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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
FDMS7680	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 80A; 33W; Power56 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 28A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: Power56 On-state resistance: 10.1mΩ Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 33W Gate charge: 28nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FDMS7650	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 169A; Idm: 1210A; 104W; Power56 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 169A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: Power56 On-state resistance: 1.7mΩ Pulsed drain current: 1210A Power dissipation: 104W Gate charge: 209nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FDMS7692	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 50A; 27W; Power56 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 28A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: Power56 On-state resistance: 13mΩ Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 27W Gate charge: 22nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FDMS7678	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 26A; Idm: 70A; 41W; Power56 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 26A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: Power56 On-state resistance: 7.4mΩ Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 41W Gate charge: 39nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FDMS7682	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 80A; 33W; Power56 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 22A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: Power56 On-state resistance: 10.4mΩ Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 33W Gate charge: 30nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FDMS7620S	ONSEMI	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 13/22A; 2.2/2.5W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 13/22A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30/30V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±20/±20V Kind of package: reel; tape Case: Power56 On-state resistance: 30/15.1mΩ Power dissipation: 2.2/2.5W Gate charge: 11/23nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FDMS7660	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 78W; Power56 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 42A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: Power56 On-state resistance: 3.7mΩ Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 78W Gate charge: 84nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FDMS7692A	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 50A; 27W; PQFN8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 28A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: PQFN8 On-state resistance: 12mΩ Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 27W Gate charge: 22nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FDMS7698	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 50A; 29W; Power56 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 22A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: Power56 On-state resistance: 15mΩ Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 29W Gate charge: 24nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MC14012BDR2G	ONSEMI	Category: Gates, inverters Description: IC: digital; NAND; Ch: 2; IN: 4; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C Type of integrated circuit: digital Kind of gate: NAND Number of channels: dual; 2 Number of inputs: 4 Technology: CMOS Mounting: SMD Case: SO14 Supply voltage: 3...18V DC Operating temperature: -55...125°C Family: HEF4000B Kind of package: reel; tape Delay time: 130ns	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMS7680

Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 80A; 33W; Power56
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 28A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
On-state resistance: 10.1mΩ
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 33W
Gate charge: 28nC

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