Produkte > IPU

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU039N03LAG

auf Bestellung 43200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU039N03LGXK

Description: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

auf Bestellung 283 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU04N03LA

05+

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU04N03LA G

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU04N03LAG

INFINEON

07+ 251

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU050N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU050N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 50A IPAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU060N03L

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU060N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU060N03LG

INFINEON

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU06N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU06N03LA

03+

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU06N03LA G (Transistor)
Produktcode: 47339

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU06N03LAG

MOSFET N-Ch 25V 50A IPAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU06N03LAG

auf Bestellung 54300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU06N03LAGBKMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU06N03LAGXK

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU06N03LANK

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU06N03LBG

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU06N03LZ

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU06N03LZ

07+;

auf Bestellung 76500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU06N03LZG

MOSFET N-Ch 25V 50A IPAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU06N03LZG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2783 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk

auf Bestellung 171000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

650+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 650 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU06N03LZG

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU06N03LZG - IPU06N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR,
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 171000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

625+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 625 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU06N03LZNK

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU075N03L

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU075N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU075N03LAG

auf Bestellung 25300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU07N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU090N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU09N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU09N03LA

Infineon

0339+

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU09N03LA G

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU09N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU09N03LAG

06+

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU09N03LAGBKMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU09N03LANK

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU09N03LB

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU09N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU09N03LBG

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU103N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU103N80N3

Infineon

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU105N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU10N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU10N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU10N03LANK

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU12N03L

03+

auf Bestellung 1451 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU135N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU135N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU135N08N3G

Infineon

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU13N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU13N03LA

03+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU13N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU13N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 30A IPAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU13N03LAG

INFINEON

TO251 06+

auf Bestellung 3800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU13N03LANK

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU20N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU3004

IOR

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R1K4CE

MOSFET N-Ch 500V 3.1A IPAK-3

auf Bestellung 1280 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R1K4CEAKMA1 - IPU50R1K4 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 416723 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1973+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 1973 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole

auf Bestellung 416723 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2049+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2049 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R1K4CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R1K4CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R1K4CEBKMA1

MOSFET N-Ch 500V 3.1A IPAK-3

auf Bestellung 1319 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R1K4CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R1K4CEBKMA1 - IPU50R1K4 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1829 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 1829 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R2K0CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
Packaging: Bulk

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2308+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2308 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R2K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R2K0CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R2K0CEAKMA1 - IPU50R2K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2223+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2223 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R2K0CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R2K0CEBKMA1

MOSFET N-Ch 500V 2.4A IPAK-3

auf Bestellung 1455 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R2K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R2K0CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R2K0CEBKMA1 - IPU50R2K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1075 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 1075 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R3K0CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
Packaging: Bulk

auf Bestellung 250540 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2597+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2597 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R3K0CE

MOSFETs N-Ch 500V 1.7A IPAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R3K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R3K0CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R3K0CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R3K0CEAKMA1 - IPU50R3K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 10500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R3K0CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R3K0CEBKMA1 - IPU50R3K0 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 25539 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R3K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

auf Bestellung 25539 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2597+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2597 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R3K0CEBKMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CE

MOSFET N-Ch 500V 12.8A IPAK-3

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CE

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 123 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
FET Type: N-Channel

auf Bestellung 235740 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1731+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1731 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEAKMA1

auf Bestellung 119025 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1731+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 1731 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEAKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R950CEAKMA1 - IPU50R950 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 27824 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1667+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 1667 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEAKMA2

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R950CEAKMA2 - IPU50R950 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 333240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1667+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 1667 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEAKMA2

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEAKMA2

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

auf Bestellung 5380 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1731+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 1731 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEBKMA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPU50R950CEBKMA1 - IPU50R950 - 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1667+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 1667 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPU50R950CEBTMA1