_05_EN-3361639.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+3.38 EUR
100+2.45 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP30N60H3 Infineon INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP30N60H3 IGP30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGP30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362059.pdf IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.49 EUR
10+5.42 EUR
25+2.78 EUR
100+2.5 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.12 EUR
21+3.45 EUR
31+2.37 EUR
32+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.12 EUR
21+3.45 EUR
31+2.37 EUR
32+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3 IGW30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362220.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.93 EUR
25+3.19 EUR
100+2.66 EUR
240+2.64 EUR
480+2.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.49 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
120+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.49 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
120+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60T IGW30N60T Infineon Technologies Infineon_IGW30N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361611.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
25+3.27 EUR
100+2.69 EUR
240+2.68 EUR
480+2.08 EUR
1200+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.68 EUR
22+3.32 EUR
29+2.53 EUR
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TFKSA1 Infineon INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.68 EUR
22+3.32 EUR
29+2.53 EUR
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW30N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3362241.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.22 EUR
10+3.85 EUR
25+2.31 EUR
100+1.88 EUR
240+1.87 EUR
480+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60DTPXKSA1 IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3361844.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.54 EUR
10+4.63 EUR
25+3.06 EUR
100+2.52 EUR
240+2.48 EUR
480+1.95 EUR
1200+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3 Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3 Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3 IKW30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.32 EUR
10+3.89 EUR
100+3.13 EUR
480+2.78 EUR
1200+2.39 EUR
2640+2.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 94W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.59 EUR
26+2.83 EUR
27+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 94W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.59 EUR
26+2.83 EUR
27+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.37 EUR
25+3.26 EUR
100+2.78 EUR
480+2.27 EUR
1200+2.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60T IKW30N60T Infineon Technologies Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.41 EUR
10+5 EUR
100+4.05 EUR
480+3.57 EUR
1200+3.08 EUR
2640+2.96 EUR
5040+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60TFKSA1 Infineon IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+12.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.18 EUR
10+6.88 EUR
25+4.08 EUR
100+3.36 EUR
240+3.34 EUR
480+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS media-3323679.pdf MOSFETs 600V 30A
auf Bestellung 1745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.05 EUR
10+14.24 EUR
30+11.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.5 EUR
7+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.5 EUR
7+10.21 EUR
30+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N60C3D1 IXGH30N60C3D1 IXYS media-3322335.pdf IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.84 EUR
10+9.1 EUR
120+7.57 EUR
510+6.69 EUR
1020+6.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS media-3323906.pdf MOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 4696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.77 EUR
10+31.35 EUR
30+21.91 EUR
120+21.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 540W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.1 EUR
8+9.38 EUR
9+8.87 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS media-3323016.pdf MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.81 EUR
10+17.67 EUR
30+10.72 EUR
120+9.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS media-3323906.pdf MOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.99 EUR
30+24.32 EUR
120+21.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS media-3323016.pdf MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.95 EUR
30+11.81 EUR
120+11.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT30N60L2 IXTT30N60L2 IXYS media-3323906.pdf MOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.45 EUR
10+30.8 EUR
30+22.79 EUR
510+22.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF48F12B239E27&compId=IXXH30N60B3-DTE.pdf?ci_sign=fb346b9f3ffd7c0eb1f59c32431be20e1d64d489 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.75 EUR
11+6.98 EUR
13+5.55 EUR
14+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS media-3323096.pdf IGBTs TO247 600V 30A XPT
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.1 EUR
10+6.78 EUR
120+5.47 EUR
510+4.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.32 EUR
10+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.32 EUR
10+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS media-3321928.pdf IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.56 EUR
10+8.87 EUR
30+6.76 EUR
510+6.62 EUR
1020+6.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 IXYS media-3320805.pdf IGBTs XPT 600V IGBT 30A
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.9 EUR
30+9.77 EUR
120+8.24 EUR
270+7.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB30N60E-GE3 SIHB30N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihb30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.4 EUR
10+8.57 EUR
25+6.41 EUR
100+6.05 EUR
500+5.14 EUR
1000+4.61 EUR
2000+4.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB30N60ET1-GE3 SIHB30N60ET1-GE3 Vishay / Siliconix sihb30n60e.pdf MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.61 EUR
10+7.2 EUR
100+5.3 EUR
500+4.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihf30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.54 EUR
10+7.23 EUR
100+5.26 EUR
500+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4
Produktcode: 42509
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

HGTG30N60A4.pdf
HGTG30N60A4
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/150
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.4 EUR
10+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4D
Produktcode: 31842
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description HGTG30N60A4D.pdf
HGTG30N60A4D
Hersteller: Intersil
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 24/180
auf Bestellung 18 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4 EUR
10+3.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60T
Produktcode: 101922
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW30N60T
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30N60A
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30N60C3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW30N60CTXKSA1 Infineon_AIKW30N60CT_DS_v02_01_EN-1730980.pdf
AIKW30N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.35 EUR
10+7.16 EUR
25+6.53 EUR
100+5.95 EUR
240+5.4 EUR
1200+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Gate charge: 88nC
Technology: CoolMOS™
Pulsed drain current: 89A
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Gate charge: 88nC
Technology: CoolMOS™
Pulsed drain current: 89A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT30N60BC6 APT47N60B_SC3_G__F-3444503.pdf
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 30 A TO-247
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.92 EUR
100+7.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3.pdf
Hersteller: BOURNS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+3.3 EUR
200+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3 Bourns_7_25_2022_BIDNW30N60H3_datasheet-3005228.pdf
BIDNW30N60H3
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.02 EUR
25+3.41 EUR
100+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60T BIDW30N60T.pdf
Hersteller: BOURNS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+3.66 EUR
150+3.23 EUR
300+3.17 EUR
600+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60T Bourns_7_25_2022_BIDW30N60T_datasheet-3005225.pdf
BIDW30N60T
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.6 EUR
25+3.73 EUR
100+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI330N60
DAMI330N60
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+36.74 EUR
3+35.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI330N60
DAMI330N60
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+36.74 EUR
3+35.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP130N60 fcp130n60-d.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP130N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.12 EUR
10+6.58 EUR
100+4.73 EUR
500+4.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
Hersteller: Fairchaild
IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+34.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3 Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en-3360235.pdf
IGB30N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.46 EUR
10+3.57 EUR
100+2.48 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.87 EUR
5000+1.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60T Infineon_IGB30N60T_DataSheet_v02_05_EN-3361639.pdf
IGB30N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.4 EUR
10+3.38 EUR
100+2.45 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP30N60H3 INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP30N60H3 Infineon_IGP30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362059.pdf
IGP30N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.49 EUR
10+5.42 EUR
25+2.78 EUR
100+2.5 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP30N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2
IGP30N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.12 EUR
21+3.45 EUR
31+2.37 EUR
32+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP30N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2
IGP30N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.12 EUR
21+3.45 EUR
31+2.37 EUR
32+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3 Infineon_IGW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362220.pdf
IGW30N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.93 EUR
25+3.19 EUR
100+2.66 EUR
240+2.64 EUR
480+2.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6
IGW30N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.49 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
120+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6
IGW30N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.49 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
120+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60T Infineon_IGW30N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361611.pdf
IGW30N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.84 EUR
25+3.27 EUR
100+2.69 EUR
240+2.68 EUR
480+2.08 EUR
1200+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e
IGW30N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.68 EUR
22+3.32 EUR
29+2.53 EUR
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TFKSA1 INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+7.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e
IGW30N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.68 EUR
22+3.32 EUR
29+2.53 EUR
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TPXKSA1 Infineon_IGW30N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3362241.pdf
IGW30N60TPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.22 EUR
10+3.85 EUR
25+2.31 EUR
100+1.88 EUR
240+1.87 EUR
480+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60DTPXKSA1 Infineon_IKW30N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3361844.pdf
IKW30N60DTPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.54 EUR
10+4.63 EUR
25+3.06 EUR
100+2.52 EUR
240+2.48 EUR
480+1.95 EUR
1200+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3 Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf
IKW30N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.32 EUR
10+3.89 EUR
100+3.13 EUR
480+2.78 EUR
1200+2.39 EUR
2640+2.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41
IKW30N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 94W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.59 EUR
26+2.83 EUR
27+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41
IKW30N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 94W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.59 EUR
26+2.83 EUR
27+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3FKSA1 Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.37 EUR
25+3.26 EUR
100+2.78 EUR
480+2.27 EUR
1200+2.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60T Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf
IKW30N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.41 EUR
10+5 EUR
100+4.05 EUR
480+3.57 EUR
1200+3.08 EUR
2640+2.96 EUR
5040+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+12.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60TFKSA1 Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf
IKW30N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.18 EUR
10+6.88 EUR
25+4.08 EUR
100+3.36 EUR
240+3.34 EUR
480+2.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N60P media-3323679.pdf
IXFH30N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 30A
auf Bestellung 1745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.05 EUR
10+14.24 EUR
30+11.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948
IXFR30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.5 EUR
7+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BE5820&compId=IXFR30N60P.pdf?ci_sign=5be33e103d5a63cbc4ef4bfe6326764cd805a948
IXFR30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.5 EUR
7+10.21 EUR
30+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N60C3D1 media-3322335.pdf
IXGH30N60C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.84 EUR
10+9.1 EUR
120+7.57 EUR
510+6.69 EUR
1020+6.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60L2 media-3323906.pdf
IXTH30N60L2
Hersteller: IXYS
MOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 4696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+31.77 EUR
10+31.35 EUR
30+21.91 EUR
120+21.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206
IXTH30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 540W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.1 EUR
8+9.38 EUR
9+8.87 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P media-3323016.pdf
IXTH30N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.81 EUR
10+17.67 EUR
30+10.72 EUR
120+9.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60L2 media-3323906.pdf
IXTQ30N60L2
Hersteller: IXYS
MOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+30.99 EUR
30+24.32 EUR
120+21.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60P media-3323016.pdf
IXTQ30N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.95 EUR
30+11.81 EUR
120+11.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT30N60L2 media-3323906.pdf
IXTT30N60L2
Hersteller: IXYS
MOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+31.45 EUR
10+30.8 EUR
30+22.79 EUR
510+22.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF48F12B239E27&compId=IXXH30N60B3-DTE.pdf?ci_sign=fb346b9f3ffd7c0eb1f59c32431be20e1d64d489
IXXH30N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.75 EUR
11+6.98 EUR
13+5.55 EUR
14+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3 media-3323096.pdf
IXXH30N60B3
Hersteller: IXYS
IGBTs TO247 600V 30A XPT
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.1 EUR
10+6.78 EUR
120+5.47 EUR
510+4.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182
IXXH30N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.32 EUR
10+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182
IXXH30N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.32 EUR
10+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1 media-3321928.pdf
IXXH30N60B3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.56 EUR
10+8.87 EUR
30+6.76 EUR
510+6.62 EUR
1020+6.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3D1 media-3320805.pdf
IXXH30N60C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT 30A
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.9 EUR
30+9.77 EUR
120+8.24 EUR
270+7.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB30N60E-GE3 sihb30n60e.pdf
SIHB30N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.4 EUR
10+8.57 EUR
25+6.41 EUR
100+6.05 EUR
500+5.14 EUR
1000+4.61 EUR
2000+4.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB30N60ET1-GE3 sihb30n60e.pdf
SIHB30N60ET1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.61 EUR
10+7.2 EUR
100+5.3 EUR
500+4.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF30N60E-GE3 sihf30n60e.pdf
SIHF30N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.54 EUR
10+7.23 EUR
100+5.26 EUR
500+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]