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IPZ-MH50

Pepperl+Fuchs, Inc.

Description: IDENT RFID (INDUCTIVE)
Packaging: Box

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IPZ-MH50 100PCS

Pepperl+Fuchs, Inc.

Description: IDENT RFID (INDUCTIVE)
Packaging: Box

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IPZ40N04S5-3R1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

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IPZ40N04S5-3R1

Infineon Technologies

IPZ40N04S5-3R1

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

93+	1.56 EUR
100+	1.43 EUR
250+	1.32 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.14 EUR
2500+	1.06 EUR
5000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 93

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IPZ40N04S5-8R4

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 4990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

141+	1.03 EUR
250+	0.95 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.82 EUR
2500+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 141

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IPZ40N04S53R1ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ40N04S53R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0025 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2318 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPZ40N04S53R1ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 4445 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.66 EUR
109+	1.28 EUR
128+	1.05 EUR
200+	0.96 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 88

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IPZ40N04S53R1ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4869 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.52 EUR
12+	1.59 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR
2000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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IPZ40N04S53R1ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 8390 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.61 EUR
10+	1.32 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.69 EUR
5000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPZ40N04S53R1ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPZ40N04S53R1ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S53R9ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S53R9ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

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IPZ40N04S53R9ATMA1

Infineon Technologies

Automotive Power Mosfet

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S53R9ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.04 EUR
14+	1.28 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.6 EUR
2000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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IPZ40N04S55R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

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IPZ40N04S55R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 465000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

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IPZ40N04S55R4ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S55R4ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 14534 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S55R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

114+	1.27 EUR
130+	1.08 EUR
170+	0.79 EUR
200+	0.73 EUR
500+	0.58 EUR
5000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 114

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S55R4ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 12783 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.33 EUR
10+	0.91 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.52 EUR
5000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S55R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S55R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S55R4ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6894 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.36 EUR
18+	0.99 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.54 EUR
2000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1322 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.46 EUR
18+	0.99 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 3849 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.42 EUR
10+	1.03 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.48 EUR
2500+	0.47 EUR
5000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

125+	1.16 EUR
165+	0.85 EUR
191+	0.7 EUR
200+	0.68 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.44 EUR
5000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 125

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L-2R8

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 4976 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

90+	1.62 EUR
100+	1.49 EUR
250+	1.38 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.18 EUR
2500+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 90

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L-2R8

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L-4R8

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 4979 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

111+	1.31 EUR
116+	1.21 EUR
250+	1.12 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.96 EUR
2500+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 111

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L-7R4

Infineon Technologies

IPZ40N04S5L-7R4

auf Bestellung 4927 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

135+	1.08 EUR
250+	1 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.86 EUR
2500+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 135

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L-7R4

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2097 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

147+	0.99 EUR
172+	0.81 EUR
200+	0.74 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 147

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 17394 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.81 EUR
10+	1.41 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.67 EUR
5000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	1.17 EUR
169+	0.83 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 124

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 7231 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 22508 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.32 EUR
12+	1.47 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.7 EUR
2000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 359516 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

609+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 609

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.57 EUR
10000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	1.72 EUR
124+	1.13 EUR
169+	0.8 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 85

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1

INFINEON

auf Bestellung 7231 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 13439 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

609+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 609

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IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

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IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

725+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 725

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IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	1.97 EUR
15+	1.25 EUR
100+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Infineon Technologies

SP005400394

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IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

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IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

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IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZ40N04S5L4R8ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1604 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 13130 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

151+	0.96 EUR
216+	0.65 EUR
250+	0.62 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 151

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IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

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IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 13130 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

106+	1.37 EUR
151+	0.92 EUR
216+	0.62 EUR
250+	0.6 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 106

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IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 12374 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.59 EUR
10+	1.16 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.54 EUR
5000+	0.49 EUR
10000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPZ40N04S5L4R8ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1604 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 358334 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

789+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 789

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4819 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.37 EUR
19+	0.95 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.54 EUR
2000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 7820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

789+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 789

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3784 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

197+	0.74 EUR
208+	0.67 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 197

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 112833 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

923+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 923

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3461 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

361+	0.4 EUR
381+	0.37 EUR
383+	0.35 EUR
406+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 361

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0061 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3630 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.4 EUR
10000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3461 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

383+	0.38 EUR
406+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 383

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 9902 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

261+	0.55 EUR
272+	0.51 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.37 EUR
5000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 261

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

INFINEON

auf Bestellung 3630 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 21416 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

923+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 923

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IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 13332 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

23+	0.79 EUR
27+	0.66 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 23

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 604939 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

923+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 923

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 20609 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.34 EUR
10+	0.97 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.47 EUR
2500+	0.46 EUR
5000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R017C7

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 91 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	14.84 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 147 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	23.09 EUR
25+	17.04 EUR
240+	16.68 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 346 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	20.14 EUR
100+	18.44 EUR

Mindestbestellmenge: 27

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V

auf Bestellung 74 Stücke:

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1+	29.94 EUR
30+	19.31 EUR

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Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ60R017C7XKSA1
Produktcode: 154853

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IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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27+	20.14 EUR
100+	18.44 EUR
500+	16.84 EUR
1000+	15.29 EUR
10000+	13.81 EUR

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IPZ60R017C7XKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 7 Stücke:

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IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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10+	14.84 EUR

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IPZ60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

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IPZ60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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27+	5.38 EUR
28+	4.81 EUR

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IPZ60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

auf Bestellung 938 Stücke:

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53+	9.59 EUR

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IPZ60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFET

auf Bestellung 67 Stücke:

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1+	21.95 EUR
10+	19.85 EUR
100+	16.44 EUR
240+	16.42 EUR

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Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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27+	5.38 EUR
28+	4.81 EUR

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IPZ60R040C7

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

auf Bestellung 698 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.71 EUR
10+	23.63 EUR
100+	19.96 EUR
500+	17.75 EUR

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IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 115 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	8.83 EUR
30+	8.43 EUR

Mindestbestellmenge: 17

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IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 115 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9 EUR
30+	8.59 EUR

Mindestbestellmenge: 17

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IPZ60R040C7XKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1002 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPZ60R040C7XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	16.59 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 137 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	11.34 EUR
50+	10.82 EUR
100+	10.37 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs Y

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.83 EUR
10+	10.52 EUR

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IPZ60R040C7XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	16.59 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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IPZ60R041P6FKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ60R041P6FKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V

auf Bestellung 13435 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

45+	11.03 EUR

Mindestbestellmenge: 45

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IPZ60R041P6FKSA1

Infineon Technologies

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IPZ60R060C7

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPZ60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs Y

auf Bestellung 238 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.68 EUR
10+	12.57 EUR
25+	10.7 EUR
100+	10.67 EUR
240+	9.86 EUR
480+	9.24 EUR
1200+	8.31 EUR

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IPZ60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

auf Bestellung 235 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.88 EUR
10+	10.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPZ60R070P6FKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ60R070P6FKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZ60R070P6FKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 744-748 Tag (e)

1+	16.02 EUR
10+	14.48 EUR
100+	12 EUR

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IPZ60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZ60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZ60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

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IPZ60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 203 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.42 EUR
10+	8.94 EUR
25+	7.04 EUR
100+	6.71 EUR
240+	6.69 EUR
480+	6.49 EUR
1200+	5.63 EUR

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IPZ60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZ60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

auf Bestellung 14461 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

79+	6.22 EUR

Mindestbestellmenge: 79

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IPZ60R099C7XKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 22
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZ60R099P6FKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZ60R099P6FKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.05 EUR
30+	5.75 EUR
120+	4.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R099P6FKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R099P6FKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ60R099P6FKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZ60R125P6FKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZ60R125P6FKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPZ60R125P6FKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

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MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4

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Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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50+	30.86 EUR
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Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

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Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ65R045C7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

auf Bestellung 429 Stücke:

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30+	9.46 EUR
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Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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12+	12.12 EUR
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Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ65R045C7XKSA1

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Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 60 Stücke:

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11+	14.14 EUR
30+	9.71 EUR

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MOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4

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Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 60 Stücke:

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30+	9.52 EUR

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10+	9.15 EUR
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240+	6.86 EUR
480+	6.53 EUR
1200+	6.21 EUR

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MOSFETs HIGH POWER_NEW

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10+	5.83 EUR
100+	5.65 EUR
480+	5.54 EUR

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Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 45 Stücke:

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IPZ65R065C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 235 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	7.91 EUR
50+	7.53 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ65R065C7XKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPZ65R065C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	5.5 EUR

Mindestbestellmenge: 45

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IPZ65R065C7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

auf Bestellung 145 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.52 EUR
30+	8.51 EUR
120+	7.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPZ65R065C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ65R095C7

Infineon Technologies

Description: IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

auf Bestellung 410 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

71+	7.48 EUR

Mindestbestellmenge: 71

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IPZ65R095C7

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 122 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.52 EUR
10+	7.99 EUR
100+	6.46 EUR
480+	5.74 EUR
1200+	4.91 EUR

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IPZ65R095C7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPZ65R095C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ65R095C7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.44 EUR
10+	11.24 EUR
100+	9.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPZA60R016CM8XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	18.88 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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IPZA60R016CM8XKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 238 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R016CM8XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	18.88 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R016CM8XKSA1

Infineon Technologies

Description: IPZA60R016CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V

auf Bestellung 477 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.7 EUR
10+	20 EUR
240+	16.75 EUR

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IPZA60R016CM8XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 123A Tube

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IPZA60R016CM8XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

auf Bestellung 339 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.06 EUR
10+	18.11 EUR
100+	18.09 EUR
240+	15.36 EUR

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IPZA60R024CM8XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

auf Bestellung 212 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.92 EUR
10+	14.01 EUR
100+	11.69 EUR
480+	10.42 EUR
1200+	8.85 EUR

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IPZA60R024P7

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPZA60R024P7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZA60R024P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R024P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

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IPZA60R024P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	29.9 EUR
10+	27.47 EUR
100+	23.21 EUR
480+	20.24 EUR
1200+	20.08 EUR
2640+	19.75 EUR

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IPZA60R024P7XKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZA60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: -
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPZA60R037CM8XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube

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IPZA60R037CM8XKSA1

Infineon Technologies

SiC MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 168 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.69 EUR
10+	9.93 EUR
100+	8.27 EUR
480+	7.3 EUR
1200+	6.56 EUR

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IPZA60R037CM8XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube

auf Bestellung 237 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	12.07 EUR
14+	10.13 EUR
25+	8.89 EUR
50+	8.17 EUR
100+	7.38 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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IPZA60R037CM8XKSA1

Infineon Technologies

Description: IPZA60R037CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V

auf Bestellung 460 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.01 EUR
10+	12 EUR
240+	9.41 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPZA60R037CM8XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 64A Tube

auf Bestellung 237 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	8.61 EUR

Mindestbestellmenge: 17

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IPZA60R037P7

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPZA60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	12.48 EUR
25+	8.23 EUR
100+	7.25 EUR
240+	6.89 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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IPZA60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.56 EUR
30+	9.1 EUR
120+	8.17 EUR

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IPZA60R037P7XKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZA60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 76
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 255
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPZA60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	21.77 EUR
10+	19.62 EUR
100+	16.58 EUR
480+	14.75 EUR
1200+	13.53 EUR
2640+	13.52 EUR

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IPZA60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	12.24 EUR
25+	8.07 EUR
100+	7.11 EUR
240+	6.75 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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IPZA60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	15.48 EUR
11+	13.76 EUR
50+	10.67 EUR
100+	10.22 EUR
200+	9.8 EUR

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IPZA60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R045P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R045P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R045P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 61A Tube

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IPZA60R045P7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V

auf Bestellung 222 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.36 EUR
10+	11.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IPZA60R045P7XKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZA60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 61
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 201
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 201
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPZA60R045P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs Y

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	15.29 EUR
10+	13.09 EUR
25+	12.39 EUR
100+	10.28 EUR
240+	10.26 EUR
480+	9.63 EUR
1200+	8.66 EUR

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IPZA60R055CM8XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.64 EUR
10+	7.39 EUR
100+	5.98 EUR
480+	5.32 EUR
1200+	4.54 EUR

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IPZA60R060P7XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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IPZA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	6.82 EUR
23+	6.16 EUR
27+	5 EUR

Mindestbestellmenge: 22

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IPZA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 386 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.35 EUR
10+	9.5 EUR
25+	4.68 EUR
240+	4.66 EUR

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IPZA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPZA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.53 EUR
21+	6.91 EUR
50+	6.52 EUR
100+	6.26 EUR
200+	5.99 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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IPZA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V

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IPZA60R060P7XKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZA60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPZA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	6.95 EUR
23+	6.28 EUR
27+	5.1 EUR

Mindestbestellmenge: 21

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IPZA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	6.23 EUR

Mindestbestellmenge: 240

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IPZA60R070CM8XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.8 EUR
10+	6.44 EUR
100+	5.21 EUR
240+	5.19 EUR
480+	4.61 EUR
1200+	3.94 EUR
2640+	3.73 EUR

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IPZA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V

auf Bestellung 153 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.36 EUR
30+	4.61 EUR
120+	4.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPZA60R080P7XKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.13 EUR
36+	3.98 EUR
37+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 35

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 174 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.09 EUR
10+	7.08 EUR
25+	4.8 EUR
100+	4.59 EUR
240+	4.58 EUR
480+	4.14 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.13 EUR
36+	3.98 EUR
37+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 35

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R099CM8XKSA1

Infineon Technologies

Description: IPZA60R099CM8XKSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.66 EUR
10+	5.08 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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IPZA60R099CM8XKSA1

Infineon Technologies

Description: IPZA60R099CM8XKSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	4.28 EUR
60+	3.88 EUR
90+	3.67 EUR
150+	3.44 EUR
210+	3.31 EUR

Mindestbestellmenge: 30

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IPZA60R099CM8XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.76 EUR
10+	5.14 EUR
100+	4.08 EUR
480+	3.63 EUR
1200+	3.1 EUR
2640+	2.92 EUR

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IPZA60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 129-133 Tag (e)

1+	9.89 EUR
10+	8.31 EUR
25+	7.9 EUR
100+	6.99 EUR
240+	6.34 EUR
480+	5.97 EUR
1200+	4.8 EUR

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IPZA60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZA60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZA60R099P7XKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 31
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 117
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 117
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPZA60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V

auf Bestellung 235 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.08 EUR
30+	3.65 EUR
120+	3.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

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112+	4.04 EUR

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IPZA60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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1+	9.17 EUR
10+	6.53 EUR
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IPZA60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R120P7XKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 159 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPZA60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

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IPZA60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

auf Bestellung 470 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

161+	2.82 EUR

Mindestbestellmenge: 161

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IPZA60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

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IPZA60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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1+	7.37 EUR
10+	5.61 EUR
100+	4.29 EUR
240+	3.61 EUR

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IPZA60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 9 Stücke:

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IPZA60R180P7XKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 72
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 72
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 137 Stücke:

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IPZA65R018CFD7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	21.95 EUR

Mindestbestellmenge: 240

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IPZA65R018CFD7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 140 Stücke:

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1+	25.48 EUR
25+	15.51 EUR
100+	14.8 EUR

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IPZA65R018CFD7XKSA1

Infineon Technologies

SP005413354

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IPZA65R018CFD7XKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZA65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPZA65R018CFD7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 106A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZA65R018CFD7XKSA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11660 pF @ 400 V

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IPZA65R018CM8XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

auf Bestellung 229 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.6 EUR
10+	16.88 EUR
100+	14.59 EUR
480+	13.82 EUR
1200+	11.74 EUR

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IPZA65R025CM8XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

auf Bestellung 191 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.55 EUR
10+	14.27 EUR
100+	11.9 EUR
480+	10.6 EUR
1200+	9.01 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZA65R029CFD7XKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZA65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 69
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 305
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 305
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS CFD7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPZA65R029CFD7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 268 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.28 EUR
10+	15.36 EUR
25+	10.1 EUR
100+	9.86 EUR
240+	9.84 EUR

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IPZA65R029CFD7XKSA1

Infineon Technologies

Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)