Produkte > PANJIT SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers PANJIT SEMICONDUCTOR (1232) > Seite 16 nach 21
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PJMF580N60E1_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 28W Case: ITO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.58Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJMF580N60E1_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 28W Case: ITO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.58Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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PJMF600N65E1_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
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PJMF990N65EC_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W Mounting: THT Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.7A On-state resistance: 990mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 22.5W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 9.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 9.5A Case: ITO220AB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJMF990N65EC_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W Mounting: THT Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.7A On-state resistance: 990mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 22.5W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 9.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 9.5A Case: ITO220AB |
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PJMH040N60EC_T0_00201 | PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; Idm: 212A; 200W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 71A Pulsed drain current: 212A Power dissipation: 200W Case: TO247AD-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 144nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJMH040N60EC_T0_00201 | PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; Idm: 212A; 200W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 71A Pulsed drain current: 212A Power dissipation: 200W Case: TO247AD-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 144nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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PJMH074N60FRC_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 53A Pulsed drain current: 117A Power dissipation: 446W Case: TO247AD-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 74mΩ Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJMH074N60FRC_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 53A Pulsed drain current: 117A Power dissipation: 446W Case: TO247AD-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 74mΩ Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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PJMH120N60EC_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO247AD-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 235W Case: TO247AD-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 69A Gate charge: 51nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJMH120N60EC_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO247AD-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 235W Case: TO247AD-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 69A Gate charge: 51nC |
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PJMH190N60E1_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
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PJMP120N60EC_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 235W Case: TO220ABL Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 51nC Pulsed drain current: 69A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJMP120N60EC_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 235W Case: TO220ABL Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 51nC Pulsed drain current: 69A |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PJMP210N65EC_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 150W Case: TO220ABL Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJMP210N65EC_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 150W Case: TO220ABL Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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PJMP360N60EC_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 23A Power dissipation: 87.5W Case: TO220ABL Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 18.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJMP360N60EC_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 23A Power dissipation: 87.5W Case: TO220ABL Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 18.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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PJMP390N65EC_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
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PJMP900N60EC_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
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PJMP990N65EC_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W Mounting: THT Case: TO220ABL Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.7A On-state resistance: 990mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 47.5W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 9.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 9.5A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJMP990N65EC_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W Mounting: THT Case: TO220ABL Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.7A On-state resistance: 990mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 47.5W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 9.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 9.5A |
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PJQ1908-AU_R1_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ1908-AU-R1 SMD N channel transistors |
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PJQ1908_R1_00201 | PanJit Semiconductor | PJQ1908-R1 SMD N channel transistors |
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PJQ2460-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ4401P-AU_R2_000A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ4403P_R2_00001 | PanJit Semiconductor |
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PJQ4433EP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4433EP-AU-R2 SMD P channel transistors |
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PJQ4433EP_R2_00201 | PanJit Semiconductor | PJQ4433EP-R2 SMD P channel transistors |
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PJQ4435EP_R2_00201 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -41A Pulsed drain current: -138A Power dissipation: 13.5W Case: DFN3333-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJQ4435EP_R2_00201 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -41A Pulsed drain current: -138A Power dissipation: 13.5W Case: DFN3333-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
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PJQ4437EP_R2_00201 | PanJit Semiconductor | PJQ4437EP-R2 SMD P channel transistors |
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PJQ4439EP_R2_00201 | PanJit Semiconductor |
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PJQ4465AP-AU_R2_000A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ4524P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4524P-AU-R2 SMD N channel transistors |
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PJQ4526P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4526P-AU-R2 SMD N channel transistors |
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PJQ4528P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4528P-AU-R2 SMD N channel transistors |
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PJQ4530P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4530P-AU-R2 SMD N channel transistors |
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PJQ4534P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4534P-AU-R2 SMD N channel transistors |
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PJQ4534P_R2_00201 | PanJit Semiconductor | PJQ4534P-R2 SMD N channel transistors |
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PJQ4546P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ4546VP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ4548P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ4548VP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ4576AP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ4848P_R2_00001 | PanJit Semiconductor |
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PJQ5439E-AU_R2_006A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ5520-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ5520-AU-R2 SMD N channel transistors |
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PJQ5522-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ5522-AU-R2 SMD N channel transistors |
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PJQ5528-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ5528-AU-R2 SMD N channel transistors |
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PJQ5534-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 9.5nC On-state resistance: 9.3mΩ Power dissipation: 11.5W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Pulsed drain current: 156A Case: DFN5060-8 Application: automotive industry |
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PJQ5534-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 9.5nC On-state resistance: 9.3mΩ Power dissipation: 11.5W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Pulsed drain current: 156A Case: DFN5060-8 Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJQ5540V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ5542V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ5544-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PJQ5544V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ5546-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ5546V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ5548-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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PJQ5548V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
PJMF580N60E1_T0_00001 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
PJMF580N60E1_T0_00001 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Stück im Wert von UAH
PJMF600N65E1_T0_00001 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMF600N65E1-T0 THT N channel transistors
PJMF600N65E1-T0 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
PJMF990N65EC_T0_00001 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 22.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Case: ITO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 22.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Case: ITO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
PJMF990N65EC_T0_00001 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 22.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Case: ITO220AB
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 22.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Case: ITO220AB
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PJMH040N60EC_T0_00201 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; Idm: 212A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; Idm: 212A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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PJMH040N60EC_T0_00201 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; Idm: 212A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; Idm: 212A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
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PJMH074N60FRC_T0_00601 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 446W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 446W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
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PJMH074N60FRC_T0_00601 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 446W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 446W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
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PJMH120N60EC_T0_00601 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
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PJMH190N60E1_T0_00601 |
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PJMH190N60E1-T0 THT N channel transistors
PJMH190N60E1-T0 THT N channel transistors
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PJMP120N60EC_T0_00001 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: 69A
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
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Kind of channel: enhancement
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PJMP120N60EC_T0_00001 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: 69A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
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Gate charge: 51nC
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PJMP210N65EC_T0_00601 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
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PJMP210N65EC_T0_00601 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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PJMP360N60EC_T0_00001 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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PJMP360N60EC_T0_00001 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Stück im Wert von UAH
PJMP390N65EC_T0_00001 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMP390N65EC-T0 THT N channel transistors
PJMP390N65EC-T0 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJMP900N60EC_T0_00001 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMP900N60EC-T0 THT N channel transistors
PJMP900N60EC-T0 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJMP990N65EC_T0_00001 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Mounting: THT
Case: TO220ABL
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Mounting: THT
Case: TO220ABL
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
PJMP990N65EC_T0_00001 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Mounting: THT
Case: TO220ABL
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Mounting: THT
Case: TO220ABL
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
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Stück im Wert von UAH
PJQ1908-AU_R1_002A1 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ1908-AU-R1 SMD N channel transistors
PJQ1908-AU-R1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
PJQ1908_R1_00201 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ1908-R1 SMD N channel transistors
PJQ1908-R1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ2460-AU_R1_000A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ2460-AU-R1 SMD N channel transistors
PJQ2460-AU-R1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ4401P-AU_R2_000A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4401P-AU-R2 SMD P channel transistors
PJQ4401P-AU-R2 SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
PJQ4403P_R2_00001 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4403P-R2 SMD P channel transistors
PJQ4403P-R2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ4433EP-AU_R2_002A1 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4433EP-AU-R2 SMD P channel transistors
PJQ4433EP-AU-R2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
PJQ4433EP_R2_00201 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4433EP-R2 SMD P channel transistors
PJQ4433EP-R2 SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
PJQ4435EP_R2_00201 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -41A
Pulsed drain current: -138A
Power dissipation: 13.5W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -41A
Pulsed drain current: -138A
Power dissipation: 13.5W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ4435EP_R2_00201 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -41A
Pulsed drain current: -138A
Power dissipation: 13.5W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -41A
Pulsed drain current: -138A
Power dissipation: 13.5W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ4437EP_R2_00201 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4437EP-R2 SMD P channel transistors
PJQ4437EP-R2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ4439EP_R2_00201 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4439EP-R2 SMD P channel transistors
PJQ4439EP-R2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ4465AP-AU_R2_000A1 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4465AP-AU-R2 SMD P channel transistors
PJQ4465AP-AU-R2 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
PJQ4524P-AU_R2_002A1 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4524P-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4524P-AU-R2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PJQ4526P-AU_R2_002A1 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4526P-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4526P-AU-R2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
PJQ4528P-AU_R2_002A1 |
Hersteller: PanJit Semiconductor
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PJQ5534-AU_R2_002A1 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Power dissipation: 11.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Case: DFN5060-8
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Power dissipation: 11.5W
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Drain current: 39A
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Power dissipation: 11.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Case: DFN5060-8
Application: automotive industry
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Power dissipation: 11.5W
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43+ | 1.69 EUR |
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PJQ5544V-AU_R2_002A1 |
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PJQ5548-AU_R2_002A1 |
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