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Beschreibung

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Privatkunde

IPZ-MH50

Pepperl+Fuchs, Inc.

Description: IDENT RFID (INDUCTIVE)
Packaging: Box

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ-MH50 100PCS

Pepperl+Fuchs, Inc.

Description: IDENT RFID (INDUCTIVE)
Packaging: Box

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5-3R1

Infineon Technologies

IPZ40N04S5-3R1

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

93+	1.87 EUR
100+	1.76 EUR
250+	1.65 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.49 EUR
2500+	1.42 EUR
5000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 93 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5-3R1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5-8R4

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 4990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

141+	1.24 EUR
250+	1.18 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	1.05 EUR
2500+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 141 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S53R1ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S53R1ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 4445 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	2 EUR
109+	1.57 EUR
128+	1.32 EUR
200+	1.23 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 88 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S53R1ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9256 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.7 EUR
13+	1.71 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.82 EUR
2000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S53R1ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 14402 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.76 EUR
10+	1.75 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.81 EUR
2500+	0.77 EUR
5000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S53R1ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ40N04S53R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0025 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2318 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	3.15 EUR
109+	2.13 EUR
145+	1.49 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 80 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S53R9ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S53R9ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S53R9ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.39 EUR
14+	1.51 EUR
100+	1 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.71 EUR
2000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S55R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 465000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S55R4ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4974 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.59 EUR
13+	1.63 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.77 EUR
2000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S55R4ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 14424 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

130+	1.93 EUR
195+	1.19 EUR
252+	0.84 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.58 EUR
5000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 130 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S55R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

114+	1.54 EUR
130+	1.32 EUR
170+	0.99 EUR
200+	0.93 EUR
500+	0.75 EUR
5000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 114 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S55R4ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S55R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S55R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S55R4ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 12739 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.28 EUR
10+	1.44 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.62 EUR
5000+	0.54 EUR
10000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S55R4ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 14424 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

130+	1.93 EUR
195+	1.19 EUR
252+	0.84 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.58 EUR
5000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 130 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2872 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.31 EUR
15+	1.45 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR
2000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

125+	1.39 EUR
165+	1.05 EUR
191+	0.88 EUR
200+	0.86 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.58 EUR
5000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 125 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 8222 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.87 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.55 EUR
5000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L-2R8

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L-2R8

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 4976 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

90+	1.94 EUR
100+	1.83 EUR
250+	1.71 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.55 EUR
2500+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L-4R8

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 4979 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

111+	1.58 EUR
116+	1.49 EUR
250+	1.39 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.25 EUR
2500+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 111 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L-4R8

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L-7R4

Infineon Technologies

IPZ40N04S5L-7R4

auf Bestellung 4927 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

135+	1.3 EUR
250+	1.23 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.09 EUR
2500+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 135 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L-7R4

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 359516 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

609+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 609 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm

auf Bestellung 3551 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.3 EUR
110+	2.12 EUR
250+	1.43 EUR
1000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15553 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.7 EUR
13+	1.71 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.82 EUR
2000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	2.07 EUR
124+	1.36 EUR
169+	0.96 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 85 Stücke

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm

auf Bestellung 3551 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	3.3 EUR
110+	2.12 EUR
250+	1.43 EUR
1000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 76 Stücke

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 13439 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

609+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 609 Stücke

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2097 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

147+	1.19 EUR
172+	1 EUR
200+	0.93 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 147 Stücke

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.65 EUR
10000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 7455 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.45 EUR
10+	1.63 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.81 EUR
2500+	0.8 EUR
5000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	1.4 EUR
169+	1.02 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 124 Stücke

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IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

725+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 725 Stücke

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IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 87A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.42 EUR
10+	2.09 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.93 EUR
2500+	0.84 EUR
5000+	0.75 EUR

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IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2283 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

150+	1.17 EUR
179+	0.94 EUR
181+	0.89 EUR
238+	0.65 EUR
250+	0.62 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 150 Stücke

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IPZ40N04S5L4R8ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

auf Bestellung 2145 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.65 EUR
114+	2.05 EUR
167+	1.29 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3034 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	2.18 EUR
116+	1.45 EUR
167+	0.98 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.64 EUR
2000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 80 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2283 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

179+	0.98 EUR
181+	0.95 EUR
238+	0.7 EUR
250+	0.68 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 179 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L4R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

auf Bestellung 2145 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	3.65 EUR
114+	2.05 EUR
167+	1.29 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 69 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3034 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	2.18 EUR
116+	1.49 EUR
167+	1.01 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.7 EUR
2000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 80 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3461 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

383+	0.45 EUR
406+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 383 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 9902 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

261+	0.67 EUR
272+	0.63 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.48 EUR
5000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 261 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 21416 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

923+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 923 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm

auf Bestellung 3877 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.3 EUR
131+	1.78 EUR
194+	1.11 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 604939 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

923+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 923 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 12241 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.92 EUR
10+	0.77 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.54 EUR
5000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 112833 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

923+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 923 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3461 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

361+	0.49 EUR
381+	0.44 EUR
383+	0.42 EUR
406+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 361 Stücke

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IPZ40N04S5L7R4ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6100 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm

auf Bestellung 3877 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	3.3 EUR
131+	1.78 EUR
194+	1.11 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 76 Stücke

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IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4647 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.39 EUR
14+	1.5 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.7 EUR
2000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

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IPZ60R017C7

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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Mindestbestellmenge: 240 Stücke

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IPZ60R017C7XKSA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPZ60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	77.27 EUR
5+	68.96 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 248 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	23.66 EUR
50+	23.15 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 14614 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	24.24 EUR
100+	22.69 EUR
500+	21.05 EUR
1000+	19.43 EUR
10000+	18 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

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IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube

auf Bestellung 74 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	35.63 EUR
30+	22.98 EUR

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IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 91 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	17.86 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IPZ60R017C7XKSA1
Produktcode: 154853

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IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 91 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	17.86 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 147 Stücke:

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1+	27.48 EUR
25+	20.28 EUR
240+	19.85 EUR

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IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 346 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	24.24 EUR
100+	22.69 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

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IPZ60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	6.49 EUR
28+	5.8 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

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IPZ60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPZ60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFET

auf Bestellung 67 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	26.12 EUR
10+	23.62 EUR
100+	19.56 EUR
240+	19.54 EUR

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IPZ60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	6.49 EUR
28+	6.01 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

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IPZ60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA

auf Bestellung 938 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

53+	11.41 EUR

Mindestbestellmenge: 53 Stücke

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IPZ60R040C7

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 115 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	10.84 EUR
30+	10.57 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 240 Stücke

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IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

auf Bestellung 698 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	30.59 EUR
10+	28.12 EUR
100+	23.75 EUR
500+	21.12 EUR

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IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	13.95 EUR
50+	13.52 EUR
100+	13.19 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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IPZ60R040C7XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	19.74 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPZ60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs Y

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.46 EUR
10+	12.52 EUR

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