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FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU
Produktcode: 204981
Китай fgh60n60sfd-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
auf Bestellung 100 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU
Produktcode: 71883
FAIR/ON fgh60n60sfd-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.7 EUR
FGH60N60SMD FGH60N60SMD
Produktcode: 60291
FAIR FGH60N60SMDcvd.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,9
Ic 25: 120
Ic 100: 60
Pd 25: 300
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/115
verfügbar: 63 Stück
6 Stück - stock Köln
57 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+3 EUR
IXGH60N60C2 IXGH60N60C2
Produktcode: 30178
littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh60n60c2_datasheet.pdf.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,5
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 480
verfügbar: 1 Stück
1+3.92 EUR
60N6S2
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT60N60BCSG APT60N60BCSG Microchip Technology APT47N60B_SC3_G__F-3444503.pdf MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.18 EUR
100+ 28.64 EUR
DAMI660N60 DAMI660N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+52.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
DAMI660N60 DAMI660N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+52.91 EUR
10+ 51.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCB260N65S3 FCB260N65S3 onsemi FCB260N65S3_D-2311612.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.88 EUR
10+ 4.49 EUR
25+ 4.42 EUR
100+ 3.22 EUR
800+ 2.57 EUR
FCD260N65S3 FCD260N65S3 onsemi FCD260N65S3_D-2311674.pdf MOSFETs SUPERFET3 260MOHM TO252
auf Bestellung 2365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.48 EUR
10+ 2.94 EUR
100+ 2.46 EUR
500+ 2.02 EUR
1000+ 1.88 EUR
2500+ 1.87 EUR
FCD360N65S3R0 FCD360N65S3R0 onsemi FCD360N65S3R0_D-2311579.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
auf Bestellung 2621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+ 2.83 EUR
100+ 2.04 EUR
500+ 1.69 EUR
1000+ 1.57 EUR
FCMT360N65S3 FCMT360N65S3 onsemi FCMT360N65S3_D-2311947.pdf MOSFETs Easy Drive 650V 10A 360 mOhm
auf Bestellung 2634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+ 4.17 EUR
100+ 3.68 EUR
250+ 3.66 EUR
500+ 3.1 EUR
1000+ 2.96 EUR
FCP260N60E FCP260N60E onsemi / Fairchild FCPF260N60E_D-2311713.pdf MOSFETs PWM Controller mWSaver
auf Bestellung 3633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+ 3.19 EUR
50+ 2.48 EUR
100+ 2.45 EUR
FCP260N65S3 FCP260N65S3 onsemi FCP260N65S3_D-2311951.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
50+ 3.59 EUR
100+ 3.08 EUR
500+ 2.94 EUR
800+ 2.16 EUR
FCP360N65S3R0 FCP360N65S3R0 onsemi FCP360N65S3R0_D-2312044.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+ 2.01 EUR
100+ 1.88 EUR
FCPF260N60E FCPF260N60E onsemi / Fairchild FCPF260N60E_D-2311713.pdf MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.8 EUR
10+ 2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCPF360N65S3R0L-F154 FCPF360N65S3R0L-F154 onsemi FCPF360N65S3R0L_F154_D-2255752.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 10 A, 360 mohm, TO-220F Ultra narrow lead
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.04 EUR
10+ 5.97 EUR
25+ 3.2 EUR
100+ 2.92 EUR
500+ 2.39 EUR
1000+ 2.38 EUR
2000+ 2.27 EUR
FGA60N60UFDTU ON-Semicoductor fga60n60ufd-d.pdf IGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+16.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ONSEMI FGA60N65SMD-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.34 EUR
12+ 6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FGA60N65SMD ON-Semicoductor fga60n65smd-d.pdf IGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+12.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ONSEMI FGA60N65SMD-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.34 EUR
12+ 6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FGA60N65SMD ON-Semicoductor fga60n65smd-d.pdf IGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+12.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FGA60N65SMD FGA60N65SMD onsemi / Fairchild FGA60N65SMD_D-2313585.pdf IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.01 EUR
10+ 7.25 EUR
100+ 5.26 EUR
450+ 5.24 EUR
2700+ 4.91 EUR
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI FGH60N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.56 EUR
12+ 6.05 EUR
30+ 5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FGH60N60SMD FGH60N60SMD ONSEMI FGH60N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.56 EUR
12+ 6.05 EUR
30+ 5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FGH60N60SMD ON-Semicoductor fgh60n60smd-d.pdf IGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+17.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH60N60SMD FGH60N60SMD onsemi / Fairchild FGH60N60SMD_D-2313587.pdf IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
auf Bestellung 6619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.44 EUR
10+ 9.56 EUR
25+ 8.29 EUR
100+ 7.11 EUR
250+ 6.69 EUR
450+ 6.3 EUR
900+ 5.6 EUR
IGW60N60H3 IGW60N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW60N60H3_DS_v01_01_en-1226730.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12 EUR
10+ 10.77 EUR
25+ 7.74 EUR
100+ 6.51 EUR
240+ 6.49 EUR
480+ 5.9 EUR
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW60N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.22 EUR
12+ 5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW60N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.22 EUR
12+ 5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW60N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3362049.pdf IGBTs Y
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.07 EUR
10+ 8.62 EUR
25+ 7.23 EUR
100+ 6.85 EUR
240+ 5.63 EUR
480+ 5.6 EUR
1200+ 5.54 EUR
IKFW60N60EH3XKSA1 IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW60N60EH3_DS_v02_01_EN-1731672.pdf IGBTs Y
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.72 EUR
10+ 12.74 EUR
25+ 12.72 EUR
100+ 12.71 EUR
240+ 9.05 EUR
IKFW60N65ES5XKSA1 IKFW60N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW60N65ES5_DataSheet_v02_01_EN-1954792.pdf IGBTs Y
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.34 EUR
10+ 12.43 EUR
25+ 9.56 EUR
100+ 8.54 EUR
240+ 8.31 EUR
480+ 8.1 EUR
IKW60N60H3 IKW60N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW60N60H3_DS_v01_02_en-1731674.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.3 EUR
10+ 10.56 EUR
25+ 9.57 EUR
100+ 8.78 EUR
240+ 8.27 EUR
480+ 7.74 EUR
1200+ 7.32 EUR
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW60N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.5 EUR
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW60N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+ 23.84 EUR
7+ 10.21 EUR
IKWH60N65WR6XKSA1 IKWH60N65WR6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKWH60N65WR6_DataSheet_v01_10_EN-3362250.pdf IGBTs Y
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.32 EUR
10+ 7.29 EUR
25+ 4.93 EUR
100+ 4.08 EUR
240+ 4.07 EUR
480+ 3.38 EUR
IXFH60N60X3 IXFH60N60X3 IXYS media-3322147.pdf MOSFETs TO247 600V 60A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 234-238 Tag (e)
1+19.68 EUR
30+ 15.72 EUR
120+ 14.06 EUR
IXFH60N65X2 IXFH60N65X2 IXYS media-3319318.pdf MOSFETs MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.88 EUR
10+ 15.77 EUR
30+ 14.48 EUR
60+ 13.62 EUR
270+ 13.2 EUR
510+ 12.34 EUR
1020+ 11.79 EUR
IXFH60N65X2-4 IXFH60N65X2-4 IXYS media-3321608.pdf MOSFETs 650V/60A TO-247-4L
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.68 EUR
10+ 18.27 EUR
30+ 16.72 EUR
120+ 15.86 EUR
510+ 14.15 EUR
1020+ 13.62 EUR
IXFT60N60X3HV IXFT60N60X3HV IXYS media-3321586.pdf MOSFETs TO268 600V 60A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.68 EUR
10+ 18.13 EUR
30+ 15.49 EUR
120+ 14.06 EUR
270+ 13.66 EUR
510+ 12.41 EUR
1020+ 11.16 EUR
IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV IXYS IXFT60N65X2HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 180ns
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.89 EUR
7+ 11.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV IXYS IXFT60N65X2HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.89 EUR
7+ 11.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.27 EUR
6+ 12.04 EUR
7+ 11.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS media-3321016.pdf IGBTs 60 Amps 600V
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IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
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IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 IXYS IXXH60N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
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IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 IXYS IXXH60N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
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Kind of package: tube
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11+ 6.55 EUR
12+ 6.19 EUR
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IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 IXYS IXXH60N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
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Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
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IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 IXYS IXXH60N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 IXYS media-3320268.pdf IGBTs 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
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10+ 15.03 EUR
30+ 12.97 EUR
IXXX160N65B4 IXXX160N65B4 IXYS media-3322883.pdf IGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
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10+ 38.53 EUR
30+ 33.7 EUR
60+ 33.21 EUR
120+ 32.65 EUR
IXYA60N65A5 IXYA60N65A5 IXYS Littelfuse_06282024_Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA60N65A5_Datasheet.pdf IGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
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500+ 5.53 EUR
1000+ 4.73 EUR
IXYH60N65A5 IXYH60N65A5 IXYS Littelfuse_06282024_Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH60N65A5_Datasheet.pdf IGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD
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10+ 8.78 EUR
30+ 8.31 EUR
120+ 7.09 EUR
270+ 6.69 EUR
510+ 6.3 EUR
1020+ 5.4 EUR
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5 IXYS media-3323590.pdf IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
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1+8.11 EUR
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500+ 4.79 EUR
1000+ 3.87 EUR
NTD360N65S3H NTD360N65S3H onsemi NTD360N65S3H_D-2318529.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mohm, DPAK
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1+4.1 EUR
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500+ 1.88 EUR
1000+ 1.74 EUR
2500+ 1.7 EUR
NTPF360N65S3H NTPF360N65S3H onsemi NTPF360N65S3H_D-2319261.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mohm, TO220F
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+ 3.15 EUR
50+ 2.59 EUR
NVB260N65S3 NVB260N65S3 onsemi NVB260N65S3_D-2319718.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, Easy Drive, 650 V , 12 A, 260 mohm, D2PAK
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.77 EUR
10+ 3.85 EUR
100+ 2.69 EUR
800+ 2.06 EUR
FGH60N60SFDTU
Produktcode: 204981
fgh60n60sfd-d.pdf
FGH60N60SFDTU
Hersteller: Китай
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
auf Bestellung 100 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGH60N60SFDTU
Produktcode: 71883
fgh60n60sfd-datasheet.pdf
FGH60N60SFDTU
Hersteller: FAIR/ON
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.7 EUR
FGH60N60SMD
Produktcode: 60291
FGH60N60SMDcvd.pdf
FGH60N60SMD
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,9
Ic 25: 120
Ic 100: 60
Pd 25: 300
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/115
verfügbar: 63 Stück
6 Stück - stock Köln
57 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3 EUR
IXGH60N60C2
Produktcode: 30178
littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh60n60c2_datasheet.pdf.pdf
IXGH60N60C2
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,5
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 480
verfügbar: 1 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.92 EUR
60N6S2
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
APT60N60BCSG APT47N60B_SC3_G__F-3444503.pdf
APT60N60BCSG
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+33.18 EUR
100+ 28.64 EUR
DAMI660N60
DAMI660N60
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+52.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
DAMI660N60
DAMI660N60
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+52.91 EUR
10+ 51.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCB260N65S3 FCB260N65S3_D-2311612.pdf
FCB260N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.88 EUR
10+ 4.49 EUR
25+ 4.42 EUR
100+ 3.22 EUR
800+ 2.57 EUR
FCD260N65S3 FCD260N65S3_D-2311674.pdf
FCD260N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 260MOHM TO252
auf Bestellung 2365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.48 EUR
10+ 2.94 EUR
100+ 2.46 EUR
500+ 2.02 EUR
1000+ 1.88 EUR
2500+ 1.87 EUR
FCD360N65S3R0 FCD360N65S3R0_D-2311579.pdf
FCD360N65S3R0
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
auf Bestellung 2621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.71 EUR
10+ 2.83 EUR
100+ 2.04 EUR
500+ 1.69 EUR
1000+ 1.57 EUR
FCMT360N65S3 FCMT360N65S3_D-2311947.pdf
FCMT360N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs Easy Drive 650V 10A 360 mOhm
auf Bestellung 2634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.19 EUR
10+ 4.17 EUR
100+ 3.68 EUR
250+ 3.66 EUR
500+ 3.1 EUR
1000+ 2.96 EUR
FCP260N60E FCPF260N60E_D-2311713.pdf
FCP260N60E
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs PWM Controller mWSaver
auf Bestellung 3633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.56 EUR
10+ 3.19 EUR
50+ 2.48 EUR
100+ 2.45 EUR
FCP260N65S3 FCP260N65S3_D-2311951.pdf
FCP260N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.52 EUR
50+ 3.59 EUR
100+ 3.08 EUR
500+ 2.94 EUR
800+ 2.16 EUR
FCP360N65S3R0 FCP360N65S3R0_D-2312044.pdf
FCP360N65S3R0
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4 EUR
10+ 2.01 EUR
100+ 1.88 EUR
FCPF260N60E FCPF260N60E_D-2311713.pdf
FCPF260N60E
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.8 EUR
10+ 2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCPF360N65S3R0L-F154 FCPF360N65S3R0L_F154_D-2255752.pdf
FCPF360N65S3R0L-F154
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 10 A, 360 mohm, TO-220F Ultra narrow lead
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.04 EUR
10+ 5.97 EUR
25+ 3.2 EUR
100+ 2.92 EUR
500+ 2.39 EUR
1000+ 2.38 EUR
2000+ 2.27 EUR
FGA60N60UFDTU fga60n60ufd-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 600V 120A 298W   FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+16.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGA60N65SMD FGA60N65SMD-DTE.pdf
FGA60N65SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+8.34 EUR
12+ 6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FGA60N65SMD fga60n65smd-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+12.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FGA60N65SMD FGA60N65SMD-DTE.pdf
FGA60N65SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+8.34 EUR
12+ 6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FGA60N65SMD fga60n65smd-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+12.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FGA60N65SMD FGA60N65SMD_D-2313585.pdf
FGA60N65SMD
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+10.01 EUR
10+ 7.25 EUR
100+ 5.26 EUR
450+ 5.24 EUR
2700+ 4.91 EUR
FGH60N60SMD FGH60N60SMD.pdf
FGH60N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+7.56 EUR
12+ 6.05 EUR
30+ 5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FGH60N60SMD FGH60N60SMD.pdf
FGH60N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+7.56 EUR
12+ 6.05 EUR
30+ 5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FGH60N60SMD fgh60n60smd-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 600V 120A 600   FGH60N60SMD TFGH60N60smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+17.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH60N60SMD FGH60N60SMD_D-2313587.pdf
FGH60N60SMD
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
auf Bestellung 6619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+10.44 EUR
10+ 9.56 EUR
25+ 8.29 EUR
100+ 7.11 EUR
250+ 6.69 EUR
450+ 6.3 EUR
900+ 5.6 EUR
IGW60N60H3 Infineon_IGW60N60H3_DS_v01_01_en-1226730.pdf
IGW60N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+12 EUR
10+ 10.77 EUR
25+ 7.74 EUR
100+ 6.51 EUR
240+ 6.49 EUR
480+ 5.9 EUR
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3-DTE.pdf
IGW60N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+8.22 EUR
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IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3-DTE.pdf
IGW60N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+8.22 EUR
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Mindestbestellmenge: 9
IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon_IKFW60N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3362049.pdf
IKFW60N60DH3EXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Y
auf Bestellung 450 Stücke:
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100+ 6.85 EUR
240+ 5.63 EUR
480+ 5.6 EUR
1200+ 5.54 EUR
IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon_IKFW60N60EH3_DS_v02_01_EN-1731672.pdf
IKFW60N60EH3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Y
auf Bestellung 240 Stücke:
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25+ 12.72 EUR
100+ 12.71 EUR
240+ 9.05 EUR
IKFW60N65ES5XKSA1 Infineon_IKFW60N65ES5_DataSheet_v02_01_EN-1954792.pdf
IKFW60N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Y
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+13.34 EUR
10+ 12.43 EUR
25+ 9.56 EUR
100+ 8.54 EUR
240+ 8.31 EUR
480+ 8.1 EUR
IKW60N60H3 Infineon_IKW60N60H3_DS_v01_02_en-1731674.pdf
IKW60N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+12.3 EUR
10+ 10.56 EUR
25+ 9.57 EUR
100+ 8.78 EUR
240+ 8.27 EUR
480+ 7.74 EUR
1200+ 7.32 EUR
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+71.5 EUR
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+71.5 EUR
3+ 23.84 EUR
7+ 10.21 EUR
IKWH60N65WR6XKSA1 Infineon_IKWH60N65WR6_DataSheet_v01_10_EN-3362250.pdf
IKWH60N65WR6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Y
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+7.32 EUR
10+ 7.29 EUR
25+ 4.93 EUR
100+ 4.08 EUR
240+ 4.07 EUR
480+ 3.38 EUR
IXFH60N60X3 media-3322147.pdf
IXFH60N60X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 600V 60A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 234-238 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+19.68 EUR
30+ 15.72 EUR
120+ 14.06 EUR
IXFH60N65X2 media-3319318.pdf
IXFH60N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+17.88 EUR
10+ 15.77 EUR
30+ 14.48 EUR
60+ 13.62 EUR
270+ 13.2 EUR
510+ 12.34 EUR
1020+ 11.79 EUR
IXFH60N65X2-4 media-3321608.pdf
IXFH60N65X2-4
Hersteller: IXYS
MOSFETs 650V/60A TO-247-4L
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+20.68 EUR
10+ 18.27 EUR
30+ 16.72 EUR
120+ 15.86 EUR
510+ 14.15 EUR
1020+ 13.62 EUR
IXFT60N60X3HV media-3321586.pdf
IXFT60N60X3HV
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO268 600V 60A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+19.68 EUR
10+ 18.13 EUR
30+ 15.49 EUR
120+ 14.06 EUR
270+ 13.66 EUR
510+ 12.41 EUR
1020+ 11.16 EUR
IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV.pdf
IXFT60N65X2HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 180ns
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+15.89 EUR
7+ 11.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXFT60N65X2HV IXFT60N65X2HV.pdf
IXFT60N65X2HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+15.89 EUR
7+ 11.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGH60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+16.27 EUR
6+ 12.04 EUR
7+ 11.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGH60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+16.27 EUR
6+ 12.04 EUR
7+ 11.38 EUR
510+ 10.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXGH60N60C3D1 media-3321016.pdf
IXGH60N60C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs 60 Amps 600V
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+20.43 EUR
10+ 18 EUR
30+ 17.51 EUR
60+ 16.51 EUR
120+ 15.88 EUR
270+ 15.51 EUR
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+8.05 EUR
12+ 6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+8.05 EUR
12+ 6.08 EUR
30+ 5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4.pdf
IXXH60N65B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+9.12 EUR
11+ 6.55 EUR
12+ 6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4.pdf
IXXH60N65B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+9.12 EUR
11+ 6.55 EUR
12+ 6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1.pdf
IXXH60N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1.pdf
IXXH60N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IXXH60N65B4H1 media-3320268.pdf
IXXH60N65B4H1
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+18.59 EUR
10+ 15.03 EUR
30+ 12.97 EUR
IXXX160N65B4 media-3322883.pdf
IXXX160N65B4
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+40.74 EUR
10+ 38.53 EUR
30+ 33.7 EUR
60+ 33.21 EUR
120+ 32.65 EUR
IXYA60N65A5 Littelfuse_06282024_Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA60N65A5_Datasheet.pdf
IXYA60N65A5
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+9.17 EUR
10+ 7.69 EUR
50+ 7.27 EUR
100+ 6.21 EUR
250+ 5.88 EUR
500+ 5.53 EUR
1000+ 4.73 EUR
IXYH60N65A5 Littelfuse_06282024_Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH60N65A5_Datasheet.pdf
IXYH60N65A5
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+10.45 EUR
10+ 8.78 EUR
30+ 8.31 EUR
120+ 7.09 EUR
270+ 6.69 EUR
510+ 6.3 EUR
1020+ 5.4 EUR
IXYP60N65A5 media-3323590.pdf
IXYP60N65A5
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+8.11 EUR
50+ 6.3 EUR
100+ 5.4 EUR
500+ 4.79 EUR
1000+ 3.87 EUR
NTD360N65S3H NTD360N65S3H_D-2318529.pdf
NTD360N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mohm, DPAK
auf Bestellung 6406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.1 EUR
10+ 3.27 EUR
100+ 2.31 EUR
500+ 1.88 EUR
1000+ 1.74 EUR
2500+ 1.7 EUR
NTPF360N65S3H NTPF360N65S3H_D-2319261.pdf
NTPF360N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mohm, TO220F
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.65 EUR
10+ 3.15 EUR
50+ 2.59 EUR
NVB260N65S3 NVB260N65S3_D-2319718.pdf
NVB260N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, Easy Drive, 650 V , 12 A, 260 mohm, D2PAK
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.77 EUR
10+ 3.85 EUR
100+ 2.69 EUR
800+ 2.06 EUR
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