| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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Варикап діод BBY5302VH6327XTSA1 Infineon | Infineon | Варикап SC79 Ct=5,3 pF @ (Ur=1 V, F=1 MHz), 2,4 pF @ (Ur=3 V, F=1 MHz) Ls=0,6 nH BBY5302VH6327XTSA1.pdf Варикапи |
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Варикап діод BBY57-02VH6327 Infineon | Infineon | Варикап SC-79-2 Ur=5.5pF@4V,1MHz If=20mA C1/C4=4,5 BBY57-02VH6327.pdf Варикапи |
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Варикап діод BB814 Infineon | Infineon | Варикап SOT23 Ur=2...8V Ir=(20...200)nA; (44,75...20,8)pF; здвоєний, загальний катод; Rs=0,18 Ohm BB814 Варикапи |
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Варикап діод BB857E7902 Infineon | Infineon | Варикап SOD323 Ur=1...28V Ir=(20…500)nA; (0.75…9.3)pF BB857E7902.pdf Варикапи |
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Варикап діод BBY53-02L Infineon | Infineon | Варикап TSLP-2-1 Ct=5,3 pF @ (Ur=1 V, F=1 MHz), 2,4 pF @ (Ur=3 V, F=1 MHz) BBY53-02L.pdf Варикапи |
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Діод Шотткі 10BQ100TRPBF Infineon | Infineon | Діод Шотткі SMB U=40V I=1A Vf=0,78V 10BQ100TRPBF.pdf Діоди Шотткі |
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Діод Шотткі BAT17-04WH6327 Infineon | Infineon | Диод Шоттки SOT323-3 U=4V I=0,13A Vf= 0,42V Діоди Шотткі |
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Діод Шотткі BAT64-02VH6327XTSA1 Infineon | Infineon | Діод Шотткі SC-79-2 (SOD-523) U=40 V, I=0,25 A, trr=5 ns, Ct=4 pF, Ls=0,6 nH BAT6402VH6327XTSA1.pdf Діоди Шотткі |
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Діод Шотткі BAT64-02W Infineon | Infineon | Діод Шотткі SCD80 U=40 V, I=0,25 A, trr=5 ns, Ct=4 pF BAT64-02W.pdf Діоди Шотткі |
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Діод Шотткі BAT68E6327HTSA1 Infineon | Infineon | Діод Шотткі SOT-23-3 U=8 V, I=0,13 A, Ct=1 pF Діоди Шотткі |
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Діод Шотткі BAS140WE6327HTSA1 Infineon | Infineon | DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOD323 Діоди Шотткі |
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Діод Шотткі BAS40-04 Infineon | Infineon | Діод Шотткі SOT23 U=40V I=0,12A BAS40_04.pdf Діоди Шотткі |
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Діод Шотткі BAS70-04WH6327 Infineon | Infineon | Діод Шотткі SOT323 U=70V I=0,07A, 2 діода послідовні BAS70-04WH6327.pdf Діоди Шотткі |
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Діод Шотткі BAT60AE6327HTSA1 Infineon | Infineon | Діод випрямний Шотткі 10В 3А SOD323 1,35Вт Діоди Шотткі |
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Діод Шотткі BAT6202VH6327XTSA1 Infineon | Infineon | Діод випрямний Шотткі, SC79, 40В, 20мА, 100мВт Діоди Шотткі |
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Діод Шотткі IDH04G65C6XKSA1 Infineon | Infineon | Діод Шотткі TO-220-2 U=650V I=4A Vf=1,25V; CoolSiC™ generation 6 Діоди Шотткі |
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Біполярний транзистор BFR93AE6327 Infineon | Infineon | Транзи. Біпол. ВЧ NPN SOT23 Uceo = 12V; Ic = 0,09A; f = 6GHz; Pdmax = 0,3W; hfe=70/140 Транзистори біполярні |
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Транзистор N-Channel BSZ100N06NSATMA1 Infineon | Infineon | N-Channel 60 V 40A 36 W Surface Mount TSDSON-8 Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BC807-16E6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. МП PNP SOT23 Uceo=-45V; Ic=-0,5A; f=80MHz; Pdmax=0,25W; hfe=100/250 BC807-16E6327.pdf Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BC808-40WE6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. MM PNP SOT323 Uceo=-25V; Ic=-0,5A; f=80MHz; Pdmax=0,25W; hfe=600 BC808-40WE6327.pdf Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BC818-25E6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. МП NPN SOT23 Uceo=25V; Ic=0,5A; f=170MHz; Pdmax=0,33W; hfe min=100 BC818-25E6327.pdf Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BC848CE6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. МП NPN SOT23 Uceo=30V; Ic=0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=420/800 BC848CE6327.pdf Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BCR135WE6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. (із вбудованими резисторами 10k,47k) МП NPN SOT323 Uceo=50V; Ic=0,1A; Pdmax=0,25W; hfemin=70 BCR135WE6327.pdf Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BCR555E6327 Infineon | Infineon | PNP SOT23 Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 kOhm R2= 10 kOhm), Vce=50V, Ic=500mA, hfemin=70, Ptot=330 mW BCR555E6327.pdf Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BCV62BE6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. МП PNP Dual SOT-143 Ic=100 mA, Vce=30 V, Ft=250 MHz, Ptot=300 mW Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BCW60C Infineon | Infineon | Транз. Біпол. МП NPN SOT23 Uceo=32V; Ic=0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=250/460 BCW60C.pdf Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BCW61DE6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. МП PNP SOT23 Uceo=-32V; Ic=-0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=380/630 BCW61D.pdf Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BCW68HE6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. МП PNP SOT23 Uceo=45 V; Ic=0,8 A; f=200MHz; Pdmax=0,3 W; hfe=250 @ 100mA, 1V BCW68HE6327.pdf Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BCX41E6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. NPN 125V 0.8A SOT-23 BCX41E6327.pdf Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BCX42E6327HTSA1 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. PNP 125V 0.8A SOT-23 Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BFP420E6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4,5V; Ic=35 mA; ft=25GHz; Pdmax=0,16W; h=50/150, Nf=1,1 dB @ 1,8 GHz Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BFP740FH6327XTSA1 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount 4-TSFP Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BFR193FH6327XTSA1 Infineon | Infineon | Транзистор біполярний ВЧ NPN TSFP-3; Ft = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz; Vceo= 12 V; Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний IRLML0040TRPBF Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП N-HEXFET SOT23 Udss=40V; Id=3,6A; 1,3Вт Rds=0,078 Ohm Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний SMBTA42 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. МП NPN SOT23 Uceo=300V; Ic=500mA; f=50MHz; hfemin=25 Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP520E6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=2,5V; Ic=0,04A; f=45GHz; Pdmax=0,1W; hfe=70/200 Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BC807-40W Infineon | Infineon | Транз. Біпол. МП PNP SOT323 Uceo=-45V; Ic=-0,5A; f=80MHz; Pdmax=0,25W; hfe=250/600 Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BC817-25 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. МП NPN SOT23 Uceo=45V; Ic=0,5A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=160/400 Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BC817-40W Infineon | Infineon | Транз. Біпол. МП NPN SOT323 Uceo=45V; Ic=0,5A; f=170MHz; Pdmax=0,25W; hfe=250/630 Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BC858B Infineon | Infineon | Транз. Біпол. МП PNP SOT23 Uceo=-30V; Ic=-0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=220/475 Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BCR185WH6327 Infineon | Infineon | Транз. PNP; Біпол. 50В, 100мА, 250мВт, SOT323 Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BCR505E6327 Infineon | Infineon | Транзистор NPN SOT23 Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 kOhm R2= 10 kOhm), Vce=50V, Ic=500mA, hfemin=70, Ptot=330 mW Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BCV47E6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. МП NPN Darlington SOT23 Uceo=60V; Ic=0,5A; f=170MHz; Pdmax=0,36W; hfemin=2000 Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BCV49H6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. МП NPN Darlington SOT89 Uceo=60V; Ic=0,5A; f=220MHz; Pdmax=1,3W; hfemin=10000 Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BCW61CE6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. МП PNP SOT23 Uceo=-32V; Ic=-0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=250/460 BCW61CE6327.pdf Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BCX51 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. МП PNP SOT89 Uceo=45V; Ic=1A; ftmin=50MHz, Pdmax=1,3W; hfe=40/250 Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BSP33 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. МП PNP SOT223 Uceo=-80V; Ic=-1A; f=100MHz; t=650ns; Pdmax=1,3W; hfe=100/300 Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BSR12 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. МП PNP SOT23 Uceo=-15V; Ic=0,1A; ключевой; Pdmax=0,25W Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BSZ065N03LSATMA1 Infineon | Infineon | N-Channel 30 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний BSZ146N10LS5ATMA1 Infineon | Infineon | N-Channel 100 V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний IPP032N06N3GXKSA1 Infineon | Infineon | N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний IPP60R060P7XKSA1 Infineon | Infineon | N-Channel 600V 48A (Tc) 164W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний IPP60R190P6XKSA1 Infineon | Infineon | N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP450E Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343R Uceo=4,5V; Ic=0,1A; f=24GHz; Pdmax=0,45W; h=50/150 Транзистори біполярні |
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МОП-транзистор IPG16N10S461AATMA1 Infineon | Infineon | МОП-транзистор 2N-канальний 100 В 16 А 8TDSON Транзистори польові |
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Транзистор N-MOSFET IRF8734TRPBF Infineon | Infineon | ранзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 2,5Вт; SO8 Транзистори польові |
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Транзистор польвий IAUC60N04S6L039ATMA1 | Infineon | Транзистор полевой IAUC60N04S6L039ATMA1 Транзистори польові |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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Транзистор польовий BF1005E6327 Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП RF (up to 1 GHz) N-MOSFET SOT143 Udss=8V; Id=0,025A; Pdmax=0,2W; двозатворний, Gp=19 dB BF1005E6327.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий BF998E6327 Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двозатворний Idss=(2…18)mA BF998E6327.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий BSC052N08NS5ATMA1 Infineon | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET TDSON-8 Udss=80V; Id=95A; Pdmax=83W; Rds=0,0076 Ohm Транзистори польові |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Варикап діод BBY5302VH6327XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Варикап SC79 Ct=5,3 pF @ (Ur=1 V, F=1 MHz), 2,4 pF @ (Ur=3 V, F=1 MHz) Ls=0,6 nH BBY5302VH6327XTSA1.pdf Варикапи
Варикап SC79 Ct=5,3 pF @ (Ur=1 V, F=1 MHz), 2,4 pF @ (Ur=3 V, F=1 MHz) Ls=0,6 nH BBY5302VH6327XTSA1.pdf Варикапи
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| Варикап діод BBY57-02VH6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Варикап SC-79-2 Ur=5.5pF@4V,1MHz If=20mA C1/C4=4,5 BBY57-02VH6327.pdf Варикапи
Варикап SC-79-2 Ur=5.5pF@4V,1MHz If=20mA C1/C4=4,5 BBY57-02VH6327.pdf Варикапи
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Варикап діод BB814 Infineon |
Hersteller: Infineon
Варикап SOT23 Ur=2...8V Ir=(20...200)nA; (44,75...20,8)pF; здвоєний, загальний катод; Rs=0,18 Ohm BB814 Варикапи
Варикап SOT23 Ur=2...8V Ir=(20...200)nA; (44,75...20,8)pF; здвоєний, загальний катод; Rs=0,18 Ohm BB814 Варикапи
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Варикап діод BB857E7902 Infineon |
Hersteller: Infineon
Варикап SOD323 Ur=1...28V Ir=(20…500)nA; (0.75…9.3)pF BB857E7902.pdf Варикапи
Варикап SOD323 Ur=1...28V Ir=(20…500)nA; (0.75…9.3)pF BB857E7902.pdf Варикапи
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Stück im Wert von UAH
| Варикап діод BBY53-02L Infineon |
Hersteller: Infineon
Варикап TSLP-2-1 Ct=5,3 pF @ (Ur=1 V, F=1 MHz), 2,4 pF @ (Ur=3 V, F=1 MHz) BBY53-02L.pdf Варикапи
Варикап TSLP-2-1 Ct=5,3 pF @ (Ur=1 V, F=1 MHz), 2,4 pF @ (Ur=3 V, F=1 MHz) BBY53-02L.pdf Варикапи
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Stück im Wert von UAH
| Діод Шотткі 10BQ100TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Діод Шотткі SMB U=40V I=1A Vf=0,78V 10BQ100TRPBF.pdf Діоди Шотткі
Діод Шотткі SMB U=40V I=1A Vf=0,78V 10BQ100TRPBF.pdf Діоди Шотткі
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| Діод Шотткі BAT17-04WH6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Диод Шоттки SOT323-3 U=4V I=0,13A Vf= 0,42V Діоди Шотткі
Диод Шоттки SOT323-3 U=4V I=0,13A Vf= 0,42V Діоди Шотткі
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| Діод Шотткі BAT64-02VH6327XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Діод Шотткі SC-79-2 (SOD-523) U=40 V, I=0,25 A, trr=5 ns, Ct=4 pF, Ls=0,6 nH BAT6402VH6327XTSA1.pdf Діоди Шотткі
Діод Шотткі SC-79-2 (SOD-523) U=40 V, I=0,25 A, trr=5 ns, Ct=4 pF, Ls=0,6 nH BAT6402VH6327XTSA1.pdf Діоди Шотткі
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| Діод Шотткі BAT64-02W Infineon |
Hersteller: Infineon
Діод Шотткі SCD80 U=40 V, I=0,25 A, trr=5 ns, Ct=4 pF BAT64-02W.pdf Діоди Шотткі
Діод Шотткі SCD80 U=40 V, I=0,25 A, trr=5 ns, Ct=4 pF BAT64-02W.pdf Діоди Шотткі
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| Діод Шотткі BAT68E6327HTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Діод Шотткі SOT-23-3 U=8 V, I=0,13 A, Ct=1 pF Діоди Шотткі
Діод Шотткі SOT-23-3 U=8 V, I=0,13 A, Ct=1 pF Діоди Шотткі
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Stück im Wert von UAH
| Діод Шотткі BAS140WE6327HTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOD323 Діоди Шотткі
DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOD323 Діоди Шотткі
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| Діод Шотткі BAS40-04 Infineon |
Hersteller: Infineon
Діод Шотткі SOT23 U=40V I=0,12A BAS40_04.pdf Діоди Шотткі
Діод Шотткі SOT23 U=40V I=0,12A BAS40_04.pdf Діоди Шотткі
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| Діод Шотткі BAS70-04WH6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Діод Шотткі SOT323 U=70V I=0,07A, 2 діода послідовні BAS70-04WH6327.pdf Діоди Шотткі
Діод Шотткі SOT323 U=70V I=0,07A, 2 діода послідовні BAS70-04WH6327.pdf Діоди Шотткі
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| Діод Шотткі BAT60AE6327HTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Діод випрямний Шотткі 10В 3А SOD323 1,35Вт Діоди Шотткі
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| Діод Шотткі BAT6202VH6327XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Діод випрямний Шотткі, SC79, 40В, 20мА, 100мВт Діоди Шотткі
Діод випрямний Шотткі, SC79, 40В, 20мА, 100мВт Діоди Шотткі
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| Діод Шотткі IDH04G65C6XKSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Діод Шотткі TO-220-2 U=650V I=4A Vf=1,25V; CoolSiC™ generation 6 Діоди Шотткі
Діод Шотткі TO-220-2 U=650V I=4A Vf=1,25V; CoolSiC™ generation 6 Діоди Шотткі
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| Біполярний транзистор BFR93AE6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзи. Біпол. ВЧ NPN SOT23 Uceo = 12V; Ic = 0,09A; f = 6GHz; Pdmax = 0,3W; hfe=70/140 Транзистори біполярні
Транзи. Біпол. ВЧ NPN SOT23 Uceo = 12V; Ic = 0,09A; f = 6GHz; Pdmax = 0,3W; hfe=70/140 Транзистори біполярні
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| Транзистор N-Channel BSZ100N06NSATMA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
N-Channel 60 V 40A 36 W Surface Mount TSDSON-8 Транзистори біполярні
N-Channel 60 V 40A 36 W Surface Mount TSDSON-8 Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BC807-16E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. МП PNP SOT23 Uceo=-45V; Ic=-0,5A; f=80MHz; Pdmax=0,25W; hfe=100/250 BC807-16E6327.pdf Транзистори біполярні
Транз. Біпол. МП PNP SOT23 Uceo=-45V; Ic=-0,5A; f=80MHz; Pdmax=0,25W; hfe=100/250 BC807-16E6327.pdf Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BC808-40WE6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. MM PNP SOT323 Uceo=-25V; Ic=-0,5A; f=80MHz; Pdmax=0,25W; hfe=600 BC808-40WE6327.pdf Транзистори біполярні
Транз. Біпол. MM PNP SOT323 Uceo=-25V; Ic=-0,5A; f=80MHz; Pdmax=0,25W; hfe=600 BC808-40WE6327.pdf Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BC818-25E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. МП NPN SOT23 Uceo=25V; Ic=0,5A; f=170MHz; Pdmax=0,33W; hfe min=100 BC818-25E6327.pdf Транзистори біполярні
Транз. Біпол. МП NPN SOT23 Uceo=25V; Ic=0,5A; f=170MHz; Pdmax=0,33W; hfe min=100 BC818-25E6327.pdf Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BC848CE6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. МП NPN SOT23 Uceo=30V; Ic=0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=420/800 BC848CE6327.pdf Транзистори біполярні
Транз. Біпол. МП NPN SOT23 Uceo=30V; Ic=0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=420/800 BC848CE6327.pdf Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BCR135WE6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. (із вбудованими резисторами 10k,47k) МП NPN SOT323 Uceo=50V; Ic=0,1A; Pdmax=0,25W; hfemin=70 BCR135WE6327.pdf Транзистори біполярні
Транз. Біпол. (із вбудованими резисторами 10k,47k) МП NPN SOT323 Uceo=50V; Ic=0,1A; Pdmax=0,25W; hfemin=70 BCR135WE6327.pdf Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BCR555E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
PNP SOT23 Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 kOhm R2= 10 kOhm), Vce=50V, Ic=500mA, hfemin=70, Ptot=330 mW BCR555E6327.pdf Транзистори біполярні
PNP SOT23 Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 kOhm R2= 10 kOhm), Vce=50V, Ic=500mA, hfemin=70, Ptot=330 mW BCR555E6327.pdf Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BCV62BE6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. МП PNP Dual SOT-143 Ic=100 mA, Vce=30 V, Ft=250 MHz, Ptot=300 mW Транзистори біполярні
Транз. Біпол. МП PNP Dual SOT-143 Ic=100 mA, Vce=30 V, Ft=250 MHz, Ptot=300 mW Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BCW60C Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. МП NPN SOT23 Uceo=32V; Ic=0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=250/460 BCW60C.pdf Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BCW61DE6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. МП PNP SOT23 Uceo=-32V; Ic=-0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=380/630 BCW61D.pdf Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BCW68HE6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. МП PNP SOT23 Uceo=45 V; Ic=0,8 A; f=200MHz; Pdmax=0,3 W; hfe=250 @ 100mA, 1V BCW68HE6327.pdf Транзистори біполярні
Транз. Біпол. МП PNP SOT23 Uceo=45 V; Ic=0,8 A; f=200MHz; Pdmax=0,3 W; hfe=250 @ 100mA, 1V BCW68HE6327.pdf Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BCX41E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. NPN 125V 0.8A SOT-23 BCX41E6327.pdf Транзистори біполярні
Транз. Біпол. NPN 125V 0.8A SOT-23 BCX41E6327.pdf Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BCX42E6327HTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. PNP 125V 0.8A SOT-23 Транзистори біполярні
Транз. Біпол. PNP 125V 0.8A SOT-23 Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BFP420E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4,5V; Ic=35 mA; ft=25GHz; Pdmax=0,16W; h=50/150, Nf=1,1 dB @ 1,8 GHz Транзистори біполярні
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4,5V; Ic=35 mA; ft=25GHz; Pdmax=0,16W; h=50/150, Nf=1,1 dB @ 1,8 GHz Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BFP740FH6327XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount 4-TSFP Транзистори біполярні
Транз. Біпол. ВЧ NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount 4-TSFP Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BFR193FH6327XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзистор біполярний ВЧ NPN TSFP-3; Ft = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz; Vceo= 12 V; Транзистори біполярні
Транзистор біполярний ВЧ NPN TSFP-3; Ft = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz; Vceo= 12 V; Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний IRLML0040TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП N-HEXFET SOT23 Udss=40V; Id=3,6A; 1,3Вт Rds=0,078 Ohm Транзистори біполярні
Транз. Пол. МП N-HEXFET SOT23 Udss=40V; Id=3,6A; 1,3Вт Rds=0,078 Ohm Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний SMBTA42 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. МП NPN SOT23 Uceo=300V; Ic=500mA; f=50MHz; hfemin=25 Транзистори біполярні
Транз. Біпол. МП NPN SOT23 Uceo=300V; Ic=500mA; f=50MHz; hfemin=25 Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP520E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=2,5V; Ic=0,04A; f=45GHz; Pdmax=0,1W; hfe=70/200 Транзистори біполярні
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=2,5V; Ic=0,04A; f=45GHz; Pdmax=0,1W; hfe=70/200 Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BC807-40W Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. МП PNP SOT323 Uceo=-45V; Ic=-0,5A; f=80MHz; Pdmax=0,25W; hfe=250/600 Транзистори біполярні
Транз. Біпол. МП PNP SOT323 Uceo=-45V; Ic=-0,5A; f=80MHz; Pdmax=0,25W; hfe=250/600 Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BC817-25 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. МП NPN SOT23 Uceo=45V; Ic=0,5A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=160/400 Транзистори біполярні
Транз. Біпол. МП NPN SOT23 Uceo=45V; Ic=0,5A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=160/400 Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BC817-40W Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. МП NPN SOT323 Uceo=45V; Ic=0,5A; f=170MHz; Pdmax=0,25W; hfe=250/630 Транзистори біполярні
Транз. Біпол. МП NPN SOT323 Uceo=45V; Ic=0,5A; f=170MHz; Pdmax=0,25W; hfe=250/630 Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BC858B Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. МП PNP SOT23 Uceo=-30V; Ic=-0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=220/475 Транзистори біполярні
Транз. Біпол. МП PNP SOT23 Uceo=-30V; Ic=-0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=220/475 Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BCR185WH6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. PNP; Біпол. 50В, 100мА, 250мВт, SOT323 Транзистори біполярні
Транз. PNP; Біпол. 50В, 100мА, 250мВт, SOT323 Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний BCR505E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзистор NPN SOT23 Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 kOhm R2= 10 kOhm), Vce=50V, Ic=500mA, hfemin=70, Ptot=330 mW Транзистори біполярні
Транзистор NPN SOT23 Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 kOhm R2= 10 kOhm), Vce=50V, Ic=500mA, hfemin=70, Ptot=330 mW Транзистори біполярні
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний BCV47E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. МП NPN Darlington SOT23 Uceo=60V; Ic=0,5A; f=170MHz; Pdmax=0,36W; hfemin=2000 Транзистори біполярні
Транз. Біпол. МП NPN Darlington SOT23 Uceo=60V; Ic=0,5A; f=170MHz; Pdmax=0,36W; hfemin=2000 Транзистори біполярні
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний BCV49H6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. МП NPN Darlington SOT89 Uceo=60V; Ic=0,5A; f=220MHz; Pdmax=1,3W; hfemin=10000 Транзистори біполярні
Транз. Біпол. МП NPN Darlington SOT89 Uceo=60V; Ic=0,5A; f=220MHz; Pdmax=1,3W; hfemin=10000 Транзистори біполярні
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний BCW61CE6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. МП PNP SOT23 Uceo=-32V; Ic=-0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=250/460 BCW61CE6327.pdf Транзистори біполярні
Транз. Біпол. МП PNP SOT23 Uceo=-32V; Ic=-0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=250/460 BCW61CE6327.pdf Транзистори біполярні
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний BCX51 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. МП PNP SOT89 Uceo=45V; Ic=1A; ftmin=50MHz, Pdmax=1,3W; hfe=40/250 Транзистори біполярні
Транз. Біпол. МП PNP SOT89 Uceo=45V; Ic=1A; ftmin=50MHz, Pdmax=1,3W; hfe=40/250 Транзистори біполярні
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний BSP33 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. МП PNP SOT223 Uceo=-80V; Ic=-1A; f=100MHz; t=650ns; Pdmax=1,3W; hfe=100/300 Транзистори біполярні
Транз. Біпол. МП PNP SOT223 Uceo=-80V; Ic=-1A; f=100MHz; t=650ns; Pdmax=1,3W; hfe=100/300 Транзистори біполярні
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний BSR12 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. МП PNP SOT23 Uceo=-15V; Ic=0,1A; ключевой; Pdmax=0,25W Транзистори біполярні
Транз. Біпол. МП PNP SOT23 Uceo=-15V; Ic=0,1A; ключевой; Pdmax=0,25W Транзистори біполярні
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний BSZ065N03LSATMA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
N-Channel 30 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL Транзистори біполярні
N-Channel 30 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL Транзистори біполярні
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний BSZ146N10LS5ATMA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
N-Channel 100 V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL Транзистори біполярні
N-Channel 100 V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL Транзистори біполярні
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний IPP032N06N3GXKSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори біполярні
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори біполярні
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний IPP60R060P7XKSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
N-Channel 600V 48A (Tc) 164W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори біполярні
N-Channel 600V 48A (Tc) 164W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори біполярні
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний IPP60R190P6XKSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори біполярні
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори біполярні
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP450E Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343R Uceo=4,5V; Ic=0,1A; f=24GHz; Pdmax=0,45W; h=50/150 Транзистори біполярні
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343R Uceo=4,5V; Ic=0,1A; f=24GHz; Pdmax=0,45W; h=50/150 Транзистори біполярні
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| МОП-транзистор IPG16N10S461AATMA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
МОП-транзистор 2N-канальний 100 В 16 А 8TDSON Транзистори польові
МОП-транзистор 2N-канальний 100 В 16 А 8TDSON Транзистори польові
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| Транзистор N-MOSFET IRF8734TRPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
ранзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 2,5Вт; SO8 Транзистори польові
ранзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 2,5Вт; SO8 Транзистори польові
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| Транзистор польвий IAUC60N04S6L039ATMA1 |
Hersteller: Infineon
Транзистор полевой IAUC60N04S6L039ATMA1 Транзистори польові
Транзистор полевой IAUC60N04S6L039ATMA1 Транзистори польові
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| Транзистор польовий BF1005E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП RF (up to 1 GHz) N-MOSFET SOT143 Udss=8V; Id=0,025A; Pdmax=0,2W; двозатворний, Gp=19 dB BF1005E6327.pdf Транзистори польові
Транз. Пол. МП RF (up to 1 GHz) N-MOSFET SOT143 Udss=8V; Id=0,025A; Pdmax=0,2W; двозатворний, Gp=19 dB BF1005E6327.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий BF998E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двозатворний Idss=(2…18)mA BF998E6327.pdf Транзистори польові
Транз. Пол. МП N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двозатворний Idss=(2…18)mA BF998E6327.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий BSC052N08NS5ATMA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TDSON-8 Udss=80V; Id=95A; Pdmax=83W; Rds=0,0076 Ohm Транзистори польові
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TDSON-8 Udss=80V; Id=95A; Pdmax=83W; Rds=0,0076 Ohm Транзистори польові
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