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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
SPA07N60C3	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Power dissipation: 32W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Drain current: 7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3-FP	auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPP07N60C3	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Drain current: 4.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3	auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPD07N60C3ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 83W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Power dissipation: 83W Gate charge: 21nC Polarisation: unipolar Drain current: 7.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Case: DPAK; TO252	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPP07N60C3XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLE824523SAAUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Drivers - integrated circuits Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLE824533SAAUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Drivers - integrated circuits Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AIKQ120N75CP2XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BCR129E6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BCR129WH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AUIRFP4568	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; Idm: 684A; 517W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Drain-source voltage: 150V Drain current: 171A Power dissipation: 517W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 684A Application: automotive industry	auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AUIRFP4568-E	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; 517W; TO247; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Drain-source voltage: 150V Drain current: 171A Power dissipation: 517W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Application: automotive industry	auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
D1030N26TXPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diode modules Description: Diode: hockey-puck rectifying Type of diode: hockey-puck rectifying	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
D1031SH45TXPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: hockey-puck rectifying Type of diode: hockey-puck rectifying	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR3711TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 120W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 100A Power dissipation: 120W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY7C1415KV18-250BZXI	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 36Mb SRAM Memory organisation: 1Mx36bit Case: FBGA165 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.7...1.9V DC Frequency: 250MHz	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 136 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFH7545TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 54A; Idm: 340A; 83W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 54A Pulsed drain current: 340A Power dissipation: 83W Case: PQFN5X6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AIKQ200N75CP2XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 750V; 200A; 535W; PG-TO247-3-U01 Case: PG-TO247-3-U01 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 750V Power dissipation: 535W Gate charge: 1260nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 600A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 202ns Kind of package: tube Turn-off time: 344ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A	auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC360N15NS3GATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 74W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 74W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 33A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC160N15NS5ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC160N15NS5SCATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
EUTBSC360N15NS3GATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Transistors - Unclassified Description: EUTBSC360N15NS3GATMA1	auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC160N15NS5	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 56A; Idm: 224A Mounting: SMD Pulsed drain current: 224A Gate charge: 19nC Drain current: 56A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 16mΩ	auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IGQ100N120S7XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 188A; 824W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 188A Power dissipation: 824W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Turn-off time: 200ns	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BBY5302VH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: varicap; 6V; 20mA; SC79; single diode; reel,tape Case: SC79 Type of diode: varicap Mounting: SMD Features of semiconductor devices: RF Max. off-state voltage: 6V Load current: 20mA Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode	auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BB439E6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: varicap; 28V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape Case: SOD323 Capacitance: 5.1...53pF Type of diode: varicap Mounting: SMD Features of semiconductor devices: RF Max. off-state voltage: 28V Load current: 20mA Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.2µA	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BB837E6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: varicap Type of diode: varicap	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BBY5602VH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: varicap Type of diode: varicap	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BBY5702VH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: varicap Type of diode: varicap	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BBY6502VH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: varicap Type of diode: varicap	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BBY6602VH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diodes - others Description: Diode: varicap; 12V; 50mA; SC79; single diode; reel,tape Case: SC79 Type of diode: varicap Mounting: SMD Features of semiconductor devices: RF Max. off-state voltage: 12V Load current: 50mA Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSS215P H6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; -20V; -1.5A; 500mW; SOT23-3 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Case: SOT23-3 Power dissipation: 0.5W Drain current: -1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V	auf Bestellung 8912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 421 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFP181E7764HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CYPD3172-24LQXQ	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: USB interfaces - integrated circuits Description: IC: USB interface Type of integrated circuit: USB interface	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FP30R06KE3BPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: diode/transistor Case: AG-ECONO2C Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 125W Technology: EconoPIM™ 2 Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 60A Application: Inverter Max. off-state voltage: 0.6kV	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FP50R06KE3BPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 60A; AG-ECONO2C; Inverter; 190W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 60A Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 190W Technology: Field Stop; Trench Case: AG-ECONO2C	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FP75R06KE3BOSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 95A; AG-ECONO3-3; Inverter; 250W Case: AG-ECONO3-3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 95A Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 250W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FS50R06KE3BPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 70A; AG-ECONO2B; Inverter; 190W Case: AG-ECONO2B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 70A Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 190W Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 100A Application: Inverter	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FS75R06KE3BPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 75A; AG-ECONO2B; Inverter; 250W Case: AG-ECONO2B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 250W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FF300R06KE3	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Electrical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Case: AG-62MM-1 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 940W Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 0.6kV	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AUIRFR4615TRL	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPN80R4K5P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 6W Gate charge: 4nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD	auf Bestellung 1986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPN80R1K4P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate charge: 10nC Kind of package: reel	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPN80R2K4P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 6.3W Gate charge: 8nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 1.7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPN80R1K2P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 6.8W Gate charge: 11nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 3.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPN80R750P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 7.2W Gate charge: 17nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 4.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPN80R3K3P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 6.1W Gate charge: 6nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 1.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 3.3Ω Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPN80R600P7ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD Power dissipation: 7.4W Gate charge: 20nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 5.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel Case: PG-SOT223 On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF1405STRLPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 131A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFP842ESDH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFP 840ESD H6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 35mA; SOT343 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Case: SOT343 Frequency: 80GHz Collector current: 35mA	auf Bestellung 2460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 189 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFP 840FESD H6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; 35mA Mounting: SMD Type of transistor: NPN Frequency: 85GHz Collector current: 35mA	auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 210 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFI4321PBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 34A Power dissipation: 46W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CY8C4014LQI-421	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: PSoC microcontroller; 16MHz; QFN16; 2kBSRAM,16kBFLASH Supply voltage: 1.71...5.5V DC Mounting: SMD Case: QFN16 Interface: GPIO; I2C Number of inputs/outputs: 13 Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: CapSense Clock frequency: 16MHz Kind of core: 32-bit Memory: 2kB SRAM; 16kB FLASH	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FF500R17KE4BOSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 500A Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1kA Mechanical mounting: screw	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FD500R65KE3KNOSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; 9.6kW Type of semiconductor module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 9.6kW	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FS500R17OE4DBOSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FS500R17OE4DPBOSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FZ500R65KE3NOSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FF1500R12IE5BPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FF1500R12IE5PBPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.5kA; Field Stop,Trench; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 1.5kA Mechanical mounting: screw Technology: Field Stop; Trench	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPA07N60C3

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3-FP

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPP07N60C3

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3

auf Bestellung 216 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SPD07N60C3ATMA1

Infineon-SPD_U07N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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SPP07N60C3XKSA1

Infineon-SPP_A_I07N60C3-DS-v03_02-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42de18b490c

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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TLE824523SAAUMA1

Infineon-TLE82452-3SA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d28a2858b1e15

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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TLE824533SAAUMA1

Infineon-TLE82453-3SA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d289949d61dff

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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AIKQ120N75CP2XKSA1

Infineon-AIKQ120N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0672206b14ee

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT

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Mindestbestellmenge: 240 Stücke

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BCR129E6327HTSA1

bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BCR129WH6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFP4568

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; Idm: 684A; 517W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 684A
Application: automotive industry

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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AUIRFP4568-E

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; 517W; TO247; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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D1030N26TXPSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying

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Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

D1031SH45TXPSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFR3711TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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CY7C1415KV18-250BZXI

Infineon-CY7C1411KV18_CY7C1426KV18_CY7C1413KV18_CY7C1415KV18_36-Mbit_QDR_II_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd4aea2fa7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 36Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx36bit
Case: FBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Frequency: 250MHz

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Mindestbestellmenge: 136 Stücke

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IRFH7545TRPBF

irfh7545pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f1e511ef1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 54A; Idm: 340A; 83W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 83W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AIKQ200N75CP2XKSA1

Infineon-AIKQ200N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0656853314e6

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 750V; 200A; 535W; PG-TO247-3-U01
Case: PG-TO247-3-U01
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 750V
Power dissipation: 535W
Gate charge: 1260nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 600A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 202ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 344ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC360N15NS3GATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 74W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5ATMA1

Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5SCATMA1

Infineon-BSC160N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5c20df631fd

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

EUTBSC360N15NS3GATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: EUTBSC360N15NS3GATMA1

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSC160N15NS5

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 56A; Idm: 224A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 224A
Gate charge: 19nC
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 16mΩ

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

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IGQ100N120S7XKSA1

Infineon-IGQ100N120S7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a59a2439786d

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 188A; 824W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 188A
Power dissipation: 824W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Turn-off time: 200ns

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Mindestbestellmenge: 240 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BBY5302VH6327XTSA1

INFNS15715-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 6V; 20mA; SC79; single diode; reel,tape
Case: SC79
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 6V
Load current: 20mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode

auf Bestellung 2885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BB439E6327HTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 28V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Case: SOD323
Capacitance: 5.1...53pF
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 28V
Load current: 20mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BB837E6327HTSA1

bb837_bb857series.pdf?folderId=db3a304313d846880113d94414f400fc&fileId=db3a304313d846880113d97339a9011a

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 15000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BBY5602VH6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 9000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BBY5702VH6327XTSA1

bby57series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113de4dfd070341

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 9000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BBY6502VH6327XTSA1

bby65series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113deb0006e03f6

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BBY6602VH6327XTSA1

bby66series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113deb52d8e0400

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 12V; 50mA; SC79; single diode; reel,tape
Case: SC79
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 12V
Load current: 50mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS215P H6327

INFNS15443-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -20V; -1.5A; 500mW; SOT23-3
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23-3
Power dissipation: 0.5W
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V

auf Bestellung 8912 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 421 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BFP181E7764HTSA1

bfp181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142665c77b0601&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bfp181.pdf

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CYPD3172-24LQXQ

Infineon-CCG3PA-NFET_USB_Type-C_Port_Controller-AdditionalTechnicalInformation-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eea4c007347

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4900 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FP30R06KE3BPSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 125W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 60A
Application: Inverter
Max. off-state voltage: 0.6kV

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FP50R06KE3BPSA1

Infineon-FP50R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4332c9b5a83

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 60A; AG-ECONO2C; Inverter; 190W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 60A
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Technology: Field Stop; Trench
Case: AG-ECONO2C

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FP75R06KE3BOSA1

Infineon-FP75R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43330245a87

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 95A; AG-ECONO3-3; Inverter; 250W
Case: AG-ECONO3-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 95A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 250W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FS50R06KE3BPSA1

Infineon-FS50R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b432ea305a10

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 70A; AG-ECONO2B; Inverter; 190W
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 190W
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FS75R06KE3BPSA1

Infineon-FS75R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b432edc65a14

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 75A; AG-ECONO2B; Inverter; 250W
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 250W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FF300R06KE3

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 940W
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 0.6kV

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR4615TRL

IRSDS11820-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R4K5P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6W
Gate charge: 4nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD

auf Bestellung 1986 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R1K4P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R2K4P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.3W
Gate charge: 8nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R1K2P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.8W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R750P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7.2W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R3K3P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.1W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPN80R600P7ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7.4W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF1405STRLPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BFP842ESDH6327XTSA1

Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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BFP 840ESD H6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 35mA; SOT343
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT343
Frequency: 80GHz
Collector current: 35mA

auf Bestellung 2460 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 189 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BFP 840FESD H6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; 35mA
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Frequency: 85GHz
Collector current: 35mA

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 210 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFI4321PBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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CY8C4014LQI-421

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 16MHz; QFN16; 2kBSRAM,16kBFLASH
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: QFN16
Interface: GPIO; I2C
Number of inputs/outputs: 13
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: CapSense
Clock frequency: 16MHz
Kind of core: 32-bit
Memory: 2kB SRAM; 16kB FLASH

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FF500R17KE4BOSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 500A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1kA
Mechanical mounting: screw

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FD500R65KE3KNOSA1

Infineon-FD500R65KE3_K-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432cd42ee3012cea107abc562f

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 9.6kW
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 9.6kW

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FS500R17OE4DBOSA1

Infineon-FS500R17OE4D-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=5546d46145f1f3a40145fb209c810fee

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT

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Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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FS500R17OE4DPBOSA1

Infineon-FS500R17OE4DP-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a01584f1b6b760b26

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT

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Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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FZ500R65KE3NOSA1

Infineon-FZ500R65KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432cd42ee3012cea1a9f4a5639

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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FF1500R12IE5BPSA1

Infineon-FF1500R12IE5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f2e9197d90007

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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FF1500R12IE5PBPSA1

Infineon-FF1500R12IE5P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a96243f0694b

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.5kA; Field Stop,Trench; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 1.5kA
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench

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Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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