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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PCDP20120G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP20120G1.pdf PCDP20120G1-T0 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP2065G1_T0_00001 PanJit Semiconductor PCDP2065G1.pdf PCDP2065G1-T0 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDZ5.1B-AU_R1_000A1 PDZ5.1B-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD8E4CDCC040D6&compId=PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf?ci_sign=f49d54adb8b36981585cb1ef7eced5a24e35c3cf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.75µA
Application: automotive industry
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.16 EUR
610+0.12 EUR
981+0.073 EUR
1656+0.043 EUR
1755+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDZ5.1B-AU_R1_000A1 PDZ5.1B-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD8E4CDCC040D6&compId=PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf?ci_sign=f49d54adb8b36981585cb1ef7eced5a24e35c3cf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.75µA
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
610+0.12 EUR
981+0.073 EUR
1656+0.043 EUR
1755+0.041 EUR
5000+0.04 EUR
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE1403M1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1403M1Q.pdf PE1403M1Q-R1 Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE1805C4A6_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1805C4A6_R1_00001.pdf PE1805C4A6-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 8550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
509+0.14 EUR
830+0.086 EUR
878+0.082 EUR
9000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 509
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE1805C4C6_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1805C4C6.pdf PE1805C4C6-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
673+0.11 EUR
991+0.072 EUR
1049+0.068 EUR
3000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 673
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE4105C1ES_R1_00001 PanJit Semiconductor PE4105C1ES-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1200+0.06 EUR
2874+0.025 EUR
3049+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC11SD03M1Q_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC11SD03M1Q_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC1605M1Q.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Mounting: SMD
Case: DFN1006-2
Capacitance: 0.6pF
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Leakage current: 75nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC1605M1Q.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Mounting: SMD
Case: DFN1006-2
Capacitance: 0.6pF
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Leakage current: 75nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC3202M1Q_R1_00201 PanJit Semiconductor PEC3202M1Q-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC3205M1Q_R1_00201 PanJit Semiconductor PEC3202M1Q PEC3205M1Q-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PEC3324C2A-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷30.3V; 7A; bidirectional,double; SOT23
Case: SOT23
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 30pF
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.2...30.3V
Max. forward impulse current: 7A
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional; double
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.46 EUR
250+0.29 EUR
368+0.19 EUR
569+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PEC3324C2A-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷30.3V; 7A; bidirectional,double; SOT23
Case: SOT23
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 30pF
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.2...30.3V
Max. forward impulse current: 7A
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional; double
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
250+0.29 EUR
368+0.19 EUR
569+0.13 EUR
596+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A_R1_00001 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB9A51177B422E0DC&compId=PEC33712C2A.pdf?ci_sign=d5c142623a59ad2cd2fcd739fe19f3bb41956a1f Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 35pF
Version: ESD
Max. forward impulse current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
355+0.2 EUR
466+0.16 EUR
1000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 355
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A_R1_00001 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB9A51177B422E0DC&compId=PEC33712C2A.pdf?ci_sign=d5c142623a59ad2cd2fcd739fe19f3bb41956a1f Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 35pF
Version: ESD
Max. forward impulse current: 8A
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 355
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PG4007-AU_R2_100A1 PanJit Semiconductor PG4007-AU-R2 THT universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA138K-AU.pdf PJA138K-AU-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
2093+0.034 EUR
2213+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA138K-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJA138K-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA138K.pdf PJA138K-R1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 19.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
230+0.31 EUR
361+0.2 EUR
808+0.089 EUR
855+0.084 EUR
15000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 19.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+0.5 EUR
230+0.31 EUR
361+0.2 EUR
808+0.089 EUR
855+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3401A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
327+0.22 EUR
517+0.14 EUR
870+0.082 EUR
920+0.078 EUR
3000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3401A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.37 EUR
327+0.22 EUR
517+0.14 EUR
870+0.082 EUR
920+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402_R1_00501 PJA3402_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9015 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
225+0.32 EUR
497+0.14 EUR
542+0.13 EUR
1076+0.066 EUR
1139+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402_R1_00501 PJA3402_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.47 EUR
225+0.32 EUR
497+0.14 EUR
542+0.13 EUR
1076+0.066 EUR
1139+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3403.pdf PJA3403-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
1090+0.066 EUR
1153+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404_R1_00501 PanJit Semiconductor PJA3404-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4849 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
958+0.075 EUR
1015+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3405-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3405-AU.pdf PJA3405-AU-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2864 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
832+0.086 EUR
881+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406_R1_00001 PJA3406_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3406.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
334+0.21 EUR
625+0.11 EUR
939+0.076 EUR
993+0.072 EUR
9000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406_R1_00001 PJA3406_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3406.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.33 EUR
334+0.21 EUR
625+0.11 EUR
939+0.076 EUR
993+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R1_00001 PJA3407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
300+0.24 EUR
407+0.18 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R1_00001 PJA3407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.36 EUR
300+0.24 EUR
407+0.18 EUR
807+0.089 EUR
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PJA3409_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3409.pdf PJA3409-R1 SMD P channel transistors
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PJA3411-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3411-AU.pdf PJA3411-AU-R1 SMD P channel transistors
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PJA3411_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3411.pdf PJA3411-R1 SMD P channel transistors
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PJA3412-AU_R1_000A1 PJA3412-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3412-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 16.4A
Mounting: SMD
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PJA3412-AU_R1_000A1 PJA3412-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3412-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 16.4A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJA3412_R1_00501 PanJit Semiconductor PJA3412-R1 SMD N channel transistors
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PJA3413_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3413.pdf PJA3413-R1 SMD P channel transistors
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PJA3415A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3415A-AU.pdf PJA3415A-AU-R1 SMD P channel transistors
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PJA3415AE_R1_00501 PanJit Semiconductor PJA3415AE-R1 SMD P channel transistors
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PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3416AE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.6nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2461 Stücke:
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162+0.44 EUR
254+0.28 EUR
408+0.18 EUR
804+0.089 EUR
851+0.084 EUR
6000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3416AE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.6nC
auf Bestellung 2461 Stücke:
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PJA3428_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3428.pdf PJA3428-R1 SMD N channel transistors
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1337+0.053 EUR
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PJA3430_R1_00001 PJA3430_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3430.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Gate charge: 1.8nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
385+0.19 EUR
615+0.12 EUR
995+0.072 EUR
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3000+0.067 EUR
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PJA3430_R1_00001 PJA3430_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3430.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Gate charge: 1.8nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2565 Stücke:
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385+0.19 EUR
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PJA3432-AU_R1_000A1 PJA3432-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3432-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 570mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.3 EUR
400+0.18 EUR
637+0.11 EUR
864+0.083 EUR
881+0.081 EUR
915+0.078 EUR
1000+0.075 EUR
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PJA3432-AU_R1_000A1 PJA3432-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3432-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 570mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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400+0.18 EUR
637+0.11 EUR
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PJA3433-AU_R1_000A1 PJA3433-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3433-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.3 EUR
400+0.18 EUR
633+0.11 EUR
782+0.092 EUR
848+0.084 EUR
863+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3433-AU_R1_000A1 PJA3433-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3433-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
400+0.18 EUR
633+0.11 EUR
782+0.092 EUR
848+0.084 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3433_R1_00001 PJA3433_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3433.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7014 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
376+0.19 EUR
619+0.12 EUR
860+0.083 EUR
910+0.079 EUR
1000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3433_R1_00001 PJA3433_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3433.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.31 EUR
376+0.19 EUR
619+0.12 EUR
860+0.083 EUR
910+0.079 EUR
1000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3434_R1_00001 PJA3434_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3434.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
368+0.19 EUR
579+0.12 EUR
1095+0.065 EUR
1158+0.062 EUR
6000+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3434_R1_00001 PJA3434_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3434.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.33 EUR
368+0.19 EUR
579+0.12 EUR
1095+0.065 EUR
1158+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3435_R1_00001 PJA3435_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3435.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
300+0.24 EUR
463+0.15 EUR
997+0.072 EUR
1055+0.068 EUR
24000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3435_R1_00001 PJA3435_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3435.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.4 EUR
300+0.24 EUR
463+0.15 EUR
997+0.072 EUR
1055+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3436-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 0.9Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.33 EUR
368+0.19 EUR
592+0.12 EUR
1119+0.064 EUR
1183+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP20120G1_T0_00001 PCDP20120G1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDP20120G1-T0 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCDP2065G1_T0_00001 PCDP2065G1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PCDP2065G1-T0 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDZ5.1B-AU_R1_000A1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD8E4CDCC040D6&compId=PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf?ci_sign=f49d54adb8b36981585cb1ef7eced5a24e35c3cf
PDZ5.1B-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.75µA
Application: automotive industry
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
610+0.12 EUR
981+0.073 EUR
1656+0.043 EUR
1755+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDZ5.1B-AU_R1_000A1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD8E4CDCC040D6&compId=PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf?ci_sign=f49d54adb8b36981585cb1ef7eced5a24e35c3cf
PDZ5.1B-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.75µA
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
610+0.12 EUR
981+0.073 EUR
1656+0.043 EUR
1755+0.041 EUR
5000+0.04 EUR
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE1403M1Q_R1_00001 PE1403M1Q.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PE1403M1Q-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PE1805C4A6_R1_00001 PE1805C4A6_R1_00001.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PE1805C4A6-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 8550 Stücke:
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PE1805C4C6_R1_00001 PE1805C4C6.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PE1805C4C6-R1 Protection diodes - arrays
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PE4105C1ES_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PE4105C1ES-R1 Protection diodes - arrays
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PEC11SD03M1Q_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC11SD03M1Q_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
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PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q.pdf
PEC1605M1Q_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Mounting: SMD
Case: DFN1006-2
Capacitance: 0.6pF
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Leakage current: 75nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q.pdf
PEC1605M1Q_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Mounting: SMD
Case: DFN1006-2
Capacitance: 0.6pF
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Leakage current: 75nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
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PEC3202M1Q_R1_00201
Hersteller: PanJit Semiconductor
PEC3202M1Q-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
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PEC3205M1Q_R1_00201 PEC3202M1Q
Hersteller: PanJit Semiconductor
PEC3205M1Q-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
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PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PEC3324C2A-AU
PEC3324C2A-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷30.3V; 7A; bidirectional,double; SOT23
Case: SOT23
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 30pF
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.2...30.3V
Max. forward impulse current: 7A
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional; double
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Anzahl Preis
157+0.46 EUR
250+0.29 EUR
368+0.19 EUR
569+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PEC3324C2A-AU
PEC3324C2A-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷30.3V; 7A; bidirectional,double; SOT23
Case: SOT23
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 30pF
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.2...30.3V
Max. forward impulse current: 7A
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional; double
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
157+0.46 EUR
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PEC33712C2A_R1_00001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB9A51177B422E0DC&compId=PEC33712C2A.pdf?ci_sign=d5c142623a59ad2cd2fcd739fe19f3bb41956a1f
PEC33712C2A_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 35pF
Version: ESD
Max. forward impulse current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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355+0.2 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PEC33712C2A_R1_00001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFB9A51177B422E0DC&compId=PEC33712C2A.pdf?ci_sign=d5c142623a59ad2cd2fcd739fe19f3bb41956a1f
PEC33712C2A_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 35pF
Version: ESD
Max. forward impulse current: 8A
auf Bestellung 355 Stücke:
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Anzahl Preis
355+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 355
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PG4007-AU_R2_100A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PG4007-AU-R2 THT universal diodes
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PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA138K-AU-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2840 Stücke:
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278+0.26 EUR
2093+0.034 EUR
2213+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA138K-AU_R2_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA138K-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA138K_R1_00001 PJA138K.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA138K-R1 SMD N channel transistors
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PJA3400_R1_00001 PJA3400.pdf
PJA3400_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 19.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2695 Stücke:
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Anzahl Preis
143+0.5 EUR
230+0.31 EUR
361+0.2 EUR
808+0.089 EUR
855+0.084 EUR
15000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3400_R1_00001 PJA3400.pdf
PJA3400_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 19.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2695 Stücke:
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Anzahl Preis
143+0.5 EUR
230+0.31 EUR
361+0.2 EUR
808+0.089 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A.pdf
PJA3401A_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
327+0.22 EUR
517+0.14 EUR
870+0.082 EUR
920+0.078 EUR
3000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A.pdf
PJA3401A_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1793 Stücke:
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Anzahl Preis
193+0.37 EUR
327+0.22 EUR
517+0.14 EUR
870+0.082 EUR
920+0.078 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402_R1_00501
PJA3402_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9015 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
225+0.32 EUR
497+0.14 EUR
542+0.13 EUR
1076+0.066 EUR
1139+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402_R1_00501
PJA3402_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
225+0.32 EUR
497+0.14 EUR
542+0.13 EUR
1076+0.066 EUR
1139+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3403_R1_00001 PJA3403.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3403-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
1090+0.066 EUR
1153+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3404-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4849 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
958+0.075 EUR
1015+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3405-AU_R1_000A1 PJA3405-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3405-AU-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2864 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
832+0.086 EUR
881+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406_R1_00001 PJA3406.pdf
PJA3406_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
334+0.21 EUR
625+0.11 EUR
939+0.076 EUR
993+0.072 EUR
9000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406_R1_00001 PJA3406.pdf
PJA3406_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
334+0.21 EUR
625+0.11 EUR
939+0.076 EUR
993+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R1_00001 PJA3407.pdf
PJA3407_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
300+0.24 EUR
407+0.18 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R1_00001 PJA3407.pdf
PJA3407_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
300+0.24 EUR
407+0.18 EUR
807+0.089 EUR
848+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3409_R1_00001 PJA3409.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3409-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
861+0.083 EUR
911+0.079 EUR
9000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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PJA3411-AU_R1_000A1 PJA3411-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3411-AU-R1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3411_R1_00001 PJA3411.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3411-R1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3412-AU_R1_000A1 PJA3412-AU.pdf
PJA3412-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 16.4A
Mounting: SMD
auf Bestellung 2513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
410+0.17 EUR
676+0.11 EUR
879+0.081 EUR
930+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3412-AU_R1_000A1 PJA3412-AU.pdf
PJA3412-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 16.4A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3412_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3412-R1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3413-R1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3415A-AU-R1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3415AE-R1 SMD P channel transistors
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PJA3416AE_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.6nC
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851+0.084 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE.pdf
PJA3416AE_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.6nC
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Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3428-R1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3430_R1_00001 PJA3430.pdf
PJA3430_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Gate charge: 1.8nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3430_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Gate charge: 1.8nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
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Anzahl Preis
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385+0.19 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3432-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 570mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
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Anzahl Preis
239+0.3 EUR
400+0.18 EUR
637+0.11 EUR
864+0.083 EUR
881+0.081 EUR
915+0.078 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3432-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 570mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1815 Stücke:
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Anzahl Preis
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400+0.18 EUR
637+0.11 EUR
864+0.083 EUR
881+0.081 EUR
915+0.078 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3433-AU_R1_000A1 PJA3433-AU.pdf
PJA3433-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
400+0.18 EUR
633+0.11 EUR
782+0.092 EUR
848+0.084 EUR
863+0.083 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3433-AU_R1_000A1 PJA3433-AU.pdf
PJA3433-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
400+0.18 EUR
633+0.11 EUR
782+0.092 EUR
848+0.084 EUR
863+0.083 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3433_R1_00001 PJA3433.pdf
PJA3433_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7014 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
376+0.19 EUR
619+0.12 EUR
860+0.083 EUR
910+0.079 EUR
1000+0.076 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3433_R1_00001 PJA3433.pdf
PJA3433_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
376+0.19 EUR
619+0.12 EUR
860+0.083 EUR
910+0.079 EUR
1000+0.076 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3434_R1_00001 PJA3434.pdf
PJA3434_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
368+0.19 EUR
579+0.12 EUR
1095+0.065 EUR
1158+0.062 EUR
6000+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3434_R1_00001 PJA3434.pdf
PJA3434_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
368+0.19 EUR
579+0.12 EUR
1095+0.065 EUR
1158+0.062 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3435_R1_00001 PJA3435.pdf
PJA3435_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
300+0.24 EUR
463+0.15 EUR
997+0.072 EUR
1055+0.068 EUR
24000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3435_R1_00001 PJA3435.pdf
PJA3435_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
300+0.24 EUR
463+0.15 EUR
997+0.072 EUR
1055+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU.pdf
PJA3436-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 0.9Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
368+0.19 EUR
592+0.12 EUR
1119+0.064 EUR
1183+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 218
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