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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
IRG4PSH71KDPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 78A; 350W; SUPER247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 78A Power dissipation: 350W Case: SUPER247 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AUIRG4PC40S-E	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 160W; TO247AD; 0.45mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 160W Case: TO247AD Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 31A Mounting: THT Gate charge: 150nC Turn-on time: 22ns Turn-on switching energy: 0.45mJ	auf Bestellung 39600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR220NTRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A Power dissipation: 43W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 1808 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRL7472L1TRPbF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 68A; DirectFET-L8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 68A Case: DirectFET-L8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF8714TRPBFXTMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPW60R120P7XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 95W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 95W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR4104TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 119A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPA80R450P7XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 29W Case: TO220-3 On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPAN80R360P7XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8.6A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC Version: ESD Kind of package: tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSD235NH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.95A Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FM24CL64B-DG	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: FRAM memories - integrated circuits Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 64kb FRAM Interface: I2C Memory organisation: 8kx8bit Mounting: SMD Case: DFN8 Kind of interface: serial Supply voltage: 2.7...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 1MHz	auf Bestellung 934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FM24CL64B-GTR	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: FRAM memories - integrated circuits Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 64kb FRAM Interface: I2C Memory organisation: 8kx8bit Mounting: SMD Case: SO8 Kind of interface: serial Supply voltage: 2.7...3.65V DC Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 1MHz	auf Bestellung 2425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FM24CL64B-DGTR	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: FRAM memories - integrated circuits Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 64kb FRAM Interface: I2C Memory organisation: 8kx8bit Supply voltage: 2.7...3.6V DC Clock frequency: 1MHz Case: DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IKD15N60RC2ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 28A; 115.4W; DPAK Mounting: SMD Pulsed collector current: 45A Type of transistor: IGBT Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 28A Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 115.4W Gate charge: 72nC Technology: Field Stop; Trench	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF2804STRLPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 280A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AUIRF2804STRL	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FM25V10-GTR	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: FRAM memories - integrated circuits Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 1Mb FRAM Interface: SPI Memory organisation: 128kx8bit Supply voltage: 2...3.6V DC Clock frequency: 40MHz Case: SO8 Mounting: SMD Kind of interface: serial Operating temperature: -40...85°C	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSS131H6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSS131H6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRL7486MTRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 209A; DirectFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 209A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: DirectFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7480MTRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 330A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF6727MTRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET Kind of package: reel Case: DirectFET Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 89W Drain current: 180A	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF6648TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 86A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AUIRF7647S2TR	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Case: DirectFET Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 24A	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AUIRF7736M2TR	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; 63W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 108A Power dissipation: 63W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AUIRF7739L2TR	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 125W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF6775MTRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 28A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7739L1TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 125W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7739L2TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 125W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF6645TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.7A Power dissipation: 42W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB80N06S405ATMA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 107W Case: PG-TO263-3-2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB180N06S4H1ATMA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 180A Pulsed drain current: 720A Power dissipation: 250W Case: PG-TO263-7-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS® -T2	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EDN8524FXTMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8 Topology: MOSFET half-bridge Mounting: SMD Supply voltage: 4.5...20V Output current: -5...5A Type of integrated circuit: driver Protection: undervoltage UVP Technology: EiceDRIVER™ Voltage class: 20V Kind of package: reel; tape Case: PG-DSO-8 Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Number of channels: 2	auf Bestellung 2381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CYUSB3KIT-003	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Development kits - others Description: Dev.kit: Cypress; expansion board Type of development kit: Cypress Connection: USB 2.0; USB 3.0 Kind of module: expansion board	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY62128ELL-45SXI	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; SO32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 45ns Case: SO32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating voltage: 4.5...5.5V IC width: 450mils	auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY62128ELL-45ZXI	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; TSOP32 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 45ns Case: TSOP32 Mounting: SMD Operating voltage: 4.5...5.5V Operating temperature: -40...85°C	auf Bestellung 481 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BAT1804E6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOT23; double series; Ufmax: 1.2V Type of diode: switching Max. off-state voltage: 35V Load current: 0.1A Case: SOT23 Mounting: SMD Semiconductor structure: double series Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.2V Features of semiconductor devices: PIN; RF	auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BA885E6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. off-state voltage: 50V Load current: 50mA Semiconductor structure: single diode Leakage current: 20nA Capacitance: 0.19...0.45pF Type of diode: switching	auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BA89202VH6127XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V Reverse recovery time: 120ns Mounting: SMD Max. forward voltage: 1V Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. off-state voltage: 35V Load current: 0.1A Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Leakage current: 20nA Case: SC79 Capacitance: 0.6...1.4pF Type of diode: switching	auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IAUT300N08S5N012ATMA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 300A Power dissipation: 375W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 178nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 1894 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY62128ELL-45SX	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; SO32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 128kx8bit Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 45ns Case: SO32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD	auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY62128EV30LL-45ZAXI	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP32 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 128kx8bit Operating voltage: 2.2...3.6V Access time: 45ns Case: TSOP32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD	auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY62128EV30LL-45SXI	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; SO32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 128kx8bit Operating voltage: 2.2...3.6V Access time: 45ns Case: SO32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD IC width: 450mils	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY62128EV30LL-45SXIT	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 45ns Case: SO32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.2...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC007N04LS6ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 138W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 138W Case: PG-TDSON-8 FL On-state resistance: 0.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC010N04LS6ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 150W On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 6 Drain current: 100A Kind of package: reel; tape Case: PG-TDSON-8 FL	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC022N04LS6ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 79W Case: PG-TDSON-8 FL On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IAUC60N04S6L039ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 54A Power dissipation: 42W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 240A Technology: OptiMOS™ 6 Gate-source voltage: ±16V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IAUC60N04S6N044ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 42W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 240A Technology: OptiMOS™ 6 Gate-source voltage: ±20V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IAUC80N04S6L032ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 66A; Idm: 320A; 50W Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 66A Gate charge: 25nC On-state resistance: 4.6mΩ Gate-source voltage: ±16V Power dissipation: 50W Pulsed drain current: 320A Technology: OptiMOS™ 6 Case: PG-TDSON-8 Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IAUC60N04S6L030HATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 22A Power dissipation: 75W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 311A Technology: OptiMOS™ 6 Gate-source voltage: ±16V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IAUC60N04S6L045HATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 18A Power dissipation: 52W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 193A Technology: OptiMOS™ 6 Gate-source voltage: ±16V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IAUC60N04S6N031HATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 22A Power dissipation: 75W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 311A Technology: OptiMOS™ 6 Gate-source voltage: ±20V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IAUC60N04S6N050HATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 16A Power dissipation: 52W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 171A Technology: OptiMOS™ 6 Gate-source voltage: ±20V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IAUC100N04S6L025ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 83A Power dissipation: 62W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 400A	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSP75N	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; low-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223; 1.8W Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 0.7A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223 On-state resistance: 0.5Ω Power dissipation: 1.8W Technology: HITFET®	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSZ086P03NS3EGATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P3 Drain current: -40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V Case: PG-TSDSON-8 On-state resistance: 8.6mΩ Power dissipation: 69W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSZ084N08NS5ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 On-state resistance: 8.4mΩ Power dissipation: 63W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSZ086P03NS3GATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P3 Drain current: -40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V Case: PG-TSDSON-8 On-state resistance: 8.6mΩ Power dissipation: 52W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSZ088N03LSGATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 35W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRG4PSH71KDPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 78A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 78A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRG4PC40S-E

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 160W; TO247AD; 0.45mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 31A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Turn-on time: 22ns
Turn-on switching energy: 0.45mJ

auf Bestellung 39600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 400 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFR220NTRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1808 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRL7472L1TRPbF

Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 68A; DirectFET-L8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 68A
Case: DirectFET-L8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 167 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF8714TRPBFXTMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 425 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW60R120P7XKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 95W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 95W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFR4104TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 989 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPA80R450P7XKSA1

Infineon-IPA80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9701ca552be

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 29W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 114 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPAN80R360P7XKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Version: ESD
Kind of package: tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSD235NH6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 312 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FM24CL64B-DG

Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Mounting: SMD
Case: DFN8
Kind of interface: serial
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 1MHz

auf Bestellung 934 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FM24CL64B-GTR

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 1MHz

auf Bestellung 2425 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FM24CL64B-DGTR

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 28A; 115.4W; DPAK
Mounting: SMD
Pulsed collector current: 45A
Type of transistor: IGBT
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 115.4W
Gate charge: 72nC
Technology: Field Stop; Trench

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF2804STRLPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 503 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRF2804STRL

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FM25V10-GTR

Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS131H6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS131H6327XTSA1

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IRL7486MTRPBF

IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 209A; DirectFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 209A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: DirectFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF7480MTRPBF

irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 330A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF6727MTRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET
Kind of package: reel
Case: DirectFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 89W
Drain current: 180A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

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IRF6648TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

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AUIRF7647S2TR

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DirectFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 24A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

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AUIRF7736M2TR

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Power dissipation: 63W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

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AUIRF7739L2TR

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF6775MTRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

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IRF7739L1TRPBF

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRF7739L2TRPBF

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRF6645TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 42W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 4800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB80N06S405ATMA2

Infineon-I80N06S4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d4d5340cec

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N06S4H1ATMA2

Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2EDN8524FXTMA1

Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...20V
Output current: -5...5A
Type of integrated circuit: driver
Protection: undervoltage UVP
Technology: EiceDRIVER™
Voltage class: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 2

auf Bestellung 2381 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CYUSB3KIT-003

Infineon-SuperSpeed_Explorer_Kit_User_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ef82cf70d57&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; expansion board
Type of development kit: Cypress
Connection: USB 2.0; USB 3.0
Kind of module: expansion board

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY62128ELL-45SXI

Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V
IC width: 450mils

auf Bestellung 375 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY62128ELL-45ZXI

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; TSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V
Operating temperature: -40...85°C

auf Bestellung 481 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BAT1804E6327HTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOT23; double series; Ufmax: 1.2V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: double series
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN; RF

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BA885E6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.19...0.45pF
Type of diode: switching

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BA89202VH6127XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V
Reverse recovery time: 120ns
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Case: SC79
Capacitance: 0.6...1.4pF
Type of diode: switching

auf Bestellung 172 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N012ATMA2

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1894 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY62128ELL-45SX

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY62128EV30LL-45ZAXI

Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 45ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY62128EV30LL-45SXI

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
IC width: 450mils

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY62128EV30LL-45SXIT

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC007N04LS6ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 138W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC010N04LS6ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 150W
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 6
Drain current: 100A
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TDSON-8 FL

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC022N04LS6ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L039ATMA1

Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±16V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N044ATMA1

Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon-IAUC80N04S6L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3b4621216

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 66A; Idm: 320A; 50W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 66A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 50W
Pulsed drain current: 320A
Technology: OptiMOS™ 6
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L030HATMA1

Infineon-IAUC60N04S6L030H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309120315fef

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 311A
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±16V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon-IAUC60N04S6L045H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753091111b5fec

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 193A
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±16V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N031HATMA1

Infineon-IAUC60N04S6N031H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309103dd5fe9

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 311A
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC60N04S6N050HATMA1

Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 171A
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUC100N04S6L025ATMA1

Infineon-IAUC100N04S6L025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c9a8f861151

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSP75N

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223; 1.8W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Technology: HITFET®

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ086P03NS3EGATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 8.6mΩ
Power dissipation: 69W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ084N08NS5ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 8.4mΩ
Power dissipation: 63W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ086P03NS3GATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 8.6mΩ
Power dissipation: 52W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ088N03LSGATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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