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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3436-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 0.9Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
368+0.19 EUR
592+0.12 EUR
1119+0.064 EUR
1183+0.06 EUR
6000+0.059 EUR
9000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3438-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Gate charge: 0.95nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.43 EUR
254+0.28 EUR
407+0.18 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3438-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Gate charge: 0.95nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
254+0.28 EUR
407+0.18 EUR
500+0.14 EUR
644+0.11 EUR
21000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3439-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.4 EUR
277+0.26 EUR
458+0.16 EUR
933+0.077 EUR
989+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3439-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
277+0.26 EUR
458+0.16 EUR
933+0.077 EUR
989+0.072 EUR
9000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3440-AU_R1_000A1 PJA3440-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3440-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 17.2A; 1.25W; SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 51mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
auf Bestellung 4968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+0.51 EUR
226+0.32 EUR
500+0.14 EUR
562+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3440-AU_R1_000A1 PJA3440-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3440-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 17.2A; 1.25W; SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 51mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4968 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
226+0.32 EUR
500+0.14 EUR
562+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3441-AU_R1_000A1 PJA3441-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3441-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
210+0.34 EUR
374+0.19 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3441-AU_R1_000A1 PJA3441-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3441-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
210+0.34 EUR
374+0.19 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3441_R1_00501 PJA3441_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
234+0.31 EUR
309+0.23 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3441_R1_00501 PJA3441_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.46 EUR
234+0.31 EUR
309+0.23 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3460-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3460-AU-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
633+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3460_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3460.pdf PJA3460-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
134+0.54 EUR
650+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3461-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3461-AU.pdf PJA3461-AU-R1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3461_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3461.pdf PJA3461-R1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3463_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3463.pdf PJA3463-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
78+0.92 EUR
133+0.54 EUR
364+0.2 EUR
21000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3471_R1_00501 PanJit Semiconductor PJA3471-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 6095 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
496+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJC138K-AU.pdf PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
197+0.36 EUR
1194+0.06 EUR
1260+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7400.pdf PJC7400-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7401_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7401.pdf PJC7401-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
705+0.1 EUR
747+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
266+0.27 EUR
439+0.16 EUR
758+0.094 EUR
807+0.089 EUR
15000+0.087 EUR
21000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.4 EUR
266+0.27 EUR
439+0.16 EUR
758+0.094 EUR
807+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PJC7407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
269+0.27 EUR
481+0.15 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PJC7407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Case: SOT323
auf Bestellung 8144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.4 EUR
269+0.27 EUR
481+0.15 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7428_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7428.pdf PJC7428-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
201+0.36 EUR
906+0.079 EUR
958+0.075 EUR
9000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 201
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJC7439-AU.pdf PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
197+0.36 EUR
1363+0.052 EUR
1441+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7476.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
188+0.38 EUR
532+0.13 EUR
618+0.12 EUR
658+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7476.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+0.51 EUR
188+0.38 EUR
532+0.13 EUR
618+0.12 EUR
658+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD15P06A-AU_L2_000A1 PanJit Semiconductor PJD15P06A-AU PJD15P06A-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD16P06A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16A; Idm: -64A; 2W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 2W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10931 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
125+0.57 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD16P06A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16A; Idm: -64A; 2W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 2W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
auf Bestellung 10931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+0.83 EUR
125+0.57 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 87
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PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
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PJD25N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N03.pdf PJD25N03-L2 SMD N channel transistors
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PJD25N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; Idm: 168A; 18W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 18W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; Idm: 168A; 18W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Power dissipation: 18W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
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Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PJD35P03_L2_00001 PJD35P03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD35P03.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Mounting: SMD
Case: TO252AA
Drain-source voltage: -30V
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On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
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auf Bestellung 2634 Stücke:
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141+0.51 EUR
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PJD35P03_L2_00001 PJD35P03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD35P03.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Mounting: SMD
Case: TO252AA
Drain-source voltage: -30V
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On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
auf Bestellung 2634 Stücke:
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PJD40P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD40P03E-AU Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -33A; Idm: -94A; 17W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
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Power dissipation: 17W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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PJD40P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD40P03E-AU Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -33A; Idm: -94A; 17W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -33A
Pulsed drain current: -94A
Power dissipation: 17W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx45N06A.pdf PJD45N06A-L2 SMD N channel transistors
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PJD45P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD45P03E-AU.pdf PJD45P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD45P04_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD45P04.pdf PJD45P04-L2 SMD P channel transistors
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PJD55N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
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Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PJD55N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJD55N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 128A; Idm: 512A; 53W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 53W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 128A; Idm: 512A; 53W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 128A
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Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
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Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD55P03E-AU.pdf PJD55P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD60P04E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD60P04E-AU PJD60P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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PJD70P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD70P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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PJD75P04E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD75P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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PJD90P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD90P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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PJDLC05_R1_00001 PanJit Semiconductor PJDLC05-R1 Protection diodes - arrays
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PJE138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE138K.pdf PJE138K-R1 SMD N channel transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.8pF
auf Bestellung 19933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.4 EUR
695+0.1 EUR
736+0.097 EUR
8000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.8pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19933 Stücke:
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695+0.1 EUR
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Mindestbestellmenge: 179
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PJE8402_R1_00001 PJE8402_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8402.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 2.8A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 2.8A
Drain current: 0.7A
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8402_R1_00001 PJE8402_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8402.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 2.8A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 2.8A
Drain current: 0.7A
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.3W
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Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU.pdf
PJA3436-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 0.9Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
368+0.19 EUR
592+0.12 EUR
1119+0.064 EUR
1183+0.06 EUR
6000+0.059 EUR
9000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU.pdf
PJA3438-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Gate charge: 0.95nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
254+0.28 EUR
407+0.18 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU.pdf
PJA3438-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Gate charge: 0.95nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
254+0.28 EUR
407+0.18 EUR
500+0.14 EUR
644+0.11 EUR
21000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 167
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PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU.pdf
PJA3439-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
277+0.26 EUR
458+0.16 EUR
933+0.077 EUR
989+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU.pdf
PJA3439-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
277+0.26 EUR
458+0.16 EUR
933+0.077 EUR
989+0.072 EUR
9000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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PJA3440-AU_R1_000A1 PJA3440-AU.pdf
PJA3440-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 17.2A; 1.25W; SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 51mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
auf Bestellung 4968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
226+0.32 EUR
500+0.14 EUR
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596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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PJA3440-AU_R1_000A1 PJA3440-AU.pdf
PJA3440-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 17.2A; 1.25W; SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 51mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
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PJA3441-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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PJA3441-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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PJA3441_R1_00501
PJA3441_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3441_R1_00501
PJA3441_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
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Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3460-AU-R1 SMD N channel transistors
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3460-R1 SMD N channel transistors
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3461-AU-R1 SMD P channel transistors
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PJA3461_R1_00001 PJA3461.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3461-R1 SMD P channel transistors
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3463-R1 SMD P channel transistors
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PJA3471_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3471-R1 SMD P channel transistors
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
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PJC7400_R1_00001 PJC7400.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7400-R1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7401-R1 SMD P channel transistors
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PJC7404_R1_00001 PJC7404.pdf
PJC7404_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
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266+0.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404.pdf
PJC7404_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
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Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PJC7407.pdf
PJC7407_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8144 Stücke:
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Anzahl Preis
179+0.4 EUR
269+0.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PJC7407.pdf
PJC7407_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
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Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Case: SOT323
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7428_R1_00001 PJC7428.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7428-R1 SMD N channel transistors
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Anzahl Preis
201+0.36 EUR
906+0.079 EUR
958+0.075 EUR
9000+0.073 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7439-AU_R1_000A1 PJC7439-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
197+0.36 EUR
1363+0.052 EUR
1441+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PJC7476.pdf
PJC7476_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
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Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
188+0.38 EUR
532+0.13 EUR
618+0.12 EUR
658+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PJC7476.pdf
PJC7476_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
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Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
188+0.38 EUR
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618+0.12 EUR
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PJD15P06A-AU_L2_000A1 PJD15P06A-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD15P06A-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD16P06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16A; Idm: -64A; 2W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -16A
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Power dissipation: 2W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10931 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
125+0.57 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A.pdf
PJD16P06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16A; Idm: -64A; 2W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
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Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
auf Bestellung 10931 Stücke:
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Anzahl Preis
87+0.83 EUR
125+0.57 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
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PJD18N20_L2_00001 PJx18N20.pdf
PJD18N20_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD18N20_L2_00001 PJx18N20.pdf
PJD18N20_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
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PJD25N03_L2_00001 PJD25N03.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD25N03-L2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
293+0.24 EUR
309+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N04V-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; Idm: 168A; 18W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 18W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N04V-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; Idm: 168A; 18W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 18W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
154+0.46 EUR
293+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
154+0.46 EUR
293+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 107
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PJD35P03_L2_00001 PJD35P03.pdf
PJD35P03_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Mounting: SMD
Case: TO252AA
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2634 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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141+0.51 EUR
295+0.24 EUR
313+0.23 EUR
21000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03.pdf
PJD35P03_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Mounting: SMD
Case: TO252AA
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
auf Bestellung 2634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
141+0.51 EUR
295+0.24 EUR
313+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PJD40P03E-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -33A; Idm: -94A; 17W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -33A
Pulsed drain current: -94A
Power dissipation: 17W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PJD40P03E-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -33A; Idm: -94A; 17W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -33A
Pulsed drain current: -94A
Power dissipation: 17W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD45N06A-L2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
208+0.34 EUR
220+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45P03E-AU_L2_006A1 PJD45P03E-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD45P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45P04_L2_00001 PJD45P04.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD45P04-L2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04S-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04S-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04V-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 128A; Idm: 512A; 53W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 53W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04V-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 128A; Idm: 512A; 53W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 53W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55P03E-AU_L2_006A1 PJD55P03E-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD55P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD60P04E-AU_L2_006A1 PJD60P04E-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD60P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD70P03E-AU_L2_006A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD70P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD75P04E-AU_L2_006A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD75P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD90P03E-AU_L2_006A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD90P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJDLC05_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJDLC05-R1 Protection diodes - arrays
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PJE138K_R1_00001 PJE138K.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJE138K-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
958+0.075 EUR
1015+0.07 EUR
8000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 239
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PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.8pF
auf Bestellung 19933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
695+0.1 EUR
736+0.097 EUR
8000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.8pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19933 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
695+0.1 EUR
736+0.097 EUR
8000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8402_R1_00001 PJE8402.pdf
PJE8402_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 2.8A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 2.8A
Drain current: 0.7A
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8402_R1_00001 PJE8402.pdf
PJE8402_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 2.8A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 2.8A
Drain current: 0.7A
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
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