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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
FDN-010ChemtronicsDescription: S/S .010" NEEDLE, 10/PK
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FDN-020ChemtronicsDescription: S/S .020" NEEDLE, 10/PK
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FDN-47A-L103Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 1.0NM
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN-63A-L903Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 8.5NM
Packaging: Bag
Features: Disk Type
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+87.36 EUR
FDN-63A-R453Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 4.5NM
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN-63A-R603Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 6.0NM
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN028N20onsemi / FairchildMOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
auf Bestellung 74820 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
43+1.23 EUR
49+ 1.07 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.47 EUR
3000+ 0.4 EUR
9000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 43
FDN028N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+ 0.4 EUR
9000+ 0.37 EUR
30000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN028N20ON Semiconductor / FairchildMOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
auf Bestellung 5880 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDN028N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN028N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.1 A, 0.023 ohm, SuperSOT
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN028N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
auf Bestellung 37189 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
21+1.25 EUR
25+ 1.06 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 21
FDN1-205(5)KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .020 x .205
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FDN103
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN103AMOTOROLA09+ SOP24
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN143ROHM99+ QFP
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN143ROHM96+ QFP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN147ROHM96+ QFP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN147ROHM97+ QFP
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN147-626
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN147B97 TQFP
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN2-205(5)KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 16-14 AWG, .020 x .205
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FDN301
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN301A
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN301N-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN302PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
227+0.32 EUR
250+ 0.29 EUR
344+ 0.21 EUR
364+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 227
FDN302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+ 0.17 EUR
9000+ 0.16 EUR
15000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
30000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN302PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2723 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
227+0.32 EUR
250+ 0.29 EUR
344+ 0.21 EUR
364+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 227
FDN302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+0.63 EUR
363+ 0.42 EUR
367+ 0.4 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.2 EUR
3000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 248
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+ 0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
15000+ 0.16 EUR
24000+ 0.15 EUR
30000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
201+0.78 EUR
246+ 0.61 EUR
248+ 0.59 EUR
363+ 0.38 EUR
367+ 0.37 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 201
FDN302P
Produktcode: 31343		FairchildTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 2.4
Rds(on),Om: 0.055
Ciss, pF/Qg, nC: 882/9
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
FDN302Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH 2.5V
auf Bestellung 17927 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
44+1.21 EUR
56+ 0.94 EUR
104+ 0.5 EUR
1000+ 0.36 EUR
3000+ 0.31 EUR
24000+ 0.28 EUR
45000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 44
FDN302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
auf Bestellung 6529 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.2 EUR
28+ 0.94 EUR
100+ 0.56 EUR
500+ 0.52 EUR
1000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 22
FDN302P .302..ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN302P TFDN302p
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDN302P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN302P\302FAIRCHILSOT-23
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN302P_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 2394000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN302P_NLFairchild
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN302P_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH 2.5V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN303
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN304??SOT-23
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN304N
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN304Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH 1.8V
auf Bestellung 94146 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
40+1.31 EUR
48+ 1.1 EUR
100+ 0.77 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.49 EUR
3000+ 0.41 EUR
9000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 40
FDN304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
auf Bestellung 9898 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
20+1.3 EUR
24+ 1.1 EUR
100+ 0.76 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDN304PUMWTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 58592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN304P
Produktcode: 127609		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
FDN304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.43 EUR
6000+ 0.41 EUR
9000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 58592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN304PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
165+ 0.43 EUR
219+ 0.33 EUR
232+ 0.31 EUR
3000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 82
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.34 EUR
6000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN304PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 4207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+0.87 EUR
165+ 0.43 EUR
219+ 0.33 EUR
232+ 0.31 EUR
3000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 82
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN304P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN304P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.12 EUR
3000+ 0.11 EUR
15000+ 0.1 EUR
30000+ 0.098 EUR
75000+ 0.089 EUR
150000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+ 0.28 EUR
9000+ 0.25 EUR
24000+ 0.23 EUR
30000+ 0.22 EUR
45000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN304PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 12283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN304PZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+0.7 EUR
150+ 0.48 EUR
214+ 0.33 EUR
227+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 103
FDN304PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.49 EUR
6000+ 0.47 EUR
9000+ 0.43 EUR
30000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN304PZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
150+ 0.48 EUR
214+ 0.33 EUR
227+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 103
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+ 0.28 EUR
9000+ 0.25 EUR
24000+ 0.24 EUR
30000+ 0.23 EUR
45000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN304PZonsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
36+1.47 EUR
42+ 1.26 EUR
100+ 0.87 EUR
500+ 0.68 EUR
1000+ 0.55 EUR
3000+ 0.47 EUR
9000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 36
FDN304PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 12283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN304PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
auf Bestellung 45734 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.46 EUR
21+ 1.25 EUR
100+ 0.87 EUR
500+ 0.68 EUR
1000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 18
FDN304PZ-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.12 EUR
3000+ 0.11 EUR
15000+ 0.1 EUR
30000+ 0.098 EUR
75000+ 0.089 EUR
150000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
FDN305PANASONIC
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN306-NL
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN306PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
162+ 0.44 EUR
193+ 0.37 EUR
283+ 0.25 EUR
298+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 125
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN306PON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDN306Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
auf Bestellung 56209 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
50+1.04 EUR
58+ 0.9 EUR
100+ 0.62 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.4 EUR
3000+ 0.33 EUR
9000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDN306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 11225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
auf Bestellung 2234 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.04 EUR
30+ 0.89 EUR
100+ 0.62 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDN306PVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 150
FDN306PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
162+ 0.44 EUR
193+ 0.37 EUR
283+ 0.25 EUR
298+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 125
FDN306PTECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100
FDN306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 11225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN306P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-PIN SUPERSOT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN306P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN306P-NLFAI09+
auf Bestellung 120018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN306P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -12V -2.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.12 EUR
3000+ 0.11 EUR
15000+ 0.1 EUR
30000+ 0.098 EUR
75000+ 0.089 EUR
150000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
FDN306P/306FAIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
auf Bestellung 5460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
auf Bestellung 5465 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
Produkt ist nicht verfügbar
FDN307
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 18441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN308PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
auf Bestellung 3563 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.22 EUR
25+ 1.05 EUR
100+ 0.73 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.62 EUR
299+ 0.5 EUR
315+ 0.46 EUR
421+ 0.33 EUR
425+ 0.32 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 253
FDN308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 18441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN308PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN308Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
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39+1.34 EUR
45+ 1.17 EUR
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500+ 0.69 EUR
1000+ 0.53 EUR
3000+ 0.48 EUR
6000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 39
FDN308P-NLFAIRCHILD
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FDN308P_F154ON Semiconductor / FairchildMOSFET Multi Market MOSFET
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FDN308P_NLFAIRCHILD
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FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN327N
Produktcode: 176408		Transistoren > MOSFET N-CH
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FDN327NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
275+ 0.26 EUR
370+ 0.19 EUR
395+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 250
FDN327Nonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
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45+1.16 EUR
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100+ 0.54 EUR
1000+ 0.36 EUR
3000+ 0.31 EUR
9000+ 0.28 EUR
24000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 45
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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FDN327NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.29 EUR
275+ 0.26 EUR
370+ 0.19 EUR
395+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 250
FDN327NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
auf Bestellung 15161 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
31+ 0.86 EUR
100+ 0.52 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN327NFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10; Qg, нКл = 6,3; Rds = 70 мОм; Ugs(th) = 1,5 В; Р, Вт = 0,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SSOT-3
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+0.36 EUR
21+ 0.31 EUR
100+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19
FDN327NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 21382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN327NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+ 0.29 EUR
9000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN327N-NLFairchild
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FDN327N/327FAIR
auf Bestellung 9000 Stücke:
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FDN331NFAirchild
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN332-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN332P-NLFAIRCHTL2007
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN335FAITCHILD04+ SOT-23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN335KEXIN09+
auf Bestellung 300018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN335NON-SemicoductorN-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDN335NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.7A; 500mW; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.53 EUR
222+ 0.32 EUR
306+ 0.23 EUR
324+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 136
FDN335NUMWDescription: SOT-23 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN335NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+ 0.33 EUR
9000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
auf Bestellung 48148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN335NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.7A; 500mW; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2242 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
222+ 0.32 EUR
306+ 0.23 EUR
324+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 136
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN335NUMWDescription: SOT-23 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.28 EUR
12000+ 0.25 EUR
24000+ 0.22 EUR
36000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335Nonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 20V
auf Bestellung 121265 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
49+1.06 EUR
58+ 0.9 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.4 EUR
3000+ 0.34 EUR
9000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 49
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+0.6 EUR
300+ 0.5 EUR
317+ 0.46 EUR
417+ 0.33 EUR
446+ 0.3 EUR
519+ 0.25 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 261
FDN335NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
auf Bestellung 21518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.07 EUR
30+ 0.89 EUR
100+ 0.62 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
auf Bestellung 48148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
317+0.49 EUR
417+ 0.36 EUR
446+ 0.33 EUR
519+ 0.27 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 317
FDN335N-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN335N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 1.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.12 EUR
3000+ 0.11 EUR
15000+ 0.1 EUR
30000+ 0.098 EUR
75000+ 0.089 EUR
150000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
FDN335N_Qonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDN336-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.34 EUR
6000+ 0.33 EUR
9000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+0.66 EUR
278+ 0.54 EUR
281+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 237
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 281
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN336PON-SemicoductorP-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.19 EUR
15000+ 0.17 EUR
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FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
auf Bestellung 18560 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.04 EUR
30+ 0.87 EUR
100+ 0.61 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDN336PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 3033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+0.69 EUR
200+ 0.36 EUR
304+ 0.24 EUR
321+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 104
FDN336P
Produktcode: 135239		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN336PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3033 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
104+0.69 EUR
200+ 0.36 EUR
304+ 0.24 EUR
321+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 104
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN336Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN336P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN336P-NLFAIRCHILDSOT-23 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN336P-NLonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN336P-NLON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN336P-NLFAIRCHILD09+
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FDN336P-NLFAIRCHILDSOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN336P/336FAIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN336P_NLFAIRCHILDSOT23
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN336P_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN337FAI09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN337FAIRCHILDSOT23-337
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN337 SOT23-337FAIRCHILD
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
9000+ 0.19 EUR
24000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN337NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 70
FDN337N
Produktcode: 118654		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
auf Bestellung 19157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN337NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
auf Bestellung 13223 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.22 EUR
26+ 1.03 EUR
100+ 0.72 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 22
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
usEccn: EAR99
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN337Nonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
44+1.21 EUR
51+ 1.02 EUR
100+ 0.76 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.47 EUR
3000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 44
FDN337NFairchildN-MOSFET 30V 2.2A FDN337N TFDN337n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 100
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN337NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
auf Bestellung 13223 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.41 EUR
6000+ 0.39 EUR
9000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
auf Bestellung 19157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN337NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.02 EUR
190+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 70
FDN337N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN337N-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN337N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.12 EUR
3000+ 0.11 EUR
15000+ 0.1 EUR
30000+ 0.098 EUR
75000+ 0.089 EUR
150000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
FDN337N3DBBAFAI9918+
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN337NNLFAIRCHILD
auf Bestellung 9100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN337N_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN337N_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN338FAI09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338KEXIN09+
auf Bestellung 300018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338??SOT-23
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338FAIRCHILDSOT-23
auf Bestellung 360000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338PUMWTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P UMW TFDN338p UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 250
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 800
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 87145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN338PHUASHUOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300
FDN338PUMWDescription: 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 87145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN338PJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
Anzahl je Verpackung: 260 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
260+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 260
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN338PMSKSEMITransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100
FDN338PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.088 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN338PHUASHUOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN338Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
auf Bestellung 74343 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
49+1.08 EUR
57+ 0.92 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.42 EUR
3000+ 0.38 EUR
6000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 49
FDN338PUMWDescription: 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
32+0.83 EUR
37+ 0.71 EUR
42+ 0.63 EUR
50+ 0.59 EUR
100+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 32
FDN338PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
FDN338PJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
Anzahl je Verpackung: 370 Stücke
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
370+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 370
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN338P SOT23-338FAIRCHILD
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338P-NLFAIRCHIL09+ TSSOP20
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338P/338FAIRCHILD
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338P/338FAIRCHIL09+
auf Bestellung 3418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338PSOT23-338FAIRCHLD
auf Bestellung 1517 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338P\338FAIRCHILSOT-23
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338P_GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN338P_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 326730 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338P_NLFairchild
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN338P_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN339FAI4 SOT-23
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN339FAI09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN339ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5626 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
106+0.68 EUR
177+ 0.41 EUR
243+ 0.3 EUR
257+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 106
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN339ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 5626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+0.68 EUR
177+ 0.41 EUR
243+ 0.3 EUR
257+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 106
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+ 0.23 EUR
9000+ 0.21 EUR
24000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN339ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 84508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN339ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
auf Bestellung 33380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+1.14 EUR
27+ 0.98 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 23
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN339ANON-SemicoductorN-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+0.58 EUR
359+ 0.42 EUR
366+ 0.4 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.24 EUR
3000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 271
FDN339ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 84508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+0.73 EUR
255+ 0.59 EUR
271+ 0.54 EUR
359+ 0.39 EUR
366+ 0.37 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 215
FDN339ANonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 20V
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
46+1.14 EUR
53+ 0.99 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.44 EUR
3000+ 0.41 EUR
9000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 46
FDN339ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.38 EUR
6000+ 0.37 EUR
9000+ 0.34 EUR
30000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN339AN-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN339AN_GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN3401Fairchild SemiconductorDescription: FDN3401
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
FDN3401FAIRCHILD
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN3401/3401FAIRCHIL09+
auf Bestellung 1618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN340PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
170+ 0.42 EUR
223+ 0.32 EUR
394+ 0.18 EUR
417+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 125
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN340PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN340POn SemiconductorMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 276000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 276000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
9000+ 0.14 EUR
45000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN340PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+ 0.28 EUR
9000+ 0.26 EUR
30000+ 0.25 EUR
75000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN340Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
auf Bestellung 127255 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
64+ 0.82 EUR
110+ 0.48 EUR
1000+ 0.33 EUR
3000+ 0.29 EUR
9000+ 0.26 EUR
24000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 47
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN340PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
170+ 0.42 EUR
223+ 0.32 EUR
394+ 0.18 EUR
417+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 125
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 276000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
69000+ 0.17 EUR
138000+ 0.15 EUR
207000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN340P
Produktcode: 191356		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
FDN340PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
auf Bestellung 105061 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
31+ 0.85 EUR
100+ 0.51 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN340P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 20V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN340P-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN340P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.12 EUR
3000+ 0.11 EUR
6000+ 0.1 EUR
30000+ 0.097 EUR
75000+ 0.089 EUR
150000+ 0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
FDN340P/340FAIRCHIL09+
auf Bestellung 3868 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN340P\340FAIRCHILSOT-23
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
auf Bestellung 384000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
auf Bestellung 1760384000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN342Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
29+1.79 EUR
35+ 1.52 EUR
100+ 1.13 EUR
500+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 29
FDN342PFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.29 EUR
15000+ 0.27 EUR
30000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+ 0.29 EUR
15000+ 0.27 EUR
30000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN342PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+ 0.29 EUR
15000+ 0.27 EUR
30000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN342PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.05
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.49 EUR
9000+ 0.44 EUR
18000+ 0.39 EUR
27000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN342PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN342P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN352APONSEMIDescription: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 60719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN352APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
auf Bestellung 82636 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.07 EUR
29+ 0.9 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
9000+ 0.16 EUR
24000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN352APONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+0.3 EUR
265+ 0.27 EUR
355+ 0.2 EUR
375+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 240
FDN352APonsemi / FairchildMOSFET SINGLE PCH TRENCH MOSFET
auf Bestellung 233806 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
59+0.89 EUR
65+ 0.81 EUR
100+ 0.61 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.4 EUR
3000+ 0.33 EUR
9000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 59
FDN352APONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
240+0.3 EUR
265+ 0.27 EUR
355+ 0.2 EUR
375+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 240
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
418+0.37 EUR
470+ 0.32 EUR
475+ 0.31 EUR
548+ 0.26 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 418
FDN352APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+ 0.34 EUR
9000+ 0.31 EUR
75000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN352APONSEMIDescription: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 60719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+ 0.18 EUR
24000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN352AP-NLFairchildSOT-23 0722+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN352AP-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
FDN357FAITCHILD04+ SOT-23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN357NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+ 0.22 EUR
12000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN357NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
auf Bestellung 4737 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.2 EUR
26+ 1.03 EUR
100+ 0.72 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
FDN357NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+0.56 EUR
150+ 0.48 EUR
214+ 0.33 EUR
227+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 128
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
FDN357Nonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
45+1.16 EUR
53+ 1 EUR
100+ 0.7 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.46 EUR
3000+ 0.39 EUR
9000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 45
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN357NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.053 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN357NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
128+0.56 EUR
150+ 0.48 EUR
214+ 0.33 EUR
227+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 128
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.4 EUR
45000+ 0.36 EUR
90000+ 0.32 EUR
135000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN357NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
auf Bestellung 4737 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+ 0.23 EUR
12000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN357N-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN357N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 1.9A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
FDN357N_NLFAIRCHILD0448
auf Bestellung 1742 Stücke:
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FDN357N_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
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FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.24 EUR
6000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN358PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 10634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN358PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 5.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDN358PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN358P
Produktcode: 36466		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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FDN358Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -30V
auf Bestellung 23792 Stücke:
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45+1.16 EUR
54+ 0.98 EUR
100+ 0.69 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.44 EUR
3000+ 0.39 EUR
9000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 45
FDN358PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 10634 Stücke:
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FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN358PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 5.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN358PON-SemicoductorP-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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50+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN358PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN358P(2DCEA)
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FDN358P-NL
auf Bestellung 15000 Stücke:
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FDN358P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
auf Bestellung 12980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.38 EUR
6000+ 0.36 EUR
9000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN359ANonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 154-168 Tag (e)
47+1.11 EUR
54+ 0.97 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.43 EUR
3000+ 0.36 EUR
9000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 47
FDN359ANFairchildN-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 7nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.37 EUR
220+ 0.33 EUR
300+ 0.24 EUR
315+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN359ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 7nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.37 EUR
220+ 0.33 EUR
300+ 0.24 EUR
315+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200
FDN359ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
auf Bestellung 13189 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.12 EUR
27+ 0.97 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDN359ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 7263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359AN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359AN/359AFAIRCHIL09+
auf Bestellung 243018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN359AN/F40
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN359AN\359AFAIRCHILSOT-23
auf Bestellung 243100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN359AN_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN359BNONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1200000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
FDN359BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.93 EUR
6000+ 0.81 EUR
12000+ 0.72 EUR
15000+ 0.65 EUR
24000+ 0.59 EUR
30000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+0.93 EUR
217+ 0.7 EUR
227+ 0.64 EUR
295+ 0.47 EUR
321+ 0.42 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.28 EUR
3000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 168
FDN359BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
auf Bestellung 125142 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
28+ 0.95 EUR
100+ 0.66 EUR
500+ 0.52 EUR
1000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
9000+ 0.26 EUR
18000+ 0.23 EUR
27000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN359BNonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 32433 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
55+ 0.95 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.52 EUR
1000+ 0.42 EUR
3000+ 0.36 EUR
9000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 47
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
227+0.69 EUR
295+ 0.51 EUR
321+ 0.45 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.31 EUR
3000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 227
FDN359BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+ 0.36 EUR
9000+ 0.33 EUR
30000+ 0.32 EUR
75000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN359BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN359BNONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359BN-F095ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359BN-F095ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359BN-NLFairchildSOT-23 0701+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN359BN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359BN_F095onsemi / FairchildMOSFET 30V NCh; PowerTrench AU Wire Parts
Produkt ist nicht verfügbar
FDN359N/359FAIR
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN360
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN360P
Produktcode: 75653		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
FDN360PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 75045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN360PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 4504 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
155+0.47 EUR
230+ 0.31 EUR
335+ 0.21 EUR
355+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 155
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN360PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
auf Bestellung 61416 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.22 EUR
28+ 0.95 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 22
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN360PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 75045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN360POn Semiconductor/FairchildSOT-23-3
auf Bestellung 10 Stücke:
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FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN360PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 4504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+0.47 EUR
230+ 0.31 EUR
335+ 0.21 EUR
355+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 155
FDN360PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+ 0.32 EUR
9000+ 0.29 EUR
30000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN360PON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN360Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -30V
auf Bestellung 14332 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
42+1.26 EUR
55+ 0.96 EUR
100+ 0.54 EUR
1000+ 0.37 EUR
3000+ 0.35 EUR
9000+ 0.3 EUR
24000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 42
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN360P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 30V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN360P-NBGT003BonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN360P-NLFAIRCHILD09+ QFP
auf Bestellung 930 Stücke:
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FDN360P/360FAIRCHIL09+
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FDN360PSOT23-360PB-FREEFAIRCHILD
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
Produkt ist nicht verfügbar
FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
auf Bestellung 3873 Stücke:
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FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
auf Bestellung 3873 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361ANFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3
Produkt ist nicht verfügbar
FDN361ANFAISOT-23
auf Bestellung 2352 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361ANFAIRCHILDSOT23
auf Bestellung 42000 Stücke:
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FDN361ANonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN361ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SuperSOT T/R
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FDN361ANFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3
Produkt ist nicht verfügbar
FDN361ANFAIRCHILD09+
auf Bestellung 9018 Stücke:
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FDN361ANFAIRCHILDSOT23-361 PB-FRE
auf Bestellung 2821 Stücke:
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FDN361AN-NLFAIRCHILDSOT23-361 PB-FRE
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361AN-NLFAIRCHILDSOT23 11+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361AN-NLSOT23-361PB-FREEFAIRCHLD
auf Bestellung 173821 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361AN/361FAIR
auf Bestellung 9000 Stücke:
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FDN361AN_NLFAIRCHILDSOT23
auf Bestellung 363000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361AN_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361BNonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 11696 Stücke:
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FDN361BNONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
FDN361BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
644+0.24 EUR
662+ 0.23 EUR
669+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 644
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN361BN-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN361P/361FAIR
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN363NFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 48344 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1664+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1664
FDN363N-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN371NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SuperSOT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN371NFairchild SemiconductorDescription: 2.5A, 20V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL,
Produkt ist nicht verfügbar
FDN371NON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDN371N
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN371N-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN372SFSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN372SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN372SSAMSOT 08+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN372SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
auf Bestellung 105742 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1902+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1902
FDN372S-NLFAIRCHIL09+ SSOP16
auf Bestellung 847 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN372S-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN377NFSC
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN5330SXFAIRCHILDSOT-153
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN537NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN537NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2971 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
102+ 0.7 EUR
135+ 0.53 EUR
174+ 0.41 EUR
184+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 69
FDN537Nonsemi / FairchildMOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 414-428 Tag (e)
33+1.59 EUR
37+ 1.41 EUR
100+ 1.08 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.68 EUR
3000+ 0.62 EUR
6000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 33
FDN537NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN537NON Semiconductor
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN537NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
auf Bestellung 4993 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
16+1.69 EUR
18+ 1.5 EUR
100+ 1.15 EUR
500+ 0.91 EUR
1000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 16
FDN537NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN537NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+1.04 EUR
102+ 0.7 EUR
135+ 0.53 EUR
174+ 0.41 EUR
184+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 69
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN5618PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.34 EUR
6000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
MSL: -999
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 359943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5618Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH 60V
auf Bestellung 62425 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.02 EUR
61+ 0.86 EUR
100+ 0.6 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.38 EUR
3000+ 0.32 EUR
9000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 52
FDN5618PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
auf Bestellung 6142 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
26+1.01 EUR
31+ 0.85 EUR
100+ 0.59 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 26
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
MSL: -999
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 359943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5618P 618.ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 40
FDN5618P-B8onsemiDescription: FET -60V 1.7 MOHM SSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5618P-NLON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SuperSOT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5618P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN5618P-SB4N007ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5618P_GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
814+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 814
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 29973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN5630onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
auf Bestellung 9894 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
31+ 0.84 EUR
100+ 0.51 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 29973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5630ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3
auf Bestellung 4920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+0.34 EUR
275+ 0.26 EUR
360+ 0.2 EUR
380+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 215
FDN5630onsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 60V
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
48+1.09 EUR
62+ 0.85 EUR
112+ 0.47 EUR
1000+ 0.32 EUR
3000+ 0.28 EUR
9000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 48
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 249000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+ 0.14 EUR
12000+ 0.13 EUR
18000+ 0.12 EUR
30000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 249000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+ 0.14 EUR
12000+ 0.13 EUR
18000+ 0.12 EUR
30000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN5630onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+ 0.28 EUR
9000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.073 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 423000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 156000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN5630ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 4920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
215+0.34 EUR
275+ 0.26 EUR
360+ 0.2 EUR
380+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 215
FDN5630-B8onsemiDescription: FET 60V 1.0 MOHM SSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5630-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-PIN SUPERSOT
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5630-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5630-NL
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN5632N-F085ONSEMIFDN5632N-F085 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
175+ 0.41 EUR
185+ 0.39 EUR
3000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 122
FDN5632N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 51103 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.53 EUR
20+ 1.34 EUR
100+ 0.93 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 17
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5632N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.59 EUR
6000+ 0.56 EUR
9000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5632N-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5632N-F085 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDN5632N-F085onsemi / FairchildMOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
auf Bestellung 487942 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
34+1.55 EUR
39+ 1.35 EUR
100+ 0.93 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.66 EUR
3000+ 0.57 EUR
6000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 34
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
auf Bestellung 393000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
auf Bestellung 13848 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
auf Bestellung 4294967295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN6301NFAIRCHILDSOT-163
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1242 Stücke:
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FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN8601ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.5W; SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 183mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDN8601onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
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12+2.34 EUR
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FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN8601ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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FDN8601onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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22+2.37 EUR
29+ 1.85 EUR
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1000+ 1.04 EUR
3000+ 0.96 EUR
6000+ 0.93 EUR
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FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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92+1.71 EUR
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163+ 0.86 EUR
250+ 0.76 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 92
FDN8601onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
auf Bestellung 11304 Stücke:
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9000+ 0.87 EUR
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FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN8601ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.5W; SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 183mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Produkt ist nicht verfügbar
FDN86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN86246ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86246 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.6 A, 0.195 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
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FDN86246onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDN86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V
auf Bestellung 5577 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.09 EUR
11+ 2.54 EUR
100+ 1.97 EUR
500+ 1.67 EUR
1000+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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127+1.24 EUR
147+ 1.03 EUR
148+ 0.99 EUR
195+ 0.72 EUR
250+ 0.68 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 127
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Produkt ist nicht verfügbar
FDN86265PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 800
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FDN86265PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.8A; 1.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.8A
On-state resistance: 2.2Ω
Case: SuperSOT-3
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -150V
Produkt ist nicht verfügbar
FDN86265PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 800
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDN86265Ponsemi / FairchildMOSFET PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
21+2.51 EUR
26+ 2.01 EUR
100+ 1.58 EUR
500+ 1.36 EUR
1000+ 1.11 EUR
3000+ 1.03 EUR
6000+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 21
FDN86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Produkt ist nicht verfügbar
FDN86265PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.8A; 1.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.8A
On-state resistance: 2.2Ω
Case: SuperSOT-3
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -150V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDN86501LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
auf Bestellung 36536 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.76 EUR
10+ 3.94 EUR
100+ 3.14 EUR
500+ 2.66 EUR
1000+ 2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDN86501LZonsemi / FairchildMOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 60 V, 2.6 A, 116 mohm
auf Bestellung 34398 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.12 EUR
12+ 4.6 EUR
100+ 3.72 EUR
500+ 3.07 EUR
1000+ 2.52 EUR
3000+ 2.34 EUR
6000+ 2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FDN86501LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+2.14 EUR
6000+ 2.06 EUR
9000+ 1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
FDN86501LZON Semiconductor
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDNA3763HellermannTytonElectrical Enclosure Accessories Wall Mounting Bracket for FDN, 1/pkg
Produkt ist nicht verfügbar
FDNC1602A-NLAFBW-51LRFordata
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDNIRABBAXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 16P AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
Produkt ist nicht verfügbar
FDNIRABBCXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 59 port AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
Produkt ist nicht verfügbar
FDNIRBXBAWXHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 24 SE trays (288 fibers), PP, Black, 1/pkg
Produkt ist nicht verfügbar
FDNIRBXBAXNHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 48 SC-B trays (576 fibers), PP, Black, 1/pkg
Produkt ist nicht verfügbar
FDNIRBXBAXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 16P B-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
Produkt ist nicht verfügbar
FDNIRCXBCWXHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 36 SE trays (432 fibers), PP, Black, 1/pkg
Produkt ist nicht verfügbar
FDNIRCXBCXNHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 72 SC-B trays (864 fibers), PP, Black, 1/pkg
Produkt ist nicht verfügbar
FDNIRCXBCXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 59 port C-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
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FDNM008.0010PNEUMATFDNM008.0010 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM008.0025PNEUMATFDNM008.0025 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM008.0050PNEUMATFDNM008.0050 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM010.0010PNEUMATFDNM010.0010 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM010.0025PNEUMATFDNM010.0025 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM010.0050PNEUMATFDNM010.0050 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM012.0010PNEUMATFDNM012.0010 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM012.0025PNEUMATFDNM012.0025 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM012.0050PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 12mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar
Manufacturer series: Flowmatik
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Type of pneumatic module: round cylinder
Body material: aluminium
Application: compressed air
Piston stroke: 50mm
Piston diameter: 12mm
Operating pressure: 1...10bar
Seal material: NBR rubber
Pneumatic components features: mechanical amortization
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM012.0050PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 12mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar
Manufacturer series: Flowmatik
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Type of pneumatic module: round cylinder
Body material: aluminium
Application: compressed air
Piston stroke: 50mm
Piston diameter: 12mm
Operating pressure: 1...10bar
Seal material: NBR rubber
Pneumatic components features: mechanical amortization
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM012.0080PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 12mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar
Application: compressed air
Manufacturer series: Flowmatik
Body material: aluminium
Operating temperature: 0...40°C
Seal material: NBR rubber
Type of pneumatic module: round cylinder
Pneumatic components features: mechanical amortization
Piston diameter: 12mm
Piston stroke: 80mm
Tube material: stainless steel
Operating pressure: 1...10bar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM012.0080PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 12mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar
Application: compressed air
Manufacturer series: Flowmatik
Body material: aluminium
Operating temperature: 0...40°C
Seal material: NBR rubber
Type of pneumatic module: round cylinder
Pneumatic components features: mechanical amortization
Piston diameter: 12mm
Piston stroke: 80mm
Tube material: stainless steel
Operating pressure: 1...10bar
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM012.0100PNEUMATFDNM012.0100 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM012.0125PNEUMATFDNM012.0125 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM012.0160PNEUMATFDNM012.0160 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM012.0200PNEUMATFDNM012.0200 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM016.0010PNEUMATFDNM016.0010 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM016.0025PNEUMATFDNM016.0025 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM016.0050PNEUMATFDNM016.0050 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM016.0080PNEUMATFDNM016.0080 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM016.0100PNEUMATFDNM016.0100 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM016.0125PNEUMATFDNM016.0125 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM016.0160PNEUMATFDNM016.0160 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM016.0200PNEUMATFDNM016.0200 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM020.0010PNEUMATFDNM020.0010 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM020.0025PNEUMATFDNM020.0025 Actuators
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+43.7 EUR
10+ 36.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDNM020.0050PNEUMATFDNM020.0050 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM020.0080PNEUMATFDNM020.0080 Actuators
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+47.7 EUR
10+ 40.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDNM020.0100PNEUMATFDNM020.0100 Actuators
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM020.0125PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 125mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 20mm
Piston stroke: 125mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR rubber
Application: compressed air
Tube material: stainless steel
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Produkt ist nicht verfügbar
FDNM020.0125PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 125mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 20mm
Piston stroke: 125mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR rubber
Application: compressed air
Tube material: stainless steel
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
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FDNM020.0160PNEUMATFDNM020.0160 Actuators
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FDNM020.0200PNEUMATFDNM020.0200 Actuators
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FDNM025.0010PNEUMATFDNM025.0010 Actuators
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FDNM025.0025PNEUMATFDNM025.0025 Actuators
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FDNM025.0050PNEUMATFDNM025.0050 Actuators
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FDNM025.0080PNEUMATFDNM025.0080 Actuators
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FDNM025.0100PNEUMATFDNM025.0100 Actuators
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FDNM025.0120PNEUMATFDNM025.0120 Actuators
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FDNM025.0125PNEUMATFDNM025.0125 Actuators
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FDNM025.0160PNEUMATFDNM025.0160 Actuators
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FDNM025.0200PNEUMATFDNM025.0200 Actuators
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FDNYD1-250MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDNYD1-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 22 AWG, 16 AWG
tariffCode: 85369010
Isoliermaterial: Nylon (Polyamid)
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
usEccn: EAR99
Leiterstärke (AWG), max.: 16AWG
Leiterquerschnitt CSA: 1.5mm²
euEccn: NLR
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Rot
Leiterstärke (AWG), min.: 22AWG
Produktpalette: FDNYD
productTraceability: No
Anschlussmaterial: Messing
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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FDNYD5-250KS TerminalsTerminals Nylon, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .032 x .250
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FDNYD5-250MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDNYD5-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 12 AWG, 10 AWG
Isoliermaterial: Nylon (Polyamid)
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
Leiterstärke (AWG), max.: 10
Leiterquerschnitt CSA: 6
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Gelb
Leiterstärke (AWG), min.: 12
Produktpalette: FDNYD
Anschlussmaterial: Messing
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 5 Stücke:
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