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PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP360N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP360N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP390N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP390N65EC.pdf PJMP390N65EC-T0 THT N channel transistors
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PJMP900N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP900N60EC.pdf PJMP900N60EC-T0 THT N channel transistors
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PJMP990N65EC_T0_00001 PJMP990N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP990N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Mounting: THT
Case: TO220ABL
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP990N65EC_T0_00001 PJMP990N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP990N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Mounting: THT
Case: TO220ABL
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
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PJQ1908-AU_R1_002A1 PanJit Semiconductor PJQ1908-AU-R1 SMD N channel transistors
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PJQ1908_R1_00201 PanJit Semiconductor PJQ1908-R1 SMD N channel transistors
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PJQ2460-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJQ2460-AU.pdf PJQ2460-AU-R1 SMD N channel transistors
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PJQ4401P-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJQ4401P-AU.pdf PJQ4401P-AU-R2 SMD P channel transistors
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PJQ4403P_R2_00001 PanJit Semiconductor PJQ4403P.pdf PJQ4403P-R2 SMD P channel transistors
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PJQ4433EP-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4433EP-AU-R2 SMD P channel transistors
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PJQ4433EP_R2_00201 PanJit Semiconductor PJQ4433EP-R2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4435EP_R2_00201 PanJit Semiconductor PJQ4435EP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -41A
Pulsed drain current: -138A
Power dissipation: 13.5W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4435EP_R2_00201 PanJit Semiconductor PJQ4435EP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -41A
Pulsed drain current: -138A
Power dissipation: 13.5W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4437EP_R2_00201 PanJit Semiconductor PJQ4437EP-R2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4439EP_R2_00201 PanJit Semiconductor PJQ4439EP.pdf PJQ4439EP-R2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4465AP-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJQ4465AP-AU.pdf PJQ4465AP-AU-R2 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4524P-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4524P-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4526P-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4526P-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4528P-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4528P-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4530P-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4530P-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4534P-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4534P-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4534P_R2_00201 PanJit Semiconductor PJQ4534P-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4546P-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4546P-AU.pdf PJQ4546P-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4546VP-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4546VP-AU.pdf PJQ4546VP-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4548P-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4548P-AU.pdf PJQ4548P-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4548VP-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4548VP-AU.pdf PJQ4548VP-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ4576AP-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4576AP-AU.pdf PJQ4576AP-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4848P_R2_00001 PanJit Semiconductor PJQ4848P.pdf PJQ4848P-R2 Multi channel transistors
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PJQ5439E-AU_R2_006A1 PanJit Semiconductor PJQ5439E-AU.pdf PJQ5439E-AU-R2 SMD P channel transistors
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PJQ5520-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5520-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5522-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5522-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5528-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 15.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5528-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 15.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJQ5534-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5534-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Power dissipation: 11.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Case: DFN5060-8
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5534-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5534-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Power dissipation: 11.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Case: DFN5060-8
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJQ5540V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5540V-AU.pdf PJQ5540V-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5542V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5542V-AU.pdf PJQ5542V-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5544-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5544-AU.pdf PJQ5544-AU-R2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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PJQ5544V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5544V-AU.pdf PJQ5544V-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5546-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5546-AU.pdf PJQ5546-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5546V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5546V-AU.pdf PJQ5546V-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5548-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5548-AU.pdf PJQ5548-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5548V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5548V-AU.pdf PJQ5548V-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5576A-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5576A-AU.pdf PJQ5576A-AU-R2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5844-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJQ5844-AU.pdf PJQ5844-AU-R2 Multi channel transistors
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PJQ5948-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5948-AU.pdf PJQ5948-AU-R2 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJQ5948V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5948V-AU.pdf PJQ5948V-AU-R2 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6403_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6403-S1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6421-AU_S1_000A1 PanJit Semiconductor PJS6421-AU.pdf PJS6421-AU-S1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6421_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6421.pdf PJS6421-S1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
145+0.49 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6461-AU_S1_000A1 PanJit Semiconductor PJS6461-AU.pdf PJS6461-AU-S1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6601_S1_00001 PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT23-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6/5.4nC
On-state resistance: 95/190mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.1/-3.1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2689 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
217+0.33 EUR
285+0.25 EUR
556+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6601_S1_00001 PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT23-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6/5.4nC
On-state resistance: 95/190mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.1/-3.1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.47 EUR
217+0.33 EUR
285+0.25 EUR
556+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6816_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6816.pdf PJS6816-S1 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJS6839_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6839.pdf PJS6839-S1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
265+0.27 EUR
906+0.079 EUR
958+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 265
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 200pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 200pF
Leakage current: 0.2mA
Application: automotive industry
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.19 EUR
511+0.14 EUR
682+0.1 EUR
925+0.077 EUR
977+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 200pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 200pF
Leakage current: 0.2mA
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
511+0.14 EUR
682+0.1 EUR
925+0.077 EUR
977+0.073 EUR
5000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD05TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 110pF
Leakage current: 5µA
Application: automotive industry
auf Bestellung 4787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.24 EUR
417+0.17 EUR
556+0.13 EUR
758+0.094 EUR
807+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC.pdf
PJMP360N60EC_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC.pdf
PJMP360N60EC_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMP390N65EC_T0_00001 PJMP390N65EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMP390N65EC-T0 THT N channel transistors
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PJMP900N60EC-T0 THT N channel transistors
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PJMP990N65EC_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Mounting: THT
Case: TO220ABL
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJMP990N65EC_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Mounting: THT
Case: TO220ABL
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhancement
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PJQ1908-AU-R1 SMD N channel transistors
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PJQ1908-R1 SMD N channel transistors
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PJQ2460-AU-R1 SMD N channel transistors
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PJQ4401P-AU-R2 SMD P channel transistors
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PJQ4403P-R2 SMD P channel transistors
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PJQ4433EP-AU_R2_002A1
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PJQ4433EP-AU-R2 SMD P channel transistors
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PJQ4433EP_R2_00201
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PJQ4433EP-R2 SMD P channel transistors
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -41A
Pulsed drain current: -138A
Power dissipation: 13.5W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -41A
Pulsed drain current: -138A
Power dissipation: 13.5W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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PJQ4437EP_R2_00201
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PJQ4437EP-R2 SMD P channel transistors
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PJQ4439EP-R2 SMD P channel transistors
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PJQ4465AP-AU-R2 SMD P channel transistors
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PJQ4546P-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4546VP-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4576AP-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ4848P-R2 Multi channel transistors
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PJQ5439E-AU-R2 SMD P channel transistors
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PJQ5522-AU_R2_002A1
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PJQ5522-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5528-AU_R2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 15.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
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PJQ5528-AU_R2_002A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 15.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJQ5534-AU_R2_002A1 PJQ5534-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Power dissipation: 11.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Case: DFN5060-8
Application: automotive industry
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PJQ5534-AU_R2_002A1 PJQ5534-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Power dissipation: 11.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Case: DFN5060-8
Application: automotive industry
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PJQ5540V-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5546-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5546V-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5548-AU-R2 SMD N channel transistors
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5548V-AU-R2 SMD N channel transistors
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PJQ5576A-AU-R2 SMD N channel transistors
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5844-AU-R2 Multi channel transistors
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5948-AU-R2 Multi channel transistors
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PJQ5948V-AU_R2_002A1 PJQ5948V-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJQ5948V-AU-R2 Multi channel transistors
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PJS6403_S1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6403-S1 SMD P channel transistors
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PJS6421-AU_S1_000A1 PJS6421-AU.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6421-AU-S1 SMD P channel transistors
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PJS6421_S1_00001 PJS6421.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6421-S1 SMD P channel transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6461-AU-S1 SMD P channel transistors
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PJS6601_S1_00001
PJS6601_S1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT23-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6/5.4nC
On-state resistance: 95/190mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.1/-3.1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
152+0.47 EUR
217+0.33 EUR
285+0.25 EUR
556+0.13 EUR
589+0.12 EUR
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PJS6601_S1_00001
PJS6601_S1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT23-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6/5.4nC
On-state resistance: 95/190mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.1/-3.1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
217+0.33 EUR
285+0.25 EUR
556+0.13 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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PJS6816_S1_00001 PJS6816.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6816-S1 Multi channel transistors
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PJS6839_S1_00001 PJS6839.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJS6839-S1 Multi channel transistors
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PJSD03TS-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 200pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 200pF
Leakage current: 0.2mA
Application: automotive industry
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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511+0.14 EUR
682+0.1 EUR
925+0.077 EUR
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PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD03TS-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 200pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 200pF
Leakage current: 0.2mA
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4700 Stücke:
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Anzahl Preis
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511+0.14 EUR
682+0.1 EUR
925+0.077 EUR
977+0.073 EUR
5000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 385
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PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD05TS-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 110pF
Leakage current: 5µA
Application: automotive industry
auf Bestellung 4787 Stücke:
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Anzahl Preis
295+0.24 EUR
417+0.17 EUR
556+0.13 EUR
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