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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FGH60N60SFDTU Produktcode: 204981 |
Китай |
 Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,5 V Ic 25: 120 A Ic 100: 60 A Pd 25: 378 W |
auf Bestellung 100 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGH60N60SFDTU Produktcode: 71883 |
FAIR/ON |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,5 V Ic 25: 120 A Ic 100: 60 A Pd 25: 378 W |
auf Bestellung 8 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGH60N60SMD Produktcode: 60291 |
FAIR |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 600 Vce: 1,9 Ic 25: 120 Ic 100: 60 Pd 25: 300 td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/115 |
verfügbar: 63 Stück
6 Stück - stock Köln
57 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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IXGH60N60C2 Produktcode: 30178 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 600 Vce: 2,5 Ic 25: 75 Ic 100: 60 Pd 25: 480 |
verfügbar: 1 Stück
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| 60N6S2 |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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APT60N60BCSG | Microchip Technology |
MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247 |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DAMI660N60 | DACO Semiconductor |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 500A Case: SOT227B On-state resistance: 0.9mΩ Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DAMI660N60 | DACO Semiconductor |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 500A Case: SOT227B On-state resistance: 0.9mΩ Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FCB260N65S3 | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG |
auf Bestellung 1187 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCD260N65S3 | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 260MOHM TO252 |
auf Bestellung 2365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCD360N65S3R0 | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm |
auf Bestellung 2621 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCMT360N65S3 | onsemi |
MOSFETs Easy Drive 650V 10A 360 mOhm |
auf Bestellung 2634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCP260N60E | onsemi / Fairchild |
MOSFETs PWM Controller mWSaver |
auf Bestellung 3633 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCP260N65S3 | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG |
auf Bestellung 798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCP360N65S3R0 | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCPF260N60E | onsemi / Fairchild |
MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic |
auf Bestellung 1084 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCPF360N65S3R0L-F154 | onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 10 A, 360 mohm, TO-220F Ultra narrow lead |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGA60N60UFDTU | ON-Semicoductor |
IGBT 600V 120A 298W FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGA60N65SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGA60N65SMD | ON-Semicoductor |
IGBT 650V 120A 600W FGA60N65SMD TFGA60N65smd Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FGA60N65SMD | ON-Semicoductor |
IGBT 650V 120A 600W FGA60N65SMD TFGA60N65smd Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGA60N65SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGA60N65SMD | onsemi / Fairchild |
IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT |
auf Bestellung 2620 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH60N60SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH60N60SMD | ON-Semicoductor |
IGBT 600V 120A 600 FGH60N60SMD TFGH60N60smd Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH60N60SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH60N60SMD | onsemi / Fairchild |
IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2 |
auf Bestellung 6619 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW60N60H3 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop |
auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKFW60N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs Y |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKFW60N60EH3XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs Y |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKFW60N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs Y |
auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW60N60H3 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop |
auf Bestellung 277 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 375nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 64ns Turn-off time: 314ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 375nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 64ns Turn-off time: 314ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKWH60N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs Y |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH60N60X3 | IXYS |
MOSFETs TO247 600V 60A N-CH X3CLASS |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 234-238 Tag (e) |
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IXFH60N65X2 | IXYS |
MOSFETs MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2 |
auf Bestellung 1287 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH60N65X2-4 | IXYS |
MOSFETs 650V/60A TO-247-4L |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFT60N60X3HV | IXYS |
MOSFETs TO268 600V 60A N-CH X3CLASS |
auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFT60N65X2HV | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Power dissipation: 780W Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 180ns |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFT60N65X2HV | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Power dissipation: 780W Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 180ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH60N60C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns |
auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXGH60N60C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH60N60C3D1 | IXYS |
IGBTs 60 Amps 600V |
auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGT60N60C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 380W Case: TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXGT60N60C3D1 | IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 380W Case: TO268 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXXH60N65B4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 536W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 265A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Turn-on time: 94ns Turn-off time: 208ns |
auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXXH60N65B4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 536W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 265A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Turn-on time: 94ns Turn-off time: 208ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXXH60N65B4H1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 536W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 265A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Turn-on time: 94ns Turn-off time: 208ns |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXXH60N65B4H1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 536W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 265A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Turn-on time: 94ns Turn-off time: 208ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXXH60N65B4H1 | IXYS |
IGBTs 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXXX160N65B4 | IXYS |
IGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXYA60N65A5 | IXYS |
IGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263 |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXYH60N65A5 | IXYS |
IGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD |
auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXYP60N65A5 | IXYS |
IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220 |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD360N65S3H | onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mohm, DPAK |
auf Bestellung 6406 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTPF360N65S3H | onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mohm, TO220F |
auf Bestellung 868 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVB260N65S3 | onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, Easy Drive, 650 V , 12 A, 260 mohm, D2PAK |
auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGH60N60SFDTU Produktcode: 204981 |
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Hersteller: Китай
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
auf Bestellung 100 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| FGH60N60SFDTU Produktcode: 71883 |
|
Hersteller: FAIR/ON
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
auf Bestellung 8 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 2.7 EUR |
| FGH60N60SMD Produktcode: 60291 |
|
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,9
Ic 25: 120
Ic 100: 60
Pd 25: 300
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/115
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,9
Ic 25: 120
Ic 100: 60
Pd 25: 300
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/115
verfügbar: 63 Stück
6 Stück - stock Köln
57 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
57 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 3 EUR |
| IXGH60N60C2 Produktcode: 30178 |
|
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,5
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 480
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,5
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 480
verfügbar: 1 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 3.92 EUR |
| APT60N60BCSG |
|
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247
MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 33.18 EUR |
| 100+ | 28.64 EUR |
| DAMI660N60 |
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 52.91 EUR |
| DAMI660N60 |
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 500A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.9mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 52.91 EUR |
| 10+ | 51.05 EUR |
| FCB260N65S3 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 5.88 EUR |
| 10+ | 4.49 EUR |
| 25+ | 4.42 EUR |
| 100+ | 3.22 EUR |
| 800+ | 2.57 EUR |
| FCD260N65S3 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 260MOHM TO252
MOSFETs SUPERFET3 260MOHM TO252
auf Bestellung 2365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 3.48 EUR |
| 10+ | 2.94 EUR |
| 100+ | 2.46 EUR |
| 500+ | 2.02 EUR |
| 1000+ | 1.88 EUR |
| 2500+ | 1.87 EUR |
| FCD360N65S3R0 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
MOSFETs SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
auf Bestellung 2621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 3.71 EUR |
| 10+ | 2.83 EUR |
| 100+ | 2.04 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1000+ | 1.57 EUR |
| FCMT360N65S3 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs Easy Drive 650V 10A 360 mOhm
MOSFETs Easy Drive 650V 10A 360 mOhm
auf Bestellung 2634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 4.19 EUR |
| 10+ | 4.17 EUR |
| 100+ | 3.68 EUR |
| 250+ | 3.66 EUR |
| 500+ | 3.1 EUR |
| 1000+ | 2.96 EUR |
| FCP260N60E |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs PWM Controller mWSaver
MOSFETs PWM Controller mWSaver
auf Bestellung 3633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 3.56 EUR |
| 10+ | 3.19 EUR |
| 50+ | 2.48 EUR |
| 100+ | 2.45 EUR |
| FCP260N65S3 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 4.52 EUR |
| 50+ | 3.59 EUR |
| 100+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 2.94 EUR |
| 800+ | 2.16 EUR |
| FCP360N65S3R0 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 4 EUR |
| 10+ | 2.01 EUR |
| 100+ | 1.88 EUR |
| FCPF260N60E |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 2.8 EUR |
| 10+ | 2.73 EUR |
| FCPF360N65S3R0L-F154 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 10 A, 360 mohm, TO-220F Ultra narrow lead
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 10 A, 360 mohm, TO-220F Ultra narrow lead
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 6.04 EUR |
| 10+ | 5.97 EUR |
| 25+ | 3.2 EUR |
| 100+ | 2.92 EUR |
| 500+ | 2.39 EUR |
| 1000+ | 2.38 EUR |
| 2000+ | 2.27 EUR |
| FGA60N60UFDTU |
|
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 600V 120A 298W FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
IGBT 600V 120A 298W FGA60N60UFDTU TFGA60N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 16.58 EUR |
| FGA60N65SMD |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 9+ | 8.34 EUR |
| 12+ | 6.05 EUR |
| FGA60N65SMD |
|
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 650V 120A 600W FGA60N65SMD TFGA60N65smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
IGBT 650V 120A 600W FGA60N65SMD TFGA60N65smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 12.48 EUR |
| FGA60N65SMD |
|
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 650V 120A 600W FGA60N65SMD TFGA60N65smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
IGBT 650V 120A 600W FGA60N65SMD TFGA60N65smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 12.48 EUR |
| FGA60N65SMD |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 9+ | 8.34 EUR |
| 12+ | 6.05 EUR |
| FGA60N65SMD |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 10.01 EUR |
| 10+ | 7.25 EUR |
| 100+ | 5.26 EUR |
| 450+ | 5.24 EUR |
| 2700+ | 4.91 EUR |
| FGH60N60SMD |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 10+ | 7.56 EUR |
| 12+ | 6.05 EUR |
| 30+ | 5.81 EUR |
| FGH60N60SMD |
|
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 600V 120A 600 FGH60N60SMD TFGH60N60smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
IGBT 600V 120A 600 FGH60N60SMD TFGH60N60smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 17.15 EUR |
| FGH60N60SMD |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 10+ | 7.56 EUR |
| 12+ | 6.05 EUR |
| 30+ | 5.81 EUR |
| FGH60N60SMD |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
auf Bestellung 6619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 10.44 EUR |
| 10+ | 9.56 EUR |
| 25+ | 8.29 EUR |
| 100+ | 7.11 EUR |
| 250+ | 6.69 EUR |
| 450+ | 6.3 EUR |
| 900+ | 5.6 EUR |
| IGW60N60H3 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 12 EUR |
| 10+ | 10.77 EUR |
| 25+ | 7.74 EUR |
| 100+ | 6.51 EUR |
| 240+ | 6.49 EUR |
| 480+ | 5.9 EUR |
| IGW60N60H3FKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 9+ | 8.22 EUR |
| 12+ | 5.99 EUR |
| IGW60N60H3FKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 9+ | 8.22 EUR |
| 12+ | 5.99 EUR |
| IKFW60N60DH3EXKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Y
IGBTs Y
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 10.07 EUR |
| 10+ | 8.62 EUR |
| 25+ | 7.23 EUR |
| 100+ | 6.85 EUR |
| 240+ | 5.63 EUR |
| 480+ | 5.6 EUR |
| 1200+ | 5.54 EUR |
| IKFW60N60EH3XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Y
IGBTs Y
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 16.72 EUR |
| 10+ | 12.74 EUR |
| 25+ | 12.72 EUR |
| 100+ | 12.71 EUR |
| 240+ | 9.05 EUR |
| IKFW60N65ES5XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Y
IGBTs Y
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 13.34 EUR |
| 10+ | 12.43 EUR |
| 25+ | 9.56 EUR |
| 100+ | 8.54 EUR |
| 240+ | 8.31 EUR |
| 480+ | 8.1 EUR |
| IKW60N60H3 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 12.3 EUR |
| 10+ | 10.56 EUR |
| 25+ | 9.57 EUR |
| 100+ | 8.78 EUR |
| 240+ | 8.27 EUR |
| 480+ | 7.74 EUR |
| 1200+ | 7.32 EUR |
| IKW60N60H3FKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 71.5 EUR |
| IKW60N60H3FKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 71.5 EUR |
| 3+ | 23.84 EUR |
| 7+ | 10.21 EUR |
| IKWH60N65WR6XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Y
IGBTs Y
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 7.32 EUR |
| 10+ | 7.29 EUR |
| 25+ | 4.93 EUR |
| 100+ | 4.08 EUR |
| 240+ | 4.07 EUR |
| 480+ | 3.38 EUR |
| IXFH60N60X3 |
|
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 600V 60A N-CH X3CLASS
MOSFETs TO247 600V 60A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 234-238 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 19.68 EUR |
| 30+ | 15.72 EUR |
| 120+ | 14.06 EUR |
| IXFH60N65X2 |
|
Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
MOSFETs MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 17.88 EUR |
| 10+ | 15.77 EUR |
| 30+ | 14.48 EUR |
| 60+ | 13.62 EUR |
| 270+ | 13.2 EUR |
| 510+ | 12.34 EUR |
| 1020+ | 11.79 EUR |
| IXFH60N65X2-4 |
|
Hersteller: IXYS
MOSFETs 650V/60A TO-247-4L
MOSFETs 650V/60A TO-247-4L
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 20.68 EUR |
| 10+ | 18.27 EUR |
| 30+ | 16.72 EUR |
| 120+ | 15.86 EUR |
| 510+ | 14.15 EUR |
| 1020+ | 13.62 EUR |
| IXFT60N60X3HV |
|
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO268 600V 60A N-CH X3CLASS
MOSFETs TO268 600V 60A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 19.68 EUR |
| 10+ | 18.13 EUR |
| 30+ | 15.49 EUR |
| 120+ | 14.06 EUR |
| 270+ | 13.66 EUR |
| 510+ | 12.41 EUR |
| 1020+ | 11.16 EUR |
| IXFT60N65X2HV |
|
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 180ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 180ns
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 5+ | 15.89 EUR |
| 7+ | 11.05 EUR |
| IXFT60N65X2HV |
|
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 5+ | 15.89 EUR |
| 7+ | 11.05 EUR |
| IXGH60N60C3D1 |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 5+ | 16.27 EUR |
| 6+ | 12.04 EUR |
| 7+ | 11.38 EUR |
| IXGH60N60C3D1 |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 5+ | 16.27 EUR |
| 6+ | 12.04 EUR |
| 7+ | 11.38 EUR |
| 510+ | 10.93 EUR |
| IXGH60N60C3D1 |
|
Hersteller: IXYS
IGBTs 60 Amps 600V
IGBTs 60 Amps 600V
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 20.43 EUR |
| 10+ | 18 EUR |
| 30+ | 17.51 EUR |
| 60+ | 16.51 EUR |
| 120+ | 15.88 EUR |
| 270+ | 15.51 EUR |
| IXGT60N60C3D1 |
|
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 9+ | 8.05 EUR |
| 12+ | 6.08 EUR |
| IXGT60N60C3D1 |
|
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 9+ | 8.05 EUR |
| 12+ | 6.08 EUR |
| 30+ | 5.98 EUR |
| IXXH60N65B4 |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 8+ | 9.12 EUR |
| 11+ | 6.55 EUR |
| 12+ | 6.19 EUR |
| IXXH60N65B4 |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 8+ | 9.12 EUR |
| 11+ | 6.55 EUR |
| 12+ | 6.19 EUR |
| IXXH60N65B4H1 |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 5+ | 14.3 EUR |
| IXXH60N65B4H1 |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 5+ | 14.3 EUR |
| IXXH60N65B4H1 |
|
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IGBTs 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 18.59 EUR |
| 10+ | 15.03 EUR |
| 30+ | 12.97 EUR |
| IXXX160N65B4 |
|
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 40.74 EUR |
| 10+ | 38.53 EUR |
| 30+ | 33.7 EUR |
| 60+ | 33.21 EUR |
| 120+ | 32.65 EUR |
| IXYA60N65A5 |
|
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
IGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 9.17 EUR |
| 10+ | 7.69 EUR |
| 50+ | 7.27 EUR |
| 100+ | 6.21 EUR |
| 250+ | 5.88 EUR |
| 500+ | 5.53 EUR |
| 1000+ | 4.73 EUR |
| IXYH60N65A5 |
|
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD
IGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 10.45 EUR |
| 10+ | 8.78 EUR |
| 30+ | 8.31 EUR |
| 120+ | 7.09 EUR |
| 270+ | 6.69 EUR |
| 510+ | 6.3 EUR |
| 1020+ | 5.4 EUR |
| IXYP60N65A5 |
|
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 8.11 EUR |
| 50+ | 6.3 EUR |
| 100+ | 5.4 EUR |
| 500+ | 4.79 EUR |
| 1000+ | 3.87 EUR |
| NTD360N65S3H |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mohm, DPAK
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mohm, DPAK
auf Bestellung 6406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 4.1 EUR |
| 10+ | 3.27 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 1.88 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
| 2500+ | 1.7 EUR |
| NTPF360N65S3H |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mohm, TO220F
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mohm, TO220F
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 5.65 EUR |
| 10+ | 3.15 EUR |
| 50+ | 2.59 EUR |
| NVB260N65S3 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, Easy Drive, 650 V , 12 A, 260 mohm, D2PAK
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, Easy Drive, 650 V , 12 A, 260 mohm, D2PAK
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 5.77 EUR |
| 10+ | 3.85 EUR |
| 100+ | 2.69 EUR |
| 800+ | 2.06 EUR |
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