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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
BAT15099E6433HTMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky switching; SMD Type of diode: Schottky switching Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLR3103TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 46A Power dissipation: 69W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFS7430TRLPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 426A Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 581 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IKW30N65ES5XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 29ns Turn-off time: 154ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 39.5A Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode	auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7413ZTRPBFXTMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFR106E6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 16V Collector current: 0.21A Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 5GHz	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB4510PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 62A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET®	auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5803TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.4A Power dissipation: 1.3W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 3304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BAS4004E6433HTMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky switching; SMD Type of diode: Schottky switching Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSP62H6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.5W; TO261-4 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: TO261-4 Mounting: SMD Frequency: 200MHz Application: automotive industry Current gain: 2k	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFR92PE6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Collector-emitter voltage: 15V Power dissipation: 0.28W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Frequency: 5GHz Collector current: 45mA	auf Bestellung 1771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR540ZTRLPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry	auf Bestellung 2391 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR7540TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 140W Case: DPAK On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB4310PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BTS5030-1EJA	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 4A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-DSO-8 On-state resistance: 60mΩ Supply voltage: 5...28V DC Technology: PROFET™+ 12V Power dissipation: 1.9W	auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB4410ZPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 97A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB5620PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET®	auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB3307PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET®	auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB7730PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 246A Power dissipation: 375W Case: TO220AB On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET®	auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB4332PbF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET®	auf Bestellung 971 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB7537PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 173A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Technology: HEXFET®	auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFB3307ZPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Power dissipation: 230W Gate charge: 79nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 120A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 75V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ	auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPA60R190P6XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BAT6202VH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 40V; 20mA; 100mW Type of diode: Schottky switching Case: SC79 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 20mA Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1V Power dissipation: 0.1W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BAT62E6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 40V; 20mA; 100mW Type of diode: Schottky switching Case: SOT143 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 20mA Semiconductor structure: double independent Max. forward voltage: 1V Power dissipation: 0.1W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF1018EPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BGA524N6E6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD operational amplifiers Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3VDC; TSNP6; reel,tape Type of integrated circuit: RF amplifier Bandwidth: 1550...1615MHz Number of channels: 1 Mounting: SMT Voltage supply range: 1.5...3.3V DC Case: TSNP6 Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: low noise Kind of package: reel; tape Application: global navigation satellite systems (GPS)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C28452-24PVXI	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH Interface: GPIO; I2C; SPI; UART Mounting: SMD Case: SSOP28 Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 3...5.25V DC Number of inputs/outputs: 24 Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH Clock frequency: 24MHz Kind of core: 8-bit Type of integrated circuit: PSoC microcontroller	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRL40SC209	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 478A; 375W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 478A Power dissipation: 375W Case: D2PAK-7 On-state resistance: 0.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 267nC Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ICE3BR4765JGXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Voltage regulators - PWM circuits Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.32A; 65kHz; Ch: 1; PG-DSO-12; flyback Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Frequency: 65kHz Number of channels: 1 Case: PG-DSO-12 Mounting: SMD Operating temperature: -40...150°C Topology: flyback Input voltage: 80...265V Breakdown voltage: 650V Duty cycle factor: 0...80% Power: 24/16.5W Application: SMPS Operating voltage: 10.5...25V DC Output current: 2.32A	auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC340N08NS3GATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 23A Power dissipation: 32W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BTS3800SL	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; low-side; 0.35A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SCT595 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 0.35A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-SCT595 On-state resistance: 0.8Ω Technology: HITFET® Operating temperature: -40...150°C Turn-on time: 3µs Turn-off time: 3µs	auf Bestellung 684 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C3866AXI-040	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 8kBSRAM,64kBFLASH Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Case: TQFP100 Mounting: SMD Number of inputs/outputs: 72 Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: watchdog Clock frequency: 67MHz Kind of core: 8-bit Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB Supply voltage: 1.71...5.5V DC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C4126LTI-M445	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; QFN68; 8kBSRAM,64kBFLASH Operating temperature: -40...85°C Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Case: QFN68 Integrated circuit features: CapSense; LCD controller Mounting: SMD Kind of core: 32-bit Supply voltage: 1.71...5.5V DC Number of inputs/outputs: 55 Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH Clock frequency: 24MHz Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C5868AXI-LP032	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 64kBSRAM,256kBFLASH Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Mounting: SMD Case: TQFP100 Number of inputs/outputs: 72 Supply voltage: 1.71...5.5V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of core: 32-bit Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB Integrated circuit features: watchdog Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH Clock frequency: 67MHz	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C5868AXI-LP035	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 64kBSRAM,256kBFLASH Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB Clock frequency: 67MHz Integrated circuit features: watchdog Kind of core: 32-bit Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH Case: TQFP100 Mounting: SMD Supply voltage: 1.71...5.5V DC Number of inputs/outputs: 72 Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Operating temperature: -40...85°C	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BAS21E6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 350mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 250V Load current: 0.25A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape	auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC014N04LSIATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFP183E7764HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 65mA; 250mW; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 65mA Power dissipation: 0.25W Current gain: 70 Mounting: SMD Frequency: 8GHz Application: automotive industry	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP7430PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 404A Power dissipation: 366W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Technology: HEXFET®	auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFS7530TRL7PP	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 240A Power dissipation: 375W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 236nC Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET	auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSS139H6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion Technology: SIPMOS™	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPA60R190C6XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7313TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 3184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7313TRPBFXTMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.5A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY7C65213A-28PVXIT	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: USB interfaces - integrated circuits Description: IC: USB interface; GPIO x8,UART; USB controller; Full Speed Type of integrated circuit: USB interface Interface: GPIO x8; UART Kind of integrated circuit: USB controller USB speed: Full Speed Data transfer rate: 12Mbps Supply voltage: 1.71...5.5V DC Kind of package: reel; tape Case: SSOP28 Integrated circuit features: bridge Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY7C65213A-32LTXIT	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: USB interfaces - integrated circuits Description: IC: USB interface; GPIO x8,UART; USB controller; Full Speed Type of integrated circuit: USB interface Interface: GPIO x8; UART Kind of integrated circuit: USB controller USB speed: Full Speed Data transfer rate: 12Mbps Supply voltage: 1.71...5.5V DC Kind of package: reel; tape Case: QFN32 Integrated circuit features: bridge Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S25FL064LABMFA010	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 64Mb FLASH Interface: QUAD SPI Operating frequency: 108MHz Operating voltage: 2.7...3.6V Case: SOIC8 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Application: automotive	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 280 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S25FL064LABMFA011	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 64Mb FLASH Interface: QUAD SPI Operating frequency: 108MHz Operating voltage: 2.7...3.6V Case: SOIC8 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: tube Application: automotive	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 455 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S25FL064LABMFA013	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 64Mb FLASH Interface: QUAD SPI Operating frequency: 108MHz Operating voltage: 2.7...3.6V Case: SOIC8 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Application: automotive	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S25FL128LAGMFA010	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 128Mb FLASH Interface: QUAD SPI Operating frequency: 133MHz Operating voltage: 2.7...3.6V Case: SOIC8 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Application: automotive	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 560 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S25FL512SAGMFA010	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: QUAD SPI Operating frequency: 133MHz Operating voltage: 2.7...3.6V Case: SOIC16 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Application: automotive	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S70FL01GSAGMFA010	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 1Gb FLASH Interface: CFI; SPI Operating frequency: 133MHz Operating voltage: 2.7...3.6V Case: SOIC16 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Application: automotive	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 480 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPP220N25NFDAKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 61A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ FD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 61A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF8736TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 18A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 3990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ICE2QR2280ZXKLA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Voltage regulators - PWM circuits Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Frequency: 39...65kHz Number of channels: 1 Case: DIP7 Mounting: THT Operating temperature: -25...130°C Topology: flyback Input voltage: 85...265V Breakdown voltage: 800V Application: SMPS Operating voltage: 10.5...25V DC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSD840NH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.88A Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BTS716GBXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; high-side; 2.6÷5.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 2.6...5.3A Number of channels: 4 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO20 On-state resistance: 35mΩ Supply voltage: 5.5...40V DC Technology: Classic PROFET Power dissipation: 3.6W Turn-on time: 270µs Turn-off time: 0.25ms	auf Bestellung 109 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB330P10NMATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar Mounting: SMD Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB19DP10NMATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; D2PAK,TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Case: D2PAK; TO263 On-state resistance: 0.149Ω Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BAT15099E6433HTMA1

INFNS15420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

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IRLR3103TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IRFS7430TRLPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 426A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 581 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IKW30N65ES5XKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 11 Stücke:

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IRF7413ZTRPBFXTMA1

irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BFR106E6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 16V
Collector current: 0.21A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz

Produkt ist nicht verfügbar

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IRFB4510PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRF5803TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 3304 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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BAS4004E6433HTMA1

INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSP62H6327XTSA1

bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.5W; TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO261-4
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
Current gain: 2k

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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BFR92PE6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 15V
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
Collector current: 45mA

auf Bestellung 1771 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFR540ZTRLPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

auf Bestellung 2391 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFR7540TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB4310PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 91 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BTS5030-1EJA

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
On-state resistance: 60mΩ
Supply voltage: 5...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
Power dissipation: 1.9W

auf Bestellung 569 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB4410ZPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 169 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB5620PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®

auf Bestellung 546 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®

auf Bestellung 1250 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB7730PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®

auf Bestellung 54 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB4332PbF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®

auf Bestellung 971 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB7537PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFB3307ZPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 230W
Gate charge: 79nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ

auf Bestellung 214 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPA60R190P6XKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 483 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BAT6202VH6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.1W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BAT62E6327HTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT143
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: double independent
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.1W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF1018EPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 67 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BGA524N6E6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3VDC; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Number of channels: 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: 1.5...3.3V DC
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low noise
Kind of package: reel; tape
Application: global navigation satellite systems (GPS)

Produkt ist nicht verfügbar

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CY8C28452-24PVXI

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller

Produkt ist nicht verfügbar

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IRL40SC209

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 478A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 478A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 0.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 267nC
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ICE3BR4765JGXUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.32A; 65kHz; Ch: 1; PG-DSO-12; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-12
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...80%
Power: 24/16.5W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 2.32A

auf Bestellung 719 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC340N08NS3GATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 198 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BTS3800SL

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.35A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SCT595
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.35A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-SCT595
On-state resistance: 0.8Ω
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs

auf Bestellung 684 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY8C3866AXI-040

Infineon-PSoC_3_CY8C38_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v34_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec70ebd3dce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 8kBSRAM,64kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Number of inputs/outputs: 72
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Clock frequency: 67MHz
Kind of core: 8-bit
Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Supply voltage: 1.71...5.5V DC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY8C4126LTI-M445

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; QFN68; 8kBSRAM,64kBFLASH
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN68
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Mounting: SMD
Kind of core: 32-bit
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 55
Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2600 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY8C5868AXI-LP032

infineon-psoc-5lp-cy8c58lp-datasheet-datasheet-en.pdf

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 64kBSRAM,256kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Number of inputs/outputs: 72
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of core: 32-bit
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: watchdog
Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH
Clock frequency: 67MHz

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY8C5868AXI-LP035

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 64kBSRAM,256kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Clock frequency: 67MHz
Integrated circuit features: watchdog
Kind of core: 32-bit
Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 72
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BAS21E6327HTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 350mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape

auf Bestellung 187 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC014N04LSIATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BFP183E7764HTSA1

Infineon-BFP183-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167c628925b4907

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 65mA; 250mW; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 65mA
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 70
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFP7430PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 404A
Power dissipation: 366W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®

auf Bestellung 207 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS7530TRL7PP

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET

auf Bestellung 302 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS139H6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPA60R190C6XKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF7313TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 3184 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF7313TRPBFXTMA1

irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY7C65213A-28PVXIT

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x8,UART; USB controller; Full Speed
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x8; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: SSOP28
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CY7C65213A-32LTXIT

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x8,UART; USB controller; Full Speed
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x8; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: QFN32
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S25FL064LABMFA010

infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 280 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S25FL064LABMFA011

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 455 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S25FL064LABMFA013

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S25FL128LAGMFA010

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 560 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S25FL512SAGMFA010

infineon-s25fl512s-512-mb-64-mb-fl-s-flash-spi-multi-i-o-3-datasheet-en.pdf

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S70FL01GSAGMFA010

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 480 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP220N25NFDAKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 61A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 61A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF8736TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 3990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ICE2QR2280ZXKLA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 800V
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSD840NH6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BTS716GBXUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6÷5.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6...5.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 35mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
Power dissipation: 3.6W
Turn-on time: 270µs
Turn-off time: 0.25ms

auf Bestellung 109 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB330P10NMATMA1

Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB19DP10NMATMA1

Infineon-IPB19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9416da34eb5

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH