Produkte > IPU

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU039N03LAG

auf Bestellung 43200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU039N03LGXK

Description: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

auf Bestellung 283 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU04N03LA

05+

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU04N03LA G

Produkt ist nicht verfügbar

IPU04N03LAG

07+ 251

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU050N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU060N03L

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU060N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU060N03LG

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU06N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

IPU06N03LA

03+

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU06N03LA G (Transistor)
Produktcode: 47339

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

Produkt ist nicht verfügbar

IPU06N03LAG

MOSFET N-Ch 25V 50A IPAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU06N03LAG

auf Bestellung 54300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU06N03LAGBKMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPU06N03LAGXK

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU06N03LANK

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPU06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU06N03LBG

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

IPU06N03LZ

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

IPU06N03LZ

07+;

auf Bestellung 76500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU06N03LZG

MOSFET N-Ch 25V 50A IPAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU06N03LZG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2783 pF @ 15 V

auf Bestellung 171000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

649+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 649

IPU06N03LZNK

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPU075N03L

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU075N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU075N03LAG

auf Bestellung 25300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU07N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU090N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU09N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

IPU09N03LA

0339+

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU09N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU09N03LA G

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

IPU09N03LAG

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU09N03LAG

06+

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU09N03LAG

07+;

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU09N03LAGBKMA1

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPU09N03LANK

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPU09N03LB

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU09N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU09N03LBG

auf Bestellung 3200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU103N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU103N80N3

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU105N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU10N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU10N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU10N03LANK

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

IPU12N03L

03+

auf Bestellung 1451 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU135N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU135N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU135N08N3G

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU135N08N3GBKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU13N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

IPU13N03LA

03+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU13N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 30A IPAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU13N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU13N03LAG

TO251 06+

auf Bestellung 3800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU13N03LANK

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPU20N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: P-TO251-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU3004

IOR

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU50R1K4CE

MOSFET N-Ch 500V 3.1A IPAK-3

auf Bestellung 1280 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU50R1K4CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

IPU50R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

auf Bestellung 416723 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2049+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2049

IPU50R1K4CEBKMA1

MOSFET N-Ch 500V 3.1A IPAK-3

auf Bestellung 1319 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPU50R1K4CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU50R1K4CEBKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPU50R1K4CEBKMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPU50R2K0CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
Packaging: Bulk

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2308+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2308

IPU50R2K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU50R2K0CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

IPU50R2K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU50R2K0CEBKMA1

MOSFET N-Ch 500V 2.4A IPAK-3

auf Bestellung 1455 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPU50R3K0CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET CE
Packaging: Bulk

auf Bestellung 250540 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2597+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2597

IPU50R3K0CE

MOSFET N-Ch 500V 1.7A IPAK-3

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPU50R3K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU50R3K0CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

IPU50R3K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

auf Bestellung 25539 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2597+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2597

IPU50R3K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU50R950CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

auf Bestellung 235740 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1731+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 1731

IPU50R950CE

MOSFET N-Ch 500V 12.8A IPAK-3

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPU50R950CE

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPU50R950CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251

Produkt ist nicht verfügbar

IPU50R950CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU50R950CEAKMA1

auf Bestellung 163349 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1731+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 1731

IPU50R950CEAKMA2

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

IPU50R950CEAKMA2

Produkt ist nicht verfügbar

IPU50R950CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU50R950CEBKMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU50R950CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

auf Bestellung 34000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1731+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 1731

IPU50R950CEBTMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-345
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

auf Bestellung 4380 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1731+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 1731

IPU60R1K0CE

Infineon technologies

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU60R1K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V TO-251-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R1K0CEAKMA2

Trans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPU60R1K0CEAKMA2

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R1K0CEAKMA2

Description: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R1K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V TO-251-3

auf Bestellung 485 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU60R1K0CEBKMA1

MOSFET N-Ch 600V 4.3A IPAK-3

auf Bestellung 395 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPU60R1K4C6

MOSFET N-Ch 650V 3.2A IPAK-3

auf Bestellung 1384 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPU60R1K4C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-341
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

auf Bestellung 2370 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1072+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 1072

IPU60R1K4C6AKMA1

Description: PFET, 600V, 1.4OHM, 1-ELEMENT, N

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU60R1K4C6BKMA1

MOSFET N-Ch 650V 3.2A IPAK-3

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPU60R1K4C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3

auf Bestellung 40500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU60R1K4C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R1K5CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V TO-251-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R1K5CEAKMA2

Description: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

auf Bestellung 988 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.51 EUR
75+	1.24 EUR
150+	0.9 EUR
525+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPU60R1K5CEAKMA2

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 2971 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

35+	1.52 EUR
42+	1.25 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.64 EUR
1500+	0.58 EUR
4500+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 35

IPU60R1K5CEBKMA1

MOSFET N-Ch 600V 3.1A IPAK-3

auf Bestellung 1170 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPU60R1K5CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R2K0C6

MOSFET N-Ch 650V 2.4A IPAK-3

auf Bestellung 1351 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPU60R2K0C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

auf Bestellung 47296 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1154+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 1154

IPU60R2K0C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R2K0C6AKMA1

MOSFET

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPU60R2K0C6AKMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R2K0C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251

auf Bestellung 1261 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU60R2K0C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R2K1CE

Infineon technologies

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU60R2K1CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 4389 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

33+	1.6 EUR
39+	1.34 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.6 EUR
1500+	0.54 EUR
10500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 33

IPU60R2K1CEAKMA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R2K1CEAKMA1

Description: INFINEON - IPU60R2K1CEAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1957 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPU60R2K1CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R2K1CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R2K1CEBKMA1

auf Bestellung 6512 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1888+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 1888

IPU60R3K4CEAKMA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

auf Bestellung 13500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2308+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2308

IPU60R3K4CEAKMA1

MOSFET

auf Bestellung 1475 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPU60R3K4CEAKMA1

Description: CONSUMER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R600C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R600C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R600C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R600C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3

auf Bestellung 977 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU60R600C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R950C6

MOSFET N-Ch 650V 4.4A IPAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R950C6AKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R950C6AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R950C6AKMA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

auf Bestellung 1265 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPU60R950C6BKMA1

MOSFET N-Ch 650V 4.4A IPAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R950C6BKMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU60R950C6BKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU64CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 569 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU78CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R1K0CE

MOSFET N-Ch 800V 5.7A IPAK-3

auf Bestellung 1356 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.03 EUR
16+	3.35 EUR
100+	2.68 EUR
250+	2.47 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	1.92 EUR
1500+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPU80R1K0CEAKMA1

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R1K0CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3

auf Bestellung 82500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU80R1K0CEAKMA1

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IPU80R1K0CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R1K0CEBKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 83W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 967 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	0.76 EUR
99+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 95

IPU80R1K0CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V

auf Bestellung 1410 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

520+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 520

IPU80R1K0CEBKMA1

MOSFET N-Ch 800V 5.7A IPAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R1K0CEBKMA1

auf Bestellung 967 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

95+	0.76 EUR
99+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 95

IPU80R1K0CEBKMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R1K2P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

73+	0.99 EUR
81+	0.89 EUR
91+	0.79 EUR
110+	0.65 EUR
117+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 73

IPU80R1K2P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

auf Bestellung 1425 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

597+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 597

IPU80R1K2P7AKMA1

800V CoolMOS P7 Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R1K2P7AKMA1

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	0.99 EUR
81+	0.89 EUR
91+	0.79 EUR
110+	0.65 EUR
117+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 73

IPU80R1K2P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R1K2P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R1K4CEAKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R1K4CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R1K4CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V

auf Bestellung 20500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

831+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 831

IPU80R1K4CEBKMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R1K4P7; 4A; 800V; 1,4R; 32W; N-канальный; Корпус: IPAK; INFINEON

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPU80R1K4P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R1K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm

auf Bestellung 3540 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPU80R1K4P7AKMA1

IPU80R1K4P7 THT N channel transistors

auf Bestellung 1203 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

73+	0.99 EUR
112+	0.64 EUR
122+	0.59 EUR
129+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 73

IPU80R1K4P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 1619 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.2 EUR
19+	2.89 EUR
100+	2.28 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.49 EUR
1500+	1.36 EUR
4500+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPU80R1K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R1K4P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.25 EUR
10+	2.91 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPU80R2K0P7

Infineon LOW POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R2K0P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R2K0P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R2K0P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R2K0P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm

auf Bestellung 102 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPU80R2K0P7AKMA1

IPU80R2K0P7 THT N channel transistors

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	71.5 EUR
18+	3.98 EUR
49+	1.46 EUR
75+	0.96 EUR

IPU80R2K4P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 1314 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.34 EUR
25+	2.09 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.08 EUR
1500+	0.94 EUR
10500+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IPU80R2K4P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R2K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm

auf Bestellung 976 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPU80R2K4P7AKMA1

IPU80R2K4P7 THT N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R2K4P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R2K4P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.5 EUR
13+	2.04 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPU80R2K8CE

MOSFET N-Ch 800V 1.9A IPAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R2K8CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R2K8CEAKMA1

Rochester Electronics, LLC

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R2K8CEAKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3

auf Bestellung 999 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU80R2K8CEBKMA1
Produktcode: 105297

Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 800 V
Idd,A: 1,9 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010

auf Bestellung 2 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPU80R2K8CEBKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R2K8CEBKMA1

MOSFET N-Ch 800V 1.9A IPAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R3K3P7AKMA1

IPU80R3K3P7 THT N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R3K3P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R3K3P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R3K3P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.15 EUR
28+	1.92 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	0.96 EUR
1500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IPU80R3K3P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R3K3P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

801+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 801

IPU80R4K5P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R4K5P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R4K5P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R4K5P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

auf Bestellung 1480 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.85 EUR
75+	1.54 EUR
150+	1.11 EUR
525+	0.93 EUR
1050+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPU80R4K5P7AKMA1

IPU80R4K5P7AKMA1 THT N channel transistors

auf Bestellung 1477 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

43+	1.7 EUR
107+	0.67 EUR
114+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 43

IPU80R4K5P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R4K5P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1418 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPU80R600P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V

auf Bestellung 1476 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.74 EUR
10+	3.1 EUR
100+	2.47 EUR
500+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPU80R600P7AKMA1

IPU80R600P7 THT N channel transistors

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

8+	8.94 EUR
19+	3.76 EUR
25+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPU80R600P7AKMA1

800V CoolMOS P7 Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R600P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R750P7

Infineon LOW POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R750P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 51W; IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 51W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Case: IPAK
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R750P7AKMA1

800V CoolMOS P7 Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R750P7AKMA1

Description: IPU80R750 - 800V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

auf Bestellung 26025 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

420+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 420

IPU80R750P7AKMA1

800V CoolMOS P7 Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R750P7AKMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPU80R750P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 86 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	4.81 EUR
12+	4.34 EUR
100+	2.83 EUR
500+	2.36 EUR
1000+	1.91 EUR
1500+	1.79 EUR
4500+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPU80R750P7AKMA1-ND

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO-251-3-341
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

auf Bestellung 1497 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

420+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 420

IPU80R900P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU80R900P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1489 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPU80R900P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 351 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

61+	1.17 EUR
68+	1.06 EUR
93+	0.77 EUR
99+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 61

IPU80R900P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.2 EUR
20+	2.6 EUR
100+	2.05 EUR
500+	1.73 EUR
1000+	1.41 EUR
1500+	1.33 EUR
4500+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPU80R900P7AKMA1

auf Bestellung 351 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	1.17 EUR
68+	1.06 EUR
93+	0.77 EUR
99+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 61

IPU80R900P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.2 EUR
10+	2.62 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.72 EUR
1500+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPU80R900P7AKMA1

P7 Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

IPU95R1K2P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R1K2P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm

auf Bestellung 1748 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPU95R1K2P7AKMA1

IPU95R1K2P7 THT N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

IPU95R1K2P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 1282 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.87 EUR
16+	3.38 EUR
100+	2.81 EUR
500+	2.38 EUR
1000+	2.1 EUR
1500+	2.06 EUR
4500+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPU95R1K2P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	1.9 EUR
95+	1.59 EUR
97+	1.5 EUR
126+	1.11 EUR
500+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 83

IPU95R1K2P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V

auf Bestellung 1468 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.61 EUR
10+	2.94 EUR
100+	2.29 EUR
500+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPU95R1K2P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU95R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU95R2K0P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPU95R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU95R2K0P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 2.4A; 37W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: IPAK
Mounting: THT
Power dissipation: 37W
Technology: CoolMOS™ P7
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of package: tube
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 950V
On-state resistance: 2Ω
Gate-source voltage: ±20V

auf Bestellung 1271 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	0.97 EUR
100+	0.72 EUR
107+	0.67 EUR
109+	0.66 EUR
114+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 74

IPU95R2K0P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 1040 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

236+	0.66 EUR
240+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 236

IPU95R2K0P7AKMA1

auf Bestellung 1271 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

74+	0.97 EUR
100+	0.72 EUR
107+	0.67 EUR
109+	0.66 EUR
114+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 74

IPU95R2K0P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 614-628 Tag (e)

15+	3.54 EUR
17+	3.17 EUR
100+	2.49 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.6 EUR
1500+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPU95R3K7P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 1255 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

239+	0.66 EUR
250+	0.6 EUR
277+	0.52 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 239

IPU95R3K7P7AKMA1

IPU95R3K7P7 THT N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

IPU95R3K7P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 1468 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.39 EUR
36+	1.47 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	1.04 EUR
1500+	0.99 EUR
4500+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 22

IPU95R3K7P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R3K7P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1154 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPU95R3K7P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V

auf Bestellung 797 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.44 EUR
14+	2 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPU95R3K7P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU95R450P7

Infineon LOW POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

IPU95R450P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 35nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: IPAK

Produkt ist nicht verfügbar

IPU95R450P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R450P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm

auf Bestellung 1358 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPU95R450P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO251-3

auf Bestellung 972 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9 EUR
10+	8.09 EUR
100+	6.5 EUR
500+	5.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPU95R450P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU95R450P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.48 EUR
48+	3.18 EUR

Mindestbestellmenge: 35

IPU95R450P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 222 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.42 EUR
10+	7.59 EUR
100+	6.08 EUR
500+	4.99 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPU95R450P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU95R450P7AKMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPU95R750P7AKMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 2274 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.42 EUR
10+	5.8 EUR
100+	4.63 EUR
500+	3.8 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPU95R750P7AKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK
Mounting: THT
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 73W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 23nC
Technology: CoolMOS™ P7
Case: IPAK
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPU95R750P7AKMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPU95R750P7AKMA1

Description: INFINEON - IPU95R750P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1465 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPU95R750P7AKMA1

Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPU95R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPU95R750P7AKMA1

Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

auf Bestellung 2332 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	2.28 EUR
80+	1.9 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 69

IPUH6N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

Produkt ist nicht verfügbar

IPUH6N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPUSB-180029-01A

Description: CUSTOM IPUSB

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-180029-02A

Description: CUSTOM IPUSB

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2AABHD

Description: ADAPTER USB A RCPT TO USB A RCPT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount, Bulkhead - Front Side Nut
Convert From (Adapter End): USB-A (USB TYPE-A), Receptacle
Convert To (Adapter End): USB-A (USB TYPE-A), Receptacle
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

IPUSB-2BABHD

Description: ADAPTER USB B RCPT TO USB A RCPT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount, Bulkhead - Front Side Nut
Convert From (Adapter End): USB-B (USB TYPE-B), Receptacle
Convert To (Adapter End): USB-A (USB TYPE-A), Receptacle
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

IPUSB-2JAFL

Description: JACK, PNL USB W 2.0 A/0.5M FL

auf Bestellung 436 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2JAFL

Description: JACK, PNL USB W 2.0 A/0.5M FL

auf Bestellung 218 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2JAPC

Description: JACK, PNL USB W 2.0 A/PC TAIL
Packaging: Box
Features: Circular Threaded Coupling
Voltage - Rated: 30V
Number of Contacts: 4
Connector Type: USB-A (USB TYPE-A)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 80°C
Specifications: USB 2.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut; Vertical
Mating Cycles: 1000
Part Status: Active
Number of Ports: 1

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	24.93 EUR
10+	20.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPUSB-2JBFL

Description: JACK, PNL USB W 2.0 B/0.5M FL

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2JBPC

Description: JACK, PNL USB W 2.0 B/PC TAIL
Packaging: Box
Features: Circular Threaded Coupling
Voltage - Rated: 30V
Number of Contacts: 4
Connector Type: USB-B (USB TYPE-B)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 80°C
Specifications: USB 2.0
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut; Vertical
Mating Cycles: 1000
Part Status: Active
Number of Ports: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPUSB-2WJAPA-05M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 0.5M

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WJAPA-1M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 1M

auf Bestellung 302 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WJAPA-1M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 1M

auf Bestellung 151 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WJAPA-3M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 3M

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WJAPA-5M

Description: CA, USB A W PNL / A STD 5M
Features: Data Transfer and Charge, Industrial Environments - IP67, Panel Mount
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 16.40' (5.00m)
Wire Gauge: 24 AWG, 28 AWG
Shielding: Shielded
Configuration: A Female to A Male (Circular Coupling)
Specifications: USB 2.0
Transfer Rate: 480Mbps

Produkt ist nicht verfügbar

IPUSB-2WJBPA-05M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 0.5M

auf Bestellung 544 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WJBPA-05M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 0.5M

auf Bestellung 272 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WJBPA-1M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 1M

auf Bestellung 377 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WJBPA-1M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 1M

auf Bestellung 754 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WJBPA-2M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 2M

auf Bestellung 189 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WJBPA-2M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 2M

auf Bestellung 378 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WJBPA-3M

Description: CA, USB B W PNL / A STD 3M

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WPAPB-1M

Description: CA, USB AP W / B STD 1M

auf Bestellung 260 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WPAPB-1M

Description: CA, USB AP W / B STD 1M

auf Bestellung 520 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WPAPB-2M

Description: CA, USB AP W / B STD 2M

auf Bestellung 189 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WPAPB-2M

Description: CA, USB AP W / B STD 2M

auf Bestellung 378 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WPAWPB-1M

Description: CA, USB AP W / BP W 1M

auf Bestellung 550 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WPAWPB-1M

Description: CA, USB AP W / BP W 1M

auf Bestellung 275 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WPAWPB-2M

Description: CA, USB AP W / BP W 2M

auf Bestellung 380 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WPAWPB-2M

Description: CA, USB AP W / BP W 2M

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WPBPB-1M

Description: CA, USB BP W / B STD 1M

auf Bestellung 494 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WPBPB-1M

Description: CA, USB BP W / B STD 1M

auf Bestellung 247 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WPBPB-2M

Description: CA, USB BP W / B STD 2M

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WPBPB-2M

Description: CA, USB BP W / B STD 2M

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-2WPBPB-5M

Description: CA, USB BP W / B STD 5M

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSB-31JCPC

Description: JACK, PNL USB W 3.1 A/PC TAIL
Packaging: Box
Features: Circular Bayonet Coupling
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut; Vertical
Part Status: Active
Number of Ports: 1

Produkt ist nicht verfügbar

IPUSB1CS

Description: CBL A PLUG TO MINI B PLUG 4.92'
Packaging: Box
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Mini B Male
Part Status: Active

auf Bestellung 760 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.44 EUR
10+	10.3 EUR
25+	9.28 EUR
100+	8.32 EUR
250+	7.49 EUR
500+	6.76 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPUSB1CS-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Mini-B USB USB Cable 1.5M

auf Bestellung 198 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.8 EUR
10+	8.68 EUR
25+	8.03 EUR
100+	7.59 EUR
250+	7.46 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPUSB1M5LD-R

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'

auf Bestellung 7278 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	20.33 EUR
10+	18.29 EUR
25+	16.47 EUR
100+	14.82 EUR
250+	13.33 EUR
500+	13.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPUSB1M5LD-RW
Produktcode: 183208

Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Kabel

Produkt ist nicht verfügbar

IPUSB1M5LD-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to MicroB 24AWG Low Drop 1.5 meter

auf Bestellung 855 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	16.54 EUR
10+	15.24 EUR
25+	14.69 EUR
50+	14.66 EUR
100+	13.23 EUR
250+	12.84 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPUSB1MS

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'
Packaging: Box
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Micro B Male

auf Bestellung 8614 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.02 EUR
10+	10.31 EUR
25+	9.74 EUR
100+	8.24 EUR
250+	7.85 EUR
500+	7.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPUSB1MS-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro-B USB USB Cable 1.5M

auf Bestellung 144 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	11.26 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPUSB1MSW

Description: USB CABLE A TO MICRO B 1.5M WHT

Produkt ist nicht verfügbar

IPUSB1MSW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro B USB Cable 1.5m white

Produkt ist nicht verfügbar

IPUSB1P5

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Micro B Male

Produkt ist nicht verfügbar

IPUSB1P5-RW

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro B USB Cable 1.5m AWG24 blk

auf Bestellung 162 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.22 EUR
10+	7.36 EUR
25+	7.07 EUR
100+	6.76 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPUSB1P5W

Description: CABLE A PLUG TO MCR B PLUG 4.92'
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 4.92' (1.50m)
Configuration: A Male to Micro B Male

Produkt ist nicht verfügbar

IPUSB1P5W

USB Cables / IEEE 1394 Cables USBA to Micro B USB Cable 1.5m AWG24 wht

Produkt ist nicht verfügbar

IPUSBM-2AABHD

Produkt ist nicht verfügbar

IPUSBM-2ASTB

Description: JACK PNL USB 2.0 A MTL / STB
Packaging: Box
Features: Circular Threaded Coupling
Voltage - Rated: 30V
Number of Contacts: 4
Connector Type: USB-A (USB TYPE-A)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 1.5A
Mounting Type: Panel Mount
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 80°C
Specifications: USB 2.0
Termination: Terminal Block
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut; Vertical
Mating Cycles: 1000
Part Status: Active
Number of Ports: 1

auf Bestellung 57 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	54 EUR
10+	44.74 EUR
25+	38.19 EUR
50+	34.79 EUR

IPUSBM-2JAFL

Description: CBL USB2.0 A RCPT-OPEN W/COUPL

auf Bestellung 245 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPUSBM-2JAPC