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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PEC3205M1Q_R1_00201 PanJit Semiconductor PEC3202M1Q Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5÷8V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5...8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 20pF
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PEC3324C2A-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷30.3V; 7A; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...30.3V
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Leakage current: 50nA
Capacitance: 30pF
Max. forward impulse current: 7A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.46 EUR
250+0.29 EUR
368+0.19 EUR
569+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PEC3324C2A-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷30.3V; 7A; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...30.3V
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Leakage current: 50nA
Capacitance: 30pF
Max. forward impulse current: 7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
250+0.29 EUR
368+0.19 EUR
569+0.13 EUR
596+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A_R1_00001 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB9A51177B422E0DC&compId=PEC33712C2A.pdf?ci_sign=d5c142623a59ad2cd2fcd739fe19f3bb41956a1f Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 35pF
Version: ESD
Max. forward impulse current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
355+0.2 EUR
466+0.16 EUR
1000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 355
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A_R1_00001 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB9A51177B422E0DC&compId=PEC33712C2A.pdf?ci_sign=d5c142623a59ad2cd2fcd739fe19f3bb41956a1f Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 35pF
Version: ESD
Max. forward impulse current: 8A
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 355
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PG4007-AU_R2_100A1 PanJit Semiconductor PG4007-AU-R2 THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA138K-AU.pdf PJA138K-AU-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
2093+0.034 EUR
2213+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA138K-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJA138K-AU-R2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA138K.pdf PJA138K-R1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3400.pdf PJA3400-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2717 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
808+0.089 EUR
855+0.084 EUR
9000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3401A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
477+0.15 EUR
610+0.12 EUR
870+0.082 EUR
921+0.078 EUR
3000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3401A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.21 EUR
477+0.15 EUR
610+0.12 EUR
870+0.082 EUR
921+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402_R1_00501 PanJit Semiconductor PJA3402-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 9019 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
1080+0.066 EUR
1145+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3403.pdf PJA3403-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
1090+0.066 EUR
1153+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404_R1_00501 PanJit Semiconductor PJA3404-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4849 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
958+0.075 EUR
1015+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3405-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3405-AU.pdf PJA3405-AU-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2864 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
832+0.086 EUR
881+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406_R1_00001 PJA3406_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3406.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
309+0.23 EUR
520+0.14 EUR
944+0.076 EUR
999+0.072 EUR
30000+0.071 EUR
45000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406_R1_00001 PJA3406_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3406.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17.6A
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.36 EUR
309+0.23 EUR
520+0.14 EUR
944+0.076 EUR
999+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R1_00001 PJA3407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
300+0.24 EUR
407+0.18 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R1_00001 PJA3407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.36 EUR
300+0.24 EUR
407+0.18 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3409_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3409.pdf PJA3409-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
861+0.083 EUR
911+0.079 EUR
9000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3411-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3411-AU.pdf PJA3411-AU-R1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3411_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3411.pdf PJA3411-R1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3412-AU_R1_000A1 PJA3412-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3412-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 16.4A
Mounting: SMD
auf Bestellung 2513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.27 EUR
410+0.17 EUR
676+0.11 EUR
879+0.081 EUR
930+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3412-AU_R1_000A1 PJA3412-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3412-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 16.4A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2513 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
410+0.17 EUR
676+0.11 EUR
879+0.081 EUR
930+0.077 EUR
6000+0.076 EUR
9000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3412_R1_00501 PanJit Semiconductor PJA3412-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
1334+0.054 EUR
1409+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3413_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3413.pdf PJA3413-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
1367+0.052 EUR
1446+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3415A-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -18A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 88mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
252+0.28 EUR
477+0.15 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3415A-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -18A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 88mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
252+0.28 EUR
477+0.15 EUR
642+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3415AE_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; Idm: -17.2A; 1.25W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -17.2A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3415AE_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; Idm: -17.2A; 1.25W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -17.2A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3416AE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 34mΩ
Gate charge: 8.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
298+0.24 EUR
507+0.14 EUR
802+0.089 EUR
848+0.084 EUR
6000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3416AE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 34mΩ
Gate charge: 8.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 32A
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
298+0.24 EUR
507+0.14 EUR
802+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3428_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3428.pdf PJA3428-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 7390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
260+0.28 EUR
1263+0.057 EUR
1337+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 260
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3430_R1_00001 PJA3430_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3430.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
307+0.23 EUR
731+0.098 EUR
989+0.072 EUR
1047+0.068 EUR
3000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3430_R1_00001 PJA3430_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3430.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.34 EUR
307+0.23 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3432-AU_R1_000A1 PJA3432-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3432-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.34 EUR
285+0.25 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3432-AU_R1_000A1 PJA3432-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3432-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1815 Stücke:
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209+0.34 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3433-AU_R1_000A1 PJA3433-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3433-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.2 EUR
589+0.12 EUR
667+0.11 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3433-AU_R1_000A1 PJA3433-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3433-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3433_R1_00001 PJA3433_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3433.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
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On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7014 Stücke:
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278+0.26 EUR
407+0.18 EUR
598+0.12 EUR
854+0.084 EUR
903+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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PJA3433_R1_00001 PJA3433_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3433.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 7014 Stücke:
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278+0.26 EUR
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PJA3434_R1_00001 PJA3434_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3434.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
385+0.19 EUR
654+0.11 EUR
1087+0.066 EUR
1150+0.062 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3434_R1_00001 PJA3434_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3434.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
auf Bestellung 3820 Stücke:
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PJA3435_R1_00001 PJA3435_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3435.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
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On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5960 Stücke:
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200+0.36 EUR
307+0.23 EUR
340+0.21 EUR
991+0.072 EUR
1047+0.068 EUR
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Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3435_R1_00001 PJA3435_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3435.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Drain current: -0.5A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.36 EUR
307+0.23 EUR
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1047+0.068 EUR
3000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3436-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3436-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3438-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.95nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 50V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
296+0.24 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3438-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.95nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
296+0.24 EUR
500+0.14 EUR
644+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3439-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Drain current: -0.3A
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -60V
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.33 EUR
327+0.22 EUR
579+0.12 EUR
928+0.077 EUR
981+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3439-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Drain current: -0.3A
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
327+0.22 EUR
579+0.12 EUR
928+0.077 EUR
981+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3440-AU_R1_000A1 PJA3440-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3440-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 17.2A; 1.25W; SOT23
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.46 EUR
236+0.3 EUR
421+0.17 EUR
625+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3440-AU_R1_000A1 PJA3440-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3440-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 17.2A; 1.25W; SOT23
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
236+0.3 EUR
421+0.17 EUR
625+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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PJA3441-AU_R1_000A1 PJA3441-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3441-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
210+0.34 EUR
374+0.19 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3441-AU_R1_000A1 PJA3441-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3441-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
210+0.34 EUR
374+0.19 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 125
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PJA3441_R1_00501 PJA3441_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
234+0.31 EUR
309+0.23 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3441_R1_00501 PJA3441_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.46 EUR
234+0.31 EUR
309+0.23 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3460-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3460-AU-R1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3460_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3460.pdf PJA3460-R1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC3205M1Q_R1_00201 PEC3202M1Q
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5÷8V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5...8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 20pF
Version: ESD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PEC3324C2A-AU
PEC3324C2A-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷30.3V; 7A; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...30.3V
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Leakage current: 50nA
Capacitance: 30pF
Max. forward impulse current: 7A
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PEC3324C2A-AU
PEC3324C2A-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷30.3V; 7A; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...30.3V
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Leakage current: 50nA
Capacitance: 30pF
Max. forward impulse current: 7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
157+0.46 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC33712C2A_R1_00001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB9A51177B422E0DC&compId=PEC33712C2A.pdf?ci_sign=d5c142623a59ad2cd2fcd739fe19f3bb41956a1f
PEC33712C2A_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 35pF
Version: ESD
Max. forward impulse current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
355+0.2 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC33712C2A_R1_00001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB9A51177B422E0DC&compId=PEC33712C2A.pdf?ci_sign=d5c142623a59ad2cd2fcd739fe19f3bb41956a1f
PEC33712C2A_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 35pF
Version: ESD
Max. forward impulse current: 8A
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 355
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PG4007-AU_R2_100A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PG4007-AU-R2 THT universal diodes
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PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA138K-AU-R1 SMD N channel transistors
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2093+0.034 EUR
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PJA138K-AU_R2_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA138K-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJA138K_R1_00001 PJA138K.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA138K-R1 SMD N channel transistors
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PJA3400_R1_00001 PJA3400.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3400-R1 SMD N channel transistors
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162+0.44 EUR
808+0.089 EUR
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PJA3401A_R1_00001 PJA3401A.pdf
PJA3401A_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
477+0.15 EUR
610+0.12 EUR
870+0.082 EUR
921+0.078 EUR
3000+0.075 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A.pdf
PJA3401A_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1894 Stücke:
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Anzahl Preis
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PJA3402_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3402-R1 SMD N channel transistors
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143+0.5 EUR
1080+0.066 EUR
1145+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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PJA3403_R1_00001 PJA3403.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3403-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2378 Stücke:
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Anzahl Preis
139+0.51 EUR
1090+0.066 EUR
1153+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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PJA3404_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3404-R1 SMD N channel transistors
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Anzahl Preis
122+0.59 EUR
958+0.075 EUR
1015+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 122
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PJA3405-AU_R1_000A1 PJA3405-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3405-AU-R1 SMD P channel transistors
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239+0.3 EUR
832+0.086 EUR
881+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406_R1_00001 PJA3406.pdf
PJA3406_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
309+0.23 EUR
520+0.14 EUR
944+0.076 EUR
999+0.072 EUR
30000+0.071 EUR
45000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406_R1_00001 PJA3406.pdf
PJA3406_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17.6A
auf Bestellung 2490 Stücke:
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Anzahl Preis
200+0.36 EUR
309+0.23 EUR
520+0.14 EUR
944+0.076 EUR
999+0.072 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R1_00001 PJA3407.pdf
PJA3407_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
300+0.24 EUR
407+0.18 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R1_00001 PJA3407.pdf
PJA3407_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
300+0.24 EUR
407+0.18 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3409_R1_00001 PJA3409.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3409-R1 SMD P channel transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
861+0.083 EUR
911+0.079 EUR
9000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3411-AU_R1_000A1 PJA3411-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3411-AU-R1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3411_R1_00001 PJA3411.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3411-R1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3412-AU_R1_000A1 PJA3412-AU.pdf
PJA3412-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 16.4A
Mounting: SMD
auf Bestellung 2513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
410+0.17 EUR
676+0.11 EUR
879+0.081 EUR
930+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3412-AU_R1_000A1 PJA3412-AU.pdf
PJA3412-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 16.4A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2513 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
410+0.17 EUR
676+0.11 EUR
879+0.081 EUR
930+0.077 EUR
6000+0.076 EUR
9000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 264
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PJA3412_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3412-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
1334+0.054 EUR
1409+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3413_R1_00001 PJA3413.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3413-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
1367+0.052 EUR
1446+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU.pdf
PJA3415A-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -18A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 88mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
252+0.28 EUR
477+0.15 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU.pdf
PJA3415A-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -18A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 88mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
252+0.28 EUR
477+0.15 EUR
642+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3415AE_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; Idm: -17.2A; 1.25W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -17.2A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3415AE_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; Idm: -17.2A; 1.25W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -17.2A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE.pdf
PJA3416AE_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 34mΩ
Gate charge: 8.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
298+0.24 EUR
507+0.14 EUR
802+0.089 EUR
848+0.084 EUR
6000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE.pdf
PJA3416AE_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 34mΩ
Gate charge: 8.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 32A
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
298+0.24 EUR
507+0.14 EUR
802+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3428_R1_00001 PJA3428.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3428-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 7390 Stücke:
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Anzahl Preis
260+0.28 EUR
1263+0.057 EUR
1337+0.053 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3430_R1_00001 PJA3430.pdf
PJA3430_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2565 Stücke:
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Anzahl Preis
209+0.34 EUR
307+0.23 EUR
731+0.098 EUR
989+0.072 EUR
1047+0.068 EUR
3000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3430_R1_00001 PJA3430.pdf
PJA3430_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
307+0.23 EUR
731+0.098 EUR
989+0.072 EUR
1047+0.068 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3432-AU_R1_000A1 PJA3432-AU.pdf
PJA3432-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
285+0.25 EUR
703+0.1 EUR
858+0.083 EUR
908+0.079 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3432-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
285+0.25 EUR
703+0.1 EUR
858+0.083 EUR
908+0.079 EUR
3000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3433-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
589+0.12 EUR
667+0.11 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3433-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
589+0.12 EUR
667+0.11 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3433_R1_00001 PJA3433.pdf
PJA3433_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7014 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
407+0.18 EUR
598+0.12 EUR
854+0.084 EUR
903+0.079 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3433_R1_00001 PJA3433.pdf
PJA3433_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 7014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
407+0.18 EUR
598+0.12 EUR
854+0.084 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3434_R1_00001 PJA3434.pdf
PJA3434_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
385+0.19 EUR
654+0.11 EUR
1087+0.066 EUR
1150+0.062 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3434_R1_00001 PJA3434.pdf
PJA3434_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
385+0.19 EUR
654+0.11 EUR
1087+0.066 EUR
1150+0.062 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3435_R1_00001 PJA3435.pdf
PJA3435_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Drain current: -0.5A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
307+0.23 EUR
340+0.21 EUR
991+0.072 EUR
1047+0.068 EUR
3000+0.066 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3435_R1_00001 PJA3435.pdf
PJA3435_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Drain current: -0.5A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
307+0.23 EUR
340+0.21 EUR
991+0.072 EUR
1047+0.068 EUR
3000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU.pdf
PJA3436-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU.pdf
PJA3436-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU.pdf
PJA3438-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.95nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 50V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
296+0.24 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU.pdf
PJA3438-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.95nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
296+0.24 EUR
500+0.14 EUR
644+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU.pdf
PJA3439-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Drain current: -0.3A
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -60V
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
327+0.22 EUR
579+0.12 EUR
928+0.077 EUR
981+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU.pdf
PJA3439-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Drain current: -0.3A
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
327+0.22 EUR
579+0.12 EUR
928+0.077 EUR
981+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3440-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 17.2A; 1.25W; SOT23
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
236+0.3 EUR
421+0.17 EUR
625+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3440-AU_R1_000A1 PJA3440-AU.pdf
PJA3440-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 17.2A; 1.25W; SOT23
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
236+0.3 EUR
421+0.17 EUR
625+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3441-AU_R1_000A1 PJA3441-AU.pdf
PJA3441-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
210+0.34 EUR
374+0.19 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3441-AU_R1_000A1 PJA3441-AU.pdf
PJA3441-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
210+0.34 EUR
374+0.19 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3441_R1_00501
PJA3441_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
234+0.31 EUR
309+0.23 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3441_R1_00501
PJA3441_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
234+0.31 EUR
309+0.23 EUR
782+0.092 EUR
820+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3460-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3460-AU-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
633+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3460_R1_00001 PJA3460.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3460-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
134+0.54 EUR
650+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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