Produkte > FDN
Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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FDN-010 | Chemtronics | Description: S/S .010" NEEDLE, 10/PK Packaging: Bag Type: Dispenser Needle, Tip Tip Type: Straight Number of Pieces: 10 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN-020 | Chemtronics | Description: S/S .020" NEEDLE, 10/PK Packaging: Bag Type: Dispenser Needle, Tip Tip Type: Straight Number of Pieces: 10 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN-47A-L103 | Bansbach easylift | Description: ROTARY DAMPER TORQUE 1.0NM | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN-63A-L903 | Bansbach easylift | Description: ROTARY DAMPER TORQUE 8.5NM Features: Disk Type Packaging: Bag Type: Rotary Damper Operating Temperature: -10°C ~ 50°C | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN-63A-R453 | Bansbach easylift | Description: ROTARY DAMPER TORQUE 4.5NM | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN-63A-R603 | Bansbach easylift | Description: ROTARY DAMPER TORQUE 6.0NM | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN028N20 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN028N20 | onsemi / Fairchild | MOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server | auf Bestellung 74820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN028N20 | ONSEMI | FDN028N20 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN028N20 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V | auf Bestellung 34578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN028N20 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN028N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.1 A, 0.023 ohm, SuperSOT Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 6.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 Verlustleistung Pd: 1.5 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 900 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 1415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN028N20 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server | auf Bestellung 5880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN1-187(8) | KS Terminals | Terminals TerminalsQuick Disconnects22-16AWG,0.8x4.75Female,Non-Insulated | auf Bestellung 475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN1-205(5) | KS Terminals | Terminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .020 x .205 | auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN1-250 | KS Terminals | Terminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .032 x .250 | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN103 | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN103A | MOTOROLA | 09+ SOP24 | auf Bestellung 1009 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN143 | ROHM | 99+ QFP | auf Bestellung 98000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN143 | ROHM | 96+ QFP | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN147 | ROHM | 97+ QFP | auf Bestellung 128000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN147 | ROHM | 96+ QFP | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN147-626 | auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN147B | 97 TQFP | auf Bestellung 157 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN2-205(5) | KS Terminals | Terminals Non-Insulated, Female, 16-14 AWG, .020 x .205 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN301 | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN301A | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN301N-NL | Fairchild | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN302P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V | auf Bestellung 7220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN302P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 5197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN302P Produktcode: 31343
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Lieblingsprodukt
| Fairchild | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 20 Id,A: 2.4 Rds(on),Om: 0.055 Ciss, pF/Qg, nC: 882/9 /: SMD | Produkt ist nicht verfügbar |
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FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN302P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V | auf Bestellung 6960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN302P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V | auf Bestellung 11924 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN302P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN302P | ONSEMI | FDN302P SMD P channel transistors | auf Bestellung 2028 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN302P .302.. | ON-Semicoductor | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN302P TFDN302p Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN302P-NL | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN302P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN302P\302 | FAIRCHIL | SOT-23 | auf Bestellung 3050 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN302P_NL | Fairchild | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN302P_NL | FAIRCHILD | 05+06+ | auf Bestellung 2394000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN302P_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN303 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN304 | ?? | SOT-23 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN304N | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN304P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 47453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN304P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN304P | ONSEMI | FDN304P SMD P channel transistors | auf Bestellung 2488 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1034 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 17274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN304P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH 1.8V | auf Bestellung 61550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN304P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 141676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN304P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V | auf Bestellung 24524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN304P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 165066 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN304P | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN304P Produktcode: 127609
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN304P-EV | EVVO | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN304P-EV | EVVO | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN304P-NL | FAIRCHILD | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN304P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 297000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN304PZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 10049 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN304PZ | ONSEMI | FDN304PZ SMD P channel transistors | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN304PZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V | auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN304PZ | onsemi / Fairchild | MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V | auf Bestellung 7375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN304PZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 6670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN304PZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V | auf Bestellung 86255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN304PZ | Aptina Imaging | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 117000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN304PZ-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN305 | PANASONIC | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN306-NL | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN306P | ON-Semicoductor | Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN306P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 33744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN306P | VBsemi | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN306P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V | auf Bestellung 27563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN306P | TECH PUBLIC | Transistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN306P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 29740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN306P | onsemi / Fairchild | MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V | auf Bestellung 44991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN306P | ONSEMI | FDN306P SMD P channel transistors | auf Bestellung 1835 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN306P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN306P 306. | ON-Semicoductor | Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN306P-F095 | ON Semiconductor | TRANS MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-PIN SUPERSOT T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN306P-NL | FAIRCHILD | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN306P-NL | FAI | 09+ | auf Bestellung 120018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN306P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -12V -2.6A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN306P/306 | FAIR | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN306P_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A | auf Bestellung 5465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN306P_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN306P_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A | auf Bestellung 5460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN307 | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN308P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V | auf Bestellung 3767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN308P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5919 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN308P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN308P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN308P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2066 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN308P | onsemi / Fairchild | MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V | auf Bestellung 6119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN308P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN308P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5919 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN308P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2066 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN308P-NL | FAIRCHILD | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN308P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -1.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN308P_F154 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET Multi Market MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN308P_NL | FAIRCHILD | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN327N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 70609 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN327N | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222 pF @ 10 V | auf Bestellung 2364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 24985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN327N | UMW | Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN327N | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4076 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN327N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN327N | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10; Qg, нКл = 6,3; Rds = 70 мОм; Ugs(th) = 1,5 В; Р, Вт = 0,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SSOT-3 | auf Bestellung 2973 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 7990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN327N | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222 pF @ 10 V | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN327N Produktcode: 176408
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN327N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 70609 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN327N | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec | auf Bestellung 3349 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN327N | UMW | Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN327N | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | auf Bestellung 742 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN327N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V | auf Bestellung 3755 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4964 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN327N | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 742 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN327N-NL | Fairchild | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN327N-NL-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 20V 2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN327N/327 | FAIR | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN331N | FAirchild | auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN332-NL | Fairchild | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN332P-NL | FAIRCHTL | 2007 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN335 | KEXIN | 09+ | auf Bestellung 300018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN335 | FAITCHILD | 04+ SOT-23 | auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN335N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V | auf Bestellung 23469 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2913 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN335N | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V | auf Bestellung 93448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN335N | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N | ON-Semicoductor | N-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN335N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 35088 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN335N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1656 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN335N | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N | ONSEMI | FDN335N SMD N channel transistors | auf Bestellung 2369 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN335N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 35088 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN335N | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN335N-EV | EVVO | Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN335N-EV | EVVO | Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN335N-NL | Fairchild | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN335N-NL-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 20V 1.7A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN335N_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN336-NL | Fairchild | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN336P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V | auf Bestellung 12453 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN336P | ONSEMI | FDN336P SMD P channel transistors | auf Bestellung 2438 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN336P Produktcode: 135239
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN336P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN336P - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 12930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN336P | onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-3 P-CH -20V | auf Bestellung 1239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN336P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V | auf Bestellung 11000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN336P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 17765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN336P | ON-Semicoductor | P-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN336P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 14795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN336P-NL | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN336P-NL | FAIRCHILD | SOT23 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN336P-NL | FAIRCHILD | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN336P-NL | FAIRCHILD | SOT-23 08+ | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN336P-NL | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN336P-NL | FAIRCHILD | 09+ | auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN336P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -1.3A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN336P/336 | FAIR | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN336P_NL | FAIRCHILD | 05+06+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN336P_NL | FAIRCHILD | SOT23 | auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN337 | FAIRCHILD | SOT23-337 | auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN337 | FAI | 09+ | auf Bestellung 200018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN337 SOT23-337 | FAIRCHILD | auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN337N | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 30V 2.2A 82M@2.5V,2A 0.5W 1.3V 1 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 177000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN337N | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 4523 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1044000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN337N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 10226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN337N | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | auf Bestellung 4523 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN337N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | auf Bestellung 80240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1044000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN337N | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 564 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 177000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN337N Produktcode: 118654
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN337N | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 30V 2.2A 82M@2.5V,2A 0.5W 1.3V 1 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN337N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN337N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | auf Bestellung 79629 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN337N | Fairchild | N-MOSFET 30V 2.2A FDN337N TFDN337n Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN337N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 10226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN337N | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN337N | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V | auf Bestellung 52556 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN337N-EV | EVVO | Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN337N-EV | EVVO | Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | auf Bestellung 2999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN337N-F169 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN337N-NL | Fairchild | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN337N-NL-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 30V 2.2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN337N3DBBA | FAI | 9918+ | auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN337NNL | FAIRCHILD | auf Bestellung 9100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN337N_NL | FAIRCHILD | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN337N_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN338 | FAI | 09+ | auf Bestellung 200018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN338 | KEXIN | 09+ | auf Bestellung 300018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN338 | ?? | SOT-23 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN338 | FAIRCHILD | SOT-23 | auf Bestellung 360000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN338-NL | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN338P | JSMicro Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM Anzahl je Verpackung: 370 Stücke | auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN338P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.088 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN338P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN338P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V | auf Bestellung 109789 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN338P | MSKSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN338P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V | auf Bestellung 20653 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN338P | ON-Semicoductor | P-Channel 20V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) FDN338P TFDN338p Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN338P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN338P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN338P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN338P | HUASHUO | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2191 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN338P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 17975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN338P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN338P | JSMicro Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM Anzahl je Verpackung: 260 Stücke | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN338P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN338P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 18560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN338P | ONSEMI | FDN338P SMD P channel transistors | auf Bestellung 5950 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN338P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN338P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN338P | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P UMW TFDN338p UMW Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN338P | HUASHUO | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 809 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN338P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN338P SOT23-338 | FAIRCHILD | auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN338P-EV | EVVO | Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN338P-EV | EVVO | Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN338P-NL | FAIRCHIL | 09+ TSSOP20 | auf Bestellung 844 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN338P-NL | FAIRCHILD | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN338P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -1.6A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN338P/338 | FAIRCHIL | 09+ | auf Bestellung 3418 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN338P/338 | FAIRCHILD | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN338PSOT23-338 | FAIRCHLD | auf Bestellung 1517 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN338P\338 | FAIRCHIL | SOT-23 | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN338P_G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN338P_NL | FAIRCHILD | 05+06+ | auf Bestellung 326730 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN338P_NL | Fairchild | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN338P_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN339 | FAI | 4 SOT-23 | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN339 | FAI | 09+ | auf Bestellung 200018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN339AN | ONSEMI | FDN339AN SMD N channel transistors | auf Bestellung 4611 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN339AN | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN339AN | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V | auf Bestellung 20200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN339AN | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN339AN | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 44639 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN339AN | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V | auf Bestellung 17193 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN339AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN339AN | ON-Semicoductor | N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN339AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN339AN | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V | auf Bestellung 20786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN339AN | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN339AN | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 44639 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN339AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN339AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN339AN-NL | Fairchild | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN339AN-NL-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 20V 3A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN339AN_G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN3400 | ON Semiconductor | SSOT-3. SINGLE. 2.5V. NCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN3401 | Fairchild Semiconductor | Description: FDN3401 Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN3401 | FAIRCHILD | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN3401/3401 | FAIRCHIL | 09+ | auf Bestellung 1618 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 84016 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN340P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 118606 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 351000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 31312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN340P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 7737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN340P Produktcode: 191356
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| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 7737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN340P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN340P | On Semiconductor | MOSFET SSOT-3 P-CH -20V | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN340P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 118786 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN340P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V | auf Bestellung 15487 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN340P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V | auf Bestellung 42737 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN340P | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 3369 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN340P | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 3369 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN340P-EV | EVVO | Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN340P-EV | EVVO | Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN340P-F095 | ON Semiconductor | TRANS MOSFET P-CH 20V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN340P-NL | Fairchild | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN340P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN340P/340 | FAIRCHIL | 09+ | auf Bestellung 3868 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN340P\340 | FAIRCHIL | SOT-23 | auf Bestellung 2550 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN340P_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 2A | auf Bestellung 384000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN340P_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 2A | auf Bestellung 1760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN340P_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 2A | auf Bestellung 1760384000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN342P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN342P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN342P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN342P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN342P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN342P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN342P | onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-3 P-CH -20V | auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN342P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN342P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V | auf Bestellung 7281 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN342P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN342P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 5767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN342P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN342P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN342P-NL | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 32445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN352AP | onsemi / Fairchild | MOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET | auf Bestellung 162697 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 32445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN352AP | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN352AP | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 90627 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN352AP | ONSEMI | FDN352AP SMD P channel transistors | auf Bestellung 2217 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 81000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN352AP | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V | auf Bestellung 51592 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 81000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN352AP-NL | Fairchild | SOT-23 0722+ | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN352AP-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -30V -1.3A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN357 | FAITCHILD | 04+ SOT-23 | auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN357N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 426000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN357N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.053 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 45430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN357N | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-3 Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5.9nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.9A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2003 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 426000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 186000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN357N | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-3 Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5.9nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.9A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET | auf Bestellung 2003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN357N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V | auf Bestellung 24290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN357N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 1.9 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN357N | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V | auf Bestellung 16959 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN357N-NL | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN357N-NL-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 30V 1.9A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN357N_NL | FAIRCHILD | 0448 | auf Bestellung 1742 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN357N_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-3 N-CH 30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN358P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN358P | ONSEMI | FDN358P SMD P channel transistors | auf Bestellung 5063 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN358P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN358P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 83634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN358P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN358P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V | auf Bestellung 11524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN358P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN358P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN358P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN358P | ON-Semicoductor | P-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN358P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN358P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN358P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 86434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN358P Produktcode: 36466
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FDN358P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN358P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V | auf Bestellung 26387 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN358P(2DCEA) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN358P-NL | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN358P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -30V -1.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN358P_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN359AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN359AN | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 57927 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN359AN | Fairchild | N-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN359AN | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V | auf Bestellung 17115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN359AN | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V | auf Bestellung 11460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN359AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN359AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN359AN | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 51903 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN359AN | ONSEMI | FDN359AN SMD N channel transistors | auf Bestellung 2775 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN359AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN359AN | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN359AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1882 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN359AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN359AN-NL-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN359AN/359A | FAIRCHIL | 09+ | auf Bestellung 243018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN359AN/F40 | auf Bestellung 72500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN359AN\359A | FAIRCHIL | SOT-23 | auf Bestellung 243100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN359AN_NL | FAIRCHILD | 05+06+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN359BN | ONSEMI | FDN359BN SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 900000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN359BN | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 22734 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN359BN | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V | auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN359BN | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 22734 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN359BN | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 58835 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 11911 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN359BN | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V | auf Bestellung 105701 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN359BN-F095 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN359BN-F095 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN359BN-NL | Fairchild | SOT-23 0701+ | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN359BN-NL-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN359BN_F095 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V NCh; PowerTrench AU Wire Parts | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN359N/359 | FAIR | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN360 | auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN360P | On Semiconductor/Fairchild | SOT-23-3 | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 207000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN360P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN360P | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 136mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | auf Bestellung 1066 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN360P | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 136mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1066 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN360P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench® MOSFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 171104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN360P Produktcode: 75653
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| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 207000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN360P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V | auf Bestellung 25444 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN360P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench® MOSFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 170244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN360P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V | auf Bestellung 62255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN360P-F095 | ON Semiconductor | TRANS MOSFET P-CH 30V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN360P-NBGT003B | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN360P-NL | FAIRCHILD | 09+ QFP | auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN360P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -30V -2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN360P/360 | FAIRCHIL | 09+ | auf Bestellung 2118 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN360PSOT23-360PB-FREE | FAIRCHILD | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN360P_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 2A | auf Bestellung 3873 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN360P_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 2A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN360P_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 2A | auf Bestellung 3873 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN360P_NBGT003B | onsemi / Fairchild | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN361AN | onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-3 N-CH 30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN361AN | FAIRCHILD | SOT23-361 PB-FRE | auf Bestellung 2821 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN361AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SuperSOT T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN361AN | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN361AN | FAI | SOT-23 | auf Bestellung 2352 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN361AN | FAIRCHILD | SOT23 | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN361AN | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN361AN | FAIRCHILD | 09+ | auf Bestellung 9018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN361AN-NL | FAIRCHILD | SOT23-361 PB-FRE | auf Bestellung 153000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN361AN-NL | FAIRCHILD | SOT23 11+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN361AN-NLSOT23-361PB-FREE | FAIRCHLD | auf Bestellung 173821 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN361AN/361 | FAIR | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN361AN_NL | FAIRCHILD | 05+06+ | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN361AN_NL | FAIRCHILD | SOT23 | auf Bestellung 363000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN361BN | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN361BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN361BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3036 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN361BN | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 8310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN361BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN361BN | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 11696 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN361BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN361BN-NL | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN361P/361 | FAIR | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN363N | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | auf Bestellung 42602 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN363N-NL | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN371N | auf Bestellung 111000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN371N | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 20V N-Ch PowerTrench | auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN371N | Fairchild Semiconductor | Description: 2.5A, 20V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN371N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SuperSOT T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN371N-NL | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN372S | FSC | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN372S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V | auf Bestellung 105541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN372S | SAM | SOT 08+ | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN372S-NL | FAIRCHILD | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN372S-NL | FAIRCHIL | 09+ SSOP16 | auf Bestellung 847 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN377N | FSC | auf Bestellung 1365 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN5330SX | FAIRCHILD | SOT-153 | auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN537N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 14824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN537N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V | auf Bestellung 60133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN537N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN537N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN537N | ONSEMI | FDN537N SMD N channel transistors | auf Bestellung 2605 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN537N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN537N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 14824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN537N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN537N | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 410-414 Tag (e) |
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FDN537N | ON Semiconductor | auf Bestellung 1535 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN5618P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5618P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN5618P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 250459 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5618P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5618P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5618P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5618P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5618P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH 60V | auf Bestellung 40190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN5618P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN5618P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5618P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5618P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN5618P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 270280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5618P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN5618P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN5618P 618. | ON-Semicoductor | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 818 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN5618P-B8 | onsemi | Description: FET -60V 1.7 MOHM SSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5618P-NL | FAIRCHILD | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN5618P-NL | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SuperSOT T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5618P-SB4N007 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5618P_G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5630 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5630 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V | auf Bestellung 7220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN5630 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN5630 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 N-CH 60V | auf Bestellung 14646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN5630 Produktcode: 208281
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN5630 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 159759 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5630 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5630 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN5630 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Case: SuperSOT-3 Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 10nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 4153 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN5630 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN5630 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.073 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 117000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5630 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5630 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V | auf Bestellung 7220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN5630 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 7708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN5630 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Case: SuperSOT-3 Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 10nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: N-MOSFET | auf Bestellung 4153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN5630 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5630 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 156175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5630-B8 | onsemi | Description: FET 60V 1.0 MOHM SSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5630-F095 | ON Semiconductor | TRANS MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-PIN SUPERSOT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5630-G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5630-NL | auf Bestellung 5200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
FDN5630_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5630_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A | auf Bestellung 2548 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5630_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A | auf Bestellung 2548 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5632N-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN5632N-F085 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A On-state resistance: 135mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SuperSOT-3 | auf Bestellung 1294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN5632N-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5632N-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5632N-F085 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A On-state resistance: 135mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SuperSOT-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1294 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDN5632N-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFETs Trans MOS N-Ch 60V 1.7A | auf Bestellung 462831 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN5632N-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN5632N-F085 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5632N-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 41621 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN5632N-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5632N_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 | auf Bestellung 393000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5632N_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 | auf Bestellung 13848 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN5632N_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 | auf Bestellung 4294967295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN6301N | FAIRCHILD | SOT-163 | auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN8601 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN8601 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 46053 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN8601 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN8601 | ONSEMI | FDN8601 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN8601 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V | auf Bestellung 21597 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN8601 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN86246 | ONSEMI | FDN86246 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN86246 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN86246 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN86246 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN86246 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.6 A, 0.195 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN86246 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN86246 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN86246 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 34232 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN86246 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V | auf Bestellung 23546 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN86265P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V | auf Bestellung 220362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN86265P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 47536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN86265P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN86265P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN86265P | onsemi / Fairchild | MOSFETs PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 16102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN86265P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V | auf Bestellung 219000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN86265P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 800 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.5 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.3 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN86265P | ONSEMI | FDN86265P SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN86265P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDN86501LZ | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mO | auf Bestellung 39177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN86501LZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V | auf Bestellung 60344 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN86501LZ | ON Semiconductor | auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDN86501LZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDN86501LZ | ONSEMI | FDN86501LZ SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNA3763 | HellermannTyton | Electrical Enclosure Accessories Wall Mounting Bracket for FDN, 1/pkg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNC1602A-NLAFBW-51LR | Fordata | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
FDNIRABBAXX | HellermannTyton | Electrical Enclosures FDN IR 16P AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNIRABBCXX | HellermannTyton | Electrical Enclosures FDN IR 59 port AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNIRBXBAWX | HellermannTyton | Electrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 24 SE trays (288 fibers), PP, Black, 1/pkg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNIRBXBAXN | HellermannTyton | Electrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 48 SC-B trays (576 fibers), PP, Black, 1/pkg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNIRBXBAXX | HellermannTyton | Electrical Enclosures FDN IR 16P B-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNIRCXBCWX | HellermannTyton | Electrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 36 SE trays (432 fibers), PP, Black, 1/pkg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNIRCXBCXN | HellermannTyton | Electrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 72 SC-B trays (864 fibers), PP, Black, 1/pkg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNIRCXBCXX | HellermannTyton | Electrical Enclosures FDN IR 59 port C-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM008.0010 | PNEUMAT | FDNM008.0010 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM008.0025 | PNEUMAT | FDNM008.0025 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM008.0050 | PNEUMAT | FDNM008.0050 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM010.0010 | PNEUMAT | FDNM010.0010 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM010.0025 | PNEUMAT | FDNM010.0025 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM010.0050 | PNEUMAT | FDNM010.0050 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM012.0010 | PNEUMAT | FDNM012.0010 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM012.0025 | PNEUMAT | FDNM012.0025 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM012.0050 | PNEUMAT | FDNM012.0050 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM012.0080 | PNEUMAT | FDNM012.0080 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM012.0100 | PNEUMAT | FDNM012.0100 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM012.0125 | PNEUMAT | FDNM012.0125 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM012.0160 | PNEUMAT | FDNM012.0160 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM012.0200 | PNEUMAT | FDNM012.0200 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM016.0010 | PNEUMAT | FDNM016.0010 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM016.0025 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 16mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 16mm Piston stroke: 25mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDNM016.0025 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 16mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 16mm Piston stroke: 25mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDNM016.0050 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 16mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 16mm Piston stroke: 50mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDNM016.0050 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 16mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 16mm Piston stroke: 50mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDNM016.0080 | PNEUMAT | FDNM016.0080 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM016.0100 | PNEUMAT | FDNM016.0100 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM016.0125 | PNEUMAT | FDNM016.0125 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM016.0160 | PNEUMAT | FDNM016.0160 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM016.0200 | PNEUMAT | FDNM016.0200 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM020.0010 | PNEUMAT | FDNM020.0010 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM020.0025 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 20mm Piston stroke: 25mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDNM020.0025 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 20mm Piston stroke: 25mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDNM020.0050 | PNEUMAT | FDNM020.0050 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM020.0080 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 20mm Piston stroke: 80mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDNM020.0080 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 20mm Piston stroke: 80mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDNM020.0100 | PNEUMAT | FDNM020.0100 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM020.0125 | PNEUMAT | FDNM020.0125 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM020.0160 | PNEUMAT | FDNM020.0160 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM020.0200 | PNEUMAT | FDNM020.0200 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM025.0010 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 10mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 10mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDNM025.0010 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 10mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 10mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDNM025.0025 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 25mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDNM025.0025 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 25mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDNM025.0050 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 50mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDNM025.0050 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 50mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDNM025.0080 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 80mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDNM025.0080 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 80mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDNM025.0100 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 100mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 100mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDNM025.0100 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 100mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 100mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDNM025.0120 | PNEUMAT | FDNM025.0120 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM025.0125 | PNEUMAT | FDNM025.0125 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM025.0160 | PNEUMAT | FDNM025.0160 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNM025.0200 | PNEUMAT | FDNM025.0200 Actuators | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNYD1-110(5) | KS Terminals | Terminals Nylon, Double Crimp Female, 22-16 AWG, .020 x .110 | auf Bestellung 872 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDNYD1-110(8) | KS Terminals | Terminals Nylon, Double Crimp Female, 22-16 AWG, .032 x .110 | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDNYD1-250 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - FDNYD1-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 22 AWG, 16 AWG tariffCode: 85369010 Isoliermaterial: Nylon (Polyamid) rohsCompliant: YES Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032" usEccn: EAR99 Leiterstärke (AWG), max.: 16AWG Leiterquerschnitt CSA: 1.5mm² euEccn: NLR Klemmentyp: Flachsteckhülse Isolatorfarbe: Rot Leiterstärke (AWG), min.: 22AWG Produktpalette: FDNYD productTraceability: No Anschlussmaterial: Messing SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNYD5-250 | KS Terminals | Terminals Nylon, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .032 x .250 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
FDNYD5-250 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - FDNYD5-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 12 AWG, 10 AWG Isoliermaterial: Nylon (Polyamid) Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032" Leiterstärke (AWG), max.: 10 Leiterquerschnitt CSA: 6 Klemmentyp: Flachsteckhülse Isolatorfarbe: Gelb Leiterstärke (AWG), min.: 12 Produktpalette: FDNYD Anschlussmaterial: Messing SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |