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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PJE8403_R1_00001 PJE8403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8403.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.4A
Drain current: -600mA
Gate charge: 2.2nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.31 EUR
382+0.19 EUR
610+0.12 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
794+0.09 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8408_R1_00001 PJE8408_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8408.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.5A
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
642+0.11 EUR
807+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8408_R1_00001 PJE8408_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8408.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.5A
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.16 EUR
642+0.11 EUR
807+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJEC2415VM1WS-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Application: automotive industry
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Type of diode: TVS
Capacitance: 17pF
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 15...24V
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Peak pulse power dissipation: 160W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJEC2415VM1WS-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Application: automotive industry
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Type of diode: TVS
Capacitance: 17pF
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 15...24V
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Peak pulse power dissipation: 160W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC24C-AU PJGBLC03C-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC03C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
345+0.21 EUR
582+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Type of diode: TVS array
Capacitance: 3pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3726 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
271+0.26 EUR
400+0.18 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Type of diode: TVS array
Capacitance: 3pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
271+0.26 EUR
400+0.18 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC08C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC08C-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC12C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 4805 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
345+0.21 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC24C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 4455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
345+0.21 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9407_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9407-R2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
338+0.21 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 338
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9850_R2_00001 PJL9850_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9850.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.4A; Idm: 20A; 1.7W; SOP8
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.4nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5047 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
156+0.46 EUR
278+0.26 EUR
295+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9850_R2_00001 PJL9850_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9850.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.4A; Idm: 20A; 1.7W; SOP8
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.4nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
auf Bestellung 5047 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+0.73 EUR
156+0.46 EUR
278+0.26 EUR
295+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB210N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB210N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB210N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB210N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB390N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB390N65EC.pdf PJMB390N65EC-R2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMB390N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMB390N65EC-T0 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ12A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 11.4÷12.6V; 40W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: common anode; double
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 8.5V
Breakdown voltage: 11.4...12.6V
Leakage current: 0.2µA
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ12A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 11.4÷12.6V; 40W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: common anode; double
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 8.5V
Breakdown voltage: 11.4...12.6V
Leakage current: 0.2µA
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ15A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf PJMBZ15A-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ18A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf PJMBZ18A-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ27A-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJMBZ15V-AU_SERIES.pdf PJMBZ27V-AU-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
524+0.14 EUR
1000+0.072 EUR
1058+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 524
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27V-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJMBZ27V-AU-R2 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ33A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 31.35÷34.65V; 40W; double,common anode; SOT23
Max. off-state voltage: 26V
Semiconductor structure: common anode; double
Breakdown voltage: 31.35...34.65V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Mounting: SMD
Case: SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ33A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 31.35÷34.65V; 40W; double,common anode; SOT23
Max. off-state voltage: 26V
Semiconductor structure: common anode; double
Breakdown voltage: 31.35...34.65V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ5V6A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ6V2A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ6V2A-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ6V8A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.46÷7.14V; 24W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.46...7.14V
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 4.5V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Peak pulse power dissipation: 24W
Leakage current: 0.5µA
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ6V8A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.46÷7.14V; 24W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.46...7.14V
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 4.5V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Peak pulse power dissipation: 24W
Leakage current: 0.5µA
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ9V1A-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD280N60E1_L2_00601 PanJit Semiconductor PJMD280N60E1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 49.1W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD280N60E1_L2_00601 PanJit Semiconductor PJMD280N60E1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 49.1W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD360N60EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD360N60EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD390N65EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD390N65EC.pdf PJMD390N65EC-L2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD580N60E1_L2_00001 PJMD580N60E1_L2_00001 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD580N60E1_L2_00001 PJMD580N60E1_L2_00001 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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PJMD600N65E1_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD600N65E1-L2 SMD N channel transistors
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PJMD900N60EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD900N60EC.pdf PJMD900N60EC-L2 SMD N channel transistors
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PJMD990N65EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD990N65EC.pdf PJMD990N65EC-L2 SMD N channel transistors
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PJMF099N60EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF099N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF099N60EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF099N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF120N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF120N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
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PJMF130N65EC_T0_006A1 PanJit Semiconductor PJMF130N65EC-T0 THT N channel transistors
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PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF190N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: THT
Case: ITO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.53 EUR
28+2.56 EUR
2000+1.8 EUR
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PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF190N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: THT
Case: ITO220AB
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.53 EUR
28+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF210N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF210N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
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PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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PJMF280N65E1_T0_00001 PJMF280N65E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N65E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF280N65E1_T0_00001 PJMF280N65E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N65E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF360N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF360N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF390N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF390N65EC.pdf PJMF390N65EC-T0 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF580N60E1_T0_00001 PJMF580N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF580N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
PJE8403_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.4A
Drain current: -600mA
Gate charge: 2.2nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
382+0.19 EUR
610+0.12 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
794+0.09 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
PJE8408_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.5A
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
642+0.11 EUR
807+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
PJE8408_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.5A
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
642+0.11 EUR
807+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Application: automotive industry
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Type of diode: TVS
Capacitance: 17pF
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 15...24V
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Peak pulse power dissipation: 160W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Application: automotive industry
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Type of diode: TVS
Capacitance: 17pF
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 15...24V
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Peak pulse power dissipation: 160W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PJGBLC24C-AU
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC03C-AU-R1 Protection diodes - arrays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC03C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
345+0.21 EUR
582+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
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PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC05C_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Type of diode: TVS array
Capacitance: 3pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3726 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
271+0.26 EUR
400+0.18 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC05C_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Type of diode: TVS array
Capacitance: 3pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
271+0.26 EUR
400+0.18 EUR
596+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC08C-AU_R1_000A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC08C-AU-R1 Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 4805 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
345+0.21 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJGBLC24C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 4455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
345+0.21 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 345
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9407_R2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJL9407-R2 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
338+0.21 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 338
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9850_R2_00001 PJL9850.pdf
PJL9850_R2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.4A; Idm: 20A; 1.7W; SOP8
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.4nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5047 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
156+0.46 EUR
278+0.26 EUR
295+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJL9850_R2_00001 PJL9850.pdf
PJL9850_R2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.4A; Idm: 20A; 1.7W; SOP8
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.4nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
auf Bestellung 5047 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
156+0.46 EUR
278+0.26 EUR
295+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 99
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PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
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PJMB390N65EC_R2_00601 PJMB390N65EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMB390N65EC-R2 SMD N channel transistors
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PJMB390N65EC_T0_00601
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PJMB390N65EC-T0 SMD N channel transistors
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PJMBZ12A-AU_R1_007A1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 11.4÷12.6V; 40W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: common anode; double
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 8.5V
Breakdown voltage: 11.4...12.6V
Leakage current: 0.2µA
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
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PJMBZ12A-AU_R1_007A1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 11.4÷12.6V; 40W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: common anode; double
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 8.5V
Breakdown voltage: 11.4...12.6V
Leakage current: 0.2µA
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
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Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMBZ15A-AU-R1 Protection diodes - arrays
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Hersteller: PanJit Semiconductor
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PJMBZ27A-AU_R1_007A1
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PJMBZ33A-AU_R1_007A1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 31.35÷34.65V; 40W; double,common anode; SOT23
Max. off-state voltage: 26V
Semiconductor structure: common anode; double
Breakdown voltage: 31.35...34.65V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Mounting: SMD
Case: SOT23
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PJMBZ33A-AU_R1_007A1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 31.35÷34.65V; 40W; double,common anode; SOT23
Max. off-state voltage: 26V
Semiconductor structure: common anode; double
Breakdown voltage: 31.35...34.65V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Mounting: SMD
Case: SOT23
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PJMBZ5V6A-AU_R1_007A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
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PJMBZ6V2A-AU_R1_007A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMBZ6V2A-AU-R1 Protection diodes - arrays
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PJMBZ6V8A-AU_R1_007A1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.46÷7.14V; 24W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.46...7.14V
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 4.5V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Peak pulse power dissipation: 24W
Leakage current: 0.5µA
Version: ESD
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PJMBZ6V8A-AU_R1_007A1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.46÷7.14V; 24W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.46...7.14V
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 4.5V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Peak pulse power dissipation: 24W
Leakage current: 0.5µA
Version: ESD
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PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMBZ9V1A-AU-R1 Protection diodes - arrays
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PJMD280N60E1_L2_00601 PJMD280N60E1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 49.1W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJMD280N60E1_L2_00601 PJMD280N60E1.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 49.1W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PJMD390N65EC_L2_00001 PJMD390N65EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMD390N65EC-L2 SMD N channel transistors
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PJMD580N60E1_L2_00001
PJMD580N60E1_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD580N60E1_L2_00001
PJMD580N60E1_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD600N65E1_L2_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMD600N65E1-L2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD900N60EC_L2_00001 PJMD900N60EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMD900N60EC-L2 SMD N channel transistors
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PJMD990N65EC_L2_00001 PJMD990N65EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMD990N65EC-L2 SMD N channel transistors
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PJMF099N60EC_T0_00601 PJMF099N60EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF099N60EC_T0_00601 PJMF099N60EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC.pdf
PJMF120N60EC_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC.pdf
PJMF120N60EC_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
Produkt ist nicht verfügbar
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PJMF130N65EC_T0_006A1
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMF130N65EC-T0 THT N channel transistors
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PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1.pdf
PJMF190N60E1_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: THT
Case: ITO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
28+2.56 EUR
2000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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PJMF190N60E1_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: THT
Case: ITO220AB
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
28+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC.pdf
PJMF210N65EC_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC.pdf
PJMF210N65EC_T0_00601
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1.pdf
PJMF280N60E1_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1.pdf
PJMF280N60E1_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF280N65E1_T0_00001 PJMF280N65E1.pdf
PJMF280N65E1_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF280N65E1_T0_00001 PJMF280N65E1.pdf
PJMF280N65E1_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC.pdf
PJMF360N60EC_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PJMF360N60EC_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF390N65EC_T0_00001 PJMF390N65EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
PJMF390N65EC-T0 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF580N60E1_T0_00001 PJMF580N60E1.pdf
PJMF580N60E1_T0_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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