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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PJC138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJC138K-AU.pdf PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2059 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
175+0.41 EUR
1180+0.061 EUR
1247+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7400.pdf PJC7400-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
211+0.34 EUR
725+0.099 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 211
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7401_R1_00001 PJC7401_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
228+0.31 EUR
355+0.2 EUR
417+0.17 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7401_R1_00001 PJC7401_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+0.51 EUR
228+0.31 EUR
355+0.2 EUR
417+0.17 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
237+0.3 EUR
374+0.19 EUR
506+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+0.49 EUR
237+0.3 EUR
374+0.19 EUR
506+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PJC7407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.3A
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -5.2A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
288+0.25 EUR
491+0.15 EUR
650+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.089 EUR
6000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PJC7407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.3A
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -5.2A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
auf Bestellung 7545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.37 EUR
288+0.25 EUR
491+0.15 EUR
650+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.089 EUR
6000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7409_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7409.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; DFN5060-8
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7410_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7410.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7428_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7428.pdf PJC7428-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
253+0.28 EUR
895+0.08 EUR
947+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 253
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJC7439-AU.pdf PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
244+0.29 EUR
1345+0.053 EUR
1425+0.05 EUR
15000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 244
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7476.pdf PJC7476-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
618+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD11N06A-AU_L2_000A1 PanJit Semiconductor PJD11N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD11N06A_L2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD16P06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD16P06A.pdf PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 10928 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.88 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N03.pdf PJD25N03-L2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
290+0.25 EUR
305+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A-AU_L2_000A1 PanJit Semiconductor PJD25N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1537 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
157+0.46 EUR
215+0.33 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+0.67 EUR
157+0.46 EUR
215+0.33 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD30N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor PJD30N04S-AU Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD35P03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD35P03.pdf PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2503 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
6000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD40N04_L2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx45N06A.pdf PJD45N06A-L2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
205+0.35 EUR
209+0.34 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD50P06A-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49A; TO252AA
Case: TO252AA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49A
Gate-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD60N06SA-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD60N06SA-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 66A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 66A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD80N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx80N03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD80N06SA-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD80N06SA-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 94A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 94A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE138K.pdf PJE138K-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
319+0.22 EUR
947+0.076 EUR
966+0.074 EUR
1003+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 319
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJE5V0U8TB-AU-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 19922 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
128+0.56 EUR
695+0.1 EUR
736+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8403.pdf PJE8403-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
229+0.31 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 229
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8408_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8408.pdf PJE8408-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
407+0.18 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
794+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 407
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC03C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 3456 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
176+0.41 EUR
556+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7V; 1A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1376 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
286+0.25 EUR
421+0.17 EUR
550+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.36 EUR
286+0.25 EUR
421+0.17 EUR
550+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.77V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC12C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 4415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
203+0.35 EUR
596+0.12 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 203
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC24C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9407_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9407-R2 SMD P channel transistors
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PJL9850_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9850.pdf PJL9850-R2 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB125N60FRC_R2_00201 PanJit Semiconductor PJMB125N60FRC Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO263AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Gate-source voltage: 30V
Case: TO263AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB130N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Case: TO263
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB130N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Case: TO263
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB210N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB210N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB390N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB390N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB390N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ18A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 17.1÷18.9V; 40W; double,common anode; SOT23
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Leakage current: 50nA
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 14.5V
Breakdown voltage: 17.1...18.9V
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Version: ESD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ20A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 21V; 1.4A; 0.04kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Leakage current: 50nA
Max. forward impulse current: 1.4A
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 17V
Breakdown voltage: 21V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Case: SOT23
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
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PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJMBZ15V-AU_SERIES.pdf PJMBZ27V-AU-R1 Protection diodes - arrays
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PJMD190N65FR2_L2_00601 PanJit Semiconductor PJMD190N65FR2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD360N60EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD390N65EC_L2_00001 PJMD390N65EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD390N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD990N65EC_L2_00001 PJMD990N65EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD990N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF060N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF060N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48.3A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48.3A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF080N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF080N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29.2A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29.2A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF099N60EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF099N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF120N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF125N60FRC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF125N60FRC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; ITO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 29A
Gate-source voltage: 30V
Case: ITO220AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF130N65EC_T0_006A1 PanJit Semiconductor Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; Idm: 63A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC138K-AU_R1_000A1 PJC138K-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
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Anzahl Preis
175+0.41 EUR
1180+0.061 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7400_R1_00001 PJC7400.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7400-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
211+0.34 EUR
725+0.099 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 211
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7401_R1_00001 PJC7401.pdf
PJC7401_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
228+0.31 EUR
355+0.2 EUR
417+0.17 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7401_R1_00001 PJC7401.pdf
PJC7401_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
228+0.31 EUR
355+0.2 EUR
417+0.17 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404.pdf
PJC7404_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
237+0.3 EUR
374+0.19 EUR
506+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7404_R1_00001 PJC7404.pdf
PJC7404_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
auf Bestellung 5990 Stücke:
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Anzahl Preis
148+0.49 EUR
237+0.3 EUR
374+0.19 EUR
506+0.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PJC7407.pdf
PJC7407_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.3A
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -5.2A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
288+0.25 EUR
491+0.15 EUR
650+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.089 EUR
6000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7407_R1_00001 PJC7407.pdf
PJC7407_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.3A
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -5.2A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
auf Bestellung 7545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
288+0.25 EUR
491+0.15 EUR
650+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.089 EUR
6000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7409_R1_00001 PJC7409.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; DFN5060-8
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7410_R1_00001 PJC7410.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7428_R1_00001 PJC7428.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7428-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
253+0.28 EUR
895+0.08 EUR
947+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 253
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7439-AU_R1_000A1 PJC7439-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
244+0.29 EUR
1345+0.053 EUR
1425+0.05 EUR
15000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 244
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7476_R1_00001 PJC7476.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC7476-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
618+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD11N06A-AU_L2_000A1 PJD11N06A-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD11N06A_L2_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 10928 Stücke:
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Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD25N03-L2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A-AU_L2_000A1 PJD25N06A-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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107+0.67 EUR
157+0.46 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1537 Stücke:
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107+0.67 EUR
157+0.46 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD30N04S-AU_L2_002A1 PJD30N04S-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
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291+0.25 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD40N04_L2_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJD45N06A-L2 SMD N channel transistors
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64+1.13 EUR
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209+0.34 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD50P06A-AU_L2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49A; TO252AA
Case: TO252AA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49A
Gate-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD60N06SA-AU_L2_006A1 PJD60N06SA-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 66A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 66A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD80N03_L2_00001 PJx80N03.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJD80N06SA-AU_L2_006A1 PJD80N06SA-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 94A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 94A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE138K_R1_00001 PJE138K.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJE138K-R1 SMD N channel transistors
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319+0.22 EUR
947+0.076 EUR
966+0.074 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJE5V0U8TB-AU-R1 Protection diodes - arrays
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Anzahl Preis
128+0.56 EUR
695+0.1 EUR
736+0.097 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJE8403-R1 SMD P channel transistors
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Anzahl Preis
229+0.31 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
1000+0.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJE8408-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
407+0.18 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
794+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 407
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC03C-R1 Protection diodes - arrays
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Anzahl Preis
176+0.41 EUR
556+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C-AU_R1_000A1 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7V; 1A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC05C_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1376 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
286+0.25 EUR
421+0.17 EUR
550+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC05C_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
286+0.25 EUR
421+0.17 EUR
550+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.77V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 4415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
203+0.35 EUR
596+0.12 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 203
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC24C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 4380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
214+0.33 EUR
596+0.12 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 214
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9407_R2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJL9407-R2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
135+0.53 EUR
463+0.15 EUR
7500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 135
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9850_R2_00001 PJL9850.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJL9850-R2 Multi channel transistors
auf Bestellung 5047 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
274+0.26 EUR
290+0.25 EUR
12500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB125N60FRC_R2_00201 PJMB125N60FRC
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO263AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Gate-source voltage: 30V
Case: TO263AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB130N65EC_R2_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Case: TO263
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB130N65EC_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Case: TO263
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB390N65EC_R2_00601 PJMB390N65EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB390N65EC_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ18A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 17.1÷18.9V; 40W; double,common anode; SOT23
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Leakage current: 50nA
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 14.5V
Breakdown voltage: 17.1...18.9V
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ20A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 21V; 1.4A; 0.04kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Leakage current: 50nA
Max. forward impulse current: 1.4A
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 17V
Breakdown voltage: 21V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Case: SOT23
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PJMBZ15V-AU_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMBZ27V-AU-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
310+0.23 EUR
989+0.072 EUR
1047+0.068 EUR
9000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 310
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD190N65FR2_L2_00601 PJMD190N65FR2
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD390N65EC_L2_00001 PJMD390N65EC.pdf
PJMD390N65EC_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD990N65EC_L2_00001 PJMD990N65EC.pdf
PJMD990N65EC_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF060N65FR2_T0_00601 PJMF060N65FR2
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48.3A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48.3A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF080N65FR2_T0_00601 PJMF080N65FR2
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29.2A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29.2A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF099N60EC_T0_00601 PJMF099N60EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC.pdf
PJMF120N60EC_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF125N60FRC_T0_00601 PJMF125N60FRC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; ITO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 29A
Gate-source voltage: 30V
Case: ITO220AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF130N65EC_T0_006A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; Idm: 63A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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