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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
FDN-010ChemtronicsDescription: S/S .010" NEEDLE, 10/PK
Packaging: Bag
Type: Dispenser Needle, Tip
Tip Type: Straight
Number of Pieces: 10
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN-020ChemtronicsDescription: S/S .020" NEEDLE, 10/PK
Packaging: Bag
Type: Dispenser Needle, Tip
Tip Type: Straight
Number of Pieces: 10
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN-47A-L103Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 1.0NM
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN-63A-L903Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 8.5NM
Packaging: Bag
Features: Disk Type
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN-63A-R453Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 4.5NM
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN-63A-R603Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 6.0NM
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN028N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN028N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.1 A, 0.023 ohm, SuperSOT
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN028N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN028N20onsemi / FairchildMOSFETs Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
auf Bestellung 27055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+0.47 EUR
100+0.35 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN028N20ON Semiconductor / FairchildMOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
auf Bestellung 5880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN028N20ONSEMIFDN028N20 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
113+0.63 EUR
262+0.27 EUR
277+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN028N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
auf Bestellung 34578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.13 EUR
24+0.76 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN1-187(5)KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .020 x .187
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN1-187(8)KS TerminalsTerminals TerminalsQuick Disconnects22-16AWG,0.8x4.75Female,Non-Insulated
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.27 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
10000+0.1 EUR
25000+0.084 EUR
50000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN1-205(5)KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .020 x .205
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.25 EUR
100+0.16 EUR
1000+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
10000+0.097 EUR
25000+0.081 EUR
50000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN1-250KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .032 x .250
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN103
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN103AMOTOROLA09+ SOP24
auf Bestellung 1009 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN143ROHM99+ QFP
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN143ROHM96+ QFP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN147ROHM97+ QFP
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN147ROHM96+ QFP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN147-626
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN147B97 TQFP
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN2-205(5)KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 16-14 AWG, .020 x .205
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN301
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN301A
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN301N-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302PONSEMIFDN302P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
336+0.21 EUR
355+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.84 EUR
29+0.61 EUR
100+0.34 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
299+0.48 EUR
524+0.27 EUR
529+0.25 EUR
535+0.24 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 299
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
9000+0.18 EUR
24000+0.16 EUR
45000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+0.7 EUR
296+0.47 EUR
299+0.45 EUR
529+0.24 EUR
534+0.23 EUR
540+0.22 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 207
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+0.65 EUR
321+0.43 EUR
581+0.23 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
45000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 223
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
9000+0.18 EUR
24000+0.16 EUR
45000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302P
Produktcode: 31343
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FairchildTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 2.4
Rds(on),Om: 0.055
Ciss, pF/Qg, nC: 882/9
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.42 EUR
10+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
auf Bestellung 11924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.82 EUR
10+0.57 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.21 EUR
9000+0.19 EUR
24000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
12000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302P .302..ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN302P TFDN302p
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
321+0.055 EUR
1000+0.054 EUR
3000+0.05 EUR
6000+0.049 EUR
15000+0.048 EUR
30000+0.046 EUR
75000+0.043 EUR
150000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 321
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302P\302FAIRCHILSOT-23
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302P_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 2394000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302P_NLFairchild
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN302P_Qonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN303
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304??SOT-23
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304N
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1759+0.31 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1759
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 1.8V
auf Bestellung 15330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.17 EUR
202+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 124
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
184+0.39 EUR
265+0.27 EUR
305+0.23 EUR
365+0.2 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304P
Produktcode: 127609
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.28 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.24 EUR
12000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 5170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.02 EUR
232+0.6 EUR
362+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.16 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 129141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
auf Bestellung 29093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.25 EUR
23+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+0.54 EUR
184+0.39 EUR
265+0.27 EUR
305+0.23 EUR
365+0.2 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 47053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1759+0.31 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1759
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 129141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 297000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+0.059 EUR
1000+0.057 EUR
3000+0.053 EUR
6000+0.052 EUR
15000+0.051 EUR
30000+0.049 EUR
75000+0.046 EUR
150000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.8 EUR
278+0.5 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.26 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
15000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 180
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.18 EUR
180+0.77 EUR
278+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.22 EUR
9000+0.21 EUR
15000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.28 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.24 EUR
21000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2094 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+0.83 EUR
114+0.63 EUR
161+0.45 EUR
186+0.38 EUR
250+0.32 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2094 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
114+0.63 EUR
161+0.45 EUR
186+0.38 EUR
250+0.32 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1551+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1551
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZonsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
auf Bestellung 8308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.18 EUR
10+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.25 EUR
21+0.85 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.28 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.24 EUR
21000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN304PZ-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
311+0.057 EUR
1000+0.055 EUR
3000+0.052 EUR
6000+0.051 EUR
15000+0.049 EUR
30000+0.047 EUR
75000+0.044 EUR
150000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 311
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN305PANASONIC
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306-NL
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 3944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.47 EUR
217+0.33 EUR
290+0.25 EUR
332+0.22 EUR
394+0.18 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PTECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
auf Bestellung 23540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+0.5 EUR
100+0.36 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3944 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
217+0.33 EUR
290+0.25 EUR
332+0.22 EUR
394+0.18 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
12000+0.17 EUR
27000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 47812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
484+0.3 EUR
596+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 484
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
auf Bestellung 14647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.06 EUR
27+0.66 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
481+0.3 EUR
586+0.24 EUR
592+0.23 EUR
729+0.18 EUR
736+0.17 EUR
789+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 481
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
592+0.24 EUR
729+0.19 EUR
736+0.18 EUR
789+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 592
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 47812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P 306.ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-PIN SUPERSOT T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P-NLFAI09+
auf Bestellung 120018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -12V -2.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
298+0.059 EUR
1000+0.058 EUR
3000+0.054 EUR
6000+0.053 EUR
15000+0.051 EUR
30000+0.049 EUR
75000+0.046 EUR
150000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P/306FAIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
auf Bestellung 5460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
auf Bestellung 5465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN307
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+0.9 EUR
245+0.57 EUR
248+0.54 EUR
373+0.35 EUR
402+0.31 EUR
509+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 161
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
auf Bestellung 3767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.34 EUR
22+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2192+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2192
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+0.58 EUR
373+0.37 EUR
402+0.33 EUR
509+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 248
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
auf Bestellung 6119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.58 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
311+0.057 EUR
1000+0.055 EUR
3000+0.052 EUR
6000+0.051 EUR
15000+0.049 EUR
30000+0.047 EUR
75000+0.044 EUR
150000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 311
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308P_F154ON Semiconductor / FairchildMOSFET Multi Market MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN308P_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
auf Bestellung 13063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.92 EUR
32+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN327N
Produktcode: 176408
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Transistoren > MOSFET N-CH
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FDN327Nonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
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FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 70609 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.17 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NONSEMIFDN327N SMD N channel transistors
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
360+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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2708+0.2 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2708
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7990 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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2708+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2708
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10; Qg, нКл = 6,3; Rds = 70 мОм; Ugs(th) = 1,5 В; Р, Вт = 0,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SSOT-3
auf Bestellung 2973 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 70609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2708+0.2 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2708
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FDN327N-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
310+0.057 EUR
1000+0.056 EUR
3000+0.052 EUR
6000+0.051 EUR
15000+0.049 EUR
30000+0.047 EUR
75000+0.044 EUR
150000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 310
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN327N/327FAIR
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN331NFAirchild
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN332-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN332P-NLFAIRCHTL2007
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335FAITCHILD04+ SOT-23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335KEXIN09+
auf Bestellung 300018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 68832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.22 EUR
15000+0.21 EUR
21000+0.2 EUR
30000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NONSEMIFDN335N SMD N channel transistors
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
108+0.67 EUR
305+0.23 EUR
323+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+0.6 EUR
362+0.39 EUR
365+0.37 EUR
484+0.27 EUR
494+0.25 EUR
555+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 240
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
365+0.4 EUR
484+0.29 EUR
494+0.27 EUR
555+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 365
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 68832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
auf Bestellung 93448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.56 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.22 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
12000+0.19 EUR
27000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
auf Bestellung 37740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.07 EUR
27+0.66 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NON-SemicoductorN-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.72 EUR
299+0.47 EUR
450+0.3 EUR
549+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335N-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 1.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
308+0.057 EUR
1000+0.056 EUR
3000+0.052 EUR
6000+0.051 EUR
15000+0.05 EUR
30000+0.047 EUR
75000+0.045 EUR
150000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 308
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN335N_Qonsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDN336PON-SemicoductorP-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 98 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PONSEMIFDN336P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
113+0.64 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN336P
Produktcode: 135239
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
auf Bestellung 12453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.97 EUR
28+0.64 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.7 EUR
10+0.6 EUR
100+0.41 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
45000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P-NLON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P-NLonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P-NLFAIRCHILDSOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P-NLFAIRCHILDSOT-23 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
306+0.058 EUR
1000+0.056 EUR
3000+0.052 EUR
6000+0.051 EUR
15000+0.05 EUR
30000+0.048 EUR
75000+0.045 EUR
150000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 306
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P/336FAIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P_NLFAIRCHILDSOT23
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN336P_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337FAIRCHILDSOT23-337
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337FAI09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337 SOT23-337FAIRCHILD
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.28 EUR
9000+0.24 EUR
12000+0.23 EUR
27000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.95 EUR
209+0.67 EUR
306+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
auf Bestellung 300020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.28 EUR
23+0.79 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N
Produktcode: 118654
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 912000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
15000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NFairchildTranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN337N TFDN337n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.69 EUR
306+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
auf Bestellung 48051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.98 EUR
10+0.71 EUR
100+0.49 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.28 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 912000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
15000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
auf Bestellung 299700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.28 EUR
9000+0.27 EUR
15000+0.25 EUR
21000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.1 EUR
180+0.77 EUR
263+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3091 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
234+0.31 EUR
300+0.24 EUR
332+0.22 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 3091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.4 EUR
234+0.31 EUR
300+0.24 EUR
332+0.22 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
auf Bestellung 2574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.18 EUR
143+0.12 EUR
163+0.11 EUR
194+0.091 EUR
250+0.083 EUR
500+0.078 EUR
1000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDN337N-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+0.059 EUR
1000+0.057 EUR
3000+0.053 EUR
6000+0.052 EUR
15000+0.051 EUR
30000+0.049 EUR
75000+0.046 EUR
150000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N3DBBAFAI9918+
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337NNLFAIRCHILD
auf Bestellung 9100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN337N_Qonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
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FDN338KEXIN09+
auf Bestellung 300018 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338??SOT-23
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338FAIRCHILDSOT-23
auf Bestellung 360000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338FAI09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 237000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.16 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PHUASHUOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 37900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2260+0.24 EUR
10000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2260
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
12000+0.18 EUR
27000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
Anzahl je Verpackung: 260 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
260+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 260
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5203 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
153+0.47 EUR
211+0.34 EUR
243+0.29 EUR
293+0.24 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 5203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+0.59 EUR
153+0.47 EUR
211+0.34 EUR
243+0.29 EUR
293+0.24 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.16 EUR
9000+0.15 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+0.83 EUR
262+0.53 EUR
385+0.35 EUR
513+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PHUASHUOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
Anzahl je Verpackung: 370 Stücke
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
370+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 370
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
auf Bestellung 47820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.6 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.22 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
auf Bestellung 6021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.04 EUR
28+0.64 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.16 EUR
9000+0.15 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PMSKSEMITransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PON-SemicoductorP-Channel 20V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) FDN338P TFDN338p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 237000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.16 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P SOT23-338FAIRCHILD
auf Bestellung 1510 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.93 EUR
31+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P-NLFAIRCHIL09+ TSSOP20
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
299+0.059 EUR
1000+0.058 EUR
3000+0.054 EUR
6000+0.053 EUR
15000+0.051 EUR
30000+0.049 EUR
75000+0.046 EUR
150000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 299
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P/338FAIRCHIL09+
auf Bestellung 3418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P/338FAIRCHILD
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338PSOT23-338FAIRCHLD
auf Bestellung 1517 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P\338FAIRCHILSOT-23
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P_GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 326730 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P_NLFairchild
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN338P_Qonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339FAI4 SOT-23
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339FAI09+
auf Bestellung 200018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 44639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
auf Bestellung 32129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.9 EUR
28+0.64 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339ANAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339ANON-SemicoductorN-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.57 EUR
278+0.5 EUR
287+0.47 EUR
405+0.32 EUR
414+0.3 EUR
513+0.23 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 44639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339ANAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
287+0.5 EUR
405+0.34 EUR
414+0.32 EUR
513+0.25 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 287
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339ANonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
auf Bestellung 17193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.6 EUR
100+0.41 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 61mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Case: SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.6 EUR
155+0.46 EUR
202+0.35 EUR
227+0.32 EUR
265+0.27 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339ANAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 61mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Case: SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
155+0.46 EUR
202+0.35 EUR
227+0.32 EUR
265+0.27 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339AN-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339AN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
308+0.057 EUR
1000+0.056 EUR
3000+0.052 EUR
6000+0.051 EUR
15000+0.05 EUR
30000+0.047 EUR
75000+0.045 EUR
150000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 308
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN339AN_GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN3400ON SemiconductorSSOT-3. SINGLE. 2.5V. NCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN3401Fairchild SemiconductorDescription: FDN3401
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN3401FAIRCHILD
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN3401/3401FAIRCHIL09+
auf Bestellung 1618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 102416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2725+0.2 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2725
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
766+0.19 EUR
776+0.18 EUR
785+0.17 EUR
795+0.16 EUR
806+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 766
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
auf Bestellung 57112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.92 EUR
32+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
785+0.18 EUR
806+0.17 EUR
817+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 785
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 351000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 102416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+0.36 EUR
100+0.28 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.43 EUR
252+0.28 EUR
309+0.23 EUR
358+0.2 EUR
404+0.18 EUR
463+0.15 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 77516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2725+0.2 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2725
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2911 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
252+0.28 EUR
309+0.23 EUR
358+0.2 EUR
404+0.18 EUR
463+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
15000+0.17 EUR
21000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 31312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2725+0.2 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2725
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDN340PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 87000 Stücke:
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FDN340P
Produktcode: 191356
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FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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6000+0.17 EUR
9000+0.16 EUR
12000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDN340POn SemiconductorMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
auf Bestellung 1966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.18 EUR
143+0.12 EUR
163+0.11 EUR
194+0.091 EUR
250+0.083 EUR
500+0.078 EUR
1000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 20V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340P-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
298+0.059 EUR
1000+0.058 EUR
3000+0.054 EUR
6000+0.053 EUR
15000+0.051 EUR
30000+0.049 EUR
75000+0.046 EUR
150000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340P/340FAIRCHIL09+
auf Bestellung 3868 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340P\340FAIRCHILSOT-23
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
auf Bestellung 1760384000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
auf Bestellung 384000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN342Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.21 EUR
10+1.03 EUR
100+0.77 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.46 EUR
9000+0.4 EUR
18000+0.36 EUR
27000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN342PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN342PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.26 EUR
15000+0.25 EUR
30000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN342PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
15000+0.25 EUR
30000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
15000+0.25 EUR
30000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN342PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V
auf Bestellung 7281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.51 EUR
19+0.95 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN342P-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
9000+0.17 EUR
24000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
9000+0.17 EUR
24000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
auf Bestellung 34174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.93 EUR
28+0.64 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
12000+0.19 EUR
27000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
9000+0.17 EUR
24000+0.16 EUR
45000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352APONSEMIDescription: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 88635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
9000+0.17 EUR
24000+0.16 EUR
45000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352APONSEMIFDN352AP SMD P channel transistors
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
106+0.68 EUR
353+0.2 EUR
374+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
30000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 32445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+0.5 EUR
421+0.33 EUR
425+0.32 EUR
538+0.24 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 289
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352APonsemi / FairchildMOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET
auf Bestellung 162697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.85 EUR
10+0.56 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.22 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 32445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
227+0.64 EUR
286+0.49 EUR
289+0.46 EUR
421+0.31 EUR
425+0.29 EUR
538+0.22 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 227
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352APONSEMIDescription: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 82416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
267+0.54 EUR
396+0.35 EUR
582+0.23 EUR
744+0.17 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 267
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352AP-NLFairchildSOT-23 0722+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN352AP-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
313+0.056 EUR
1000+0.055 EUR
3000+0.051 EUR
6000+0.05 EUR
15000+0.049 EUR
30000+0.047 EUR
75000+0.044 EUR
150000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357FAITCHILD04+ SOT-23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.44 EUR
196+0.37 EUR
215+0.33 EUR
241+0.3 EUR
253+0.28 EUR
280+0.26 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
auf Bestellung 16372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.71 EUR
10+0.49 EUR
100+0.4 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
196+0.37 EUR
215+0.33 EUR
241+0.3 EUR
253+0.28 EUR
280+0.26 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.28 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.23 EUR
21000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.25 EUR
12000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
211+0.69 EUR
245+0.57 EUR
262+0.51 EUR
357+0.36 EUR
377+0.33 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 211
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 426000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
24000+0.17 EUR
45000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+0.2 EUR
12000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 426000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
24000+0.17 EUR
45000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
auf Bestellung 38855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.18 EUR
24+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.55 EUR
357+0.39 EUR
377+0.36 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 262
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
45000+0.33 EUR
90000+0.29 EUR
135000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 39038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 1.9A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N_NLFAIRCHILD0448
auf Bestellung 1742 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN357N_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358PONSEMIFDN358P SMD P channel transistors
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
285+0.25 EUR
300+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 32110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 32110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
auf Bestellung 62768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.49 EUR
100+0.39 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358P
Produktcode: 36466
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358PON-SemicoductorP-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
auf Bestellung 11524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.21 EUR
23+0.79 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.28 EUR
6000+0.25 EUR
12000+0.22 EUR
24000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358P(2DCEA)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358P-NL
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
313+0.056 EUR
1000+0.055 EUR
3000+0.051 EUR
6000+0.05 EUR
15000+0.049 EUR
30000+0.047 EUR
75000+0.044 EUR
150000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN358P_Qonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359ANFairchildN-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 41135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359ANONSEMIFDN359AN SMD N channel transistors
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
101+0.71 EUR
298+0.24 EUR
315+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 101
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
auf Bestellung 20476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.9 EUR
27+0.66 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359ANonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
auf Bestellung 10763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.65 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 37904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 159624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2015+0.27 EUR
10000+0.23 EUR
100000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2015
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+0.059 EUR
1000+0.057 EUR
3000+0.053 EUR
6000+0.052 EUR
15000+0.051 EUR
30000+0.049 EUR
75000+0.046 EUR
150000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN/359AFAIRCHIL09+
auf Bestellung 243018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN/F40
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN\359AFAIRCHILSOT-23
auf Bestellung 243100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359AN_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+0.67 EUR
277+0.5 EUR
370+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 215
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BNonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 18809 Stücke:
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4+0.83 EUR
10+0.61 EUR
100+0.44 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.22 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.62 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
auf Bestellung 79479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.13 EUR
26+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
227+0.64 EUR
292+0.48 EUR
294+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 227
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 19007 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
294+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 294
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2039+0.27 EUR
10000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2039
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
15000+0.22 EUR
21000+0.21 EUR
30000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 19007 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2039+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2039
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN транзистор
Produktcode: 213980
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN-F095ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN-F095ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN-NLFairchildSOT-23 0701+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+0.059 EUR
1000+0.057 EUR
3000+0.053 EUR
6000+0.052 EUR
15000+0.051 EUR
30000+0.049 EUR
75000+0.046 EUR
150000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359BN_F095onsemi / FairchildMOSFET 30V NCh; PowerTrench AU Wire Parts
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN359N/359FAIR
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 86850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2443+0.22 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2443
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 158255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
auf Bestellung 38188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.99 EUR
29+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.18 EUR
12000+0.17 EUR
27000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
133+0.54 EUR
151+0.48 EUR
213+0.34 EUR
249+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
auf Bestellung 17453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.95 EUR
10+0.6 EUR
100+0.34 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
15000+0.18 EUR
30000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDN360P
Produktcode: 75653
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FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 526 Stücke:
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335+0.82 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 335
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FDN360PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 171104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN360PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+0.63 EUR
133+0.54 EUR
151+0.48 EUR
213+0.34 EUR
249+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 114
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FDN360POn Semiconductor/FairchildSOT-23-3
auf Bestellung 10 Stücke:
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FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDN360PON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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FDN360P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 30V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R
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FDN360P-NBGT003BonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
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FDN360P-NLFAIRCHILD09+ QFP
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDN360P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
299+0.059 EUR
1000+0.058 EUR
3000+0.054 EUR
6000+0.053 EUR
15000+0.051 EUR
30000+0.049 EUR
75000+0.046 EUR
150000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 299
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FDN360P/360FAIRCHIL09+
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDN360PSOT23-360PB-FREEFAIRCHILD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
auf Bestellung 3873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
auf Bestellung 3873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
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FDN360P_NBGT003Bonsemi / FairchildArray
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FDN361ANFAIRCHILDSOT23-361 PB-FRE
auf Bestellung 2821 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDN361ANFAISOT-23
auf Bestellung 2352 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDN361ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SuperSOT T/R
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FDN361ANFAIRCHILDSOT23
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDN361ANonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN361ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
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FDN361ANFAIRCHILD09+
auf Bestellung 9018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDN361AN-NLFAIRCHILDSOT23-361 PB-FRE
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDN361AN-NLFAIRCHILDSOT23 11+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDN361AN-NLSOT23-361PB-FREEFAIRCHLD
auf Bestellung 173821 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDN361AN/361FAIR
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDN361AN_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN361AN_NLFAIRCHILDSOT23
auf Bestellung 363000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDN361BNonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
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FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
644+0.22 EUR
662+0.21 EUR
669+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 644
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FDN361BNUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN361BNUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.6 EUR
48+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN361BN-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN361P/361FAIR
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN363NFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 42602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1366+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1366
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN363N-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN371NFairchild SemiconductorDescription: 2.5A, 20V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL,
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN371NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SuperSOT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN371N
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN371NON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN371N-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN372SFSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN372SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
auf Bestellung 105541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1902+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1902
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN372SSAMSOT 08+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN372S-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN372S-NLFAIRCHIL09+ SSOP16
auf Bestellung 847 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN377NFSC
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5330SXFAIRCHILDSOT-153
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.41 EUR
6000+0.39 EUR
9000+0.38 EUR
15000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 14824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537Nonsemi / FairchildMOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 410-414 Tag (e)
3+1.08 EUR
10+0.96 EUR
100+0.73 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537NONSEMIFDN537N SMD N channel transistors
auf Bestellung 2585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.02 EUR
169+0.42 EUR
178+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
auf Bestellung 60133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
17+1.04 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 14824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN537NON Semiconductor
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
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3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
auf Bestellung 103442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.22 EUR
9000+0.21 EUR
15000+0.2 EUR
21000+0.19 EUR
30000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 218206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
12000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 60V
auf Bestellung 40190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.58 EUR
100+0.4 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.22 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
auf Bestellung 103442 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.04 EUR
28+0.64 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 230551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618PElecSuper60V 2A 1W 1.7V@250uA SOT-23 Single FETs, MOSFETs FDN5618P SOT23(T/R) ElecSuper TFDN5618p ES
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P 618.ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P 618.ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P-B8onsemiDescription: FET -60V 1.7 MOHM SSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P-NLON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SuperSOT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P-SB4N007ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5618P_GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 152425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630
Produktcode: 208281
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 3302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.53 EUR
165+0.43 EUR
220+0.33 EUR
358+0.2 EUR
376+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 159759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
165+0.43 EUR
220+0.33 EUR
358+0.2 EUR
376+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
auf Bestellung 18046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.9 EUR
32+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3283+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3283
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630onsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 60V
auf Bestellung 24450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.73 EUR
10+0.56 EUR
100+0.35 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
15000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
12000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630-B8onsemiDescription: FET 60V 1.0 MOHM SSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
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FDN5630-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-PIN SUPERSOT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630-NL
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.34 EUR
9000+0.33 EUR
21000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDN5632N-F085onsemi / FairchildMOSFETs Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
auf Bestellung 440330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.89 EUR
100+0.59 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.34 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N-F085ONSEMIFDN5632N-F085 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
174+0.41 EUR
183+0.39 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 34904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.28 EUR
20+0.9 EUR
100+0.6 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5632N-F085 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
auf Bestellung 393000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
auf Bestellung 13848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
auf Bestellung 4294967295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN6301NFAIRCHILDSOT-163
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.62 EUR
6000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.58 EUR
108+1.3 EUR
161+0.83 EUR
163+0.79 EUR
250+0.71 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
auf Bestellung 21597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.11 EUR
100+0.92 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.35 EUR
161+0.87 EUR
163+0.83 EUR
250+0.73 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 23773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.73 EUR
10+0.63 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V
auf Bestellung 11400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.78 EUR
6000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.14 EUR
147+0.95 EUR
148+0.91 EUR
195+0.66 EUR
250+0.63 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 127
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86246onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 23222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.55 EUR
100+1.21 EUR
250+1.2 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86246ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86246 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.6 A, 0.195 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V
auf Bestellung 11820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.02 EUR
13+1.43 EUR
100+1.12 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
auf Bestellung 9799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.3 EUR
15+1.22 EUR
100+0.93 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86265PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 45360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.63 EUR
6000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDN86265PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.8A; 1.5W; SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -0.8A
On-state resistance: 2.2Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
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FDN86265Ponsemi / FairchildMOSFETs PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET
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FDN86265PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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FDN86501LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
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4+4.59 EUR
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100+2.04 EUR
500+1.65 EUR
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FDN86501LZonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mO
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100+1.65 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.5 EUR
3000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDN86501LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
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FDN86501LZON Semiconductor
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FDNA3763HellermannTytonElectrical Enclosure Accessories Wall Mounting Bracket for FDN, 1/pkg
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FDNC1602A-NLAFBW-51LRFordata
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FDNIRABBAXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 16P AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
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FDNIRABBCXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 59 port AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
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FDNIRBXBAWXHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 24 SE trays (288 fibers), PP, Black, 1/pkg
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FDNIRBXBAXNHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 48 SC-B trays (576 fibers), PP, Black, 1/pkg
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FDNIRBXBAXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 16P B-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
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FDNIRCXBCWXHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 36 SE trays (432 fibers), PP, Black, 1/pkg
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FDNIRCXBCXNHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 72 SC-B trays (864 fibers), PP, Black, 1/pkg
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FDNIRCXBCXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 59 port C-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
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FDNM012.0010PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 12mm; Piston stroke: 10mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 12mm
Piston stroke: 10mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Application: compressed air
Tube material: stainless steel
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
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FDNM012.0160PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 12mm; Piston stroke: 160mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 12mm
Piston stroke: 160mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Application: compressed air
Tube material: stainless steel
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNM016.0025PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 16mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 16mm
Piston stroke: 25mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
auf Bestellung 9 Stücke:
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4+22.71 EUR
5+21.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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FDNM016.0025PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 16mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 16mm
Piston stroke: 25mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
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5+21.25 EUR
10+20.35 EUR
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FDNM016.0050PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 16mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 16mm
Piston stroke: 50mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
auf Bestellung 4 Stücke:
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4+23.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNM016.0050PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 16mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 16mm
Piston stroke: 50mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+23.51 EUR
5+21.99 EUR
10+21.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNM016.0100PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 16mm; Piston stroke: 100mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 16mm
Piston stroke: 100mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Application: compressed air
Tube material: stainless steel
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNM016.0200PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 16mm; Piston stroke: 200mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 16mm
Piston stroke: 200mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Application: compressed air
Tube material: stainless steel
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Produkt ist nicht verfügbar
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FDNM020.0025PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 20mm
Piston stroke: 25mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+27.08 EUR
5+25.34 EUR
10+24.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FDNM020.0025PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 20mm
Piston stroke: 25mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+27.08 EUR
5+25.34 EUR
10+24.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNM020.0050PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
Pneumatic components features: mechanical amortization
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Tube material: stainless steel
Operating temperature: 0...40°C
Piston diameter: 20mm
Piston stroke: 50mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNM020.0050PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
Pneumatic components features: mechanical amortization
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Tube material: stainless steel
Operating temperature: 0...40°C
Piston diameter: 20mm
Piston stroke: 50mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
5+26.28 EUR
10+25.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNM020.0080PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 20mm
Piston stroke: 80mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+29.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNM020.0080PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 20mm
Piston stroke: 80mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.63 EUR
5+27.71 EUR
10+26.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNM025.0010PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 10mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 25mm
Piston stroke: 10mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNM025.0010PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 10mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 25mm
Piston stroke: 10mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.79 EUR
5+26.93 EUR
10+25.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNM025.0025PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 25mm
Piston stroke: 25mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNM025.0025PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 25mm
Piston stroke: 25mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
5+27.88 EUR
10+26.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNM025.0050PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 25mm
Piston stroke: 50mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+31.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNM025.0050PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 25mm
Piston stroke: 50mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+31.49 EUR
5+29.46 EUR
10+28.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNM025.0080PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 25mm
Piston stroke: 80mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNM025.0080PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 25mm
Piston stroke: 80mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
5+31.43 EUR
10+30.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNM025.0100PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 100mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 25mm
Piston stroke: 100mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNM025.0100PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 100mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 25mm
Piston stroke: 100mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
Application: compressed air
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
5+32.63 EUR
10+31.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNY1-187(5)KS TerminalsTerminals Nylon, Female, 22-16 AWG, .020 x .187
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNY1-187(8)KS TerminalsTerminals Nylon, Female, 22-16 AWG, .032 x .187
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNYD1-110(5)KS TerminalsTerminals Nylon, Double Crimp Female, 22-16 AWG, .020 x .110
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.54 EUR
100+0.35 EUR
1000+0.28 EUR
5000+0.24 EUR
10000+0.21 EUR
25000+0.18 EUR
50000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDNYD1-110(8)KS TerminalsTerminals Nylon, Double Crimp Female, 22-16 AWG, .032 x .110
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FDNYD1-250MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDNYD1-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 22 AWG, 16 AWG
tariffCode: 85369010
Isoliermaterial: Nylon (Polyamid)
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
usEccn: EAR99
Leiterstärke (AWG), max.: 16AWG
Leiterquerschnitt CSA: 1.5mm²
euEccn: NLR
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Rot
Leiterstärke (AWG), min.: 22AWG
Produktpalette: FDNYD
productTraceability: No
Anschlussmaterial: Messing
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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FDNYD5-250MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDNYD5-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 12 AWG, 10 AWG
Isoliermaterial: Nylon (Polyamid)
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
Leiterstärke (AWG), max.: 10
Leiterquerschnitt CSA: 6
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Gelb
Leiterstärke (AWG), min.: 12
Produktpalette: FDNYD
Anschlussmaterial: Messing
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FDNYD5-250KS TerminalsTerminals Nylon, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .032 x .250
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