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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PJQ5576A-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5576A-AU.pdf PJQ5576A-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5844-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJQ5844-AU.pdf PJQ5844-AU-R2 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5948-AU_R2_002A1 PJQ5948-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5948-AU.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 37A; Idm: 148A; 30W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 37A
On-state resistance: 15.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 148A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5948-AU_R2_002A1 PJQ5948-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5948-AU.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 37A; Idm: 148A; 30W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 37A
On-state resistance: 15.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 148A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5948V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5948V-AU.pdf PJQ5948V-AU-R2 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6403_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6403-S1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6421-AU_S1_000A1 PanJit Semiconductor PJS6421-AU.pdf PJS6421-AU-S1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6421_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6421.pdf PJS6421-S1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
145+0.49 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6461-AU_S1_000A1 PanJit Semiconductor PJS6461-AU.pdf PJS6461-AU-S1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6601-S1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
164+0.44 EUR
556+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 164
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6816_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6816.pdf PJS6816-S1 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6839_S1_00001 PJS6839_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6839.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
400+0.18 EUR
497+0.14 EUR
900+0.08 EUR
951+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6839_S1_00001 PJS6839_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6839.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -1A
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.26 EUR
400+0.18 EUR
497+0.14 EUR
900+0.08 EUR
951+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 200pF
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 3.3V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
Breakdown voltage: 4V
Leakage current: 0.2mA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 120W
Capacitance: 200pF
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.19 EUR
511+0.14 EUR
682+0.1 EUR
923+0.078 EUR
977+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 200pF
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 3.3V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
Breakdown voltage: 4V
Leakage current: 0.2mA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 120W
Capacitance: 200pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
511+0.14 EUR
682+0.1 EUR
923+0.078 EUR
977+0.073 EUR
5000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf PJSD05TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
285+0.25 EUR
758+0.094 EUR
807+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 285
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD05TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf PJSD05TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD12CW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD05CW-AU_SERIES.pdf PJSD12CW-AU-R1 Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD12TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf PJSD12TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD24TS_R1_00001 PJSD24TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 26.7V; unidirectional; SOD523; reel,tape; 25pF
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 26.7V
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 120W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD24TS_R1_00001 PJSD24TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 26.7V; unidirectional; SOD523; reel,tape; 25pF
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 26.7V
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 120W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD36W-AU_R1_000A1 PJSD36W-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03W-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Version: ESD
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD36W-AU_R1_000A1 PJSD36W-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03W-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD36W_R1_00001 PJSD36W_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4635 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
286+0.25 EUR
451+0.16 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
5000+0.082 EUR
10000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD36W_R1_00001 PJSD36W_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Version: ESD
auf Bestellung 4635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.4 EUR
286+0.25 EUR
451+0.16 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJT138K-AU-R1 Multi channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
869+0.082 EUR
918+0.078 EUR
3000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7600_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600.pdf PJT7600-R1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7600_S1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600-S1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7603.pdf PJT7603-R1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
869+0.082 EUR
918+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7605-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJT7605-AU-R1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate charge: 1.6nC
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5983 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
254+0.28 EUR
443+0.16 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate charge: 1.6nC
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.41 EUR
254+0.28 EUR
443+0.16 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7801_R1_00001 PJT7801_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7801.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A; 350mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
209+0.34 EUR
319+0.22 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7801_R1_00001 PJT7801_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7801.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A; 350mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.8A
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+0.56 EUR
209+0.34 EUR
319+0.22 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7828_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7828-R1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7838_R1_00001 PJT7838_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7838.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7654 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
240+0.3 EUR
407+0.18 EUR
618+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7838_R1_00001 PJT7838_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7838.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
auf Bestellung 7654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.44 EUR
240+0.3 EUR
407+0.18 EUR
618+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW3P10A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW3P10A.pdf PJW3P10A-R2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 42500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 42500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PJW4P06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4P06A-AU.pdf PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
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PJW4P06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4P06A.pdf PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
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PJW5P06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW5P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
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PJX138K_R1_00001 PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJX138K_R1_00001 PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3945 Stücke:
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343+0.21 EUR
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PJX138L_R1_00002 PanJit Semiconductor PJX138L-R1 Multi channel transistors
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PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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304+0.24 EUR
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PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PMS410_R2_00601 PanJit Semiconductor PMS410.pdf PMS410-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
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PSDH60120S1B_T0_00601 PanJit Semiconductor PSDH60120S1B-T0 THT universal diodes
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PSMB050N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB050N10NS2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMB050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMB050N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB050N10NS2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMB050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMB055N08NS1_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB055N08NS1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMB055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMB055N08NS1_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB055N08NS1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PJQ5576A-AU_R2_002A1 PJQ5576A-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5576A-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5844-AU_R2_000A1 PJQ5844-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5844-AU-R2 Multi channel transistors
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PJQ5948-AU_R2_002A1 PJQ5948-AU.pdf
PJQ5948-AU_R2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 37A; Idm: 148A; 30W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 37A
On-state resistance: 15.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 148A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5948-AU_R2_002A1 PJQ5948-AU.pdf
PJQ5948-AU_R2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 37A; Idm: 148A; 30W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 37A
On-state resistance: 15.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 148A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5948V-AU_R2_002A1 PJQ5948V-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5948V-AU-R2 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6403_S1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6403-S1 SMD P channel transistors
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PJS6421-AU_S1_000A1 PJS6421-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6421-AU-S1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6421_S1_00001 PJS6421.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6421-S1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
145+0.49 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6461-AU_S1_000A1 PJS6461-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6461-AU-S1 SMD P channel transistors
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PJS6601_S1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6601-S1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
164+0.44 EUR
556+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 164
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6816_S1_00001 PJS6816.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6816-S1 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6839_S1_00001 PJS6839.pdf
PJS6839_S1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
400+0.18 EUR
497+0.14 EUR
900+0.08 EUR
951+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6839_S1_00001 PJS6839.pdf
PJS6839_S1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -1A
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
400+0.18 EUR
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951+0.075 EUR
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PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD03TS-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 200pF
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 3.3V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
Breakdown voltage: 4V
Leakage current: 0.2mA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 120W
Capacitance: 200pF
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
511+0.14 EUR
682+0.1 EUR
923+0.078 EUR
977+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD03TS-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 200pF
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 3.3V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
Breakdown voltage: 4V
Leakage current: 0.2mA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 120W
Capacitance: 200pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
511+0.14 EUR
682+0.1 EUR
923+0.078 EUR
977+0.073 EUR
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Mindestbestellmenge: 385
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PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJSD05TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
285+0.25 EUR
758+0.094 EUR
807+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 285
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD05TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJSD05TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
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PJSD12CW-AU_R1_000A1 PJSD05CW-AU_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJSD12CW-AU-R1 Protection diodes - arrays
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PJSD12TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJSD12TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
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PJSD24TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
PJSD24TS_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 26.7V; unidirectional; SOD523; reel,tape; 25pF
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 26.7V
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 120W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJSD24TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
PJSD24TS_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 26.7V; unidirectional; SOD523; reel,tape; 25pF
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 26.7V
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 120W
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PJSD36W-AU_R1_000A1 PJSD03W-AU_SERIES.pdf
PJSD36W-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Version: ESD
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD36W-AU_R1_000A1 PJSD03W-AU_SERIES.pdf
PJSD36W-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD36W_R1_00001
PJSD36W_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4635 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
286+0.25 EUR
451+0.16 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
5000+0.082 EUR
10000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD36W_R1_00001
PJSD36W_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Version: ESD
auf Bestellung 4635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
286+0.25 EUR
451+0.16 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT138K-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJT138K-AU-R1 Multi channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
869+0.082 EUR
918+0.078 EUR
3000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7600_R1_00001 PJT7600.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJT7600-R1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7600_S1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJT7600-S1 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7603_R1_00001 PJT7603.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJT7603-R1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
869+0.082 EUR
918+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7605-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJT7605-AU-R1 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate charge: 1.6nC
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5983 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
254+0.28 EUR
443+0.16 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate charge: 1.6nC
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5983 Stücke:
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Anzahl Preis
173+0.41 EUR
254+0.28 EUR
443+0.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7801_R1_00001 PJT7801.pdf
PJT7801_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A; 350mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
209+0.34 EUR
319+0.22 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7801_R1_00001 PJT7801.pdf
PJT7801_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A; 350mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.8A
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
209+0.34 EUR
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PJT7828_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJT7828-R1 Multi channel transistors
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PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
PJT7838_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7654 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
240+0.3 EUR
407+0.18 EUR
618+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
PJT7838_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
auf Bestellung 7654 Stücke:
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Anzahl Preis
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240+0.3 EUR
407+0.18 EUR
618+0.12 EUR
650+0.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW3P10A_R2_00001 PJW3P10A.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJW3P10A-R2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU.pdf
PJW4N06A-AU_R2_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU.pdf
PJW4N06A-AU_R2_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 42500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A.pdf
PJW4N06A_R2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 42500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A.pdf
PJW4N06A_R2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4P06A-AU_R2_000A1 PJW4P06A-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2683 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
307+0.23 EUR
325+0.22 EUR
2500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW4P06A_R2_00001 PJW4P06A.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
400+0.18 EUR
424+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJW5P06A-AU_R2_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJW5P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX138K_R1_00001
PJX138K_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
343+0.21 EUR
598+0.12 EUR
822+0.087 EUR
869+0.082 EUR
2000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX138K_R1_00001
PJX138K_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
343+0.21 EUR
598+0.12 EUR
822+0.087 EUR
869+0.082 EUR
2000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX138L_R1_00002
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJX138L-R1 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
304+0.24 EUR
435+0.16 EUR
725+0.099 EUR
758+0.094 EUR
24000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
304+0.24 EUR
435+0.16 EUR
725+0.099 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMS410_R2_00601 PMS410.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PMS410-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSDH60120S1B_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
PSDH60120S1B-T0 THT universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB050N10NS2_R2_00601 PSMB050N10NS2.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB050N10NS2_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB050N10NS2_R2_00601 PSMB050N10NS2.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB050N10NS2_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB055N08NS1_R2_00601 PSMB055N08NS1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB055N08NS1_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMB055N08NS1_R2_00601 PSMB055N08NS1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMB055N08NS1_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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