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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PJA3471_R1_00501 PanJit Semiconductor PJA3471-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 6095 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
496+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJC138K-AU.pdf PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
197+0.36 EUR
1194+0.06 EUR
1260+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7400.pdf PJC7400-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7401_R1_00001 PJC7401_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
On-state resistance: 0.18Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -1.5A
Gate charge: 11nC
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1335 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
211+0.34 EUR
329+0.22 EUR
705+0.1 EUR
747+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7401_R1_00001 PJC7401_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
On-state resistance: 0.18Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -1.5A
Gate charge: 11nC
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+0.56 EUR
211+0.34 EUR
329+0.22 EUR
705+0.1 EUR
747+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
230+0.31 EUR
360+0.2 EUR
758+0.094 EUR
807+0.089 EUR
9000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+0.5 EUR
230+0.31 EUR
360+0.2 EUR
758+0.094 EUR
807+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7407.pdf PJC7407-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 8474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7428_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7428.pdf PJC7428-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
201+0.36 EUR
906+0.079 EUR
958+0.075 EUR
9000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 201
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJC7439-AU.pdf PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
197+0.36 EUR
1363+0.052 EUR
1441+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7476.pdf PJC7476-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
9000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD15P06A-AU_L2_000A1 PanJit Semiconductor PJD15P06A-AU PJD15P06A-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD16P06A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16A; Idm: -64A; 2W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 2W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10931 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
125+0.57 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD16P06A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16A; Idm: -64A; 2W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 2W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
auf Bestellung 10931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+0.83 EUR
125+0.57 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Gate charge: 4.3nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
161+0.45 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Gate charge: 4.3nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+0.67 EUR
161+0.45 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; Idm: 168A; 18W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 18W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; Idm: 168A; 18W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 18W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
154+0.46 EUR
293+0.24 EUR
309+0.23 EUR
6000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+0.67 EUR
154+0.46 EUR
293+0.24 EUR
309+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD35P03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD35P03.pdf PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
295+0.24 EUR
313+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD40P03E-AU PJD40P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx45N06A.pdf PJD45N06A-L2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
208+0.34 EUR
220+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD45P03E-AU.pdf PJD45P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45P04_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD45P04.pdf PJD45P04-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 128A; Idm: 512A; 53W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 53W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 128A; Idm: 512A; 53W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 53W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD55P03E-AU.pdf PJD55P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD60P04E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD60P04E-AU PJD60P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD70P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD70P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD75P04E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD75P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD90P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD90P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJDLC05_R1_00001 PanJit Semiconductor PJDLC05-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE138K.pdf PJE138K-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
958+0.075 EUR
1015+0.07 EUR
8000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.8pF
auf Bestellung 19933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.4 EUR
695+0.1 EUR
736+0.097 EUR
8000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.8pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19933 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
695+0.1 EUR
736+0.097 EUR
8000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8402_R1_00001 PJE8402_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8402.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 2.8A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 2.8A
Drain current: 0.7A
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8402_R1_00001 PJE8402_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8402.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 2.8A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 2.8A
Drain current: 0.7A
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8403_R1_00001 PJE8403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8403.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.4A
Drain current: -600mA
Gate charge: 2.2nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
382+0.19 EUR
610+0.12 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
794+0.09 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8403_R1_00001 PJE8403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8403.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.4A
Drain current: -600mA
Gate charge: 2.2nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.31 EUR
382+0.19 EUR
610+0.12 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
794+0.09 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8408_R1_00001 PJE8408_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8408.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.5A
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
642+0.11 EUR
807+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8408_R1_00001 PJE8408_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8408.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.5A
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.16 EUR
642+0.11 EUR
807+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJEC2415VM1WS-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Application: automotive industry
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Type of diode: TVS
Capacitance: 17pF
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 15...24V
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Peak pulse power dissipation: 160W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJEC2415VM1WS-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Application: automotive industry
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Type of diode: TVS
Capacitance: 17pF
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 15...24V
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Peak pulse power dissipation: 160W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC24C-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; SOD323; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Version: ESD
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC24C-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; SOD323; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4020 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
275+0.26 EUR
407+0.18 EUR
562+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
auf Bestellung 4020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
275+0.26 EUR
407+0.18 EUR
562+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Type of diode: TVS array
Capacitance: 3pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3726 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
271+0.26 EUR
400+0.18 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Type of diode: TVS array
Capacitance: 3pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
271+0.26 EUR
400+0.18 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC08C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC08C-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC12C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.97÷15.44V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.97...15.44V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 4680 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
365+0.2 EUR
455+0.16 EUR
500+0.14 EUR
605+0.12 EUR
635+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 365
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC12C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.97÷15.44V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.97...15.44V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
auf Bestellung 4680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
365+0.2 EUR
455+0.16 EUR
500+0.14 EUR
605+0.12 EUR
635+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 365
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC24C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 4455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
345+0.21 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9407_R2_00001 PJL9407_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2.1W; SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
211+0.34 EUR
365+0.2 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9407_R2_00001 PJL9407_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2.1W; SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOP8
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+0.5 EUR
211+0.34 EUR
365+0.2 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3471_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3471-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 6095 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
496+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC138K-AU_R1_000A1 PJC138K-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
197+0.36 EUR
1194+0.06 EUR
1260+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7400_R1_00001 PJC7400.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7400-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7401_R1_00001 PJC7401.pdf
PJC7401_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
On-state resistance: 0.18Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -1.5A
Gate charge: 11nC
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1335 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
211+0.34 EUR
329+0.22 EUR
705+0.1 EUR
747+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7401_R1_00001 PJC7401.pdf
PJC7401_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
On-state resistance: 0.18Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -1.5A
Gate charge: 11nC
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
211+0.34 EUR
329+0.22 EUR
705+0.1 EUR
747+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404.pdf
PJC7404_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
230+0.31 EUR
360+0.2 EUR
758+0.094 EUR
807+0.089 EUR
9000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404.pdf
PJC7404_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
230+0.31 EUR
360+0.2 EUR
758+0.094 EUR
807+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PJC7407.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7407-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 8474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7428_R1_00001 PJC7428.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7428-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
201+0.36 EUR
906+0.079 EUR
958+0.075 EUR
9000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 201
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7439-AU_R1_000A1 PJC7439-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
197+0.36 EUR
1363+0.052 EUR
1441+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PJC7476.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7476-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
9000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD15P06A-AU_L2_000A1 PJD15P06A-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD15P06A-AU-L2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A.pdf
PJD16P06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16A; Idm: -64A; 2W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 2W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10931 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
125+0.57 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A.pdf
PJD16P06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16A; Idm: -64A; 2W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 2W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
auf Bestellung 10931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
125+0.57 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD18N20_L2_00001 PJx18N20.pdf
PJD18N20_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD18N20_L2_00001 PJx18N20.pdf
PJD18N20_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03.pdf
PJD25N03_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Gate charge: 4.3nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
161+0.45 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03.pdf
PJD25N03_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Gate charge: 4.3nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
161+0.45 EUR
291+0.25 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N04V-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; Idm: 168A; 18W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 18W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N04V-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; Idm: 168A; 18W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 18W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
154+0.46 EUR
293+0.24 EUR
309+0.23 EUR
6000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
154+0.46 EUR
293+0.24 EUR
309+0.23 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
295+0.24 EUR
313+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PJD40P03E-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD40P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD45N06A-L2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
208+0.34 EUR
220+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45P03E-AU_L2_006A1 PJD45P03E-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD45P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45P04_L2_00001 PJD45P04.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD45P04-L2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04S-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04S-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04V-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 128A; Idm: 512A; 53W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 53W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55N04V-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 128A; Idm: 512A; 53W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 53W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD55P03E-AU_L2_006A1 PJD55P03E-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD55P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD60P04E-AU_L2_006A1 PJD60P04E-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD60P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD70P03E-AU_L2_006A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD70P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD75P04E-AU_L2_006A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD75P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD90P03E-AU_L2_006A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD90P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJDLC05_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJDLC05-R1 Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE138K_R1_00001 PJE138K.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJE138K-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
958+0.075 EUR
1015+0.07 EUR
8000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.8pF
auf Bestellung 19933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
695+0.1 EUR
736+0.097 EUR
8000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.8pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19933 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
695+0.1 EUR
736+0.097 EUR
8000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8402_R1_00001 PJE8402.pdf
PJE8402_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 2.8A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 2.8A
Drain current: 0.7A
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8402_R1_00001 PJE8402.pdf
PJE8402_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 2.8A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 2.8A
Drain current: 0.7A
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
PJE8403_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.4A
Drain current: -600mA
Gate charge: 2.2nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
382+0.19 EUR
610+0.12 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
794+0.09 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
PJE8403_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.4A
Drain current: -600mA
Gate charge: 2.2nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
382+0.19 EUR
610+0.12 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
794+0.09 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
PJE8408_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.5A
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
642+0.11 EUR
807+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
PJE8408_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.5A
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
642+0.11 EUR
807+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Application: automotive industry
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Type of diode: TVS
Capacitance: 17pF
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 15...24V
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Peak pulse power dissipation: 160W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Application: automotive industry
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Type of diode: TVS
Capacitance: 17pF
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 15...24V
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Peak pulse power dissipation: 160W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PJGBLC24C-AU
PJGBLC03C-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; SOD323; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Version: ESD
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PJGBLC24C-AU
PJGBLC03C-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; SOD323; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC03C_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4020 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
275+0.26 EUR
407+0.18 EUR
562+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC03C_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
auf Bestellung 4020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
275+0.26 EUR
407+0.18 EUR
562+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC05C_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Type of diode: TVS array
Capacitance: 3pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3726 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
271+0.26 EUR
400+0.18 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC05C_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Type of diode: TVS array
Capacitance: 3pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
271+0.26 EUR
400+0.18 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC08C-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC08C-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC12C_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.97÷15.44V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.97...15.44V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 4680 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
365+0.2 EUR
455+0.16 EUR
500+0.14 EUR
605+0.12 EUR
635+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 365
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC12C_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.97÷15.44V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.97...15.44V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
auf Bestellung 4680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
365+0.2 EUR
455+0.16 EUR
500+0.14 EUR
605+0.12 EUR
635+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 365
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC24C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 4455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
345+0.21 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9407_R2_00001
PJL9407_R2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2.1W; SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
211+0.34 EUR
365+0.2 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9407_R2_00001
PJL9407_R2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2.1W; SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOP8
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
211+0.34 EUR
365+0.2 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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