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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PJA3461-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3461-AU.pdf PJA3461-AU-R1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3461_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3461.pdf PJA3461-R1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3463_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3463.pdf PJA3463-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
78+0.92 EUR
133+0.54 EUR
364+0.2 EUR
21000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3471_R1_00501 PanJit Semiconductor PJA3471-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 6095 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
496+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJC138K-AU.pdf PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
197+0.36 EUR
1194+0.06 EUR
1260+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7400.pdf PJC7400-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7401_R1_00001 PJC7401_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
211+0.34 EUR
329+0.22 EUR
705+0.1 EUR
747+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7401_R1_00001 PJC7401_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: SOT323
auf Bestellung 1845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+0.56 EUR
211+0.34 EUR
329+0.22 EUR
705+0.1 EUR
747+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
266+0.27 EUR
439+0.16 EUR
758+0.094 EUR
807+0.089 EUR
15000+0.087 EUR
21000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.4 EUR
266+0.27 EUR
439+0.16 EUR
758+0.094 EUR
807+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PJC7407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
269+0.27 EUR
481+0.15 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PJC7407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Case: SOT323
auf Bestellung 8144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.4 EUR
269+0.27 EUR
481+0.15 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7428_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7428.pdf PJC7428-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
201+0.36 EUR
906+0.079 EUR
958+0.075 EUR
9000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 201
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJC7439-AU.pdf PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
197+0.36 EUR
1363+0.052 EUR
1441+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7476.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
188+0.38 EUR
532+0.13 EUR
618+0.12 EUR
658+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7476.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+0.51 EUR
188+0.38 EUR
532+0.13 EUR
618+0.12 EUR
658+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD15P06A-AU_L2_000A1 PanJit Semiconductor PJD15P06A-AU PJD15P06A-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD16P06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD16P06A.pdf PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 11044 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
197+0.36 EUR
209+0.34 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Pulsed drain current: 72A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Pulsed drain current: 72A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO252AA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
168+0.43 EUR
290+0.25 EUR
307+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO252AA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.66 EUR
168+0.43 EUR
290+0.25 EUR
307+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor PJD25N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1589 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
293+0.24 EUR
311+0.23 EUR
6000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
293+0.24 EUR
311+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD35P03.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Mounting: SMD
Case: TO252AA
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2634 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
141+0.51 EUR
295+0.24 EUR
313+0.23 EUR
21000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD35P03.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Mounting: SMD
Case: TO252AA
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
auf Bestellung 2634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+0.76 EUR
141+0.51 EUR
295+0.24 EUR
313+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD40P03E-AU Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -33A; Idm: -94A; 17W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -33A
Pulsed drain current: -94A
Power dissipation: 17W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD40P03E-AU Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -33A; Idm: -94A; 17W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -33A
Pulsed drain current: -94A
Power dissipation: 17W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx45N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
111+0.65 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx45N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
111+0.65 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD45P03E-AU.pdf PJD45P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45P04_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD45P04.pdf PJD45P04-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor PJD55N04S-AU-L2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor PJD55N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD55P03E-AU.pdf PJD55P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD60P04E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD60P04E-AU PJD60P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD70P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD70P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD75P04E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD75P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD90P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD90P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJDLC05_R1_00001 PanJit Semiconductor PJDLC05-R1 Protection diodes - arrays
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PJE138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE138K.pdf PJE138K-R1 SMD N channel transistors
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PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Capacitance: 0.8pF
auf Bestellung 19933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.4 EUR
695+0.1 EUR
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Mindestbestellmenge: 179
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PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Capacitance: 0.8pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19933 Stücke:
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PJE8402_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8402.pdf PJE8402-R1 SMD N channel transistors
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PJE8403_R1_00001 PJE8403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8403.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
353+0.2 EUR
538+0.13 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
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Mindestbestellmenge: 186
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PJE8403_R1_00001 PJE8403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8403.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.4A
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
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PJE8408_R1_00001 PJE8408_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8408.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
544+0.13 EUR
603+0.12 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
1000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8408_R1_00001 PJE8408_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8408.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1A
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.2 EUR
544+0.13 EUR
603+0.12 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
1000+0.092 EUR
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PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJEC2415VM1WS-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 160W
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PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJEC2415VM1WS-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 160W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC24C-AU PJGBLC03C-AU-R1 Protection diodes - arrays
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PJGBLC03C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC03C-R1 Protection diodes - arrays
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345+0.21 EUR
582+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
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PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC05C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
345+0.21 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
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PJGBLC08C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC08C-AU-R1 Protection diodes - arrays
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PJGBLC12C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
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345+0.21 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC24C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 4455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
345+0.21 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
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PJL9407_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9407-R2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
338+0.21 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 338
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9850_R2_00001 PJL9850_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9850.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.4A; Idm: 20A; 1.7W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5047 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
156+0.46 EUR
304+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9850_R2_00001 PJL9850_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9850.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.4A; Idm: 20A; 1.7W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
auf Bestellung 5047 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+0.73 EUR
156+0.46 EUR
304+0.24 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3461-AU_R1_000A1 PJA3461-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3461-AU-R1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3461_R1_00001 PJA3461.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3461-R1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3463_R1_00001 PJA3463.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3463-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
78+0.92 EUR
133+0.54 EUR
364+0.2 EUR
21000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3471_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3471-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 6095 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
496+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC138K-AU_R1_000A1 PJC138K-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
197+0.36 EUR
1194+0.06 EUR
1260+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7400_R1_00001 PJC7400.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7400-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7401_R1_00001 PJC7401.pdf
PJC7401_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
211+0.34 EUR
329+0.22 EUR
705+0.1 EUR
747+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7401_R1_00001 PJC7401.pdf
PJC7401_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: SOT323
auf Bestellung 1845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
211+0.34 EUR
329+0.22 EUR
705+0.1 EUR
747+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404.pdf
PJC7404_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
266+0.27 EUR
439+0.16 EUR
758+0.094 EUR
807+0.089 EUR
15000+0.087 EUR
21000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404.pdf
PJC7404_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
266+0.27 EUR
439+0.16 EUR
758+0.094 EUR
807+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PJC7407.pdf
PJC7407_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
269+0.27 EUR
481+0.15 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PJC7407.pdf
PJC7407_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Case: SOT323
auf Bestellung 8144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
269+0.27 EUR
481+0.15 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7428_R1_00001 PJC7428.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7428-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
201+0.36 EUR
906+0.079 EUR
958+0.075 EUR
9000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 201
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7439-AU_R1_000A1 PJC7439-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
197+0.36 EUR
1363+0.052 EUR
1441+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PJC7476.pdf
PJC7476_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
188+0.38 EUR
532+0.13 EUR
618+0.12 EUR
658+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PJC7476.pdf
PJC7476_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis
139+0.51 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD15P06A-AU_L2_000A1 PJD15P06A-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD15P06A-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
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95+0.76 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD18N20_L2_00001 PJx18N20.pdf
PJD18N20_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Pulsed drain current: 72A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD18N20_L2_00001 PJx18N20.pdf
PJD18N20_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Pulsed drain current: 72A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03.pdf
PJD25N03_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO252AA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
109+0.66 EUR
168+0.43 EUR
290+0.25 EUR
307+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03.pdf
PJD25N03_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO252AA
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Anzahl Preis
109+0.66 EUR
168+0.43 EUR
290+0.25 EUR
307+0.23 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N04V-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD25N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
293+0.24 EUR
311+0.23 EUR
6000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1589 Stücke:
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Anzahl Preis
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
293+0.24 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03.pdf
PJD35P03_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Mounting: SMD
Case: TO252AA
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2634 Stücke:
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Anzahl Preis
95+0.76 EUR
141+0.51 EUR
295+0.24 EUR
313+0.23 EUR
21000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03.pdf
PJD35P03_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Mounting: SMD
Case: TO252AA
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
auf Bestellung 2634 Stücke:
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Anzahl Preis
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141+0.51 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PJD40P03E-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -33A; Idm: -94A; 17W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -33A
Pulsed drain current: -94A
Power dissipation: 17W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PJD40P03E-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -33A; Idm: -94A; 17W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -33A
Pulsed drain current: -94A
Power dissipation: 17W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
PJD45N06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1568 Stücke:
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Anzahl Preis
74+0.97 EUR
111+0.65 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
PJD45N06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1568 Stücke:
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111+0.65 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45P03E-AU_L2_006A1 PJD45P03E-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD45P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45P04_L2_00001 PJD45P04.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD45P04-L2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04S-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD55N04S-AU-L2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04V-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD55N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55P03E-AU_L2_006A1 PJD55P03E-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD55P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD60P04E-AU_L2_006A1 PJD60P04E-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD60P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD70P03E-AU_L2_006A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD70P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD75P04E-AU_L2_006A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD75P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD90P03E-AU_L2_006A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD90P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJDLC05_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJDLC05-R1 Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE138K_R1_00001 PJE138K.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJE138K-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
958+0.075 EUR
1015+0.07 EUR
8000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Capacitance: 0.8pF
auf Bestellung 19933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
695+0.1 EUR
736+0.097 EUR
8000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Capacitance: 0.8pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19933 Stücke:
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Anzahl Preis
179+0.4 EUR
695+0.1 EUR
736+0.097 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8402_R1_00001 PJE8402.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJE8402-R1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
PJE8403_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.4A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
353+0.2 EUR
538+0.13 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
4000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
PJE8403_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.4A
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
353+0.2 EUR
538+0.13 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
PJE8408_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
544+0.13 EUR
603+0.12 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
1000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
PJE8408_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1A
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
544+0.13 EUR
603+0.12 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
1000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 160W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 160W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PJGBLC24C-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC03C-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC03C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
345+0.21 EUR
582+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC05C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 3820 Stücke:
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PJGBLC08C-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC08C-AU-R1 Protection diodes - arrays
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PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
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PJGBLC24C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
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PJL9407_R2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJL9407-R2 SMD P channel transistors
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PJL9850_R2_00001 PJL9850.pdf
PJL9850_R2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.4A; Idm: 20A; 1.7W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5047 Stücke:
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99+0.73 EUR
156+0.46 EUR
304+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 99
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PJL9850_R2_00001 PJL9850.pdf
PJL9850_R2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.4A; Idm: 20A; 1.7W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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