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MOSFET MOSFET_(20V 40V)

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IPZ40N04S5-5R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 48W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPZ40N04S5-5R4

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IPZ40N04S5-8R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 34W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

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IPZ40N04S5-8R4

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IPZ40N04S53R1ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

IPZ40N04S53R1ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

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IPZ40N04S53R1ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 10369 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.86 EUR
23+	2.34 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.19 EUR
5000+	1.13 EUR
10000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPZ40N04S53R1ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 71W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPZ40N04S53R1ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6785 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.83 EUR
12+	2.32 EUR
100+	1.81 EUR
500+	1.53 EUR
1000+	1.25 EUR
2000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPZ40N04S53R1ATMA1

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IPZ40N04S53R1ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

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IPZ40N04S53R9ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8

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IPZ40N04S53R9ATMA1

Automotive Power Mosfet

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IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

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IPZ40N04S55R4ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 14393 Stücke:

Lieferzeit 378-392 Tag (e)

18+	2.91 EUR
20+	2.6 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPZ40N04S55R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6167 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.26 EUR
15+	1.84 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	0.99 EUR
2000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

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IPZ40N04S55R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 4130 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

117+	1.34 EUR
140+	1.08 EUR
143+	1.02 EUR
199+	0.7 EUR
250+	0.66 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.47 EUR
3000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 117

IPZ40N04S58R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9668 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.16 EUR
14+	1.88 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.92 EUR
2000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

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IPZ40N04S58R4ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 26876 Stücke:

Lieferzeit 520-534 Tag (e)

19+	2.83 EUR
21+	2.49 EUR
100+	1.91 EUR
500+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

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IPZ40N04S58R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

IPZ40N04S5L-2R8

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

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IPZ40N04S5L-2R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 71W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

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IPZ40N04S5L-2R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 71W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke

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IPZ40N04S5L-4R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 48W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

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IPZ40N04S5L-4R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 48W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke

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IPZ40N04S5L-7R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 34W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

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IPZ40N04S5L-7R4

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

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IPZ40N04S5L-7R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 34W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 2322 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

117+	1.34 EUR
137+	1.1 EUR
160+	0.91 EUR
200+	0.83 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 117

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	1.12 EUR
10000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm

auf Bestellung 9911 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 22175 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.86 EUR
24+	2.24 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.19 EUR
2500+	1.18 EUR
5000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 33008 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.83 EUR
12+	2.32 EUR
100+	1.81 EUR
500+	1.53 EUR
1000+	1.25 EUR
2000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

auf Bestellung 9911 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8

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IPZ40N04S5L3R6ATMA1

SP005400394

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IPZ40N04S5L4R8ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 28029 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.27 EUR
29+	1.86 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	0.94 EUR
5000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 2687 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

112+	1.41 EUR
127+	1.19 EUR
129+	1.13 EUR
176+	0.8 EUR
250+	0.76 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 112

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15632 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.26 EUR
15+	1.84 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	0.99 EUR
2000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

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IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.89 EUR
10000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

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IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.49 EUR
10000+	0.44 EUR
25000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.77 EUR
10000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0061 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm

auf Bestellung 1780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 56680 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

25+	2.15 EUR
30+	1.77 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.82 EUR
5000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 11150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.16 EUR
14+	1.86 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.92 EUR
2000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

auf Bestellung 1780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPZ60R017C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	34.62 EUR
10+	31.68 EUR
100+	27.54 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPZ60R017C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 69A; 446W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 69A
Power dissipation: 446W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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IPZ60R017C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V

auf Bestellung 243 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	53.43 EUR
30+	44.29 EUR
120+	41.52 EUR

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	34.62 EUR
10+	31.68 EUR
100+	27.54 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPZ60R017C7XKSA1

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IPZ60R017C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ60R017C7XKSA1
Produktcode: 154853

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	33.67 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPZ60R017C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 195 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	50.02 EUR
10+	49.32 EUR
25+	42.35 EUR
50+	42.22 EUR
100+	40.59 EUR
480+	35.91 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPZ60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 171 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	5.02 EUR

Mindestbestellmenge: 32

IPZ60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ60R037P7XKSA1

MOSFET

auf Bestellung 67 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	32.42 EUR
10+	29.33 EUR
100+	24.28 EUR
240+	24.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPZ60R037P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

auf Bestellung 2658 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

53+	14.79 EUR

Mindestbestellmenge: 53

IPZ60R037P7XKSA1

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IPZ60R040C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 287-301 Tag (e)

2+	37.44 EUR
10+	34.11 EUR
100+	28.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPZ60R040C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	18.25 EUR
5+	17.26 EUR
10+	17.12 EUR
30+	16.59 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPZ60R040C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

auf Bestellung 698 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	37.99 EUR
10+	34.91 EUR
100+	29.48 EUR
500+	26.23 EUR

IPZ60R040C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm

auf Bestellung 1145 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	27.09 EUR
8+	21.32 EUR
10+	19.61 EUR
50+	17 EUR
100+	15.15 EUR
200+	14.01 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 137 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	15.7 EUR
11+	14.43 EUR
100+	12.61 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 137 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPZ60R040C7XKSA1

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	18.25 EUR
5+	17.26 EUR
10+	17.12 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 137 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	15.72 EUR
100+	13.74 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPZ60R041P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V

auf Bestellung 14989 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

45+	17.47 EUR

Mindestbestellmenge: 45

IPZ60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPZ60R041P6FKSA1

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IPZ60R060C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

IPZ60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPZ60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPZ60R060C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 238 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	21.68 EUR
10+	18.59 EUR
25+	15.47 EUR
100+	14.48 EUR
240+	14.3 EUR
480+	13.52 EUR
1200+	12.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPZ60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPZ60R060C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

auf Bestellung 235 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	21.53 EUR
10+	18.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPZ60R070P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPZ60R070P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPZ60R070P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 748-762 Tag (e)

3+	23.66 EUR
10+	21.4 EUR
100+	17.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPZ60R099C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPZ60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPZ60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPZ60R099C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 203 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.39 EUR
10+	13.21 EUR
25+	10.4 EUR
100+	9.91 EUR
240+	9.88 EUR
480+	9.59 EUR
1200+	8.32 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPZ60R099C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

auf Bestellung 14461 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

79+	9.2 EUR

Mindestbestellmenge: 79

IPZ60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ60R099C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 22
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPZ60R099P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

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IPZ60R099P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

auf Bestellung 212 Stücke:

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2+	16.04 EUR
10+	13.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPZ60R099P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ60R099P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ60R125P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ60R125P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

auf Bestellung 240 Stücke:

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IPZ60R125P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

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IPZ65R019C7

MOSFET N-Ch 700V 75A TO247-4

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1+	53.61 EUR
10+	47.63 EUR
25+	44.43 EUR
50+	43.06 EUR
100+	41.65 EUR
240+	38.87 EUR
480+	35.75 EUR

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ65R019C7XKSA1
Produktcode: 117276

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPZ65R019C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Power dissipation: 446W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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IPZ65R019C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

auf Bestellung 729 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	53.25 EUR
30+	44.15 EUR
120+	41.39 EUR
510+	35.32 EUR

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ65R019C7XKSA1

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IPZ65R019C7XKSA1

MOSFET N-Ch 700V 75A TO247-4

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	53.61 EUR
10+	52.52 EUR
25+	44.43 EUR
100+	41.65 EUR
240+	41.63 EUR
480+	35.75 EUR

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ65R045C7

MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4

auf Bestellung 429 Stücke:

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2+	28.7 EUR
10+	24.7 EUR
25+	24.41 EUR
240+	21.09 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPZ65R045C7XKSA1

MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4

auf Bestellung 961 Stücke:

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2+	29.69 EUR
10+	26.16 EUR
25+	25.45 EUR
50+	24.02 EUR
100+	22.62 EUR
240+	21.94 EUR
480+	20.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPZ65R045C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247

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IPZ65R045C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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IPZ65R045C7XKSA1

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IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ65R065C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	22.75 EUR
10+	19.5 EUR
25+	17.68 EUR
100+	16.25 EUR
240+	15.29 EUR
480+	14.33 EUR
1200+	12.9 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ65R065C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

3+	19.73 EUR
10+	18.85 EUR
25+	16.25 EUR
100+	15.03 EUR
240+	14.12 EUR
480+	13.05 EUR
1200+	12.9 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPZ65R065C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 33
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 171
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 171
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZ65R065C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

auf Bestellung 235 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	23.48 EUR
10+	20.13 EUR
100+	16.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPZ65R065C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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IPZ65R065C7XKSA1

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IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	838.24 EUR

IPZ65R095C7

Description: IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

auf Bestellung 410 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

71+	11.05 EUR

Mindestbestellmenge: 71

IPZ65R095C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 187 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

4+	15.86 EUR
10+	13.6 EUR
25+	12.32 EUR
100+	11.31 EUR
240+	10.66 EUR
480+	9.98 EUR
1200+	9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPZ65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.49 EUR
22+	7.16 EUR
25+	6.83 EUR
50+	6.5 EUR
100+	6.18 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IPZ65R095C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 128W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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IPZ65R095C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPZ65R095C7XKSA1

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IPZ65R095C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	18.38 EUR
10+	16.61 EUR
100+	13.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPZA60R024P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPZA60R024P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 63A; Idm: 386A; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 386A
Power dissipation: 291W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA60R024P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA60R024P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	44.17 EUR
10+	40.59 EUR
100+	34.29 EUR
480+	29.9 EUR
1200+	29.67 EUR
2640+	29.17 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPZA60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA60R024P7XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA60R024P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: -
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA60R037P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA60R037P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	25.53 EUR
30+	20.65 EUR
120+	19.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA60R037P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA60R037P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 76
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 255
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA60R037P7XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA60R037P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

2+	32.16 EUR
10+	28.99 EUR
100+	24.49 EUR
480+	21.79 EUR
1200+	19.99 EUR
2640+	19.97 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPZA60R045P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 206A; 201W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 206A
Power dissipation: 201W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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IPZA60R045P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 61
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 201
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 201
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPZA60R045P7XKSA1

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IPZA60R045P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

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10+	24.65 EUR
100+	20.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPZA60R045P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V

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IPZA60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A Tube

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IPZA60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A Tube

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IPZA60R060P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V

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IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R060P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

auf Bestellung 25 Stücke:

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7+	11.01 EUR
10+	7.51 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPZA60R060P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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IPZA60R060P7XKSA1

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MOSFET HIGH POWER_NEW

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10+	18.2 EUR
25+	16.43 EUR
100+	13.7 EUR
480+	10.09 EUR
1200+	9.67 EUR

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IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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16+	9.97 EUR
17+	8.9 EUR
100+	5.82 EUR

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IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R080P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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240+	7.67 EUR

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IPZA60R080P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 37
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 129
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 129
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.069
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 95 Stücke:

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IPZA60R080P7XKSA1

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IPZA60R080P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

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10+	16.93 EUR
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IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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16+	9.97 EUR
17+	8.9 EUR
100+	5.82 EUR

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IPZA60R080P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	19.81 EUR
10+	17.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPZA60R099P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPZA60R099P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 133-147 Tag (e)

4+	14.61 EUR
10+	12.27 EUR
25+	11.67 EUR
100+	10.32 EUR
240+	9.36 EUR
480+	8.81 EUR
1200+	7.1 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPZA60R099P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2+	14.51 EUR
10+	12.18 EUR
240+	9.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPZA60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R099P7XKSA1

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IPZA60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA60R099P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 31
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 117
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 117
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPZA60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R120P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

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IPZA60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA60R120P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 159 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPZA60R120P7XKSA1

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IPZA60R120P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	12.61 EUR
10+	11.52 EUR
25+	9.85 EUR
100+	8.61 EUR
240+	8.11 EUR
480+	6.53 EUR
1200+	6.16 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPZA60R120P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

auf Bestellung 38 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	12.56 EUR
30+	9.94 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPZA60R180P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 72
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 72
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 137 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPZA60R180P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

auf Bestellung 221 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

132+	5.47 EUR

Mindestbestellmenge: 132

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA60R180P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA60R180P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 198 Stücke:

Lieferzeit 133-147 Tag (e)

6+	10.19 EUR
10+	8.68 EUR
25+	7.93 EUR
100+	7.62 EUR
240+	6.06 EUR
480+	5.77 EUR
1200+	5.43 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPZA60R180P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA60R180P7XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA65R018CFD7XKSA1

SP005413354

Produkt ist nicht verfügbar

IPZA65R018CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm

auf Bestellung 136 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPZA65R018CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11660 pF @ 400 V

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IPZA65R018CFD7XKSA1

N Channel Power Mosfet

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MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPZA65R029CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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IPZA65R029CFD7XKSA1

SP005413356

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IPZA65R029CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 69
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 305
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 305
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS CFD7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IPZA65R029CFD7XKSA1

Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V

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Trans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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