Produkte > RQ3

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V

auf Bestellung 2150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.31 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3C150BCTB

MOSFETs Pch -20V -30A Si MOSFET

auf Bestellung 3175 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.33 EUR
10+	2.12 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.02 EUR
3000+	0.9 EUR
6000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3C150BCTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E070BNTB

MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 3523 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.15 EUR
10+	0.71 EUR
100+	0.46 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.26 EUR
6000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E070BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E070BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V

auf Bestellung 7341 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.88 EUR
31+	0.69 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

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RQ3E070BNTB1

MOSFET MOSFET

auf Bestellung 5979 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.75 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.21 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.86 EUR
3000+	0.73 EUR
9000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E075ATTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E075ATTB

MOSFETs Pch -30V -18A Si MOSFET

auf Bestellung 898 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.65 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.21 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.98 EUR
3000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E075ATTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V

auf Bestellung 1007 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.42 EUR
10+	2.17 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E080BN

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E080BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

438+	0.42 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 438 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E080BNTB

Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0152 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm

auf Bestellung 1809 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

118+	2.12 EUR
244+	0.95 EUR
345+	0.62 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 118 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E080BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

auf Bestellung 8823 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.24 EUR
28+	0.76 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E080BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 14503 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.98 EUR
10+	0.7 EUR
100+	0.4 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.25 EUR
9000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E080BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R

auf Bestellung 5578 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

488+	0.36 EUR
491+	0.35 EUR
561+	0.3 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 488 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E080BNTB

Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0152 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 14W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm

auf Bestellung 1809 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

118+	2.12 EUR
244+	0.95 EUR
345+	0.62 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 118 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E080BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.29 EUR
6000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E080GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V

auf Bestellung 1871 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.26 EUR
28+	0.77 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E080GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 423 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	1.02 EUR
10+	0.82 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E080GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E100ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

auf Bestellung 6447 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.62 EUR
16+	1.31 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E100ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.62 EUR
6000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E100ATTB

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -10.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

auf Bestellung 2334 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.58 EUR
10+	1.29 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.7 EUR
3000+	0.61 EUR
6000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E100BN

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E100BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

464+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 464 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E100BNTB

Description: ROHM - RQ3E100BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0077 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E100BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E100BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

auf Bestellung 4619 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.3 EUR
27+	0.8 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E100BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

415+	0.42 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.38 EUR
2500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 415 Stücke

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RQ3E100BNTB

MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 105414 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	1.01 EUR
10+	0.65 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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RQ3E100BNTB1

Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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RQ3E100BNTB1

MOSFET MOSFET

auf Bestellung 3333 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.23 EUR
10+	2 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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RQ3E100BNTB1

Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 3340 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.43 EUR
13+	1.71 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

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RQ3E100GNTB

Description: ROHM - RQ3E100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 15
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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RQ3E100GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 199 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.96 EUR
10+	0.83 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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RQ3E100GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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RQ3E100GNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

511+	0.35 EUR
530+	0.32 EUR
1000+	0.31 EUR
2500+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 511 Stücke

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RQ3E100GNTB

Description: ROHM - RQ3E100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 21
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

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RQ3E100GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT

Produkt ist nicht verfügbar

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RQ3E100MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

auf Bestellung 5261 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.2 EUR
11+	1.96 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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RQ3E100MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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RQ3E100MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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RQ3E100MNTB1

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 10.0A(Id), (4.5V Drive)

auf Bestellung 2482 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.22 EUR
10+	2.05 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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RQ3E110AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.48 EUR
6000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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RQ3E110AJTB

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 11.0A(Id), (2.5V Drive)

auf Bestellung 4782 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.23 EUR
10+	1.38 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E110AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

auf Bestellung 13368 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.4 EUR
18+	1.23 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

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RQ3E120ATTB

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39A; Idm: -48A; 20W; HSMT8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -39A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 11.3mΩ
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: HSMT8
Type of transistor: P-MOSFET

auf Bestellung 2941 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	1.5 EUR
92+	0.93 EUR
138+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E120ATTB

Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R

auf Bestellung 15780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

165+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 165 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E120ATTB

Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm

auf Bestellung 1749 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	2.82 EUR
151+	1.54 EUR
230+	0.93 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 89 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E120ATTB

Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R

auf Bestellung 23995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

220+	0.8 EUR
250+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 220 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E120ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

auf Bestellung 1356 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.2 EUR
16+	1.37 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E120ATTB

Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R

auf Bestellung 2407 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

125+	1.8 EUR
200+	1.15 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 125 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E120ATTB

Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm

auf Bestellung 1749 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.82 EUR
151+	1.54 EUR
230+	0.93 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E120ATTB

MOSFETs HSMT8 P-CH 30V 39A

auf Bestellung 14077 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.23 EUR
10+	1.39 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.56 EUR
6000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E120ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E120BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E120BNTB

Description: ROHM - RQ3E120BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0066 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E120BNTB

MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 4746 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.73 EUR
10+	1.07 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.49 EUR
3000+	0.45 EUR
6000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E120BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E120GNTB

MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 34972 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.94 EUR
10+	0.75 EUR
100+	0.51 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.39 EUR
3000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E120GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V

auf Bestellung 9679 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.51 EUR
23+	0.94 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E120GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.36 EUR
6000+	0.32 EUR
9000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E130BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2950 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E130BNTB

Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 16W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E130BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 2976 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	1.09 EUR
10+	0.86 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.35 EUR
9000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E130BNTB

auf Bestellung 2950 Stücke:

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13+	1.7 EUR
20+	1.05 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E130BNTB

Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 16W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 16W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E130MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E130MNTB1

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 1499 Stücke:

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2+	2.62 EUR
10+	2.34 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.51 EUR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E130MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E150BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

auf Bestellung 26 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E150BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 956 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E150BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E150GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V

auf Bestellung 19165 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	1.15 EUR
22+	0.98 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E150GNTB

Description: ROHM - RQ3E150GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0047 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

258+	0.96 EUR
394+	0.6 EUR
607+	0.36 EUR
1000+	0.35 EUR

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RQ3E150GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

auf Bestellung 599 Stücke:

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4+	1.07 EUR
10+	0.86 EUR
100+	0.54 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E150GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.38 EUR
6000+	0.37 EUR
9000+	0.35 EUR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E150GNTB

auf Bestellung 1000 Stücke:

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258+	0.96 EUR
394+	0.6 EUR
607+	0.36 EUR
1000+	0.35 EUR

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RQ3E150MNTB1

MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E150MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E150MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E160ADTB

Description: ROHM - RQ3E160ADTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 3500 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm

auf Bestellung 1472 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	4.55 EUR
114+	2.03 EUR
162+	1.32 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E160ADTB

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E160ADTB

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 16.0A(Id), (4.5V Drive)

auf Bestellung 5669 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.83 EUR
10+	1.07 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.6 EUR
3000+	0.52 EUR
6000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E160ADTB

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E160ADTB

Description: ROHM - RQ3E160ADTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 3500 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm

auf Bestellung 1472 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.55 EUR
114+	2.03 EUR
162+	1.32 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E160ADTB1

Description: NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E160ADTB1

MOSFETs HSMT8 N-CH 30V 16A

auf Bestellung 6985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.27 EUR
10+	2.7 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.32 EUR
3000+	1.19 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E160ADTB1

Description: NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.5 EUR
10+	2.49 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E180AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

auf Bestellung 10637 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.33 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E180AJTB

ROHM - Japan

MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 8-PowerVDFN RQ3E180AJTB TRQ3e180ajtb
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E180AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.89 EUR
6000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E180AJTB

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R

auf Bestellung 2895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

141+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 141 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E180AJTB

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 18.0A(Id), (2.5V Drive)

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.27 EUR
10+	2.07 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1 EUR
3000+	0.88 EUR
6000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E180AJTB1

Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

auf Bestellung 815 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.19 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E180AJTB1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	2.78 EUR
100+	1.92 EUR
200+	1.59 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 80 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E180AJTB1

Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RQ3E180AJTB1