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IPU039N03LAG

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IPU039N03LGXK

Description: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

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IPU04N03LA

05+

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IPU04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

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IPU04N03LA G

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IPU04N03LAG

07+ 251

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IPU04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

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IPU050N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

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IPU050N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 50A IPAK-3

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IPU05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

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IPU05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

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IPU060N03L

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IPU060N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

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IPU060N03LG

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IPU06N03LA

03+

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IPU06N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPU06N03LA G (Transistor)
Produktcode: 47339

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IPU06N03LAG

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IPU06N03LAG

MOSFET N-Ch 25V 50A IPAK-3

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IPU06N03LAGBKMA1

MOSFET

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IPU06N03LAGXK

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

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IPU06N03LANK

MOSFET

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IPU06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

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IPU06N03LBG

MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPU06N03LZ

MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPU06N03LZ

07+;

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IPU06N03LZG

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU06N03LZG - IPU06N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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IPU06N03LZG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2783 pF @ 15 V

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650+	0.73 EUR

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IPU06N03LZG

MOSFET N-Ch 25V 50A IPAK-3

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IPU06N03LZNK

MOSFET

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IPU075N03L

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IPU075N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

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IPU075N03LAG

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU07N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU090N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

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IPU09N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPU09N03LA

0339+

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU09N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU09N03LA G

MOSFET N-KANAL POWER MOS

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU09N03LAG

07+;

auf Bestellung 1500 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU09N03LAG

auf Bestellung 3000 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU09N03LAG

06+

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IPU09N03LAGBKMA1

MOSFET

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IPU09N03LANK

MOSFET

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IPU09N03LB

auf Bestellung 7500 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU09N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU09N03LBG

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU103N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU103N80N3

auf Bestellung 20000 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU105N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU10N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

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IPU10N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

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IPU10N03LANK

MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPU12N03L

03+

auf Bestellung 1451 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU135N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU135N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V

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IPU135N08N3G

auf Bestellung 20000 Stücke:

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IPU135N08N3GBKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

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IPU13N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPU13N03LA

03+

auf Bestellung 5030 Stücke:

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IPU13N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V

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IPU13N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 30A IPAK-3

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IPU13N03LAG

TO251 06+

auf Bestellung 3800 Stücke:

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IPU13N03LANK

MOSFET

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IPU20N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

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IPU3004

IOR

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPU50R1K4CE

MOSFET N-Ch 500V 3.1A IPAK-3

auf Bestellung 1280 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

auf Bestellung 416723 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2049+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2049

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IPU50R1K4CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R1K4CEAKMA1 - IPU50R1K4 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 416723 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R1K4CEBKMA1

MOSFET N-Ch 500V 3.1A IPAK-3

auf Bestellung 1319 Stücke:

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IPU50R1K4CEBKMA1

IPU50R1K4CEBKMA1 THT N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R1K4CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R1K4CEBKMA1 - IPU50R1K4 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1829 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R1K4CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPU50R2K0CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
Packaging: Bulk

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2308+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2308

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IPU50R2K0CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R2K0CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R2K0CEAKMA1 - IPU50R2K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R2K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R2K0CEBKMA1

MOSFET N-Ch 500V 2.4A IPAK-3

auf Bestellung 1455 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R2K0CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R2K0CEBKMA1 - IPU50R2K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1075 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R2K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R3K0CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
Packaging: Bulk

auf Bestellung 250540 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2597+	0.20 EUR

Mindestbestellmenge: 2597

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IPU50R3K0CE

MOSFET N-Ch 500V 1.7A IPAK-3

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R3K0CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R3K0CEAKMA1 - IPU50R3K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 10500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R3K0CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R3K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R3K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R3K0CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R3K0CEBKMA1 - IPU50R3K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 25539 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R3K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

auf Bestellung 25539 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2597+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2597

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CE

MOSFET N-Ch 500V 12.8A IPAK-3

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

auf Bestellung 235740 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1731+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 1731

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CE

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

auf Bestellung 119025 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1731+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 1731

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R950CEAKMA1 - IPU50R950 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 27824 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEAKMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEAKMA2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEAKMA2

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEAKMA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R950CEAKMA2 - IPU50R950 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 333240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

auf Bestellung 5380 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1731+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 1731

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R950CEBKMA1 - IPU50R950 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEBTMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-345
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

auf Bestellung 4380 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1731+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 1731

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K0CE

Infineon technologies

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V TO-251-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K0CEAKMA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R1K0CEAKMA2 - IPU60R1K0 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K0CEAKMA2

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K0CEAKMA2

Description: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K0CEAKMA2

Trans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K0CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K0CEBKMA1

MOSFET N-Ch 600V 4.3A IPAK-3

auf Bestellung 395 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V TO-251-3

auf Bestellung 485 Stücke:

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IPU60R1K4C6

MOSFET N-Ch 650V 3.2A IPAK-3

auf Bestellung 1384 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K4C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-341
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

auf Bestellung 2370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1072+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 1072

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K4C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

auf Bestellung 2370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

989+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 989

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IPU60R1K4C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K4C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K4C6AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R1K4C6AKMA1 - IPU60R1K4 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K4C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3

auf Bestellung 40500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K4C6BKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R1K4C6BKMA1 - IPU60R1K4 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 13500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K4C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPU60R1K4C6BKMA1

MOSFET N-Ch 650V 3.2A IPAK-3

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPU60R1K5CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 5A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPU60R1K5CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V TO-251-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K5CEAKMA2

Description: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

auf Bestellung 919 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.41 EUR
75+	0.60 EUR
150+	0.53 EUR
525+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K5CEAKMA2

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 2928 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.23 EUR
10+	0.60 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.46 EUR
1500+	0.43 EUR
4500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K5CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K5CEBKMA1

MOSFET N-Ch 600V 3.1A IPAK-3

auf Bestellung 1170 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R1K5CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R1K5CEBKMA1 - IPU60R1K5 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 8500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R2K0C6

MOSFET N-Ch 650V 2.4A IPAK-3

auf Bestellung 1351 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R2K0C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

auf Bestellung 47296 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1154+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 1154

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R2K0C6AKMA1

MOSFET

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R2K0C6AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R2K0C6AKMA1 - IPU60R2K0 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R2K0C6AKMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R2K0C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R2K0C6BKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R2K0C6BKMA1 - IPU60R2K0 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 216000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R2K0C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R2K0C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251

auf Bestellung 1261 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R2K1CE

Infineon technologies

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R2K1CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R2K1CEAKMA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R2K1CEAKMA1

Description: INFINEON - IPU60R2K1CEAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 369 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R2K1CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 4389 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.08 EUR
10+	0.91 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.41 EUR
1500+	0.37 EUR
10500+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R2K1CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R2K1CEBKMA1 - IPU60R2K1 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 6512 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R2K1CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R2K1CEBKMA1

auf Bestellung 6512 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1888+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 1888

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R3K4CEAKMA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

auf Bestellung 13500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2308+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2308

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R3K4CEAKMA1

MOSFET

auf Bestellung 1475 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R3K4CEAKMA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R3K4CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R3K4CEAKMA1 - IPU60R3K4 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R600C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R600C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R600C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R600C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R600C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3

auf Bestellung 977 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R950C6

MOSFET N-Ch 650V 4.4A IPAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R950C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R950C6AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU60R950C6AKMA1 - IPU60R950 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 117500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R950C6AKMA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

auf Bestellung 1265 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R950C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R950C6BKMA1

MOSFET N-Ch 650V 4.4A IPAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R950C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU60R950C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU64CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 569 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU78CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K0CE

MOSFETs N-Ch 800V 5.7A IPAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K0CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R1K0CEAKMA1 - IPU80R1K0CE 800V COOLMOS N-CHANNEL POWE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-341
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K0CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 28495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

411+	1.35 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 411

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K0CEAKMA1

MOSFETs CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-341
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V

auf Bestellung 124500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

305+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 305

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K0CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

411+	1.35 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 411

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K0CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 37500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

411+	1.35 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 411

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K0CEBKMA1

IPU80R1K0CEBKMA1 THT N channel transistors

auf Bestellung 914 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

85+	0.85 EUR
90+	0.80 EUR
91+	0.79 EUR
94+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 85

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K0CEBKMA1

MOSFETs N-Ch 800V 5.7A IPAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPU80R1K0CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 1410 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

600+	0.92 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 600

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V

auf Bestellung 1410 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

426+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 426

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K0CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R1K0CEBKMA1 - IPU80R1K0 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1410 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K0CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 2475 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

600+	0.92 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 600

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K2P7AKMA1

800V CoolMOS P7 Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K2P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R1K2P7AKMA1 - IPU80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1425 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K2P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K2P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

auf Bestellung 1425 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

612+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 612

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K2P7AKMA1

IPU80R1K2P7 THT N channel transistors

auf Bestellung 435 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

73+	0.99 EUR
100+	0.72 EUR
111+	0.65 EUR
117+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 73

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K2P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K2P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K2P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K4CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K4CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K4CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V

auf Bestellung 18925 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

682+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 682

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K4CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K4CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R1K4CEBKMA1 - IPU80R1K4 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K4P7; 4A; 800V; 1,4R; 32W; N-канальный; Корпус: IPAK; INFINEON

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 1500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K4P7AKMA1

MOSFETs N

auf Bestellung 1371 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.62 EUR
10+	1.34 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.90 EUR
1000+	0.74 EUR
1500+	0.68 EUR
4500+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K4P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R1K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 3477 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K4P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

auf Bestellung 75499 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

692+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 692

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

105+	1.41 EUR
124+	1.16 EUR
145+	0.95 EUR
200+	0.87 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.70 EUR
1500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 105

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K4P7AKMA1

IPU80R1K4P7 THT N channel transistors

auf Bestellung 1204 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

58+	1.25 EUR
122+	0.59 EUR
129+	0.56 EUR
4500+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 58

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R1K4P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R2K0P7

Infineon LOW POWER_NEW

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IPU80R2K0P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R2K0P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPU80R2K0P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V

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IPU80R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

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IPU80R2K0P7AKMA1

IPU80R2K0P7 THT N channel transistors

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IPU80R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

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IPU80R2K0P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

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IPU80R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

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IPU80R2K4P7AKMA1

IPU80R2K4P7 THT N channel transistors

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IPU80R2K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

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IPU80R2K4P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 1157 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.51 EUR
10+	1.32 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.70 EUR
1500+	0.58 EUR
4500+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPU80R2K4P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V

auf Bestellung 1339 Stücke:

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868+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 868

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IPU80R2K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

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IPU80R2K4P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R2K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1234 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPU80R2K4P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V

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IPU80R2K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

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IPU80R2K8CE

MOSFET N-Ch 800V 1.9A IPAK-3

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IPU80R2K8CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R2K8CEAKMA1 - IPU80R2K8 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 14499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPU80R2K8CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

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IPU80R2K8CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V

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IPU80R2K8CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V

auf Bestellung 14499 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

705+	0.70 EUR

Mindestbestellmenge: 705

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IPU80R2K8CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V

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IPU80R2K8CEBKMA1
Produktcode: 105297

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Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 800 V
Idd,A: 1,9 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010

auf Bestellung 1 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPU80R2K8CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

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IPU80R2K8CEBKMA1

MOSFET N-Ch 800V 1.9A IPAK-3

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IPU80R3K3P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

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IPU80R3K3P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

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IPU80R3K3P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.41 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.63 EUR
1500+	0.52 EUR
4500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPU80R3K3P7AKMA1

IPU80R3K3P7 THT N channel transistors

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IPU80R3K3P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R3K3P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R3K3P7AKMA1 - IPU80R3K3 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R4K5P7AKMA1

MOSFETs N

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IPU80R4K5P7AKMA1

IPU80R4K5P7AKMA1 THT N channel transistors

auf Bestellung 1422 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

43+	1.70 EUR
108+	0.67 EUR
114+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 43

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R4K5P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

auf Bestellung 1462 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.90 EUR
75+	0.82 EUR
150+	0.73 EUR
525+	0.60 EUR
1050+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R4K5P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

185+	0.80 EUR
216+	0.66 EUR
228+	0.60 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.49 EUR
1500+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 185

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R4K5P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R4K5P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 525 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R4K5P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R4K5P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R4K5P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R600P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

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IPU80R600P7AKMA1

800V CoolMOS P7 Power Transistor

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IPU80R600P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPU80R600P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

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IPU80R600P7AKMA1

IPU80R600P7 THT N channel transistors

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

7+	10.21 EUR
19+	3.76 EUR
25+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R600P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V

auf Bestellung 1456 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.57 EUR
10+	2.13 EUR
100+	1.70 EUR
500+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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IPU80R750P7

Infineon LOW POWER_NEW

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IPU80R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPU80R750P7AKMA1

IPU80R750P7 THT N channel transistors

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R750P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.50 EUR
10+	2.05 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.35 EUR
1500+	1.10 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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IPU80R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPU80R750P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 1498 Stücke:

Lieferzeit 129-133 Tag (e)

2+	2.48 EUR
10+	2.04 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.32 EUR
1500+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU80R750P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU80R750P7AKMA1 - IPU80R750 - 800V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 64 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPU80R750P7AKMA1

800V CoolMOS P7 Power Transistor

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IPU80R750P7AKMA1-ND

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-341
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

auf Bestellung 1497 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

420+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 420

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IPU80R900P7AKMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 1473 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.15 EUR
10+	1.15 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.92 EUR
1500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPU80R900P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

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IPU80R900P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R900P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1489 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPU80R900P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V

auf Bestellung 1435 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.99 EUR
75+	1.34 EUR
150+	1.20 EUR
525+	1.00 EUR
1050+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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IPU80R900P7AKMA1

P7 Power Transistor

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IPU80R900P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPU80R900P7AKMA1

IPU80R900P7 THT N channel transistors

auf Bestellung 307 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

43+	1.67 EUR
94+	0.77 EUR
99+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 43

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IPU95R1K2P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 1275 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.52 EUR
10+	1.31 EUR
100+	1.11 EUR
500+	1.09 EUR
1500+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPU95R1K2P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	1.80 EUR
95+	1.50 EUR
97+	1.42 EUR
126+	1.05 EUR
500+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 83

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IPU95R1K2P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R1K2P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1698 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPU95R1K2P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPU95R1K2P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

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IPU95R1K2P7AKMA1

IPU95R1K2P7 THT N channel transistors

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IPU95R2K0P7AKMA1

IPU95R2K0P7 THT N channel transistors

auf Bestellung 1221 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	1.43 EUR
96+	0.75 EUR
102+	0.70 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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IPU95R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 1040 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

236+	0.63 EUR
240+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 236

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IPU95R2K0P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V

auf Bestellung 8457 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

487+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 487

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IPU95R2K0P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 610-614 Tag (e)

2+	2.39 EUR
10+	2.15 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.08 EUR
1500+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPU95R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPU95R2K0P7AKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU95R2K0P7AKMA1 - IPU95R2K0P7 950V COOLMOS N-CHANNEL POWE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R2K0P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPU95R3K7P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 1468 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.62 EUR
10+	1.00 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.71 EUR
1500+	0.67 EUR
4500+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPU95R3K7P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R3K7P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1014 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R3K7P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R3K7P7AKMA1

IPU95R3K7P7 THT N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R3K7P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 1255 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

239+	0.62 EUR
250+	0.57 EUR
277+	0.50 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 239

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R3K7P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V

auf Bestellung 797 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.65 EUR
14+	1.35 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R450P7

Infineon LOW POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R450P7AKMA1

IPU95R450P7 THT N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

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IPU95R450P7AKMA1

MOSFETs N

auf Bestellung 2688 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.96 EUR
10+	3.19 EUR
100+	2.34 EUR
500+	1.90 EUR
1000+	1.76 EUR
1500+	1.73 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R450P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R450P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO251-3

auf Bestellung 972 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.09 EUR
10+	5.48 EUR
100+	4.40 EUR
500+	3.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R450P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R450P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1349 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R450P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R450P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.24 EUR
48+	3.01 EUR

Mindestbestellmenge: 35

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R750P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R750P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 73W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 23nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	1.79 EUR
45+	1.62 EUR
57+	1.26 EUR
61+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 40

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R750P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R750P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 2332 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	2.16 EUR
80+	1.79 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 69

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R750P7AKMA1

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

40+	1.79 EUR
45+	1.62 EUR
57+	1.26 EUR
61+	1.19 EUR
750+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 40

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU95R750P7AKMA1

Laird Performance Materials

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 2274 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.35 EUR
10+	3.92 EUR
100+	3.13 EUR
500+	2.57 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPUD3340151M-10

Power Inductors - SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPUH6N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPUH6N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPUSB-180029-01A

Description: CUSTOM IPUSB

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPUSB-180029-02A

Description: CUSTOM IPUSB

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPUSB-2AABHD

Description: ADAPTER USB A RCPT TO USB A RCPT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount, Bulkhead - Front Side Nut
Convert From (Adapter End): USB-A (USB TYPE-A), Receptacle
Convert To (Adapter End): USB-A (USB TYPE-A), Receptacle
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPUSB-2BABHD

Description: ADAPTER USB B RCPT TO USB A RCPT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount, Bulkhead - Front Side Nut
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Part Status: Active

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IPUSB-2JAFL

Description: JACK, PNL USB W 2.0 A/0.5M FL

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IPUSB-2JAFL

Description: JACK, PNL USB W 2.0 A/0.5M FL

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IPUSB-2JAPC

Description: JACK, PNL USB W 2.0 A/PC TAIL
Packaging: Box
Features: Circular Threaded Coupling
Voltage - Rated: 30V
Number of Contacts: 4
Connector Type: USB-A (USB TYPE-A)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 80°C
Specifications: USB 2.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut; Vertical
Mating Cycles: 1000
Part Status: Active
Number of Ports: 1

auf Bestellung 21 Stücke:

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2+	16.88 EUR
10+	13.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPUSB-2JBFL

Description: JACK, PNL USB W 2.0 B/0.5M FL

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IPUSB-2JBPC

Description: CONN RCPT USB2.0 TYPEB 4POS PCB
Features: Circular Threaded Coupling
Packaging: Bulk
Number of Contacts: 4
Connector Type: USB-B (USB TYPE-B)
Gender: Receptacle
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 2.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut
Number of Ports: 1

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IPUSB-2WJAPA-05M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 0.5M

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IPUSB-2WJAPA-1M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 1M

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IPUSB-2WJAPA-1M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 1M

auf Bestellung 151 Stücke:

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IPUSB-2WJAPA-3M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 3M

auf Bestellung 24 Stücke:

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IPUSB-2WJAPA-5M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 5M
Features: Data Transfer and Charge, Industrial Environments - IP67, Panel Mount
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 16.40' (5.00m)
Wire Gauge: 24 AWG, 28 AWG
Shielding: Shielded
Configuration: A Female to A Male (Circular Coupling)
Specifications: USB 2.0
Transfer Rate: 480Mbps

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IPUSB-2WJBPA-05M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 0.5M

auf Bestellung 272 Stücke:

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IPUSB-2WJBPA-05M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 0.5M

auf Bestellung 544 Stücke:

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IPUSB-2WJBPA-1M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 1M

auf Bestellung 754 Stücke:

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IPUSB-2WJBPA-1M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 1M

auf Bestellung 377 Stücke:

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IPUSB-2WJBPA-2M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 2M

auf Bestellung 378 Stücke:

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IPUSB-2WJBPA-2M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 2M

auf Bestellung 189 Stücke:

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IPUSB-2WJBPA-3M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 3M

auf Bestellung 100 Stücke:

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IPUSB-2WPAPB-1M

Description: CA, USB AP W / B STD 1M

auf Bestellung 260 Stücke:

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IPUSB-2WPAPB-1M

Description: CA, USB AP W / B STD 1M

auf Bestellung 520 Stücke:

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IPUSB-2WPAPB-2M

Description: CA, USB AP W / B STD 2M

auf Bestellung 378 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPUSB-2WPAPB-2M

Description: CA, USB AP W / B STD 2M

auf Bestellung 189 Stücke:

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IPUSB-2WPAWPB-1M

Description: CA, USB AP W / BP W 1M

auf Bestellung 550 Stücke:

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IPUSB-2WPAWPB-1M

Description: CA, USB AP W / BP W 1M

auf Bestellung 275 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPUSB-2WPAWPB-2M

Description: CA, USB AP W / BP W 2M

auf Bestellung 380 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPUSB-2WPAWPB-2M

Description: CA, USB AP W / BP W 2M

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPUSB-2WPBPB-1M

Description: CA, USB BP W / B STD 1M

auf Bestellung 247 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPUSB-2WPBPB-1M

Description: CA, USB BP W / B STD 1M

auf Bestellung 494 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPUSB-2WPBPB-2M

Description: CA, USB BP W / B STD 2M

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPUSB-2WPBPB-2M

Description: CA, USB BP W / B STD 2M

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPUSB-2WPBPB-5M

Description: CA, USB BP W / B STD 5M

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPUSB-31JCPC

Description: JACK, PNL USB W 3.1 A/PC TAIL
Packaging: Box
Features: Circular Bayonet Coupling
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut; Vertical
Part Status: Active
Number of Ports: 1

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IPUSB1CS

Description: CBL A PLUG TO MINI B PLUG 4.92'
Packaging: Box
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Mini B Male
Part Status: Active

auf Bestellung 479 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.95 EUR
10+	6.26 EUR
25+	5.64 EUR
100+	5.06 EUR
250+	4.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPUSB1CS-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Mini-B USB USB Cable 1.5M

auf Bestellung 87 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.21 EUR
10+	5.88 EUR
25+	5.44 EUR
100+	5.14 EUR
180+	5.05 EUR

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IPUSB1M5LD-R

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'
Packaging: Box
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Wire Gauge: 24 AWG, 28 AWG
Configuration: A Male to Micro B Male

auf Bestellung 9820 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.86 EUR
10+	10.67 EUR
25+	9.61 EUR
100+	8.65 EUR
250+	7.78 EUR
500+	7.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPUSB1M5LD-RW
Produktcode: 183208

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IPUSB1M5LD-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to MicroB 24AWG Low Drop 1.5 meter

auf Bestellung 683 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.44 EUR
10+	10.54 EUR
25+	10.16 EUR
50+	10.14 EUR
100+	8.91 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPUSB1MS

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'
Packaging: Box
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Micro B Male

auf Bestellung 8237 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.08 EUR
10+	6.62 EUR
25+	6.26 EUR
100+	5.30 EUR
250+	5.04 EUR
500+	4.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPUSB1MS-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro-B USB USB Cable 1.5M

auf Bestellung 125 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.55 EUR

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IPUSB1MSW

Description: USB CABLE A TO MICRO B 1.5M WHT

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IPUSB1MSW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro B USB Cable 1.5m white

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IPUSB1P5

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Micro B Male

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IPUSB1P5-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro B USB Cable 1.5m AWG24 blk

auf Bestellung 185 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.56 EUR
10+	4.98 EUR
25+	4.79 EUR
100+	4.58 EUR

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IPUSB1P5W

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro B USB Cable 1.5m AWG24 wht

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IPUSB1P5W

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Micro B Male

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IPUSBM-2AABHD

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IPUSBM-2ASTB

Description: JACK PNL USB 2.0 A MTL / STB
Features: Circular Threaded Coupling
Packaging: Box
Voltage - Rated: 30V
Number of Contacts: 4
Connector Type: USB-A (USB TYPE-A)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Panel Mount
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 80°C
Specifications: USB 2.0
Termination: Terminal Block
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut; Vertical
Mating Cycles: 1000
Part Status: Active
Number of Ports: 1

auf Bestellung 57 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	36.56 EUR
10+	30.28 EUR
25+	25.85 EUR
50+	23.55 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPUSBM-2JAFL

Description: CBL USB2.0 A RCPT-OPEN W/COUPL

auf Bestellung 245 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPUSBM-2JAPC