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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PJSD05TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf PJSD05TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD12CW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD05CW-AU_SERIES.pdf PJSD12CW-AU-R1 Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD12TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf PJSD12TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD24TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf PJSD24TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD36W-AU_R1_000A1 PJSD36W-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03W-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Version: ESD
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD36W-AU_R1_000A1 PJSD36W-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03W-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD36W_R1_00001 PJSD36W_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4635 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
286+0.25 EUR
451+0.16 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
5000+0.082 EUR
10000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD36W_R1_00001 PJSD36W_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Version: ESD
auf Bestellung 4635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.4 EUR
286+0.25 EUR
451+0.16 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJT138K-AU-R1 Multi channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
869+0.082 EUR
918+0.078 EUR
3000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7600_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600.pdf PJT7600-R1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7600_S1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600-S1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7603.pdf PJT7603-R1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
869+0.082 EUR
918+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7605-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJT7605-AU-R1 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate charge: 1.6nC
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5983 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
252+0.28 EUR
477+0.15 EUR
705+0.1 EUR
747+0.096 EUR
9000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate charge: 1.6nC
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.43 EUR
252+0.28 EUR
477+0.15 EUR
705+0.1 EUR
747+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7801_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7801.pdf PJT7801-R1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
213+0.34 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 213
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7828_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7828-R1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7838_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7838.pdf PJT7838-R1 Multi channel transistors
auf Bestellung 7675 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
260+0.28 EUR
618+0.12 EUR
658+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 260
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW3P10A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW3P10A.pdf PJW3P10A-R2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 42500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 42500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4P06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4P06A-AU.pdf PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2683 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
307+0.23 EUR
325+0.22 EUR
2500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4P06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4P06A.pdf PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
400+0.18 EUR
424+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW5P06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW5P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX138K_R1_00001 PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
343+0.21 EUR
598+0.12 EUR
822+0.087 EUR
869+0.082 EUR
2000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX138K_R1_00001 PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.33 EUR
343+0.21 EUR
598+0.12 EUR
822+0.087 EUR
869+0.082 EUR
2000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX138L_R1_00002 PanJit Semiconductor PJX138L-R1 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
304+0.24 EUR
435+0.16 EUR
725+0.099 EUR
758+0.094 EUR
24000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
304+0.24 EUR
435+0.16 EUR
725+0.099 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMS410_R2_00601 PanJit Semiconductor PMS410.pdf PMS410-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSDH60120S1B_T0_00601 PanJit Semiconductor PSDH60120S1B-T0 THT universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB050N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB050N10NS2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB050N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB050N10NS2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB055N08NS1_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB055N08NS1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB055N08NS1_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB055N08NS1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 167W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 167W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP050N10NS2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
Case: TO220ABL
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 138W
Pulsed drain current: 480A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.12 EUR
30+2.39 EUR
50+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP050N10NS2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
Case: TO220ABL
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 138W
Pulsed drain current: 480A
Kind of package: tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.12 EUR
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP055N08NS1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Case: TO220ABL
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65.8nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Power dissipation: 136W
Pulsed drain current: 360A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.13 EUR
58+1.24 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP055N08NS1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Case: TO220ABL
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65.8nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Power dissipation: 136W
Pulsed drain current: 360A
Kind of package: tube
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.13 EUR
58+1.24 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMP075N15NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP075N15NS1.pdf PSMP075N15NS1-T0 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTGH4065S1_T0_00201 PanJit Semiconductor PTGH4065S1-T0 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PZ1AL3V6B_R1_00001 PanJit Semiconductor PZ1AL3V6B-R1 SMD Zener diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PZS1112BES_R1_00001 PanJit Semiconductor PZS113V9BES_SERIES.pdf PZS1112BES-R1 SMD Zener diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PZS516V2BAS_R1_00001 PanJit Semiconductor PZS513V9BAS_SERIES.pdf PZS516V2BAS-R1 SMD Zener diodes
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
682+0.1 EUR
1214+0.059 EUR
1283+0.056 EUR
9000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 682
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB500V-40_R1_00001 PanJit Semiconductor RB500V-40.pdf RB500V-40-R1 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 7185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1200+0.06 EUR
2674+0.027 EUR
2841+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB501V-40_R1_00001 PanJit Semiconductor RB501V-40.pdf RB501V-40-R1 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 5290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1200+0.06 EUR
2763+0.026 EUR
2907+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB520S30_R1_00001 RB520S30_R1_00001 PanJit Semiconductor RB520S30.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Leakage current: 1µA
Max. forward voltage: 0.6V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
556+0.13 EUR
782+0.092 EUR
1180+0.061 EUR
1931+0.037 EUR
2041+0.035 EUR
5000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB520S30_R1_00001 RB520S30_R1_00001 PanJit Semiconductor RB520S30.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Leakage current: 1µA
Max. forward voltage: 0.6V
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.13 EUR
782+0.092 EUR
1180+0.061 EUR
1931+0.037 EUR
2041+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD05TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJSD05TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD12CW-AU_R1_000A1 PJSD05CW-AU_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJSD12CW-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD12TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJSD12TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD24TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJSD24TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD36W-AU_R1_000A1 PJSD03W-AU_SERIES.pdf
PJSD36W-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Version: ESD
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD36W-AU_R1_000A1 PJSD03W-AU_SERIES.pdf
PJSD36W-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD36W_R1_00001
PJSD36W_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4635 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
286+0.25 EUR
451+0.16 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
5000+0.082 EUR
10000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD36W_R1_00001
PJSD36W_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Version: ESD
auf Bestellung 4635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
286+0.25 EUR
451+0.16 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT138K-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJT138K-AU-R1 Multi channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
869+0.082 EUR
918+0.078 EUR
3000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7600_R1_00001 PJT7600.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJT7600-R1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7600_S1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJT7600-S1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7603_R1_00001 PJT7603.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJT7603-R1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
869+0.082 EUR
918+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7605-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJT7605-AU-R1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate charge: 1.6nC
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5983 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
252+0.28 EUR
477+0.15 EUR
705+0.1 EUR
747+0.096 EUR
9000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate charge: 1.6nC
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
252+0.28 EUR
477+0.15 EUR
705+0.1 EUR
747+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7801_R1_00001 PJT7801.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJT7801-R1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
213+0.34 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 213
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7828_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJT7828-R1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJT7838-R1 Multi channel transistors
auf Bestellung 7675 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
260+0.28 EUR
618+0.12 EUR
658+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 260
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW3P10A_R2_00001 PJW3P10A.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJW3P10A-R2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU.pdf
PJW4N06A-AU_R2_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU.pdf
PJW4N06A-AU_R2_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 42500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A.pdf
PJW4N06A_R2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 42500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A.pdf
PJW4N06A_R2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PJW4P06A-AU_R2_000A1 PJW4P06A-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
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PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
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PJW5P06A-AU_R2_000A1
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PJW5P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
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PJX138K_R1_00001
PJX138K_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PJX138K_R1_00001
PJX138K_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PJX138L_R1_00002
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJX138L-R1 Multi channel transistors
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PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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304+0.24 EUR
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758+0.094 EUR
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PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMS410_R2_00601 PMS410.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PMS410-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
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PSDH60120S1B_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
PSDH60120S1B-T0 THT universal diodes
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PSMB050N10NS2_R2_00601 PSMB050N10NS2.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB050N10NS2_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB050N10NS2_R2_00601 PSMB050N10NS2.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB050N10NS2_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB055N08NS1_R2_00601 PSMB055N08NS1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB055N08NS1_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB055N08NS1_R2_00601 PSMB055N08NS1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB055N08NS1_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN015N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 167W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN028N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 167W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2.pdf
PSMP050N10NS2_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
Case: TO220ABL
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 138W
Pulsed drain current: 480A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.12 EUR
30+2.39 EUR
50+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2.pdf
PSMP050N10NS2_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
Case: TO220ABL
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 138W
Pulsed drain current: 480A
Kind of package: tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.12 EUR
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1.pdf
PSMP055N08NS1_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Case: TO220ABL
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65.8nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Power dissipation: 136W
Pulsed drain current: 360A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.13 EUR
58+1.24 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1.pdf
PSMP055N08NS1_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Case: TO220ABL
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65.8nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Power dissipation: 136W
Pulsed drain current: 360A
Kind of package: tube
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.13 EUR
58+1.24 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMP075N15NS1_T0_00601 PSMP075N15NS1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PSMP075N15NS1-T0 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMQC040N10NS2_R2_00601
PSMQC040N10NS2_R2_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMQC040N10NS2_R2_00601
PSMQC040N10NS2_R2_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTGH4065S1_T0_00201
Hersteller: PanJit Semiconductor
PTGH4065S1-T0 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PZ1AL3V6B_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PZ1AL3V6B-R1 SMD Zener diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PZS1112BES_R1_00001 PZS113V9BES_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PZS1112BES-R1 SMD Zener diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PZS516V2BAS_R1_00001 PZS513V9BAS_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PZS516V2BAS-R1 SMD Zener diodes
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
682+0.1 EUR
1214+0.059 EUR
1283+0.056 EUR
9000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 682
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB500V-40_R1_00001 RB500V-40.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
RB500V-40-R1 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 7185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1200+0.06 EUR
2674+0.027 EUR
2841+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB501V-40_R1_00001 RB501V-40.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
RB501V-40-R1 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 5290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1200+0.06 EUR
2763+0.026 EUR
2907+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB520S30_R1_00001 RB520S30.pdf
RB520S30_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Leakage current: 1µA
Max. forward voltage: 0.6V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
782+0.092 EUR
1180+0.061 EUR
1931+0.037 EUR
2041+0.035 EUR
5000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RB520S30_R1_00001 RB520S30.pdf
RB520S30_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Leakage current: 1µA
Max. forward voltage: 0.6V
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