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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
IRS2334STRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Drivers - integrated circuits Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFS3006TRL7PP	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 293A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CYW89359CUBGT	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules Description: IC: WIFi Network Controller Type of integrated circuit: WIFi Network Controller	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMZA65R007M2HXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLS3036TRL7PP	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A Power dissipation: 380W Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1.9mΩ Pulsed drain current: 1kA Gate-source voltage: ±16V	auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLS3036TRLPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BTS5210LAUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD90N06S4L06ATMA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD90N06S404ATMA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK3 Type of transistor: N-MOSFET Case: DPAK3 On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 150W Gate charge: 128nC Polarisation: unipolar Drain current: 90A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB90N06S4L04ATMA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD90N06S405ATMA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD90N06S407ATMA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: PG-TO252-3-11 On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 79W Gate charge: 56nC Polarisation: unipolar Drain current: 63A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD90N06S4L03ATMA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 150W Gate charge: 170nC Polarisation: unipolar Drain current: 90A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD90N06S4L05ATMA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPG20N04S418AATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC019N04LSATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8 Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC019N04NSGATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8 Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FP25R12KE3BPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 40A; ECONO2; Inverter; 155W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 40A Case: ECONO2 Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 155W Technology: Field Stop; Trench	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLD60981EPXUMA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Drivers - integrated circuits Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TLD60981EPXUMA3	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Voltage regulators - DC/DC circuits Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSS123N H6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 190mA; 500mW; SOT23-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Application: automotive industry	auf Bestellung 13246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 598 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRLB3036PBFXKMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DPS368	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Pressure Sensors Description: Sensor: pressure; 30÷120kPa; absolute; -40÷85°C Type of sensor: pressure Pressure measuring range: 30...120kPa Operation mode: absolute Operating temperature: -40...85°C	auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BCX41E6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BCX41E6433HTMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPP100N10S305AKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S29AL016J70TFI013	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; TSOP48; parallel Mounting: SMD Type of integrated circuit: FLASH memory Operating temperature: -40...85°C Memory: 16Mb FLASH Kind of interface: parallel Case: TSOP48 Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Kind of memory: NOR	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD50N10S3L-16	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 100W Case: DPAK3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 49nC Application: automotive industry	auf Bestellung 1867 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 43 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD30N06S2L-23	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 30A; 100W; PG-TO252-3-11 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Power dissipation: 100W Case: PG-TO252-3-11 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 42nC Application: automotive industry	auf Bestellung 2442 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 41 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPA08N80C3XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BTS134D	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3 Output voltage: 42V Case: TO252-3 Kind of integrated circuit: low-side Number of channels: 1 On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Output current: 3.5A Type of integrated circuit: power switch Kind of output: N-Channel Technology: HITFET®	auf Bestellung 2124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPP320N20N3 G	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 34A; 136W; TO220-3; single transistor Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Drain-source voltage: 200V Drain current: 34A Power dissipation: 136W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 29nC Semiconductor structure: single transistor	auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPP200N25N3 G	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 64A; Idm: 256A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Drain-source voltage: 250V Drain current: 64A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 256A Semiconductor structure: single transistor	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IDH04G65C6XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 23A Leakage current: 31µA Power dissipation: 45W Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...1.37mm	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BAT 15-04W H6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V Type of diode: Schottky switching Case: SOT323 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 4V Max. forward voltage: 0.41V	auf Bestellung 1036 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 177 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPA60R360P7XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPP082N10NF2SAKMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 100W; TO220-3 Polarisation: unipolar Drain current: 77A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220-3 On-state resistance: 8.2mΩ Mounting: THT Power dissipation: 100W Gate charge: 28nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPA60R280P7	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 24W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Power dissipation: 24W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220FP	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPA60R280P7XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IDH08G65C6XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; Ir: 62uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 37A Leakage current: 62µA Power dissipation: 63W Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...1.37mm	auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFS7730TRL7PP	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 269A; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 269A Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FP40R12KE3BPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 55A; AG-ECONO2C; Inverter; 210W Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 210W Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw Application: Inverter Case: AG-ECONO2C Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 55A Topology: NTC thermistor	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FP15R12KE3GBPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 25A; AG-ECONO2C; Inverter; 105W Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 105W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO2C Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Topology: NTC thermistor	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FS75R12KE3BPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 105A; AG-ECONO2B; Inverter; 350W Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 350W Application: Inverter Case: AG-ECONO2B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 105A Topology: NTC thermistor	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FP25R12KT4B11BPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 25A; AG-ECONO2B; Inverter; 160W Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 160W Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Case: AG-ECONO2B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Topology: NTC thermistor	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IAUMN08S5N013GAUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB039N10N3 G	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Pulsed drain current: 640A Power dissipation: 214W Case: TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 88nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry	auf Bestellung 281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IDH16G65C5	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; PG-TO220-2; 129W Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. forward impulse current: 105A Max. forward voltage: 1.8V Power dissipation: 129W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 650V Heatsink thickness: 1.17...137mm Load current: 16A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Leakage current: 3.2µA Case: PG-TO220-2	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IDH16G65C5XKSA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying Type of diode: Schottky rectifying	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSZ15DC02KDHXTMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 63/164mΩ Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Drain current: 5.1/-3.2A Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
XC886LM6FFI5VACFXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC Type of integrated circuit: microcontroller 8051 Clock frequency: 24MHz Interface: SPI; UART x2 Supply voltage: 3...5V DC Case: PG-TQFP-48 Mounting: SMD Number of 16bit timers: 4 Number of PWM channels: 4 Memory: 1.75kB SRAM; 24kB FLASH Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: watchdog Number of 10bit A/D converters: 8 Number of output compare channels: 1 Number of input capture channels: 1 Kind of core: 8-bit	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
XC886LM8FFI5VACFXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC Type of integrated circuit: microcontroller 8051 Clock frequency: 24MHz Interface: SPI; UART x2 Supply voltage: 3...5V DC Case: PG-TQFP-48 Mounting: SMD Number of 16bit timers: 4 Number of PWM channels: 4 Memory: 1.75kB SRAM; 32kB FLASH Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: watchdog Number of 10bit A/D converters: 8 Number of output compare channels: 1 Number of input capture channels: 1 Kind of core: 8-bit	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
XC8888FFI5VACFXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC Type of integrated circuit: microcontroller 8051 Clock frequency: 24MHz Interface: SPI; UART x2 Supply voltage: 3...5V DC Case: PG-LQFP-64 Mounting: SMD Number of 16bit timers: 4 Number of PWM channels: 4 Memory: 1.75kB SRAM; 32kB FLASH Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: watchdog Number of 10bit A/D converters: 8 Number of output compare channels: 1 Number of input capture channels: 1 Kind of core: 8-bit	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
XC886C6FFI3V3ACFXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: microcontroller 8051; Interface: CAN x2,SPI,UART x2; 3÷5VDC Type of integrated circuit: microcontroller 8051 Clock frequency: 24MHz Interface: CAN x2; SPI; UART x2 Supply voltage: 3...5V DC Case: PG-TQFP-48 Mounting: SMD Number of 16bit timers: 4 Number of PWM channels: 4 Memory: 1.75kB SRAM; 24kB FLASH Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: watchdog Number of 10bit A/D converters: 8 Number of output compare channels: 1 Number of input capture channels: 1 Kind of core: 8-bit	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC014N04LSI	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 96W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 96W On-state resistance: 1.45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V	auf Bestellung 4950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC010N04LS	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 139W; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 139W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 42 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SPD04N50C3	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 4.5A; 42W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Drain current: 4.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 560V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSS127 H6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.65nC Version: ESD Application: automotive industry	auf Bestellung 16420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 226 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
XMC4402F64F256ABXQMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-64; 80kBSRAM,256kBFLASH; 3.3VDC Type of integrated circuit: ARM microcontroller Case: PG-LQFP-64 Supply voltage: 3.3V DC Interface: CAN x2; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog Memory: 80kB SRAM; 256kB FLASH Number of 16bit timers: 26 Family: XMC4400 Kind of core: 32-bit Operating temperature: -40...85°C Kind of architecture: Cortex M4 Number of A/D channels: 9 Number of inputs/outputs: 31	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSP297H6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 On-state resistance: 1.8Ω Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Drain current: 0.66A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 200V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRS2334STRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRFS3006TRL7PP

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 293A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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CYW89359CUBGT

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: IC: WIFi Network Controller
Type of integrated circuit: WIFi Network Controller

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IMZA65R007M2HXKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IRLS3036TRL7PP

irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Gate-source voltage: ±16V

auf Bestellung 254 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRLS3036TRLPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

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Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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BTS5210LAUMA1

Infineon-BTS5210L-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa3fecc9c104a

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPD90N06S4L06ATMA2

Infineon-IPD90N06S4L_06-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038818b620c96

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD90N06S404ATMA2

INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK3
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 128nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPB90N06S4L04ATMA2

Infineon-I90N06S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d111570ce3

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPD90N06S405ATMA2

INFNS14108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD90N06S407ATMA2

Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TO252-3-11
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD90N06S4L03ATMA2

Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 170nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD90N06S4L05ATMA2

Infineon-IPD90N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038729a180c91

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPG20N04S418AATMA1

Infineon-IPG20N04S4-18A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4ca88ee717a0

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSC019N04LSATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSC019N04NSGATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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FP25R12KE3BPSA1

Infineon-FP25R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9545185

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 40A; ECONO2; Inverter; 155W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 40A
Case: ECONO2
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 155W
Technology: Field Stop; Trench

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Mindestbestellmenge: 15 Stücke

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TLD60981EPXUMA2

Infineon-TLD6098-1EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d37d2a26a6959

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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TLD60981EPXUMA3

Infineon-TLD6098-1EP-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d37d2a26a6959

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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BSS123N H6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 190mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry

auf Bestellung 13246 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 598 Stücke

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IRLB3036PBFXKMA1

Infineon-IRLB3036-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153566033ea2589

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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DPS368

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Pressure Sensors
Description: Sensor: pressure; 30÷120kPa; absolute; -40÷85°C
Type of sensor: pressure
Pressure measuring range: 30...120kPa
Operation mode: absolute
Operating temperature: -40...85°C

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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BCX41E6327HTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BCX41E6433HTMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN

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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N10S305AKSA1

Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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S29AL016J70TFI013

Infineon-S29AL016J_16_MBIT_(2M_X_8_BIT_1M_X_16_BIT)_3_V_BOOT_SECTOR_FLASH-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed709c05803

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; TSOP48; parallel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 16Mb FLASH
Kind of interface: parallel
Case: TSOP48
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPD50N10S3L-16

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Application: automotive industry

auf Bestellung 1867 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD30N06S2L-23

INFNS09593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 30A; 100W; PG-TO252-3-11
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Application: automotive industry

auf Bestellung 2442 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPA08N80C3XKSA1

SPP_I_A08N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a6011638595c9600e0

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BTS134D

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Output voltage: 42V
Case: TO252-3
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®

auf Bestellung 2124 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP320N20N3 G

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 34A; 136W; TO220-3; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
Semiconductor structure: single transistor

auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP200N25N3 G

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 64A; Idm: 256A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 256A
Semiconductor structure: single transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IDH04G65C6XKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 23A
Leakage current: 31µA
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BAT 15-04W H6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Max. forward voltage: 0.41V

auf Bestellung 1036 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 177 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPA60R360P7XKSA1

Infineon-IPA60R360P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8e6dde41500b

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP082N10NF2SAKMA1

Infineon-IPP082N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa67027a000b

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 100W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Drain current: 77A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 100W
Gate charge: 28nC

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPA60R280P7

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 24W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP

Produkt ist nicht verfügbar

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IPA60R280P7XKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IDH08G65C6XKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; Ir: 62uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 37A
Leakage current: 62µA
Power dissipation: 63W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRFS7730TRL7PP

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 269A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 269A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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FP40R12KE3BPSA1

Infineon-FP40R12KE3-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9dc5189

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 55A; AG-ECONO2C; Inverter; 210W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 210W
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Topology: NTC thermistor

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Mindestbestellmenge: 15 Stücke

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FP15R12KE3GBPSA1

Infineon-FP15R12KE3G-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a8c95181

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 25A; AG-ECONO2C; Inverter; 105W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 105W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Topology: NTC thermistor

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FS75R12KE3BPSA1

Infineon-FS75R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311bfa5380

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 105A; AG-ECONO2B; Inverter; 350W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 350W
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 105A
Topology: NTC thermistor

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FP25R12KT4B11BPSA1

Infineon-FP25R12KT4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043394427e4013952057a6f7b91

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 25A; AG-ECONO2B; Inverter; 160W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 160W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Topology: NTC thermistor

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Mindestbestellmenge: 15 Stücke

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IAUMN08S5N013GAUMA1

Infineon-IAUMN08S5N013G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f2f29b336110c

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IPB039N10N3 G

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 214W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

auf Bestellung 281 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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IDH16G65C5

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; PG-TO220-2; 129W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 105A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 129W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Heatsink thickness: 1.17...137mm
Load current: 16A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3.2µA
Case: PG-TO220-2

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IDH16G65C5XKSA2

IDH16G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30433a047ba0013a06c7efb201a1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
Type of diode: Schottky rectifying

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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BSZ15DC02KDHXTMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63/164mΩ
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 5.1/-3.2A
Kind of channel: enhancement

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XC886LM6FFI5VACFXUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 24kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit

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XC886LM8FFI5VACFXUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit

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XC8888FFI5VACFXUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-LQFP-64
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit

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XC886C6FFI3V3ACFXUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: CAN x2,SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: CAN x2; SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 24kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit

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BSC014N04LSI

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 96W
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V

auf Bestellung 4950 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 23 Stücke

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BSC010N04LS

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 139W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 139W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

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Mindestbestellmenge: 42 Stücke

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SPD04N50C3

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 4.5A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3

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BSS127 H6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.65nC
Version: ESD
Application: automotive industry

auf Bestellung 16420 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 226 Stücke

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XMC4402F64F256ABXQMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-64; 80kBSRAM,256kBFLASH; 3.3VDC
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-64
Supply voltage: 3.3V DC
Interface: CAN x2; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Memory: 80kB SRAM; 256kB FLASH
Number of 16bit timers: 26
Family: XMC4400
Kind of core: 32-bit
Operating temperature: -40...85°C
Kind of architecture: Cortex M4
Number of A/D channels: 9
Number of inputs/outputs: 31

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Mindestbestellmenge: 360 Stücke

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BSP297H6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.66A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V

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