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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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HGTG30N60A4 HGTG30N60A4
Produktcode: 42509
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FAIR HGTG30N60A4.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/150
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.4 EUR
10+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D
Produktcode: 31842
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Intersil HGTG30N60A4D.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 24/180
auf Bestellung 20 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+4 EUR
10+3.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60T IGW30N60T
Produktcode: 101922
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INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30N60A
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
30N60C3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW30N60CT_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.82 EUR
10+6.88 EUR
100+6.32 EUR
480+6.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 BOURNS BIDNW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 76nC
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+3.3 EUR
200+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 Bourns Bourns_7-25-2022_BIDNW30N60H3_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.76 EUR
10+4.33 EUR
100+3.57 EUR
600+3.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60T BIDW30N60T BOURNS BIDW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 76nC
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+3.65 EUR
150+3.23 EUR
300+3.16 EUR
600+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDW30N60T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.06 EUR
10+4.7 EUR
100+3.89 EUR
600+3.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5mΩ
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+35.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP130N60 FCP130N60 onsemi fcp130n60-d.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.75 EUR
10+7.15 EUR
100+5.79 EUR
500+5.14 EUR
1000+4.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3 IGB30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.42 EUR
10+2.87 EUR
100+1.99 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB30N60H3-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.03 EUR
30+2.42 EUR
34+2.13 EUR
41+1.77 EUR
50+1.57 EUR
100+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60T IGB30N60T Infineon Technologies Infineon_IGB30N60T_DataSheet_v02_05_EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+2.82 EUR
100+1.94 EUR
500+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP30N60H3 Infineon INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.4 EUR
30+2.43 EUR
36+2 EUR
39+1.86 EUR
50+1.69 EUR
100+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP30N60H3XKSA1 Infineon IGP30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126b8bf01371ef6 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3 IGW30N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.24 EUR
10+2.87 EUR
100+2.32 EUR
480+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.23 EUR
25+2.92 EUR
31+2.33 EUR
32+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TFKSA1 Infineon INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW30N60TP-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.33 EUR
10+1.94 EUR
100+1.66 EUR
480+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3 Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3 Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3 IKW30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN.pdf IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 5784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.16 EUR
10+3.36 EUR
100+2.57 EUR
480+2.15 EUR
1200+2.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.49 EUR
28+2.59 EUR
32+2.25 EUR
33+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN.pdf IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.63 EUR
10+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60T IKW30N60T Infineon Technologies Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.55 EUR
10+4.29 EUR
100+3.22 EUR
480+2.87 EUR
1200+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.28 EUR
22+3.36 EUR
26+2.8 EUR
30+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60TFKSA1 Infineon IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
auf Bestellung 3108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.41 EUR
10+3.54 EUR
100+2.9 EUR
480+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_30N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 30A
auf Bestellung 1728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.23 EUR
10+10.07 EUR
120+9.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS IXFR30N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N60C3D1 IXGH30N60C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_30N60C3D1_Datasheet.PDF IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.89 EUR
10+8.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF MOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 3766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.67 EUR
10+22.86 EUR
120+20.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.54 EUR
10+8.57 EUR
30+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_30N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.14 EUR
10+10.26 EUR
120+9.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS IXXH30N60B3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.35 EUR
11+6.62 EUR
13+5.85 EUR
30+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH30N60B3_Datasheet.PDF IGBTs TO247 600V 30A XPT
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+6.65 EUR
120+4.8 EUR
510+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS IXXH30N60B3D1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.78 EUR
11+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH30N60B3D1_Datasheet.PDF IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11 EUR
10+5.74 EUR
120+5.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH30N60C3D1_Datasheet.PDF IGBTs XPT 600V IGBT 30A
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SIHB30N60E-GE3 SIHB30N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihb30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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SIHB30N60ET1-GE3 SIHB30N60ET1-GE3 Vishay / Siliconix sihb30n60e.pdf MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET
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SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihf30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SiHP30N60E-E3 SiHP30N60E-E3 Vishay / Siliconix sihp30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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SIHW30N60E-GE3 SIHW30N60E-GE3 Vishay / Siliconix SiHW30N60E.pdf MOSFETs 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
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480+5.7 EUR
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WMI30N60D1 WMI30N60D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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AIKW30N60CT Infineon
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FCP130N60 ONN fcp130n60-d.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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FGH30N60LSDTU ON Semiconductor fgh30n60lsd-d.pdf
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G30N60A4D FAIRCHILD
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G30N60B3D FSC
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G30N60C3 FAIRCHILD
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G30N60C3D harris TO-3P 08+
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HGTG30N60B3 FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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HGTG30N60C3 HRISS478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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HGTP30N60C3D FAIRCHILD TO-220
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IGB30N60H3ATMA1 Infineon IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96
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HGTG30N60A4
Produktcode: 42509
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HGTG30N60A4.pdf
HGTG30N60A4
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/150
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1+3.4 EUR
10+3.2 EUR
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HGTG30N60A4D
Produktcode: 31842
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description HGTG30N60A4D.pdf
HGTG30N60A4D
Hersteller: Intersil
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 24/180
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Anzahl Preis
1+4 EUR
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IGW30N60T
Produktcode: 101922
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INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW30N60T
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
ZCODE: 8541290010
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30N60A
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30N60C3
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AIKW30N60CTXKSA1 Infineon_AIKW30N60CT_DS_v02_01_EN.pdf
AIKW30N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
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1+9.82 EUR
10+6.88 EUR
100+6.32 EUR
480+6.3 EUR
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BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3.pdf
BIDNW30N60H3
Hersteller: BOURNS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 76nC
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+3.3 EUR
200+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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BIDNW30N60H3 Bourns_7-25-2022_BIDNW30N60H3_datasheet.pdf
BIDNW30N60H3
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.76 EUR
10+4.33 EUR
100+3.57 EUR
600+3.38 EUR
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BIDW30N60T BIDW30N60T.pdf
BIDW30N60T
Hersteller: BOURNS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 76nC
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+3.65 EUR
150+3.23 EUR
300+3.16 EUR
600+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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BIDW30N60T Bourns_7-25-2022_BIDW30N60T_datasheet.pdf
BIDW30N60T
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
auf Bestellung 1840 Stücke:
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Anzahl Preis
1+8.06 EUR
10+4.7 EUR
100+3.89 EUR
600+3.41 EUR
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DAMI330N60
DAMI330N60
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5mΩ
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+35.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FCP130N60 fcp130n60-d.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP130N60
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.75 EUR
10+7.15 EUR
100+5.79 EUR
500+5.14 EUR
1000+4.56 EUR
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IGB30N60H3 Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en.pdf
IGB30N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.42 EUR
10+2.87 EUR
100+1.99 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.53 EUR
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IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3-DTE.pdf
IGB30N60H3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.03 EUR
30+2.42 EUR
34+2.13 EUR
41+1.77 EUR
50+1.57 EUR
100+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IGB30N60T Infineon_IGB30N60T_DataSheet_v02_05_EN.pdf
IGB30N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.33 EUR
10+2.82 EUR
100+1.94 EUR
500+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP30N60H3 INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3-DTE.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.4 EUR
30+2.43 EUR
36+2 EUR
39+1.86 EUR
50+1.69 EUR
100+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126b8bf01371ef6
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60H3 Infineon-IGW30N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGW30N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.24 EUR
10+2.87 EUR
100+2.32 EUR
480+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf
IGW30N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
25+2.92 EUR
31+2.33 EUR
32+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW30N60TFKSA1 INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IGW30N60TPXKSA1 Infineon-IGW30N60TP-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IGW30N60TPXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.33 EUR
10+1.94 EUR
100+1.66 EUR
480+1.31 EUR
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IKW30N60H3
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C;   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3 Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IKW30N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 5784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.16 EUR
10+3.36 EUR
100+2.57 EUR
480+2.15 EUR
1200+2.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.49 EUR
28+2.59 EUR
32+2.25 EUR
33+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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IKW30N60H3FKSA1 Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V 30A 187W
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.63 EUR
10+2.8 EUR
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IKW30N60T Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN.pdf
IKW30N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.55 EUR
10+4.29 EUR
100+3.22 EUR
480+2.87 EUR
1200+2.82 EUR
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IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T.pdf
IKW30N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.28 EUR
22+3.36 EUR
26+2.8 EUR
30+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;   IKW30N60T TIKW30n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N60TFKSA1 Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN.pdf
IKW30N60TFKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
auf Bestellung 3108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.41 EUR
10+3.54 EUR
100+2.9 EUR
480+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH30N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_30N60P_Datasheet.PDF
IXFH30N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 30A
auf Bestellung 1728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.23 EUR
10+10.07 EUR
120+9.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR30N60P IXFR30N60P.pdf
IXFR30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166W
Gate charge: 85nC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH30N60C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_30N60C3D1_Datasheet.PDF
IXGH30N60C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.89 EUR
10+8.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60L2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_30N60_Datasheet.PDF
IXTH30N60L2
Hersteller: IXYS
MOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 3766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+34.67 EUR
10+22.86 EUR
120+20.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.54 EUR
10+8.57 EUR
30+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH30N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_30N60P_Datasheet.PDF
IXTH30N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.14 EUR
10+10.26 EUR
120+9.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3-DTE.pdf
IXXH30N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.35 EUR
11+6.62 EUR
13+5.85 EUR
30+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH30N60B3_Datasheet.PDF
IXXH30N60B3
Hersteller: IXYS
IGBTs TO247 600V 30A XPT
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.82 EUR
10+6.65 EUR
120+4.8 EUR
510+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1-DTE.pdf
IXXH30N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.78 EUR
11+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH30N60B3D1_Datasheet.PDF
IXXH30N60B3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11 EUR
10+5.74 EUR
120+5.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH30N60C3D1_Datasheet.PDF
IXXH30N60C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT 30A
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.86 EUR
10+7.52 EUR
120+6.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB30N60E-GE3 sihb30n60e.pdf
SIHB30N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.89 EUR
10+5.81 EUR
100+5.33 EUR
500+4.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB30N60ET1-GE3 sihb30n60e.pdf
SIHB30N60ET1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.19 EUR
10+6.86 EUR
100+5.05 EUR
500+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF30N60E-GE3 sihf30n60e.pdf
SIHF30N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.26 EUR
10+6.92 EUR
100+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG30N60E-GE3 sihg30n60e.pdf
SIHG30N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.61 EUR
10+7.18 EUR
100+6.34 EUR
500+5.63 EUR
1000+5.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHP30N60E-E3 sihp30n60e.pdf
SiHP30N60E-E3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 3790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11 EUR
10+7.32 EUR
100+5.91 EUR
500+5.26 EUR
1000+4.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW30N60E-GE3 SiHW30N60E.pdf
SIHW30N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.19 EUR
10+7.83 EUR
100+5.72 EUR
480+5.7 EUR
960+5.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMI30N60D1
WMI30N60D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.76 EUR
33+2.19 EUR
44+1.64 EUR
49+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW30N60CT
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP130N60 fcp130n60-d.pdf ONSM-S-A0003584702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONN
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH30N60LSDTU fgh30n60lsd-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G30N60A4D
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G30N60B3D
Hersteller: FSC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G30N60C3
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G30N60C3D
Hersteller: harris
TO-3P 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3 FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3 HRISS478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP30N60C3D
Hersteller: FAIRCHILD
TO-220
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46d3374d2b96
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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