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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PJC7404_R1_00001 PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.40 EUR
266+0.27 EUR
439+0.16 EUR
758+0.09 EUR
794+0.09 EUR
15000+0.09 EUR
21000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.40 EUR
266+0.27 EUR
439+0.16 EUR
758+0.09 EUR
794+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PJC7407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.40 EUR
269+0.27 EUR
481+0.15 EUR
770+0.09 EUR
820+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PJC7407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Case: SOT323
auf Bestellung 8144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.40 EUR
269+0.27 EUR
481+0.15 EUR
770+0.09 EUR
820+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7428_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7428.pdf PJC7428-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
201+0.36 EUR
906+0.08 EUR
958+0.08 EUR
9000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 201
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJC7439-AU.pdf PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
197+0.36 EUR
1363+0.05 EUR
1441+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7476.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
188+0.38 EUR
532+0.13 EUR
625+0.11 EUR
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7476.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+0.51 EUR
188+0.38 EUR
532+0.13 EUR
625+0.11 EUR
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD15P06A-AU_L2_000A1 PanJit Semiconductor PJD15P06A-AU PJD15P06A-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD16P06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD16P06A.pdf PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 11044 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
197+0.36 EUR
209+0.34 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO252AA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
168+0.43 EUR
290+0.25 EUR
307+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO252AA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.66 EUR
168+0.43 EUR
290+0.25 EUR
307+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor PJD25N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1589 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
6000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD35P03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD35P03.pdf PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.70 EUR
295+0.24 EUR
313+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD40P03E-AU PJD40P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx45N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
111+0.65 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx45N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
111+0.65 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD45P03E-AU.pdf PJD45P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45P04_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD45P04.pdf PJD45P04-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 348A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 348A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor PJD55N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD55P03E-AU.pdf PJD55P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD60P04E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD60P04E-AU PJD60P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD70P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD70P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD75P04E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD75P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD90P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD90P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJDLC05_R1_00001 PanJit Semiconductor PJDLC05-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE138K.pdf PJE138K-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.30 EUR
958+0.08 EUR
1015+0.07 EUR
8000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
auf Bestellung 19933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.40 EUR
705+0.10 EUR
747+0.10 EUR
8000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19933 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.40 EUR
705+0.10 EUR
747+0.10 EUR
8000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8402_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8402.pdf PJE8402-R1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8403.pdf PJE8403-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.40 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8408_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8408.pdf PJE8408-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
338+0.21 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
4000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 338
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJEC2415VM1WS-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Version: ESD
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 160W
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOD323
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJEC2415VM1WS-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Version: ESD
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 160W
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOD323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC24C-AU PJGBLC03C-AU-R1 Protection diodes - arrays
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PJGBLC03C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC03C-R1 Protection diodes - arrays
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PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC05C-R1 Protection diodes - arrays
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PJGBLC08C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC08C-AU-R1 Protection diodes - arrays
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PJGBLC12C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
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PJGBLC24C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
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PJL9407_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9407-R2 SMD P channel transistors
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PJL9850_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9850.pdf PJL9850-R2 Multi channel transistors
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PJMB210N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB210N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB210N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB210N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
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PJMB390N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB390N65EC.pdf PJMB390N65EC-R2 SMD N channel transistors
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PJMB390N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMB390N65EC-T0 SMD N channel transistors
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PJMBZ12A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ12A-AU-R1 Protection diodes - arrays
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PJMBZ15A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf PJMBZ15A-AU-R1 Protection diodes - arrays
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PJMBZ18A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf PJMBZ18A-AU-R1 Protection diodes - arrays
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PJMBZ27A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ27A-AU-R1 Protection diodes - arrays
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PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJMBZ15V-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 25.65÷28.35V; 40W; double,common cathode; SOT23
Type of diode: TVS array
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 22V
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 50pF
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Breakdown voltage: 25.65...28.35V
Leakage current: 50nA
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334+0.21 EUR
463+0.15 EUR
582+0.12 EUR
642+0.11 EUR
1000+0.07 EUR
1003+0.07 EUR
1060+0.07 EUR
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PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJMBZ15V-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 25.65÷28.35V; 40W; double,common cathode; SOT23
Type of diode: TVS array
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 22V
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 50pF
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Breakdown voltage: 25.65...28.35V
Leakage current: 50nA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2950 Stücke:
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PJMBZ27V-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJMBZ27V-AU-R2 Protection diodes - arrays
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PJMBZ33A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf PJMBZ33A-AU-R1 Protection diodes - arrays
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PJC7404_R1_00001 PJC7404.pdf
PJC7404_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
266+0.27 EUR
439+0.16 EUR
758+0.09 EUR
794+0.09 EUR
15000+0.09 EUR
21000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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PJC7404_R1_00001 PJC7404.pdf
PJC7404_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
266+0.27 EUR
439+0.16 EUR
758+0.09 EUR
794+0.09 EUR
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PJC7407_R1_00001 PJC7407.pdf
PJC7407_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
269+0.27 EUR
481+0.15 EUR
770+0.09 EUR
820+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PJC7407.pdf
PJC7407_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Case: SOT323
auf Bestellung 8144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
269+0.27 EUR
481+0.15 EUR
770+0.09 EUR
820+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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PJC7428_R1_00001 PJC7428.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7428-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
201+0.36 EUR
906+0.08 EUR
958+0.08 EUR
9000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 201
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PJC7439-AU_R1_000A1 PJC7439-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
197+0.36 EUR
1363+0.05 EUR
1441+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PJC7476.pdf
PJC7476_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
188+0.38 EUR
532+0.13 EUR
625+0.11 EUR
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PJC7476.pdf
PJC7476_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
188+0.38 EUR
532+0.13 EUR
625+0.11 EUR
3000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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PJD15P06A-AU_L2_000A1 PJD15P06A-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD15P06A-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 11044 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
197+0.36 EUR
209+0.34 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD18N20_L2_00001 PJx18N20.pdf
PJD18N20_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD18N20_L2_00001 PJx18N20.pdf
PJD18N20_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03.pdf
PJD25N03_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO252AA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
168+0.43 EUR
290+0.25 EUR
307+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03.pdf
PJD25N03_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO252AA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
168+0.43 EUR
290+0.25 EUR
307+0.23 EUR
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PJD25N04V-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD25N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1589 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
6000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.70 EUR
295+0.24 EUR
313+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 103
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PJD40P03E-AU_L2_006A1 PJD40P03E-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD40P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
PJD45N06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
111+0.65 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
PJD45N06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1568 Stücke:
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74+0.97 EUR
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PJD45P03E-AU_L2_006A1 PJD45P03E-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD45P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD45P04_L2_00001 PJD45P04.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD45P04-L2 SMD P channel transistors
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PJD55N04S-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 348A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04S-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 348A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04V-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD55N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
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PJD55P03E-AU_L2_006A1 PJD55P03E-AU.pdf
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PJD55P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD60P04E-AU_L2_006A1 PJD60P04E-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD60P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD70P03E-AU_L2_006A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD70P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD75P04E-AU_L2_006A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD75P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJD90P03E-AU_L2_006A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD90P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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PJDLC05_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJDLC05-R1 Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE138K_R1_00001 PJE138K.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJE138K-R1 SMD N channel transistors
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239+0.30 EUR
958+0.08 EUR
1015+0.07 EUR
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PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
auf Bestellung 19933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
705+0.10 EUR
747+0.10 EUR
8000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19933 Stücke:
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Anzahl Preis
179+0.40 EUR
705+0.10 EUR
747+0.10 EUR
8000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8402_R1_00001 PJE8402.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJE8402-R1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJE8403-R1 SMD P channel transistors
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179+0.40 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJE8408-R1 SMD N channel transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
338+0.21 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
4000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 338
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Version: ESD
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 160W
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOD323
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Version: ESD
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 160W
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOD323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PJGBLC24C-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC03C-AU-R1 Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC03C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 1600 Stücke:
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345+0.21 EUR
582+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC05C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
345+0.21 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC08C-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC08C-AU-R1 Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 4805 Stücke:
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Anzahl Preis
345+0.21 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC24C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 4455 Stücke:
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Anzahl Preis
345+0.21 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9407_R2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJL9407-R2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Anzahl Preis
338+0.21 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 338
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9850_R2_00001 PJL9850.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJL9850-R2 Multi channel transistors
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
73+0.97 EUR
200+0.36 EUR
2500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB390N65EC_R2_00601 PJMB390N65EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMB390N65EC-R2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB390N65EC_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMB390N65EC-T0 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ12A-AU_R1_007A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMBZ12A-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ15A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMBZ15A-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ18A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMBZ18A-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27A-AU_R1_007A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMBZ27A-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PJMBZ15V-AU_SERIES.pdf
PJMBZ27V-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 25.65÷28.35V; 40W; double,common cathode; SOT23
Type of diode: TVS array
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 22V
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 50pF
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Breakdown voltage: 25.65...28.35V
Leakage current: 50nA
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
463+0.15 EUR
582+0.12 EUR
642+0.11 EUR
1000+0.07 EUR
1003+0.07 EUR
1060+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PJMBZ15V-AU_SERIES.pdf
PJMBZ27V-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 25.65÷28.35V; 40W; double,common cathode; SOT23
Type of diode: TVS array
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 22V
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 50pF
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Breakdown voltage: 25.65...28.35V
Leakage current: 50nA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
463+0.15 EUR
582+0.12 EUR
642+0.11 EUR
1000+0.07 EUR
1003+0.07 EUR
1060+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27V-AU_R2_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMBZ27V-AU-R2 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ33A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMBZ33A-AU-R1 Protection diodes - arrays
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