Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (128236) > Seite 2127 nach 2138
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| BFP193WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BFP193E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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BSR802NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.7A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 4871 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ034N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSZ024N04LS6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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FM24CL64B-G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; SO8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 64kb FRAM Interface: I2C Memory organisation: 8kx8bit Supply voltage: 2.7...3.6V DC Clock frequency: 1MHz Case: SO8 Mounting: SMD Kind of interface: serial Operating temperature: -40...85°C |
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FM24V10-G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; I2C; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 1Mb FRAM Interface: I2C Memory organisation: 128kx8bit Supply voltage: 2...3.6V DC Clock frequency: 3.4MHz Case: SO8 Mounting: SMD Kind of interface: serial Operating temperature: -40...85°C |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FM18W08-SG | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; parallel 8bit; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC Interface: parallel 8bit Memory: 256kb FRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 32kx8bit Case: SO28 Kind of memory: FRAM Mounting: SMD Supply voltage: 2.7...5.5V DC Access time: 70ns Type of integrated circuit: FRAM memory Operating temperature: -40...85°C |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FM22L16-55-TG | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; parallel 16bit; 256kx16bit; 2.7÷3.6VDC Interface: parallel 16bit Memory: 4Mb FRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 256kx16bit Case: TSOP44 II Kind of memory: FRAM Mounting: SMD Supply voltage: 2.7...3.6V DC Access time: 55ns Type of integrated circuit: FRAM memory Operating temperature: -40...85°C |
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Mindestbestellmenge: 1350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TLS115D0LDXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 2÷14V; 0.15A; SMD Type of integrated circuit: voltage regulator Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear Voltage drop: 0.25V Output voltage: 2...14V Output current: 0.15A Case: PG-TSON-10 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...150°C Tolerance: ±0.1% Number of channels: 1 Input voltage: 4...45V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TLS115B0EJXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TLS115D0EJXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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1EDC60H12AHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A Type of integrated circuit: driver Topology: single transistor Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver Technology: EiceDRIVER™ Case: PG-DSO-8 Output current: -6...6A Number of channels: 1 Integrated circuit features: galvanically isolated Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V Voltage class: 600/650/1200V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CY8C4147AZA-S285 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
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Mindestbestellmenge: 1600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY8C4147AZA-S285T | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY8C4147AZE-S285T | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY8C4147AZS-S285 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
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Mindestbestellmenge: 1600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY8C4147AZS-S285T | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollers Description: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY62167DV30LL-55ZXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.2÷3.6V; 55ns; TSOP48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 55ns Case: TSOP48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating voltage: 2.2...3.6V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CY62167DV30LL-55ZXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 55ns; TSOP48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 55ns Case: TSOP48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.2...3.6V DC |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IKY75N120CH3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247PLUS-4; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 256W Case: TO247PLUS-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Turn-on time: 70ns Turn-off time: 335ns Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IKZA75N120CH7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 109A; 549W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 109A Power dissipation: 549W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPW60R045CPA | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IR2111STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IKA15N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 14A; 33.3W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 14A Power dissipation: 33.3W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: THT Gate charge: 38nC Turn-off time: 160ns Technology: TRENCHSTOP™ |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AIGB15N65H5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| AIKB15N65DF5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| AIKB15N65DH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IPP80R1K2P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.1A Power dissipation: 37W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 11nC Version: ESD |
auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP80R360P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8.6A Power dissipation: 84W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC Version: ESD Kind of package: tube |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP80R280P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.6A; 101W; PG-TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10.6A Power dissipation: 101W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Version: ESD |
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IPP80R750P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 51W; PG-TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.6A Power dissipation: 51W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 17nC Version: ESD |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPP80R1K4P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IPP80R900P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 800V; 6A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 770mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 15nC |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPP80P03P4L04AKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; -30V; -80A; 137W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -30V Drain current: -80A Power dissipation: 137W Case: TO220 Gate-source voltage: -16...5V Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 29740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| SPP80P06P H | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Unclassified Description: SPP80P06P H |
auf Bestellung 573 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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AIGB50N65F5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 305W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AIGB50N65H5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 305W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AIKW50N65RF5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 109nC Technology: Field Stop; Trench |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IKWH50N65EH7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 249W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 249W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 102nC Technology: Field Stop; Trench |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TLE4274V50AKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TLE42744GV50ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TLE4274GV10ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TLE42744DV33ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TLE42744EV50XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TLE42744GV33ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TLE4274DV33ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TLE4274GSV25HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TLE4274GSV33HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| TLE4274GV50ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CYT2BL4CAAQ0AZEGST | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CYT2BL4CAAQ0AZSGS | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
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Mindestbestellmenge: 1190 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| ITS5215LCUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IKW30N60T | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 45A; 187W; TO247-3; Eoff: 0.77mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 45A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Technology: Field Stop; Trench Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 23ns Turn-off switching energy: 0.77mJ Turn-on switching energy: 0.69mJ Gate charge: 167nC |
auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 17 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IPW65R070C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 53.5A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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S25FL128LAGMFI010 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SO8; serial Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 128Mb FLASH Interface: SPI Operating frequency: 133MHz Operating voltage: 2.7...3.6V Case: SO8 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BAS 70-04W H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA Type of diode: Schottky switching Case: SOT323 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 70V Load current: 70mA Semiconductor structure: double Capacitance: 2pF Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.1A Leakage current: 0.1µA |
auf Bestellung 29580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 425 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GATELEADL500PB34701XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Discrete semicon. modules - Unclass.Description: Accessories: cable with crimped terminals Type of accessories for semiconductors: cable with crimped terminals |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IPB042N10N3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 778 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 53 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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BSS87H6327FTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.26A Power dissipation: 1W Case: SOT89-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BFP193WH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BFP193E6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSR802NL6327HTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSZ034N04LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSZ024N04LS6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FM24CL64B-G |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FM24V10-G |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; I2C; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; I2C; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FM18W08-SG |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; parallel 8bit; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC
Interface: parallel 8bit
Memory: 256kb FRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 32kx8bit
Case: SO28
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Access time: 70ns
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; parallel 8bit; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC
Interface: parallel 8bit
Memory: 256kb FRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 32kx8bit
Case: SO28
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Access time: 70ns
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FM22L16-55-TG |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; parallel 16bit; 256kx16bit; 2.7÷3.6VDC
Interface: parallel 16bit
Memory: 4Mb FRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Case: TSOP44 II
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Access time: 55ns
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; parallel 16bit; 256kx16bit; 2.7÷3.6VDC
Interface: parallel 16bit
Memory: 4Mb FRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Case: TSOP44 II
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Access time: 55ns
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1350 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TLS115D0LDXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 2÷14V; 0.15A; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 2...14V
Output current: 0.15A
Case: PG-TSON-10
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±0.1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4...45V
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 2÷14V; 0.15A; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 2...14V
Output current: 0.15A
Case: PG-TSON-10
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±0.1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4...45V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TLS115B0EJXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TLS115D0EJXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1EDC60H12AHXUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-8
Output current: -6...6A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 600/650/1200V
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-8
Output current: -6...6A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 600/650/1200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY8C4147AZA-S285 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY8C4147AZA-S285T |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY8C4147AZE-S285T |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY8C4147AZS-S285 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY8C4147AZS-S285T |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY62167DV30LL-55ZXI |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.2÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.2...3.6V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.2÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.2...3.6V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY62167DV30LL-55ZXIT |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 55ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 55ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IKY75N120CH3XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 256W
Case: TO247PLUS-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 335ns
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 256W
Case: TO247PLUS-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 335ns
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IKZA75N120CH7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 109A; 549W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 109A
Power dissipation: 549W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 109A; 549W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 109A
Power dissipation: 549W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPW60R045CPA |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IR2111STRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IKA15N65H5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 14A; 33.3W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 14A
Power dissipation: 33.3W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Turn-off time: 160ns
Technology: TRENCHSTOP™
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 14A; 33.3W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 14A
Power dissipation: 33.3W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Turn-off time: 160ns
Technology: TRENCHSTOP™
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AIGB15N65H5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AIKB15N65DF5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AIKB15N65DH5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPP80R1K2P7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Version: ESD
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPP80R360P7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 84W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Version: ESD
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 84W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Version: ESD
Kind of package: tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPP80R280P7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.6A; 101W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 101W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.6A; 101W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 101W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPP80R750P7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 51W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 51W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 51W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 51W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPP80R1K4P7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPP80R900P7XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 770mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 770mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPP80P03P4L04AKSA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -30V; -80A; 137W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -80A
Power dissipation: 137W
Case: TO220
Gate-source voltage: -16...5V
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -30V; -80A; 137W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -80A
Power dissipation: 137W
Case: TO220
Gate-source voltage: -16...5V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 29740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SPP80P06P H |
auf Bestellung 573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AIGB50N65F5ATMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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| AIGB50N65H5ATMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
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| AIKW50N65RF5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Technology: Field Stop; Trench
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Technology: Field Stop; Trench
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| IKWH50N65EH7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 249W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 249W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Technology: Field Stop; Trench
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 249W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 249W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Technology: Field Stop; Trench
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| TLE4274V50AKSA2 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
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| TLE42744GV50ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
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| TLE4274GV10ATMA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
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| TLE42744DV33ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
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| TLE42744EV50XUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| TLE42744GV33ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| TLE4274DV33ATMA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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| TLE4274GSV25HTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TLE4274GSV33HTMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TLE4274GV50ATMA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CYT2BL4CAAQ0AZEGST |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CYT2BL4CAAQ0AZSGS |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
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Mindestbestellmenge: 1190 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| ITS5215LCUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IKW30N60T |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 45A; 187W; TO247-3; Eoff: 0.77mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 45A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 23ns
Turn-off switching energy: 0.77mJ
Turn-on switching energy: 0.69mJ
Gate charge: 167nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 45A; 187W; TO247-3; Eoff: 0.77mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 45A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 23ns
Turn-off switching energy: 0.77mJ
Turn-on switching energy: 0.69mJ
Gate charge: 167nC
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPW65R070C6FKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| S25FL128LAGMFI010 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SO8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SO8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SO8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SO8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BAS 70-04W H6327 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double
Capacitance: 2pF
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.1A
Leakage current: 0.1µA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double
Capacitance: 2pF
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.1A
Leakage current: 0.1µA
auf Bestellung 29580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| GATELEADL500PB34701XPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Discrete semicon. modules - Unclass.
Description: Accessories: cable with crimped terminals
Type of accessories for semiconductors: cable with crimped terminals
Category: Discrete semicon. modules - Unclass.
Description: Accessories: cable with crimped terminals
Type of accessories for semiconductors: cable with crimped terminals
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IPB042N10N3 G |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSS87H6327FTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)















