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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
BGS12P2L6E6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Analog multiplexers and switches Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz Supply voltage: 1.65...3.4V DC Type of integrated circuit: RF switch Application: telecommunication Output configuration: SPDT Case: TSLP-6-4 Bandwidth: 0.05...6GHz Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPT015N10N5ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 243A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 375W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 169nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLR2705TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 28A Power dissipation: 68W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level	auf Bestellung 1058 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLR2705TRLPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; Idm: 110A; 68W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 20A Power dissipation: 68W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 110A On-state resistance: 40mΩ Gate-source voltage: ±16V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLR6225TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 100A Power dissipation: 63W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level	auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLR8743TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 160A Power dissipation: 135W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level	auf Bestellung 1315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLR3636TRLPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 99A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLR2908TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 39A Power dissipation: 120W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLR3410TRLPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 79W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 60A On-state resistance: 0.105Ω Gate-source voltage: ±16V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLR3915TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 61A Power dissipation: 120W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB4310ZPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB4310ZPBFXKMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB180N10S402ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 300W Case: TO263-7 On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 156nC Application: automotive industry	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IAUA180N10S5N029AUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A Power dissipation: 221W Case: PG-HSOF-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 561A Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLU3410PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET®	auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPD30P06PGBTMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3 Polarisation: unipolar Power dissipation: 125W Technology: SIPMOS™ Drain current: -30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD	auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FM25040B-GTR	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: FRAM memories - integrated circuits Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 4.5÷5.5VDC; 20MHz; SO8 Mounting: SMD Supply voltage: 4.5...5.5V DC Type of integrated circuit: FRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 20MHz Memory: 4kb FRAM Kind of interface: serial Memory organisation: 512x8bit Case: SO8 Interface: SPI Kind of memory: FRAM	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S29GL256P10TFI010	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 256Mb FLASH Operating voltage: 2.7...3.6V Case: TSOP56 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Interface: CFI; parallel	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S29GL256S10TFI010	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 256Mb FLASH Operating voltage: 2.7...3.6V Case: TSOP56 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Interface: CFI; parallel	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S29GL256P90FFIR20	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 256Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S29GL256P11TFI010	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 256Mb FLASH Operating voltage: 2.7...3.6V Case: TSOP56 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Interface: CFI; parallel	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S29GL256S10DHB020	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 256Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Access time: 100ns Application: automotive Kind of package: in-tray	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S29GL256S10DHB023	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 256Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Access time: 100ns Application: automotive Kind of package: reel; tape	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S29GL256S10DHI010	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 256Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 100ns Kind of package: in-tray	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 520 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S29GL256S10DHI020	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 256Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 100ns Kind of package: in-tray	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 260 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S29GL256S10DHI023	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 256Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 100ns Kind of package: reel; tape	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S29GL256S10DHIV10	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 256Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 100ns Kind of package: in-tray	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 260 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S29GL256S10DHIV20	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 256Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 100ns Kind of package: in-tray	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S29GL256S10DHIV23	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 256Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 100ns Kind of package: reel; tape	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S29GL256S10DHV010	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 256Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Access time: 100ns Kind of package: in-tray	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 260 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S29GL256S10FHI010	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 256Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 100ns Kind of package: in-tray	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FF200R12KT4HOSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Power dissipation: 1.1kW Case: AG-62MM-1 Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 400A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT	auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FM25W256-G	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: FRAM memories - integrated circuits Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC; 20MHz; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Clock frequency: 20MHz Memory: 256kb FRAM Kind of interface: serial Memory organisation: 32kx8bit Interface: SPI Kind of memory: FRAM Supply voltage: 2.7...5.5V DC Type of integrated circuit: FRAM memory Operating temperature: -40...85°C	auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY7C1041GN30-10ZSXI	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Case: TSOP44 II Mounting: SMD Memory: 4Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 256kx16bit Operating voltage: 2.2...3.6V Kind of memory: SRAM Access time: 10ns Type of integrated circuit: SRAM memory	auf Bestellung 1317 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FM25CL64B-GTR	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: FRAM memories - integrated circuits Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; SO8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 64kb FRAM Interface: SPI Memory organisation: 8kx8bit Supply voltage: 2.7...3.6V DC Clock frequency: 20MHz Case: SO8 Mounting: SMD Kind of interface: serial Operating temperature: -40...85°C	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BA592E6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape Type of diode: switching Mounting: SMD Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. off-state voltage: 35V Load current: 0.1A Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Leakage current: 20nA Case: SOD323 Capacitance: 0.6...1.4pF	auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BA592E6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape Type of diode: switching Mounting: SMD Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. off-state voltage: 35V Load current: 0.1A Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Leakage current: 20nA Case: SOD323 Capacitance: 0.6...1.4pF	auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB80N06S2L07ATMA3	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 210W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPW11N80C3	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.1A Power dissipation: 156W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC0906NSATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 53A Power dissipation: 30W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 2273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IR2112PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP14 Output current: -420...200mA Power: 1.6W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 205ns Turn-off time: 145ns	auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IR2181SPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -2.3...1.9A Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 180ns Turn-off time: 0.22µs Protection: undervoltage UVP Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality	auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IR2183SPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -2.3...1.9A Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 180ns Turn-off time: 0.22µs Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality	auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IR2301SPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: tube Turn-on time: 220ns Power: 625mW Turn-off time: 200ns Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Number of channels: 2 Topology: MOSFET half-bridge Supply voltage: 5...20V DC Output current: -0.35...0.2A Type of integrated circuit: driver Operating temperature: -40...125°C Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality Voltage class: 600V	auf Bestellung 109 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IR2109PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Topology: MOSFET half-bridge Mounting: THT Supply voltage: 10...20V DC Output current: -250...120mA Type of integrated circuit: driver Operating temperature: -40...125°C Voltage class: 600V Turn-on time: 750ns Power: 1W Kind of package: tube Case: DIP8 Turn-off time: 200ns Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Number of channels: 2	auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IR2304SPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -130...60mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Power: 625mW Turn-off time: 0.22µs Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 600V Turn-on time: 220ns	auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IR2302SPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -0.35...0.2A Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 5...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 750ns Turn-off time: 200ns	auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IR2112SPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO16-W Output current: -420...200mA Power: 1.25W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 205ns Turn-off time: 145ns	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IR1169STRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Topology: flyback; push-pull; resonant LLC Kind of integrated circuit: gate driver Application: SMPS Operating temperature: -40...125°C Output current: -4...1A Power: 625mW Supply voltage: 11...19V DC Voltage class: 200V Type of integrated circuit: driver	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S25FL128SAGMFIR11	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16 Case: SOIC16 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of memory: NOR Interface: QUAD SPI Kind of interface: serial Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.7...3.6V Operating frequency: 133MHz Memory: 128Mb FLASH Type of integrated circuit: FLASH memory	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 705 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S25FL256SAGMFIR11	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16 Case: SOIC16 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of memory: NOR Interface: QUAD SPI Kind of interface: serial Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.7...3.6V Operating frequency: 133MHz Memory: 256Mb FLASH Type of integrated circuit: FLASH memory	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 705 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S25FL512SAGMFIR11	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16 Case: SOIC16 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of memory: NOR Interface: QUAD SPI Kind of interface: serial Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.7...3.6V Operating frequency: 133MHz Memory: 512Mb FLASH Type of integrated circuit: FLASH memory	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 47 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C20234-12LKXI	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: PSoC microcontroller; 12MHz; QFN16; 512BSRAM,8kBFLASH Supply voltage: 2.4...5.25V DC Mounting: SMD Case: QFN16 Interface: I2C; SPI; UART; USB 2.0 Number of inputs/outputs: 13 Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Integrated circuit features: CapSense Clock frequency: 12MHz Kind of core: 8-bit Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 980 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S70GL02GT11FHB013	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Operating temperature: -40...105°C Mounting: SMD Access time: 110ns Type of integrated circuit: FLASH memory Application: automotive Memory: 2Gb FLASH Kind of interface: parallel Kind of package: reel; tape Case: BGA64 Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Kind of memory: NOR	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFH7440TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 85A Power dissipation: 104W Case: PQFN5X6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Technology: HEXFET®	auf Bestellung 3050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFH5020TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.1A; 3.6W; PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Case: PQFN5X6 Kind of package: reel Polarisation: unipolar Power dissipation: 3.6W Drain current: 5.1A Drain-source voltage: 200V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFH5300TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFHM830TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 2.7W Case: PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFH7085TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 147A; 156W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 147A Power dissipation: 156W Case: PQFN8 On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFH8325TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BGS12P2L6E6327XTSA1

Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Application: telecommunication
Output configuration: SPDT
Case: TSLP-6-4
Bandwidth: 0.05...6GHz
Mounting: SMD

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Mindestbestellmenge: 15000 Stücke

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IPT015N10N5ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IRLR2705TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

auf Bestellung 1058 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRLR2705TRLPBF

irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; Idm: 110A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 20A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±16V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLR6225TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRLR8743TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

auf Bestellung 1315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLR3636TRLPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLR2908TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLR3410TRLPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 0.105Ω
Gate-source voltage: ±16V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLR3915TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 61A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB4310ZPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 112 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB4310ZPBFXKMA1

infineon-irfs4310z-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N10S402ATMA1

Infineon-IPB180N10S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d1d0bbe013d2129cf8a2f88

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 156nC
Application: automotive industry

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUA180N10S5N029AUMA1

Infineon-IAUA180N10S5N029-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39b1380b38

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 561A
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLU3410PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD30P06PGBTMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 125W
Technology: SIPMOS™
Drain current: -30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD

auf Bestellung 370 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FM25040B-GTR

Infineon-FM25040B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec8ff1b416c&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 4.5÷5.5VDC; 20MHz; SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 20MHz
Memory: 4kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Case: SO8
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S29GL256P10TFI010

128_Mbit_3_V_Page_Flash_with_90_nm_MirrorBit_Process_Technology-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cypress&utm_medium=ref

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSOP56
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Interface: CFI; parallel

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S29GL256S10TFI010

infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S29GL256P90FFIR20

infineon-s29gl01gp-s29gl512p-s29gl256p-s29gl128p-1-gbit512256128-mbit-3-v-page-flash-with-90-nm-mirrorbit-process-technology-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cyp

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S29GL256P11TFI010

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S29GL256S10DHB020

infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 100ns
Application: automotive
Kind of package: in-tray

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S29GL256S10DHB023

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2200 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S29GL256S10DHI010

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 520 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S29GL256S10DHI020

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 260 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S29GL256S10DHI023

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: reel; tape

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2200 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S29GL256S10DHIV10

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 260 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S29GL256S10DHIV20

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S29GL256S10DHIV23

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: reel; tape

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2200 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S29GL256S10DHV010

Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai

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Mindestbestellmenge: 260 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S29GL256S10FHI010

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray

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Mindestbestellmenge: 360 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FF200R12KT4HOSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Power dissipation: 1.1kW
Case: AG-62MM-1
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FM25W256-G

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC; 20MHz; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Clock frequency: 20MHz
Memory: 256kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 32kx8bit
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C

auf Bestellung 207 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY7C1041GN30-10ZSXI

Infineon-CY7C1041GN_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed82ae859a5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Memory: 4Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Kind of memory: SRAM
Access time: 10ns
Type of integrated circuit: SRAM memory

auf Bestellung 1317 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FM25CL64B-GTR

Infineon-FM25CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdfcd83119&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BA592E6327HTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Case: SOD323
Capacitance: 0.6...1.4pF

auf Bestellung 325 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BA592E6327HTSA1

auf Bestellung 1460 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB80N06S2L07ATMA3

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 644 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPW11N80C3

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC0906NSATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 2273 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IR2112PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 145ns

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IR2181SPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IR2183SPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IR2301SPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Turn-off time: 200ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 5...20V DC
Output current: -0.35...0.2A
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V

auf Bestellung 109 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IR2109PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: THT
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -250...120mA
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
Kind of package: tube
Case: DIP8
Turn-off time: 200ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2

auf Bestellung 44 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IR2304SPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Turn-off time: 0.22µs
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IR2302SPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 200ns

auf Bestellung 94 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IR2112SPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 145ns

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IR1169STRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 11...19V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S25FL128SAGMFIR11

infineon-s25fl128s-s25fl256s-128-mb-16-mb-256-mb-32-mb-fl-s-flash-spi-multi-io-3-v-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Operating frequency: 133MHz
Memory: 128Mb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 705 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S25FL256SAGMFIR11

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Operating frequency: 133MHz
Memory: 256Mb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 705 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S25FL512SAGMFIR11

infineon-s25fl512s-512-mb-64-mb-fl-s-flash-spi-multi-i-o-3-datasheet-cn.pdf

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Operating frequency: 133MHz
Memory: 512Mb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 47 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY8C20234-12LKXI

Infineon-CY8C20134_CY8C20234_CY8C20334_CY8C20434_CY8C20534_CY8C20634_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebcc61b2e7f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 12MHz; QFN16; 512BSRAM,8kBFLASH
Supply voltage: 2.4...5.25V DC
Mounting: SMD
Case: QFN16
Interface: I2C; SPI; UART; USB 2.0
Number of inputs/outputs: 13
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Integrated circuit features: CapSense
Clock frequency: 12MHz
Kind of core: 8-bit
Memory: 0.5kB SRAM; 8kB FLASH

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 980 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S70GL02GT11FHB013

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Operating temperature: -40...105°C
Mounting: SMD
Access time: 110ns
Type of integrated circuit: FLASH memory
Application: automotive
Memory: 2Gb FLASH
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1600 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7440TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®

auf Bestellung 3050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5020TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.1A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PQFN5X6
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.6W
Drain current: 5.1A
Drain-source voltage: 200V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5300TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFHM830TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7085TRPBF

irfh7085pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561eb50c1ed6

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 147A; 156W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 147A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN8
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH8325TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH