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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PJA138K-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJA138K-AU-R2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA138K.pdf PJA138K-R1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3400.pdf PJA3400-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2717 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
808+0.09 EUR
855+0.08 EUR
9000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3401A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1904 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
477+0.15 EUR
610+0.12 EUR
872+0.08 EUR
923+0.08 EUR
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3401A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.21 EUR
477+0.15 EUR
610+0.12 EUR
872+0.08 EUR
923+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402_R1_00501 PJA3402_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17.6A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 92mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11.3nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9019 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
225+0.32 EUR
497+0.14 EUR
542+0.13 EUR
1083+0.07 EUR
1147+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402_R1_00501 PJA3402_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17.6A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 92mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11.3nC
auf Bestellung 9019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.47 EUR
225+0.32 EUR
497+0.14 EUR
542+0.13 EUR
1083+0.07 EUR
1147+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3403.pdf PJA3403-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
1090+0.07 EUR
1153+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404_R1_00501 PanJit Semiconductor PJA3404-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4849 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
958+0.08 EUR
1015+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3405-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3405-AU.pdf PJA3405-AU-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2864 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.30 EUR
832+0.09 EUR
881+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406_R1_00001 PJA3406_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3406.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
309+0.23 EUR
520+0.14 EUR
940+0.08 EUR
995+0.07 EUR
30000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406_R1_00001 PJA3406_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3406.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17.6A
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.36 EUR
309+0.23 EUR
520+0.14 EUR
940+0.08 EUR
995+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R1_00001 PJA3407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
300+0.24 EUR
407+0.18 EUR
794+0.09 EUR
848+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R1_00001 PJA3407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.36 EUR
300+0.24 EUR
407+0.18 EUR
794+0.09 EUR
848+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3409_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3409.pdf PJA3409-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
861+0.08 EUR
911+0.08 EUR
9000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3411-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3411-AU.pdf PJA3411-AU-R1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3411_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3411.pdf PJA3411-R1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3412-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3412-AU.pdf PJA3412-AU-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2513 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
345+0.21 EUR
879+0.08 EUR
930+0.08 EUR
9000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3412_R1_00501 PanJit Semiconductor PJA3412-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
1334+0.05 EUR
1409+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3413_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3413.pdf PJA3413-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.50 EUR
1367+0.05 EUR
1446+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3415A-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -18A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 88mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
252+0.28 EUR
477+0.15 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3415A-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -18A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 88mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
252+0.28 EUR
477+0.15 EUR
642+0.11 EUR
9000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3415AE_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; Idm: -17.2A; 1.25W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -17.2A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3415AE_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; Idm: -17.2A; 1.25W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -17.2A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3416AE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 34mΩ
Gate charge: 8.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
298+0.24 EUR
507+0.14 EUR
802+0.09 EUR
848+0.08 EUR
6000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3416AE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 34mΩ
Gate charge: 8.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 32A
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
298+0.24 EUR
507+0.14 EUR
802+0.09 EUR
848+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3428_R1_00001 PJA3428_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3428.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
360+0.20 EUR
578+0.12 EUR
1266+0.06 EUR
1337+0.05 EUR
75000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3428_R1_00001 PJA3428_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3428.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.33 EUR
360+0.20 EUR
578+0.12 EUR
1266+0.06 EUR
1337+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3430_R1_00001 PJA3430_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3430.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
307+0.23 EUR
731+0.10 EUR
987+0.07 EUR
1044+0.07 EUR
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3430_R1_00001 PJA3430_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3430.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.34 EUR
307+0.23 EUR
731+0.10 EUR
987+0.07 EUR
1044+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3432-AU_R1_000A1 PJA3432-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3432-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.34 EUR
285+0.25 EUR
703+0.10 EUR
857+0.08 EUR
906+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3432-AU_R1_000A1 PJA3432-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3432-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
285+0.25 EUR
703+0.10 EUR
857+0.08 EUR
906+0.08 EUR
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Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3433-AU_R1_000A1 PJA3433-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3433-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.20 EUR
589+0.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3433-AU_R1_000A1 PJA3433-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3433-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.20 EUR
589+0.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3433_R1_00001 PJA3433_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3433.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7011 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3433_R1_00001 PJA3433_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3433.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 7011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.26 EUR
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PJA3434_R1_00001 PJA3434_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3434.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
385+0.19 EUR
654+0.11 EUR
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PJA3434_R1_00001 PJA3434_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3434.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
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Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Mounting: SMD
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PJA3435_R1_00001 PJA3435_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3435.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
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On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
307+0.23 EUR
340+0.21 EUR
989+0.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3435_R1_00001 PJA3435_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3435.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
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On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
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Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
auf Bestellung 5960 Stücke:
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307+0.23 EUR
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PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3436-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
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Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
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Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
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Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3436-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
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Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
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Polarisation: unipolar
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Gate-source voltage: ±12V
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Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3438-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
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Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.95nC
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Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 50V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
296+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 186
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PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3438-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
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Type of transistor: N-MOSFET
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Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
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Gate charge: 0.95nC
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Gate-source voltage: ±20V
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Case: SOT23
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PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3439-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
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Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
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Gate-source voltage: ±20V
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Case: SOT23
Drain-source voltage: -60V
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.33 EUR
327+0.22 EUR
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926+0.08 EUR
979+0.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3439-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
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Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
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Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -60V
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 218
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PJA3440-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3440-AU.pdf PJA3440-AU-R1 SMD N channel transistors
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PJA3441-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3441-AU.pdf PJA3441-AU-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
325+0.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3441_R1_00501 PanJit Semiconductor PJA3441-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.48 EUR
782+0.09 EUR
820+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3460-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3460-AU-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
633+0.11 EUR
9000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3460_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3460.pdf PJA3460-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
134+0.54 EUR
650+0.11 EUR
685+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3461-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3461-AU.pdf PJA3461-AU-R1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3461_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3461.pdf PJA3461-R1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3463_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3463.pdf PJA3463-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
78+0.92 EUR
133+0.54 EUR
364+0.20 EUR
21000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3471_R1_00501 PJA3471_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -900mA; Idm: -3.6A; 1.25W
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.9A
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -3.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6075 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
205+0.35 EUR
363+0.20 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3471_R1_00501 PJA3471_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -900mA; Idm: -3.6A; 1.25W
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.9A
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8nC
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auf Bestellung 6075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.43 EUR
205+0.35 EUR
363+0.20 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJC138K-AU.pdf PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
197+0.36 EUR
1194+0.06 EUR
1260+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7400_R1_00001 PJC7400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 7.6A
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
225+0.32 EUR
319+0.22 EUR
736+0.10 EUR
782+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7400_R1_00001 PJC7400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 7.6A
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.41 EUR
225+0.32 EUR
319+0.22 EUR
736+0.10 EUR
782+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7401_R1_00001 PJC7401_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
211+0.34 EUR
329+0.22 EUR
705+0.10 EUR
747+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA138K-AU_R2_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA138K-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA138K_R1_00001 PJA138K.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA138K-R1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3400_R1_00001 PJA3400.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3400-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2717 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
808+0.09 EUR
855+0.08 EUR
9000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A.pdf
PJA3401A_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1904 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
477+0.15 EUR
610+0.12 EUR
872+0.08 EUR
923+0.08 EUR
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A.pdf
PJA3401A_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402_R1_00501
PJA3402_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17.6A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 92mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11.3nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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225+0.32 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402_R1_00501
PJA3402_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17.6A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 92mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11.3nC
auf Bestellung 9019 Stücke:
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Anzahl Preis
152+0.47 EUR
225+0.32 EUR
497+0.14 EUR
542+0.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3403_R1_00001 PJA3403.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3403-R1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3404-R1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3405-AU_R1_000A1 PJA3405-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3405-AU-R1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406_R1_00001 PJA3406.pdf
PJA3406_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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940+0.08 EUR
995+0.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406_R1_00001 PJA3406.pdf
PJA3406_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17.6A
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Anzahl Preis
200+0.36 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R1_00001 PJA3407.pdf
PJA3407_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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200+0.36 EUR
300+0.24 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R1_00001 PJA3407.pdf
PJA3407_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2945 Stücke:
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Anzahl Preis
200+0.36 EUR
300+0.24 EUR
407+0.18 EUR
794+0.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3409_R1_00001 PJA3409.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3409-R1 SMD P channel transistors
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278+0.26 EUR
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911+0.08 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3411-AU-R1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3411-R1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3412-AU_R1_000A1 PJA3412-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3412-AU-R1 SMD N channel transistors
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345+0.21 EUR
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930+0.08 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3412_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3412-R1 SMD N channel transistors
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157+0.46 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3413_R1_00001 PJA3413.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3413-R1 SMD P channel transistors
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Anzahl Preis
143+0.50 EUR
1367+0.05 EUR
1446+0.05 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU.pdf
PJA3415A-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -18A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 88mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
252+0.28 EUR
477+0.15 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU.pdf
PJA3415A-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -18A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 88mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
252+0.28 EUR
477+0.15 EUR
642+0.11 EUR
9000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3415AE_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; Idm: -17.2A; 1.25W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -17.2A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3415AE_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; Idm: -17.2A; 1.25W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -17.2A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE.pdf
PJA3416AE_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 34mΩ
Gate charge: 8.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
298+0.24 EUR
507+0.14 EUR
802+0.09 EUR
848+0.08 EUR
6000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE.pdf
PJA3416AE_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 34mΩ
Gate charge: 8.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 32A
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
298+0.24 EUR
507+0.14 EUR
802+0.09 EUR
848+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3428_R1_00001 PJA3428.pdf
PJA3428_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
360+0.20 EUR
578+0.12 EUR
1266+0.06 EUR
1337+0.05 EUR
75000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3428_R1_00001 PJA3428.pdf
PJA3428_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
360+0.20 EUR
578+0.12 EUR
1266+0.06 EUR
1337+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3430_R1_00001 PJA3430.pdf
PJA3430_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
307+0.23 EUR
731+0.10 EUR
987+0.07 EUR
1044+0.07 EUR
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3430_R1_00001 PJA3430.pdf
PJA3430_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
307+0.23 EUR
731+0.10 EUR
987+0.07 EUR
1044+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3432-AU_R1_000A1 PJA3432-AU.pdf
PJA3432-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
285+0.25 EUR
703+0.10 EUR
857+0.08 EUR
906+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3432-AU_R1_000A1 PJA3432-AU.pdf
PJA3432-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 570mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
285+0.25 EUR
703+0.10 EUR
857+0.08 EUR
906+0.08 EUR
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3433-AU_R1_000A1 PJA3433-AU.pdf
PJA3433-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.20 EUR
589+0.12 EUR
667+0.11 EUR
782+0.09 EUR
820+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3433-AU_R1_000A1 PJA3433-AU.pdf
PJA3433-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.20 EUR
589+0.12 EUR
667+0.11 EUR
782+0.09 EUR
820+0.09 EUR
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3433_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7011 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
407+0.18 EUR
598+0.12 EUR
852+0.08 EUR
901+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3433_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 7011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
407+0.18 EUR
598+0.12 EUR
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901+0.08 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3434_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
385+0.19 EUR
654+0.11 EUR
1085+0.07 EUR
1147+0.06 EUR
3000+0.06 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3434_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1.5A
Mounting: SMD
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
385+0.19 EUR
654+0.11 EUR
1085+0.07 EUR
1147+0.06 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3435_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Drain current: -500mA
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
307+0.23 EUR
340+0.21 EUR
989+0.07 EUR
1047+0.07 EUR
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3435_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Drain current: -500mA
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
307+0.23 EUR
340+0.21 EUR
989+0.07 EUR
1047+0.07 EUR
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3436-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3438-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.95nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 50V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
296+0.24 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3438-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.95nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
296+0.24 EUR
500+0.14 EUR
644+0.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3439-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Drain current: -300mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -60V
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
327+0.22 EUR
579+0.12 EUR
926+0.08 EUR
979+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJA3439-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Drain current: -300mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
327+0.22 EUR
579+0.12 EUR
926+0.08 EUR
979+0.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3440-AU_R1_000A1 PJA3440-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3440-AU-R1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3441-AU_R1_000A1 PJA3441-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3441-AU-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
325+0.21 EUR
447+0.16 EUR
24000+0.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3441_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3441-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.48 EUR
782+0.09 EUR
820+0.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3460-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3460-AU-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
633+0.11 EUR
9000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3460_R1_00001 PJA3460.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3460-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
134+0.54 EUR
650+0.11 EUR
685+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3461-AU_R1_000A1 PJA3461-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3461-AU-R1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3461_R1_00001 PJA3461.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3461-R1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3463_R1_00001 PJA3463.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJA3463-R1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
78+0.92 EUR
133+0.54 EUR
364+0.20 EUR
21000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3471_R1_00501
PJA3471_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -900mA; Idm: -3.6A; 1.25W
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.9A
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -3.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6075 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
205+0.35 EUR
363+0.20 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3471_R1_00501
PJA3471_R1_00501
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -900mA; Idm: -3.6A; 1.25W
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.9A
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -3.6A
auf Bestellung 6075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
205+0.35 EUR
363+0.20 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC138K-AU_R1_000A1 PJC138K-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
197+0.36 EUR
1194+0.06 EUR
1260+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7400_R1_00001 PJC7400.pdf
PJC7400_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 7.6A
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
225+0.32 EUR
319+0.22 EUR
736+0.10 EUR
782+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7400_R1_00001 PJC7400.pdf
PJC7400_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 7.6A
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
225+0.32 EUR
319+0.22 EUR
736+0.10 EUR
782+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJC7401_R1_00001 PJC7401.pdf
PJC7401_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1845 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
211+0.34 EUR
329+0.22 EUR
705+0.10 EUR
747+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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