Produkte > PANJIT SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers PANJIT SEMICONDUCTOR (1206) > Seite 16 nach 21
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PJQ4433EP_R2_00201 | PanJit Semiconductor | PJQ4433EP-R2 SMD P channel transistors |
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PJQ4435EP_R2_00201 | PanJit Semiconductor |
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PJQ4437EP_R2_00201 | PanJit Semiconductor | PJQ4437EP-R2 SMD P channel transistors |
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PJQ4439EP_R2_00201 | PanJit Semiconductor |
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PJQ4465AP-AU_R2_000A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ4524P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4524P-AU-R2 SMD N channel transistors |
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PJQ4526P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4526P-AU-R2 SMD N channel transistors |
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PJQ4528P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4528P-AU-R2 SMD N channel transistors |
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PJQ4530P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4530P-AU-R2 SMD N channel transistors |
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PJQ4534P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4534P-AU-R2 SMD N channel transistors |
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PJQ4534P_R2_00201 | PanJit Semiconductor | PJQ4534P-R2 SMD N channel transistors |
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PJQ4546P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 64A On-state resistance: 7.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 256A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 |
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PJQ4546P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 64A On-state resistance: 7.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 256A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJQ4546VP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 61A On-state resistance: 7.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 23nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 244A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 |
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PJQ4546VP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 61A On-state resistance: 7.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 23nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 244A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJQ4548P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W; DFN3333-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 43A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 172A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 |
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PJQ4548P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W; DFN3333-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 43A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 172A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJQ4548VP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 12.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 |
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PJQ4548VP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 12.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJQ4576AP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ4848P_R2_00001 | PanJit Semiconductor |
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PJQ5439E-AU_R2_006A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ5520-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ5520-AU-R2 SMD N channel transistors |
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PJQ5522-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ5522-AU-R2 SMD N channel transistors |
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PJQ5528-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 15.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 244A Mounting: SMD Case: DFN5060-8 |
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PJQ5528-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 15.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 244A Mounting: SMD Case: DFN5060-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJQ5534-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ5540V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ5542V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ5544-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJQ5544V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ5546-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ5546V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 79A; Idm: 316A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 79A Pulsed drain current: 316A Power dissipation: 65W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
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PJQ5546V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 79A; Idm: 316A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 79A Pulsed drain current: 316A Power dissipation: 65W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJQ5548-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ5548V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; Idm: 180A; 36W; DFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 45A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 36W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
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PJQ5548V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; Idm: 180A; 36W; DFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 45A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 36W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJQ5576A-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ5844-AU_R2_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 28A; Idm: 180A; 19.2W Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 28A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 19.2W Polarisation: unipolar Case: DFN5060-8 Kind of package: tape Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 180A |
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PJQ5844-AU_R2_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 28A; Idm: 180A; 19.2W Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 28A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 19.2W Polarisation: unipolar Case: DFN5060-8 Kind of package: tape Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 180A Anzahl je Verpackung: 30000 Stücke |
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PJQ5948-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ5948V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJS6403_S1_00001 | PanJit Semiconductor | PJS6403-S1 SMD P channel transistors |
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PJS6421-AU_S1_000A1 | PanJit Semiconductor |
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PJS6421_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -29.6A; 2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -7.4A Pulsed drain current: -29.6A Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJS6421_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -29.6A; 2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -7.4A Pulsed drain current: -29.6A Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PJS6461-AU_S1_000A1 | PanJit Semiconductor |
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PJS6601_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 4.1/-3.1A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 95/190mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 4.6/5.4nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2626 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJS6601_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 4.1/-3.1A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 95/190mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 4.6/5.4nC |
auf Bestellung 2626 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PJS6816_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
PJS6839_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
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auf Bestellung 2949 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJSD03TS-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
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auf Bestellung 4750 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJSD05TS-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
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auf Bestellung 4940 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJSD05TS_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
PJSD12CW-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
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PJSD12TS_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
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PJSD24TS_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
PJSD36W-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
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PJSD36W_R1_00001 | PanJit Semiconductor | PJSD36W-R1 Unidirectional TVS SMD diodes |
auf Bestellung 9985 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJT138K-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor | PJT138K-AU-R1 Multi channel transistors |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJQ4433EP_R2_00201 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4433EP-R2 SMD P channel transistors
PJQ4433EP-R2 SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
PJQ4435EP_R2_00201 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4435EP-R2 SMD P channel transistors
PJQ4435EP-R2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ4437EP_R2_00201 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4437EP-R2 SMD P channel transistors
PJQ4437EP-R2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ4439EP_R2_00201 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4439EP-R2 SMD P channel transistors
PJQ4439EP-R2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ4465AP-AU_R2_000A1 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4465AP-AU-R2 SMD P channel transistors
PJQ4465AP-AU-R2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ4524P-AU_R2_002A1 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4524P-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4524P-AU-R2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ4526P-AU_R2_002A1 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4526P-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4526P-AU-R2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ4528P-AU_R2_002A1 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4528P-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4528P-AU-R2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ4530P-AU_R2_002A1 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4530P-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4530P-AU-R2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ4534P-AU_R2_002A1 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4534P-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4534P-AU-R2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ4534P_R2_00201 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4534P-R2 SMD N channel transistors
PJQ4534P-R2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ4546P-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
On-state resistance: 7.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
On-state resistance: 7.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ4546P-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
On-state resistance: 7.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
On-state resistance: 7.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
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PJQ4546VP-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8
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Hersteller: PanJit Semiconductor
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PJQ4548P-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
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PJQ4548P-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
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PJQ4548VP-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8
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Case: DFN3333-8
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Stück im Wert von UAH
PJQ4548VP-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8
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Case: DFN3333-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8
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Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
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Polarisation: unipolar
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Case: DFN3333-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJQ4576AP-AU_R2_002A1 |
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PJQ4576AP-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4576AP-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4848P_R2_00001 |
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PJQ4848P-R2 Multi channel transistors
PJQ4848P-R2 Multi channel transistors
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PJQ5439E-AU_R2_006A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5439E-AU-R2 SMD P channel transistors
PJQ5439E-AU-R2 SMD P channel transistors
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PJQ5520-AU_R2_002A1 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5520-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5520-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5522-AU_R2_002A1 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5522-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5522-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5528-AU_R2_002A1 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
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Application: automotive industry
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Polarisation: unipolar
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Case: DFN5060-8
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
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Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
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Case: DFN5060-8
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Stück im Wert von UAH
PJQ5528-AU_R2_002A1 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
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Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 15.6W
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Case: DFN5060-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
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Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJQ5534-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5534-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5534-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5540V-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5540V-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5540V-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5542V-AU_R2_002A1 |
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PJQ5542V-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5542V-AU-R2 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
PJQ5544-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5544-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5544-AU-R2 SMD N channel transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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PJQ5544V-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5544V-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5544V-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5546-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5546-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5546-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5546V-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 79A; Idm: 316A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 316A
Power dissipation: 65W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 79A; Idm: 316A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 79A
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Power dissipation: 65W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ5546V-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 79A; Idm: 316A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 316A
Power dissipation: 65W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 79A; Idm: 316A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 316A
Power dissipation: 65W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ5548-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5548-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5548-AU-R2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ5548V-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; Idm: 180A; 36W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 36W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; Idm: 180A; 36W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 36W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ5548V-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; Idm: 180A; 36W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 36W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; Idm: 180A; 36W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 36W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ5576A-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5576A-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5576A-AU-R2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ5844-AU_R2_000A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 28A; Idm: 180A; 19.2W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 28A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 19.2W
Polarisation: unipolar
Case: DFN5060-8
Kind of package: tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 180A
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 28A; Idm: 180A; 19.2W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 28A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 19.2W
Polarisation: unipolar
Case: DFN5060-8
Kind of package: tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 180A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ5844-AU_R2_000A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 28A; Idm: 180A; 19.2W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 28A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 19.2W
Polarisation: unipolar
Case: DFN5060-8
Kind of package: tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 180A
Anzahl je Verpackung: 30000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 28A; Idm: 180A; 19.2W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 28A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 19.2W
Polarisation: unipolar
Case: DFN5060-8
Kind of package: tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 180A
Anzahl je Verpackung: 30000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ5948-AU_R2_002A1 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5948-AU-R2 Multi channel transistors
PJQ5948-AU-R2 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ5948V-AU_R2_002A1 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5948V-AU-R2 Multi channel transistors
PJQ5948V-AU-R2 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJS6403_S1_00001 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6403-S1 SMD P channel transistors
PJS6403-S1 SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
PJS6421-AU_S1_000A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6421-AU-S1 SMD P channel transistors
PJS6421-AU-S1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJS6421_S1_00001 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -29.6A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.4A
Pulsed drain current: -29.6A
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -29.6A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.4A
Pulsed drain current: -29.6A
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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218+ | 0.33 EUR |
274+ | 0.26 EUR |
486+ | 0.15 EUR |
516+ | 0.14 EUR |
PJS6421_S1_00001 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -29.6A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.4A
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Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -29.6A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.4A
Pulsed drain current: -29.6A
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
152+ | 0.47 EUR |
218+ | 0.33 EUR |
274+ | 0.26 EUR |
486+ | 0.15 EUR |
516+ | 0.14 EUR |
PJS6461-AU_S1_000A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6461-AU-S1 SMD P channel transistors
PJS6461-AU-S1 SMD P channel transistors
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PJS6601_S1_00001 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.6/5.4nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.6/5.4nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2626 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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152+ | 0.47 EUR |
217+ | 0.33 EUR |
285+ | 0.25 EUR |
556+ | 0.13 EUR |
589+ | 0.12 EUR |
PJS6601_S1_00001 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.6/5.4nC
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.6/5.4nC
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285+ | 0.25 EUR |
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PJS6816_S1_00001 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6816-S1 Multi channel transistors
PJS6816-S1 Multi channel transistors
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PJS6839_S1_00001 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6839-S1 Multi channel transistors
PJS6839-S1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2949 Stücke:
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265+ | 0.27 EUR |
906+ | 0.08 EUR |
958+ | 0.08 EUR |
PJSD03TS-AU_R1_000A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJSD03TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
PJSD03TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 4750 Stücke:
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348+ | 0.21 EUR |
926+ | 0.08 EUR |
979+ | 0.07 EUR |
PJSD05TS-AU_R1_000A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJSD05TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
PJSD05TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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285+ | 0.25 EUR |
758+ | 0.09 EUR |
807+ | 0.09 EUR |
PJSD05TS_R1_00001 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJSD05TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
PJSD05TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
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PJSD12CW-AU_R1_000A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJSD12CW-AU-R1 Protection diodes - arrays
PJSD12CW-AU-R1 Protection diodes - arrays
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PJSD12TS_R1_00001 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJSD12TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
PJSD12TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
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PJSD24TS_R1_00001 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJSD24TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
PJSD24TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
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PJSD36W-AU_R1_000A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJSD36W-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
PJSD36W-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
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PJSD36W_R1_00001 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJSD36W-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
PJSD36W-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 9985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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160+ | 0.45 EUR |
806+ | 0.09 EUR |
852+ | 0.08 EUR |
PJT138K-AU_R1_000A1 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJT138K-AU-R1 Multi channel transistors
PJT138K-AU-R1 Multi channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
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239+ | 0.30 EUR |
869+ | 0.08 EUR |
918+ | 0.08 EUR |
3000+ | 0.08 EUR |