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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PCDF0465G1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDF0465G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; ITO220AC; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 360A
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 53.6W
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDF0665G1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDF0665G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; ITO220AC; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Max. load current: 24A
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.32kA
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 70.8W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDF0665G1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDF0665G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; ITO220AC; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Max. load current: 24A
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.32kA
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 70.8W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDF0865G1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDF0865G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; ITO220AC; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.48kA
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 78.1W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDF0865G1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDF0865G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; ITO220AC; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.48kA
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 78.1W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDF1065G1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDF1065G1.pdf PCDF1065G1-T0 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH20120CCG1_T0_00601 PCDH20120CCG1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH20120CCG1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 167.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 52A
Max. forward impulse current: 720A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Power dissipation: 167.8W
Max. forward voltage: 2V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH20120CCG1_T0_00601 PCDH20120CCG1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH20120CCG1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 167.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 52A
Max. forward impulse current: 720A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Power dissipation: 167.8W
Max. forward voltage: 2V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH20120CCGB_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 209W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 72A
Max. forward impulse current: 0.92kA
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Power dissipation: 209W
Max. forward voltage: 1.9V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH20120CCGB_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 209W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 72A
Max. forward impulse current: 0.92kA
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Power dissipation: 209W
Max. forward voltage: 1.9V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH2065CCG1_T0_00601 PCDH2065CCG1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH2065CCG1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 70uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 0.64kA
Leakage current: 70µA
Power dissipation: 98W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.38 EUR
15+4.89 EUR
16+4.62 EUR
150+4.56 EUR
600+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH2065CCG1_T0_00601 PCDH2065CCG1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH2065CCG1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 70uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 0.64kA
Leakage current: 70µA
Power dissipation: 98W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.38 EUR
15+4.89 EUR
16+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH2065CCGB_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH2065CCGB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 138W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 48A
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 704A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 138W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH2065CCGB_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH2065CCGB.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 138W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 48A
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 704A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 138W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH2065CCGC_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH2065CCGC.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 90W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 384A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 90W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH2065CCGC_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH2065CCGC.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 90W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 384A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 90W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH30120CCG1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH30120CCG1.pdf PCDH30120CCG1-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH30120CCGB_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH30120CCGB-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH3065CCG1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH3065CCG1.pdf PCDH3065CCG1-T0 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH3065CCGB_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH3065CCGB-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH3065CCGC_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH3065CCGC-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH40120CCG1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH40120CCG1.pdf PCDH40120CCG1-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH40120CCGB_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH40120CCGB-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH4065CCG1_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH4065CCG1.pdf PCDH4065CCG1-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH4065CCGB_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH4065CCGB-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH4065CCGC_T0_00601 PanJit Semiconductor PCDH4065CCGC-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0465G1_T0_00001 PCDP0465G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP0465G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.8V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 280A
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 56W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0465G1_T0_00001 PCDP0465G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP0465G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.8V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 280A
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 56W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP05120G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP05120G1.pdf PCDP05120G1-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0665G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP0665G1.pdf PCDP0665G1-T0 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP08120G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP08120G1.pdf PCDP08120G1-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0865G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP0865G1.pdf PCDP0865G1-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP10120G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP10120G1.pdf PCDP10120G1-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1065G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP1065G1.pdf PCDP1065G1-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1265G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP1265G1.pdf PCDP1265G1-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP15120G1_T0_00001 PCDP15120G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP15120G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220AC; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 120A
Max. forward impulse current: 880A
Leakage current: 140µA
Power dissipation: 223.9W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP15120G1_T0_00001 PCDP15120G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP15120G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220AC; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 120A
Max. forward impulse current: 880A
Leakage current: 140µA
Power dissipation: 223.9W
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1665G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP1665G1.pdf PCDP1665G1-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP20120G1_T0_00001 PCDP20120G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP20120G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220AC; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 152A
Max. forward impulse current: 960A
Leakage current: 180µA
Power dissipation: 267.9W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP20120G1_T0_00001 PCDP20120G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP20120G1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220AC; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 152A
Max. forward impulse current: 960A
Leakage current: 180µA
Power dissipation: 267.9W
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP2065G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP2065G1.pdf PCDP2065G1-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDZ5.1B-AU_R1_000A1 PDZ5.1B-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.75µA
Application: automotive industry
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.17 EUR
562+0.13 EUR
1238+0.06 EUR
1667+0.04 EUR
1761+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDZ5.1B-AU_R1_000A1 PDZ5.1B-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.75µA
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
562+0.13 EUR
1238+0.06 EUR
1667+0.04 EUR
1761+0.04 EUR
10000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE1403M1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1403M1Q.pdf PE1403M1Q-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE1805C4A6_R1_00001 PE1805C4A6_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1805C4A6_R1_00001.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT23-6; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Capacitance: 0.8pF
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 5A
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
439+0.16 EUR
642+0.11 EUR
835+0.09 EUR
847+0.09 EUR
882+0.08 EUR
1000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE1805C4A6_R1_00001 PE1805C4A6_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1805C4A6_R1_00001.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT23-6; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Capacitance: 0.8pF
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 5A
Leakage current: 1µA
auf Bestellung 8550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.23 EUR
439+0.16 EUR
642+0.11 EUR
835+0.09 EUR
847+0.09 EUR
882+0.08 EUR
1000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE1805C4C6_R1_00001 PE1805C4C6_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1805C4C6.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT363; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT363
Capacitance: 0.8pF
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 5A
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
516+0.14 EUR
736+0.10 EUR
997+0.07 EUR
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Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE1805C4C6_R1_00001 PE1805C4C6_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1805C4C6.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT363; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT363
Capacitance: 0.8pF
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 5A
Leakage current: 1µA
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.23 EUR
516+0.14 EUR
736+0.10 EUR
997+0.07 EUR
1055+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE4105C1ES_R1_00001 PE4105C1ES_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Case: SOD523
Capacitance: 120pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 13A
Breakdown voltage: 6...7.5V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1200+0.06 EUR
1786+0.04 EUR
2110+0.03 EUR
2337+0.03 EUR
2526+0.03 EUR
2809+0.03 EUR
2977+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE4105C1ES_R1_00001 PE4105C1ES_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Case: SOD523
Capacitance: 120pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 13A
Breakdown voltage: 6...7.5V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Mounting: SMD
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1200+0.06 EUR
1786+0.04 EUR
2110+0.03 EUR
2337+0.03 EUR
2526+0.03 EUR
2809+0.03 EUR
2977+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC11SD03M1Q_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC11SD03M1Q_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC1605M1Q.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Capacitance: 0.6pF
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Leakage current: 75nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Case: DFN1006-2
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC1605M1Q.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Capacitance: 0.6pF
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Leakage current: 75nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Case: DFN1006-2
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC3202M1Q_R1_00201 PanJit Semiconductor PEC3202M1Q-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC3205M1Q_R1_00201 PanJit Semiconductor PEC3202M1Q PEC3205M1Q-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PEC3324C2A-AU PEC3324C2A-AU-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.40 EUR
569+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC33712C2A.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Mounting: SMD
Capacitance: 35pF
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Max. forward impulse current: 8A
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.20 EUR
544+0.13 EUR
603+0.12 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC33712C2A.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Mounting: SMD
Capacitance: 35pF
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Max. forward impulse current: 8A
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Leakage current: 1µA
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.20 EUR
544+0.13 EUR
603+0.12 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PG4007-AU_R2_100A1 PanJit Semiconductor PG4007-AU-R2 THT universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDF0465G1_T0_00601 PCDF0465G1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; ITO220AC; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 360A
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 53.6W
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDF0665G1_T0_00601 PCDF0665G1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; ITO220AC; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Max. load current: 24A
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.32kA
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 70.8W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDF0665G1_T0_00601 PCDF0665G1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; ITO220AC; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Max. load current: 24A
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.32kA
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 70.8W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDF0865G1_T0_00601 PCDF0865G1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; ITO220AC; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.48kA
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 78.1W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDF0865G1_T0_00601 PCDF0865G1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; ITO220AC; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.48kA
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 78.1W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDF1065G1_T0_00601 PCDF1065G1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDF1065G1-T0 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH20120CCG1_T0_00601 PCDH20120CCG1.pdf
PCDH20120CCG1_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 167.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 52A
Max. forward impulse current: 720A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Power dissipation: 167.8W
Max. forward voltage: 2V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH20120CCG1_T0_00601 PCDH20120CCG1.pdf
PCDH20120CCG1_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 167.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 52A
Max. forward impulse current: 720A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Power dissipation: 167.8W
Max. forward voltage: 2V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH20120CCGB_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 209W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 72A
Max. forward impulse current: 0.92kA
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Power dissipation: 209W
Max. forward voltage: 1.9V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH20120CCGB_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 209W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 72A
Max. forward impulse current: 0.92kA
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Power dissipation: 209W
Max. forward voltage: 1.9V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH2065CCG1_T0_00601 PCDH2065CCG1.pdf
PCDH2065CCG1_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 70uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 0.64kA
Leakage current: 70µA
Power dissipation: 98W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.38 EUR
15+4.89 EUR
16+4.62 EUR
150+4.56 EUR
600+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH2065CCG1_T0_00601 PCDH2065CCG1.pdf
PCDH2065CCG1_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 70uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 0.64kA
Leakage current: 70µA
Power dissipation: 98W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.38 EUR
15+4.89 EUR
16+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH2065CCGB_T0_00601 PCDH2065CCGB.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 138W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 48A
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 704A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 138W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH2065CCGB_T0_00601 PCDH2065CCGB.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 138W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 48A
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 704A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 138W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH2065CCGC_T0_00601 PCDH2065CCGC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 90W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 384A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 90W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH2065CCGC_T0_00601 PCDH2065CCGC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 90W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 384A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 90W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH30120CCG1_T0_00601 PCDH30120CCG1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDH30120CCG1-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH30120CCGB_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDH30120CCGB-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH3065CCG1_T0_00601 PCDH3065CCG1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDH3065CCG1-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH3065CCGB_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDH3065CCGB-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH3065CCGC_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDH3065CCGC-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH40120CCG1_T0_00601 PCDH40120CCG1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDH40120CCG1-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH40120CCGB_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDH40120CCGB-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH4065CCG1_T0_00601 PCDH4065CCG1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDH4065CCG1-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH4065CCGB_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDH4065CCGB-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDH4065CCGC_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDH4065CCGC-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0465G1_T0_00001 PCDP0465G1.pdf
PCDP0465G1_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.8V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 280A
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 56W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0465G1_T0_00001 PCDP0465G1.pdf
PCDP0465G1_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.8V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 280A
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 56W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP05120G1_T0_00001 PCDP05120G1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDP05120G1-T0 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0665G1_T0_00001 PCDP0665G1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDP0665G1-T0 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP08120G1_T0_00001 PCDP08120G1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDP08120G1-T0 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP0865G1_T0_00001 PCDP0865G1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDP0865G1-T0 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDP10120G1-T0 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDP1065G1-T0 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDP1265G1-T0 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP15120G1_T0_00001 PCDP15120G1.pdf
PCDP15120G1_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220AC; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 120A
Max. forward impulse current: 880A
Leakage current: 140µA
Power dissipation: 223.9W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP15120G1_T0_00001 PCDP15120G1.pdf
PCDP15120G1_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220AC; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 120A
Max. forward impulse current: 880A
Leakage current: 140µA
Power dissipation: 223.9W
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP1665G1_T0_00001 PCDP1665G1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDP1665G1-T0 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP20120G1_T0_00001 PCDP20120G1.pdf
PCDP20120G1_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220AC; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 152A
Max. forward impulse current: 960A
Leakage current: 180µA
Power dissipation: 267.9W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP20120G1_T0_00001 PCDP20120G1.pdf
PCDP20120G1_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220AC; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2V
Max. load current: 152A
Max. forward impulse current: 960A
Leakage current: 180µA
Power dissipation: 267.9W
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP2065G1_T0_00001 PCDP2065G1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDP2065G1-T0 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDZ5.1B-AU_R1_000A1 PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf
PDZ5.1B-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.75µA
Application: automotive industry
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
562+0.13 EUR
1238+0.06 EUR
1667+0.04 EUR
1761+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDZ5.1B-AU_R1_000A1 PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf
PDZ5.1B-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.75µA
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
562+0.13 EUR
1238+0.06 EUR
1667+0.04 EUR
1761+0.04 EUR
10000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE1403M1Q_R1_00001 PE1403M1Q.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PE1403M1Q-R1 Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE1805C4A6_R1_00001 PE1805C4A6_R1_00001.pdf
PE1805C4A6_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT23-6; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Capacitance: 0.8pF
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 5A
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
439+0.16 EUR
642+0.11 EUR
835+0.09 EUR
847+0.09 EUR
882+0.08 EUR
1000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE1805C4A6_R1_00001 PE1805C4A6_R1_00001.pdf
PE1805C4A6_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT23-6; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Capacitance: 0.8pF
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 5A
Leakage current: 1µA
auf Bestellung 8550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
439+0.16 EUR
642+0.11 EUR
835+0.09 EUR
847+0.09 EUR
882+0.08 EUR
1000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE1805C4C6_R1_00001 PE1805C4C6.pdf
PE1805C4C6_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT363; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT363
Capacitance: 0.8pF
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 5A
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
516+0.14 EUR
736+0.10 EUR
997+0.07 EUR
1055+0.07 EUR
3000+0.07 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE1805C4C6_R1_00001 PE1805C4C6.pdf
PE1805C4C6_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT363; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT363
Capacitance: 0.8pF
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 5A
Leakage current: 1µA
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
516+0.14 EUR
736+0.10 EUR
997+0.07 EUR
1055+0.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE4105C1ES_R1_00001
PE4105C1ES_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Case: SOD523
Capacitance: 120pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 13A
Breakdown voltage: 6...7.5V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1200+0.06 EUR
1786+0.04 EUR
2110+0.03 EUR
2337+0.03 EUR
2526+0.03 EUR
2809+0.03 EUR
2977+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE4105C1ES_R1_00001
PE4105C1ES_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Case: SOD523
Capacitance: 120pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 13A
Breakdown voltage: 6...7.5V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Mounting: SMD
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1200+0.06 EUR
1786+0.04 EUR
2110+0.03 EUR
2337+0.03 EUR
2526+0.03 EUR
2809+0.03 EUR
2977+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC11SD03M1Q_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC11SD03M1Q_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q.pdf
PEC1605M1Q_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Capacitance: 0.6pF
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Leakage current: 75nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Case: DFN1006-2
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q.pdf
PEC1605M1Q_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Capacitance: 0.6pF
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Leakage current: 75nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Case: DFN1006-2
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC3202M1Q_R1_00201
Hersteller: PanJit Semiconductor
PEC3202M1Q-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC3205M1Q_R1_00201 PEC3202M1Q
Hersteller: PanJit Semiconductor
PEC3205M1Q-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PEC3324C2A-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
PEC3324C2A-AU-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
569+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A.pdf
PEC33712C2A_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Mounting: SMD
Capacitance: 35pF
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Max. forward impulse current: 8A
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.20 EUR
544+0.13 EUR
603+0.12 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A.pdf
PEC33712C2A_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Mounting: SMD
Capacitance: 35pF
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Max. forward impulse current: 8A
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Leakage current: 1µA
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.20 EUR
544+0.13 EUR
603+0.12 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PG4007-AU_R2_100A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PG4007-AU-R2 THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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