Produkte > RQ3
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| RQ300 | OccuNomix | Description: OCCUNOMIX CLASSIC REGULAR LENGTH Packaging: Box Color: Green Material: 100% Quilted Nylon Shell Type: Head Liner Size: One Size Part Status: Active Package Quantity: 6 | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3C150BCTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -20V -30A Si MOSFET | auf Bestellung 5395 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3C150BCTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V | auf Bestellung 8825 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3C150BCTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3C150BCTB SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3C150BCTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E070BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E070BNTB | ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 10820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E070BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V | auf Bestellung 7341 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E070BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3E070BNTB SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E070BNTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET MOSFET | auf Bestellung 5979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E075ATTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3E075ATTB SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E075ATTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V | auf Bestellung 2478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E075ATTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -30V -18A Si MOSFET | auf Bestellung 898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E075ATTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E080BN | ROHM Semiconductor | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E080BNTB | ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 14503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E080BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3E080BNTB SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V | auf Bestellung 41389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E080BNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 14W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R | auf Bestellung 5578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ3E080BNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 14W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 14W Bauform - Transistor: HSMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E080GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E080GNTB | ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E080GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3E080GNTB SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E080GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V | auf Bestellung 1871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E100ATTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V | auf Bestellung 3541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E100ATTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -10.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) | auf Bestellung 2334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E100ATTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E100BN | ROHM Semiconductor | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ3E100BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3E100BNTB SMD N channel transistors | auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E100BNTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 105414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E100BNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E100BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0077 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | auf Bestellung 78956 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E100BNTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET MOSFET | auf Bestellung 3333 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E100BNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | auf Bestellung 3340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E100BNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E100GNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, Oberflächenmontage Verlustleistung: 15 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ3E100GNTB | ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E100GNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 21 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 15 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 15 Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E100MNTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 2532 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | auf Bestellung 5261 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E110AJTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E110AJTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | auf Bestellung 13368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E110AJTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs RQ3E110AJ is low on-resistance and Small Surface Mount Package MOSFET for switching application. | auf Bestellung 2949 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E110AJTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3E110AJTB SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V | auf Bestellung 9999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E120ATTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R | auf Bestellung 2407 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSMT8 P CHAN 30V | auf Bestellung 24797 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E120ATTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3E120ATTB SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R | auf Bestellung 15780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E120ATTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R | auf Bestellung 23995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ3E120BNTB | ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 1831 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E120BNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E120BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0066 ohm, HSMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E120GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; Idm: 48A; 15W; HSMT8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 27A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 15W Case: HSMT8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2761 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| RQ3E120GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V | auf Bestellung 11774 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E120GNTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 34972 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E120GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E120GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; Idm: 48A; 15W; HSMT8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 27A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 15W Case: HSMT8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ3E130BNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 16W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 16W Bauform - Transistor: HSMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E130BNTB | ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 2976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E130BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3E130BNTB SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E130BNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 16W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E130MNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT | auf Bestellung 2969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E130MNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E130MNTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 1499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E150BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E150BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3E150BNTB SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E150BNTB | ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 956 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E150BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E150GNTB | ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 599 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E150GNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E150GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0047 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 17W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E150GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E150GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3E150GNTB SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E150GNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E150GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0047 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 17W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E150GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V | auf Bestellung 19165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E150MNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT | auf Bestellung 2355 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E150MNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E150MNTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E160ADTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E160ADTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0035 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E160ADTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 16.0A(Id), (4.5V Drive) | auf Bestellung 5669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E160ADTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E160ADTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3E160ADTB SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E160ADTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E160ADTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0035 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E160ADTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E160ADTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E160ADTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSMT8 N CHAN 30V | auf Bestellung 6988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E160ADTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E180AJTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3E180AJTB SMD N channel transistors | auf Bestellung 1258 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| RQ3E180AJTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V | auf Bestellung 13613 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 18.0A(Id), (2.5V Drive) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E180AJTB | ROHM - Japan | MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 8-PowerVDFN RQ3E180AJTB TRQ3e180ajtb Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| RQ3E180AJTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E180AJTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R | auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ3E180AJTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET: Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E180AJTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E180AJTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ3E180AJTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET: Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V | auf Bestellung 895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E180AJTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSMT8 N-CH 30V 18A | auf Bestellung 2378 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E180BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E180BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 72A; 20W; HSMT8 Mounting: SMD Case: HSMT8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 72nC On-state resistance: 5.2Ω Power dissipation: 20W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Pulsed drain current: 72A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E180BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V | auf Bestellung 5051 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E180BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 72A; 20W; HSMT8 Mounting: SMD Case: HSMT8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 72nC On-state resistance: 5.2Ω Power dissipation: 20W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Pulsed drain current: 72A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E180BNTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 2429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E180BNTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSMT8 N CHAN 30V | auf Bestellung 5885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E180BNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET: Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V | auf Bestellung 2820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E180BNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET: Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E180GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V | auf Bestellung 1590 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 2994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3E180GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3E180GNTB SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3E180GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3G100GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V | auf Bestellung 92818 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3G100GNTB | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 40V 10A Power MOSFET | auf Bestellung 18354 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3G100GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3G100GNTB SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3G100GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V | auf Bestellung 92350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3G100GNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3G100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4592 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3G110ATTB | Rohm Semiconductor | Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3G110ATTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0098 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 5537 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3G110ATTB | Rohm Semiconductor | Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V | auf Bestellung 7975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3G110ATTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0098 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: HSMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 5537 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3G110ATTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSMT8 P-CH 40V 35A | auf Bestellung 4031 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3G120BJFRATCB | Rohm Semiconductor | Description: PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3G120BJFRATCB | Rohm Semiconductor | Description: PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3G120BJFRATCB | ROHM | Description: ROHM - RQ3G120BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.048 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3G120BJFRATCB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive | auf Bestellung 2997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3G120BKFRATCB | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSMT8 N CHAN 40V | auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3G150GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3G150GNTB SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3G150GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT | auf Bestellung 1402 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3G150GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3G150GNTB | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 40V 30Aw Si MOSFET | auf Bestellung 3905 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3G270BJFRATCB | ROHM | Description: ROHM - RQ3G270BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 27 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3G270BJFRATCB | ROHM | Description: ROHM - RQ3G270BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 27 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3G270BKFRATCB | ROHM | Description: ROHM - RQ3G270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27 A, 0.0096 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3G270BKFRATCB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Automotive Nch 40V 27A Power MOSFET for ADAS/Info./Lighting/Body. | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3L050GNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3L050GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 14.8W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3L050GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3L050GNTB SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3L050GNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3L050GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 14.8W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3L050GNTB | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3L060BGTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSMT8 N CHAN 60V | auf Bestellung 2762 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3L070ATTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3L070ATTB | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -60V -25A, HSMT8, Power MOSFET | auf Bestellung 10467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3L070ATTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3L070ATTB SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3L070ATTB | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V | auf Bestellung 3517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3L070ATTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: HSMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3L070ATTB | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3L070BGTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET NCH 60V 20A, HSMT8G | auf Bestellung 5770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3L090GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3L090GNTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V 30A Middle Power MOSFET | auf Bestellung 5150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3L090GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V | auf Bestellung 17670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3L090GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3L090GNTB SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3L120BJFRATCB | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -12A, HSMT8AG, POWER MO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3L120BJFRATCB | ROHM | Description: ROHM - RQ3L120BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.106 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3L120BJFRATCB | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -12A, HSMT8AG, POWER MO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3L120BJFRATCB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive | auf Bestellung 2795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3L120BKFRATCB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3L120BKFRATCB | ROHM | Description: ROHM - RQ3L120BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3L270BJFRATCB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -60V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3L270BKFRATCB | ROHM | Description: ROHM - RQ3L270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.0146 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3L270BKFRATCB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive | auf Bestellung 3461 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3L270BLFRATCB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3L270BLFRATCB | ROHM | Description: ROHM - RQ3L270BLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.0147 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3N040ATTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSMT8 P CHAN 80V | auf Bestellung 2320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3N060ATTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSMT P CHAN 80V | auf Bestellung 2996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3P045ATTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET RQ3P045AT is a low on-resistance MOSFET suitable for switching and load switches. | auf Bestellung 2619 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3P045ATTB1 | ROHM | Description: ROHM - RQ3P045ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14.5 A, 0.067 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3P045ATTB1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 14.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3P045ATTB1 | ROHM | Description: ROHM - RQ3P045ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14.5 A, 0.067 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3P045ATTB1 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 14.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 50 V | auf Bestellung 2247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3P120BKFRATCB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 100V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3P270BKFRATCB | Rohm Semiconductor | Description: NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3P270BKFRATCB | ROHM | Description: ROHM - RQ3P270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.027 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3P270BKFRATCB | Rohm Semiconductor | Description: NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3P270BKFRATCB | ROHM | Description: ROHM - RQ3P270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.027 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3P300BETB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3P300BETB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3P300BHTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 100V 39A, HSMT8, Power MOSFET. | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3P300BHTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ3P300BHTB1 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RQ3P300BHTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V | auf Bestellung 14405 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ3P300BHTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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