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PJMP210N65EC_T0_00601 PJMP210N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMP210N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP360N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP360N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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PJMP390N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP390N65EC.pdf PJMP390N65EC-T0 THT N channel transistors
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PJMP900N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP900N60EC.pdf PJMP900N60EC-T0 THT N channel transistors
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PJMP990N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP990N65EC.pdf PJMP990N65EC-T0 THT N channel transistors
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PJQ1908-AU_R1_002A1 PanJit Semiconductor PJQ1908-AU-R1 SMD N channel transistors
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PJQ1908_R1_00201 PanJit Semiconductor PJQ1908-R1 SMD N channel transistors
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PJQ2460-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJQ2460-AU.pdf PJQ2460-AU-R1 SMD N channel transistors
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PJQ4401P-AU_R2_000A1 PJQ4401P-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJQ4401P-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 60W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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PJQ4401P-AU_R2_000A1 PJQ4401P-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJQ4401P-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 60W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4403P_R2_00001 PanJit Semiconductor PJQ4403P.pdf PJQ4403P-R2 SMD P channel transistors
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PJQ4433EP-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4433EP-AU-R2 SMD P channel transistors
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PJQ4433EP_R2_00201 PanJit Semiconductor PJQ4433EP-R2 SMD P channel transistors
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PJQ4435EP_R2_00201 PanJit Semiconductor PJQ4435EP.pdf PJQ4435EP-R2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4437EP_R2_00201 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -38A; Idm: -123A; 13.5W
Case: DFN3333-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -38A
On-state resistance: 15.4mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 13.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -123A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4437EP_R2_00201 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -38A; Idm: -123A; 13.5W
Case: DFN3333-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -38A
On-state resistance: 15.4mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 13.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -123A
Mounting: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4439EP_R2_00201 PanJit Semiconductor PJQ4439EP.pdf PJQ4439EP-R2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4465AP-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJQ4465AP-AU.pdf PJQ4465AP-AU-R2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4524P-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4524P-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4526P-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4526P-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4528P-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4528P-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4530P-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4530P-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4534P-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4534P-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4534P_R2_00201 PanJit Semiconductor PJQ4534P-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4546P-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4546P-AU.pdf PJQ4546P-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4546VP-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4546VP-AU.pdf PJQ4546VP-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4548P-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4548P-AU.pdf PJQ4548P-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4548VP-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4548VP-AU.pdf PJQ4548VP-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4576AP-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4576AP-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 140A; 21W; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 21W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4576AP-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4576AP-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 140A; 21W; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 21W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJQ4848P_R2_00001 PanJit Semiconductor PJQ4848P.pdf PJQ4848P-R2 Multi channel transistors
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PJQ5439E-AU_R2_006A1 PanJit Semiconductor PJQ5439E-AU.pdf PJQ5439E-AU-R2 SMD P channel transistors
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PJQ5520-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5520-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5522-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5522-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5528-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5528-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5534-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5534-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 11.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 156A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5534-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5534-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 11.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 156A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJQ5540V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5540V-AU.pdf PJQ5540V-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5542V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5542V-AU.pdf PJQ5542V-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5544-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5544-AU.pdf PJQ5544-AU-R2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
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129+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5544V-AU_R2_002A1 PJQ5544V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5544V-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 94W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 94W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5544V-AU_R2_002A1 PJQ5544V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5544V-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 94W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 94W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5546-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5546-AU.pdf PJQ5546-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5546V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5546V-AU.pdf PJQ5546V-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5548-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5548-AU.pdf PJQ5548-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5548V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5548V-AU.pdf PJQ5548V-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5576A-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5576A-AU.pdf PJQ5576A-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5844-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJQ5844-AU.pdf PJQ5844-AU-R2 Multi channel transistors
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PJQ5948-AU_R2_002A1 PJQ5948-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5948-AU.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 37A; Idm: 148A; 30W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 37A
On-state resistance: 15.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 148A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5948-AU_R2_002A1 PJQ5948-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5948-AU.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 37A; Idm: 148A; 30W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 37A
On-state resistance: 15.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 148A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5948V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5948V-AU.pdf PJQ5948V-AU-R2 Multi channel transistors
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PJS6403_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6403-S1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6421-AU_S1_000A1 PanJit Semiconductor PJS6421-AU.pdf PJS6421-AU-S1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6421_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6421.pdf PJS6421-S1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
145+0.49 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6461-AU_S1_000A1 PanJit Semiconductor PJS6461-AU.pdf PJS6461-AU-S1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6601_S1_00001 PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.6/5.4nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2716 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
217+0.33 EUR
285+0.25 EUR
562+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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PJS6601_S1_00001 PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.6/5.4nC
auf Bestellung 2716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.47 EUR
217+0.33 EUR
285+0.25 EUR
562+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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PJS6816_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6816.pdf PJS6816-S1 Multi channel transistors
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PJS6839_S1_00001 PJS6839_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6839.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
400+0.18 EUR
497+0.14 EUR
900+0.08 EUR
951+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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PJMP210N65EC_T0_00601 PJMP210N65EC.pdf
PJMP210N65EC_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
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PJMP360N60EC_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJMP360N60EC_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMP390N65EC-T0 THT N channel transistors
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PJMP900N60EC-T0 THT N channel transistors
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PJMP990N65EC-T0 THT N channel transistors
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ1908-AU-R1 SMD N channel transistors
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PJQ1908_R1_00201
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ1908-R1 SMD N channel transistors
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PJQ2460-AU-R1 SMD N channel transistors
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PJQ4401P-AU_R2_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 60W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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PJQ4401P-AU_R2_000A1 PJQ4401P-AU.pdf
PJQ4401P-AU_R2_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 60W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4403P-R2 SMD P channel transistors
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4433EP-AU-R2 SMD P channel transistors
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PJQ4433EP_R2_00201
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4433EP-R2 SMD P channel transistors
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4435EP-R2 SMD P channel transistors
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PJQ4437EP_R2_00201
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -38A; Idm: -123A; 13.5W
Case: DFN3333-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -38A
On-state resistance: 15.4mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 13.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -123A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJQ4437EP_R2_00201
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -38A; Idm: -123A; 13.5W
Case: DFN3333-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -38A
On-state resistance: 15.4mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 13.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -123A
Mounting: SMD
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4439EP-R2 SMD P channel transistors
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4465AP-AU-R2 SMD P channel transistors
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4524P-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4526P-AU_R2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4526P-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4528P-AU_R2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4528P-AU-R2 SMD N channel transistors
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Hersteller: PanJit Semiconductor
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4534P-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4534P_R2_00201
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4534P-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4546P-AU_R2_002A1 PJQ4546P-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4546P-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4546VP-AU_R2_002A1 PJQ4546VP-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4546VP-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4548P-AU_R2_002A1 PJQ4548P-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4548P-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4548VP-AU_R2_002A1 PJQ4548VP-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4548VP-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4576AP-AU_R2_002A1 PJQ4576AP-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 140A; 21W; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 21W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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PJQ4576AP-AU_R2_002A1 PJQ4576AP-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 140A; 21W; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 21W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ4848P-R2 Multi channel transistors
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PJQ5439E-AU_R2_006A1 PJQ5439E-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5439E-AU-R2 SMD P channel transistors
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PJQ5520-AU_R2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5520-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5522-AU_R2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5522-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5528-AU_R2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5528-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5534-AU_R2_002A1 PJQ5534-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 11.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 156A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
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PJQ5534-AU_R2_002A1 PJQ5534-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 11.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 156A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJQ5540V-AU_R2_002A1 PJQ5540V-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5540V-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5542V-AU_R2_002A1 PJQ5542V-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5542V-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5544-AU-R2 SMD N channel transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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PJQ5544V-AU_R2_002A1 PJQ5544V-AU.pdf
PJQ5544V-AU_R2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 94W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 94W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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PJQ5544V-AU_R2_002A1 PJQ5544V-AU.pdf
PJQ5544V-AU_R2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 94W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 94W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJQ5546-AU_R2_002A1 PJQ5546-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5546-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5546V-AU_R2_002A1 PJQ5546V-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5546V-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5548-AU_R2_002A1 PJQ5548-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5548-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5548V-AU_R2_002A1 PJQ5548V-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5548V-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5576A-AU_R2_002A1 PJQ5576A-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5576A-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5844-AU_R2_000A1 PJQ5844-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5844-AU-R2 Multi channel transistors
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PJQ5948-AU_R2_002A1 PJQ5948-AU.pdf
PJQ5948-AU_R2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 37A; Idm: 148A; 30W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 37A
On-state resistance: 15.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 148A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
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PJQ5948-AU_R2_002A1 PJQ5948-AU.pdf
PJQ5948-AU_R2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 37A; Idm: 148A; 30W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 37A
On-state resistance: 15.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 148A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5948V-AU_R2_002A1 PJQ5948V-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5948V-AU-R2 Multi channel transistors
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PJS6403_S1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6403-S1 SMD P channel transistors
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PJS6421-AU_S1_000A1 PJS6421-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6421-AU-S1 SMD P channel transistors
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PJS6421_S1_00001 PJS6421.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6421-S1 SMD P channel transistors
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PJS6461-AU_S1_000A1 PJS6461-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6461-AU-S1 SMD P channel transistors
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PJS6601_S1_00001
PJS6601_S1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.6/5.4nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2716 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
217+0.33 EUR
285+0.25 EUR
562+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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PJS6601_S1_00001
PJS6601_S1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.6/5.4nC
auf Bestellung 2716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
217+0.33 EUR
285+0.25 EUR
562+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6816_S1_00001 PJS6816.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6816-S1 Multi channel transistors
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PJS6839_S1_00001 PJS6839.pdf
PJS6839_S1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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400+0.18 EUR
497+0.14 EUR
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951+0.075 EUR
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