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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PJC7400_R1_00001 PJC7400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 7.6A
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.41 EUR
225+0.32 EUR
319+0.22 EUR
736+0.10 EUR
782+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7401_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7401.pdf PJC7401-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
705+0.10 EUR
747+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.40 EUR
266+0.27 EUR
439+0.16 EUR
758+0.09 EUR
807+0.09 EUR
15000+0.09 EUR
21000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.40 EUR
266+0.27 EUR
439+0.16 EUR
758+0.09 EUR
807+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7407.pdf PJC7407-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 8474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
782+0.09 EUR
820+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7428_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7428.pdf PJC7428-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
201+0.36 EUR
906+0.08 EUR
958+0.08 EUR
9000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 201
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJC7439-AU.pdf PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
197+0.36 EUR
1363+0.05 EUR
1441+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7476.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 9Ω
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
188+0.38 EUR
532+0.13 EUR
625+0.11 EUR
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7476.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 9Ω
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+0.51 EUR
188+0.38 EUR
532+0.13 EUR
625+0.11 EUR
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD15P06A-AU_L2_000A1 PanJit Semiconductor PJD15P06A-AU PJD15P06A-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD16P06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD16P06A.pdf PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 11044 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
197+0.36 EUR
209+0.34 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N03.pdf PJD25N03-L2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
293+0.24 EUR
309+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor PJD25N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf PJD25N06A-L2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.70 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD35P03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD35P03.pdf PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.70 EUR
295+0.24 EUR
313+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD40P03E-AU Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD40P03E-AU Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx45N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252AA
Pulsed drain current: 180A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1619 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
111+0.65 EUR
209+0.34 EUR
221+0.32 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx45N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252AA
Pulsed drain current: 180A
auf Bestellung 1619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
111+0.65 EUR
209+0.34 EUR
221+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD45P03E-AU.pdf PJD45P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45P04_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD45P04.pdf PJD45P04-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 348A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 348A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor PJD55N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD55P03E-AU.pdf PJD55P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD60P04E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD60P04E-AU PJD60P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD70P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD70P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD75P04E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD75P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD90P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD90P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJDLC05_R1_00001 PanJit Semiconductor PJDLC05-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE138K.pdf PJE138K-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.30 EUR
958+0.08 EUR
1015+0.07 EUR
8000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
auf Bestellung 19933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.40 EUR
705+0.10 EUR
747+0.10 EUR
8000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19933 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.40 EUR
705+0.10 EUR
747+0.10 EUR
8000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8402_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8402.pdf PJE8402-R1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8403_R1_00001 PJE8403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8403.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Case: SOT523
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -600mA
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -2.4A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
353+0.20 EUR
538+0.13 EUR
715+0.10 EUR
758+0.09 EUR
4000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8403_R1_00001 PJE8403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8403.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Case: SOT523
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -600mA
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -2.4A
Mounting: SMD
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
353+0.20 EUR
538+0.13 EUR
715+0.10 EUR
758+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8408_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8408.pdf PJE8408-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
338+0.21 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
4000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 338
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJEC2415VM1WS-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 160W
Case: SOD323
Capacitance: 17pF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJEC2415VM1WS-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 160W
Case: SOD323
Capacitance: 17pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC24C-AU PJGBLC03C-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Case: SOD323
Capacitance: 3pF
Max. off-state voltage: 3.3V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 1A
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
365+0.20 EUR
455+0.16 EUR
500+0.14 EUR
550+0.13 EUR
585+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 365
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Case: SOD323
Capacitance: 3pF
Max. off-state voltage: 3.3V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 1A
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Mounting: SMD
auf Bestellung 5390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
365+0.20 EUR
455+0.16 EUR
500+0.14 EUR
550+0.13 EUR
585+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 365
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Capacitance: 3pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 1A
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Case: SOD323
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
365+0.20 EUR
455+0.16 EUR
500+0.14 EUR
590+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 365
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Capacitance: 3pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 1A
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Case: SOD323
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
365+0.20 EUR
455+0.16 EUR
500+0.14 EUR
590+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 365
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC08C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC08C-AU-R1 Protection diodes - arrays
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PJGBLC12C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 4805 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
345+0.21 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC24C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 4455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
345+0.21 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9407_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9407-R2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
338+0.21 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 338
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9850_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9850.pdf PJL9850-R2 Multi channel transistors
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
73+0.97 EUR
200+0.36 EUR
2500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB210N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB210N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB210N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB210N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB390N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB390N65EC.pdf PJMB390N65EC-R2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB390N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMB390N65EC-T0 SMD N channel transistors
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PJMBZ12A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ12A-AU-R1 Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ15A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf PJMBZ15A-AU-R1 Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ18A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 17.1÷18.9V; 40W; double,common anode; SOT23
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 14.5V
Semiconductor structure: common anode; double
Breakdown voltage: 17.1...18.9V
Leakage current: 50nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Mounting: SMD
Case: SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ18A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 17.1÷18.9V; 40W; double,common anode; SOT23
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 14.5V
Semiconductor structure: common anode; double
Breakdown voltage: 17.1...18.9V
Leakage current: 50nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ27A-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7400_R1_00001 PJC7400.pdf
PJC7400_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 7.6A
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
225+0.32 EUR
319+0.22 EUR
736+0.10 EUR
782+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7401_R1_00001 PJC7401.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7401-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
705+0.10 EUR
747+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404.pdf
PJC7404_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
266+0.27 EUR
439+0.16 EUR
758+0.09 EUR
807+0.09 EUR
15000+0.09 EUR
21000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404.pdf
PJC7404_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
266+0.27 EUR
439+0.16 EUR
758+0.09 EUR
807+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PJC7407.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7407-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 8474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
782+0.09 EUR
820+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7428_R1_00001 PJC7428.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7428-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
201+0.36 EUR
906+0.08 EUR
958+0.08 EUR
9000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 201
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7439-AU_R1_000A1 PJC7439-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
197+0.36 EUR
1363+0.05 EUR
1441+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PJC7476.pdf
PJC7476_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 9Ω
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
188+0.38 EUR
532+0.13 EUR
625+0.11 EUR
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PJC7476.pdf
PJC7476_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 9Ω
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
188+0.38 EUR
532+0.13 EUR
625+0.11 EUR
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD15P06A-AU_L2_000A1 PJD15P06A-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD15P06A-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 11044 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
197+0.36 EUR
209+0.34 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD18N20_L2_00001 PJx18N20.pdf
PJD18N20_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD18N20_L2_00001 PJx18N20.pdf
PJD18N20_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD25N03-L2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
293+0.24 EUR
309+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N04V-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD25N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD25N06A-L2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.70 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.70 EUR
295+0.24 EUR
313+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PJD40P03E-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PJD40P03E-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
PJD45N06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252AA
Pulsed drain current: 180A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1619 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
111+0.65 EUR
209+0.34 EUR
221+0.32 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
PJD45N06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252AA
Pulsed drain current: 180A
auf Bestellung 1619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
111+0.65 EUR
209+0.34 EUR
221+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45P03E-AU_L2_006A1 PJD45P03E-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD45P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45P04_L2_00001 PJD45P04.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD45P04-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04S-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 348A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04S-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 348A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04V-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD55N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
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PJD55P03E-AU_L2_006A1 PJD55P03E-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD55P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD60P04E-AU_L2_006A1 PJD60P04E-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD60P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD70P03E-AU_L2_006A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD70P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD75P04E-AU_L2_006A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD75P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD90P03E-AU_L2_006A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD90P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJDLC05_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJDLC05-R1 Protection diodes - arrays
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PJE138K_R1_00001 PJE138K.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJE138K-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.30 EUR
958+0.08 EUR
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PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
auf Bestellung 19933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
705+0.10 EUR
747+0.10 EUR
8000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJE8402_R1_00001 PJE8402.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJE8402-R1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
PJE8403_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Case: SOT523
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -600mA
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -2.4A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
353+0.20 EUR
538+0.13 EUR
715+0.10 EUR
758+0.09 EUR
4000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
PJE8403_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Case: SOT523
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -600mA
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -2.4A
Mounting: SMD
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
353+0.20 EUR
538+0.13 EUR
715+0.10 EUR
758+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJE8408-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
338+0.21 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
4000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 338
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 160W
Case: SOD323
Capacitance: 17pF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 160W
Case: SOD323
Capacitance: 17pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PJGBLC24C-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC03C-AU-R1 Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC03C_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Case: SOD323
Capacitance: 3pF
Max. off-state voltage: 3.3V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 1A
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
365+0.20 EUR
455+0.16 EUR
500+0.14 EUR
550+0.13 EUR
585+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 365
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC03C_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Case: SOD323
Capacitance: 3pF
Max. off-state voltage: 3.3V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 1A
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Mounting: SMD
auf Bestellung 5390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
365+0.20 EUR
455+0.16 EUR
500+0.14 EUR
550+0.13 EUR
585+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 365
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC05C_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Capacitance: 3pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 1A
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Case: SOD323
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
365+0.20 EUR
455+0.16 EUR
500+0.14 EUR
590+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 365
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC05C_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Capacitance: 3pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 1A
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Case: SOD323
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
365+0.20 EUR
455+0.16 EUR
500+0.14 EUR
590+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 365
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC08C-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC08C-AU-R1 Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 4805 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
345+0.21 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC24C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 4455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
345+0.21 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9407_R2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJL9407-R2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
338+0.21 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 338
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9850_R2_00001 PJL9850.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJL9850-R2 Multi channel transistors
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
73+0.97 EUR
200+0.36 EUR
2500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB390N65EC_R2_00601 PJMB390N65EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMB390N65EC-R2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB390N65EC_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMB390N65EC-T0 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ12A-AU_R1_007A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMBZ12A-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ15A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMBZ15A-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ18A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 17.1÷18.9V; 40W; double,common anode; SOT23
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 14.5V
Semiconductor structure: common anode; double
Breakdown voltage: 17.1...18.9V
Leakage current: 50nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Mounting: SMD
Case: SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ18A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 17.1÷18.9V; 40W; double,common anode; SOT23
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 14.5V
Semiconductor structure: common anode; double
Breakdown voltage: 17.1...18.9V
Leakage current: 50nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27A-AU_R1_007A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMBZ27A-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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