Suchergebnisse für "3N60" : > 60
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3N60 | MOT | CAN |
auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 3N60 | to-220/f | AAT |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 3N60 AAT | TO-220/F 08+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
AOD3N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.6A Power dissipation: 56.8W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.9nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
AOD3N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.6A Power dissipation: 56.8W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.9nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2393 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| AOD3N60 | ALPHA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
CDE23N-60-B10K | SR PASSIVES |
Category: Slide potentiometersDescription: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon Type of potentiometer: slide Resistance: 10kΩ Power: 0.5W Mounting: THT Tolerance: ±20% Characteristics: linear Track material: carbon Body dimensions: 88x12.5x11mm Operating voltage: 500V Potentiometer features: mono Body material: metal Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm Track length: 60mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1183 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
CDE23N-60-B50K | SR PASSIVES |
Category: Slide potentiometersDescription: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon Type of potentiometer: slide Resistance: 50kΩ Power: 0.5W Mounting: THT Tolerance: ±20% Characteristics: linear Track material: carbon Body dimensions: 88x12.5x11mm Operating voltage: 500V Track length: 60mm Potentiometer features: mono Body material: metal Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FGD3N60LSDTM | onsemi / Fairchild |
IGBTs 600V IGBT HID Application |
auf Bestellung 1419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IKD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IKN03N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs HOME APPLIANCES 14 |
auf Bestellung 5818 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
M83-LMT1M3N600000000 | Harwin |
Power to the Board |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
M83-LMT2M3N60-0000-000 | Harwin |
Headers & Wire Housings 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SIHB053N60E-GE3 | Vishay |
MOSFETs TO263 600V 47A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SIHB23N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
auf Bestellung 1952 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SIHB33N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
auf Bestellung 763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SIHB33N60ET1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Channel 600V |
auf Bestellung 1651 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SIHB33N60ET5-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263 |
auf Bestellung 747 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SIHF23N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
auf Bestellung 915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SiHG23N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SIHG33N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SIHG33N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SIHG73N60AE-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SIHG73N60E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 46A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 362nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SIHG73N60E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 46A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 362nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SIHG73N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SIHP23N60E-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 600V 23A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SiHP23N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SIHP33N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 301 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SIHP33N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SIHW33N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD |
auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
SPD03N60C3ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_LEGACY |
auf Bestellung 2125 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STB13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STB13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 969 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STB13N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 |
auf Bestellung 1875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STB33N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package |
auf Bestellung 972 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STB33N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package |
auf Bestellung 126 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STD13N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package |
auf Bestellung 3359 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STD13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 1738 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STD13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1738 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STD13N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 |
auf Bestellung 3741 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STF13N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.365Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STF13N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.365Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STF13N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack |
auf Bestellung 869 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STF13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STF13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| STF13N60M2 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| STF13N60M2 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
STF13N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 |
auf Bestellung 1112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STF33N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack |
auf Bestellung 415 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STF33N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2 |
auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STF43N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag |
auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STFH13N60M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep |
auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STL13N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 |
auf Bestellung 251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STL13N60M6 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STL33N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
STL33N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 |
auf Bestellung 1627 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| STP13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| STP13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
STP13N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 |
auf Bestellung 1538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| 3N60 |
Hersteller: MOT
CAN
CAN
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 3N60 |
Hersteller: to-220/f
AAT
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 3N60 AAT |
TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AOD3N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 130+ | 0.55 EUR |
| 150+ | 0.48 EUR |
| 163+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.41 EUR |
| AOD3N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2393 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 130+ | 0.55 EUR |
| 150+ | 0.48 EUR |
| 163+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.41 EUR |
| AOD3N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 1.11 EUR |
| CDE23N-60-B10K |
![]() |
Hersteller: SR PASSIVES
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon
Type of potentiometer: slide
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Characteristics: linear
Track material: carbon
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Operating voltage: 500V
Potentiometer features: mono
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Track length: 60mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon
Type of potentiometer: slide
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Characteristics: linear
Track material: carbon
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Operating voltage: 500V
Potentiometer features: mono
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Track length: 60mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 42+ | 1.73 EUR |
| 51+ | 1.42 EUR |
| 61+ | 1.17 EUR |
| 67+ | 1.07 EUR |
| 150+ | 0.96 EUR |
| CDE23N-60-B50K |
![]() |
Hersteller: SR PASSIVES
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon
Type of potentiometer: slide
Resistance: 50kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Characteristics: linear
Track material: carbon
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Operating voltage: 500V
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon
Type of potentiometer: slide
Resistance: 50kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Characteristics: linear
Track material: carbon
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Operating voltage: 500V
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 43+ | 1.67 EUR |
| 51+ | 1.42 EUR |
| 61+ | 1.17 EUR |
| 72+ | 1 EUR |
| 100+ | 0.89 EUR |
| FGD3N60LSDTM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V IGBT HID Application
IGBTs 600V IGBT HID Application
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.04 EUR |
| 10+ | 1 EUR |
| 100+ | 0.76 EUR |
| IKD03N60RFATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.83 EUR |
| 10+ | 1.14 EUR |
| 100+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| 2500+ | 0.48 EUR |
| 5000+ | 0.43 EUR |
| IKN03N60RC2ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 5818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.36 EUR |
| 10+ | 0.85 EUR |
| 100+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| 3000+ | 0.34 EUR |
| 6000+ | 0.31 EUR |
| M83-LMT1M3N600000000 |
![]() |
Hersteller: Harwin
Power to the Board
Power to the Board
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 68.96 EUR |
| 12+ | 59.96 EUR |
| 24+ | 57.36 EUR |
| 60+ | 55.51 EUR |
| 108+ | 53.66 EUR |
| 252+ | 50.71 EUR |
| M83-LMT2M3N60-0000-000 |
![]() |
Hersteller: Harwin
Headers & Wire Housings 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS
Headers & Wire Housings 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 37.1 EUR |
| 12+ | 31.42 EUR |
| 24+ | 29.16 EUR |
| 60+ | 28.14 EUR |
| 108+ | 26.98 EUR |
| 252+ | 25.43 EUR |
| 504+ | 24.96 EUR |
| SIHB053N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
MOSFETs TO263 600V 47A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 600V 47A N-CH MOSFET
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.86 EUR |
| 10+ | 5.58 EUR |
| 100+ | 5.16 EUR |
| 500+ | 4.47 EUR |
| SIHB23N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.89 EUR |
| 10+ | 2.92 EUR |
| 100+ | 2.9 EUR |
| 500+ | 2.87 EUR |
| 1000+ | 2.76 EUR |
| SIHB33N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.62 EUR |
| 10+ | 6.97 EUR |
| 100+ | 5.07 EUR |
| 500+ | 4.36 EUR |
| SIHB33N60ET1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Channel 600V
MOSFETs N-Channel 600V
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.54 EUR |
| 10+ | 7.55 EUR |
| 100+ | 6.11 EUR |
| 800+ | 5.7 EUR |
| 2400+ | 5.02 EUR |
| SIHB33N60ET5-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.23 EUR |
| 10+ | 7.5 EUR |
| 100+ | 6.05 EUR |
| 500+ | 5.39 EUR |
| 800+ | 4.33 EUR |
| SIHF23N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.55 EUR |
| 10+ | 4.38 EUR |
| 100+ | 3.38 EUR |
| 500+ | 2.99 EUR |
| 1000+ | 2.41 EUR |
| SiHG23N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.55 EUR |
| 10+ | 5.72 EUR |
| 100+ | 4.63 EUR |
| 500+ | 4.12 EUR |
| 1000+ | 3.29 EUR |
| SIHG33N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.18 EUR |
| 10+ | 8.17 EUR |
| 100+ | 6.62 EUR |
| 500+ | 5.88 EUR |
| 1000+ | 4.72 EUR |
| SIHG33N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.33 EUR |
| 10+ | 5.7 EUR |
| 100+ | 5.56 EUR |
| 500+ | 5.32 EUR |
| SIHG73N60AE-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.07 EUR |
| SIHG73N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 13.66 EUR |
| 7+ | 11.87 EUR |
| 10+ | 10.55 EUR |
| SIHG73N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 13.66 EUR |
| 7+ | 11.87 EUR |
| 10+ | 10.55 EUR |
| SIHG73N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 20.52 EUR |
| 10+ | 13.69 EUR |
| 100+ | 13.5 EUR |
| 500+ | 11.3 EUR |
| SIHP23N60E-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 23A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 23A N-CH MOSFET
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.68 EUR |
| 10+ | 2.73 EUR |
| 100+ | 2.66 EUR |
| 500+ | 2.43 EUR |
| 1000+ | 2.32 EUR |
| 2000+ | 2.29 EUR |
| SiHP23N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.7 EUR |
| 10+ | 3.12 EUR |
| 100+ | 2.97 EUR |
| 500+ | 2.43 EUR |
| 1000+ | 2.29 EUR |
| SIHP33N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.04 EUR |
| 10+ | 5.24 EUR |
| 100+ | 5.03 EUR |
| 500+ | 4.33 EUR |
| SIHP33N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.72 EUR |
| 10+ | 7.96 EUR |
| 100+ | 6.64 EUR |
| 500+ | 6.04 EUR |
| SIHW33N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.63 EUR |
| 10+ | 8.31 EUR |
| 480+ | 5.49 EUR |
| SPD03N60C3ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.27 EUR |
| 10+ | 1.02 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| 2500+ | 0.73 EUR |
| STB13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 2.86 EUR |
| 35+ | 2.09 EUR |
| 40+ | 1.8 EUR |
| 50+ | 1.62 EUR |
| STB13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 2.86 EUR |
| 35+ | 2.09 EUR |
| 40+ | 1.8 EUR |
| 50+ | 1.62 EUR |
| STB13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.26 EUR |
| 10+ | 2.83 EUR |
| 100+ | 1.95 EUR |
| 500+ | 1.62 EUR |
| 1000+ | 1.45 EUR |
| 2000+ | 1.37 EUR |
| STB33N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.27 EUR |
| 10+ | 5.39 EUR |
| 100+ | 3.84 EUR |
| 500+ | 3.71 EUR |
| 1000+ | 3.15 EUR |
| STB33N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.36 EUR |
| 10+ | 4.88 EUR |
| 100+ | 3.63 EUR |
| 500+ | 3.33 EUR |
| 1000+ | 2.76 EUR |
| STD13N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 3359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.38 EUR |
| 10+ | 2.25 EUR |
| 100+ | 1.53 EUR |
| 500+ | 1.22 EUR |
| 1000+ | 1.16 EUR |
| 2500+ | 1.02 EUR |
| 5000+ | 1.01 EUR |
| STD13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 33+ | 2.22 EUR |
| 40+ | 1.83 EUR |
| 100+ | 1.47 EUR |
| 250+ | 1.34 EUR |
| STD13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1738 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 33+ | 2.22 EUR |
| 40+ | 1.83 EUR |
| 100+ | 1.47 EUR |
| 250+ | 1.34 EUR |
| STD13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 3741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.18 EUR |
| 10+ | 1.53 EUR |
| 100+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| 2500+ | 0.68 EUR |
| STF13N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 32+ | 2.25 EUR |
| 47+ | 1.54 EUR |
| 51+ | 1.42 EUR |
| 55+ | 1.32 EUR |
| STF13N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 32+ | 2.25 EUR |
| 47+ | 1.54 EUR |
| 51+ | 1.42 EUR |
| 55+ | 1.32 EUR |
| 100+ | 1.29 EUR |
| STF13N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.36 EUR |
| 10+ | 1.92 EUR |
| 100+ | 1.85 EUR |
| 500+ | 1.51 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| 2000+ | 1.27 EUR |
| 5000+ | 1.22 EUR |
| STF13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 42+ | 1.72 EUR |
| 63+ | 1.14 EUR |
| 65+ | 1.12 EUR |
| STF13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 42+ | 1.72 EUR |
| 63+ | 1.14 EUR |
| 65+ | 1.12 EUR |
| STF13N60M2 |
![]() |
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.27 EUR |
| STF13N60M2 |
![]() |
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.27 EUR |
| STF13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.66 EUR |
| 10+ | 1.42 EUR |
| 100+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| 2000+ | 0.9 EUR |
| 5000+ | 0.84 EUR |
| STF33N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.35 EUR |
| 10+ | 3.29 EUR |
| 100+ | 3.01 EUR |
| 500+ | 2.75 EUR |
| STF33N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.66 EUR |
| 10+ | 2.29 EUR |
| 500+ | 2.2 EUR |
| 1000+ | 2.18 EUR |
| STF43N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.13 EUR |
| 10+ | 4.33 EUR |
| 100+ | 3.66 EUR |
| STFH13N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
MOSFETs N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.77 EUR |
| 10+ | 1.9 EUR |
| 100+ | 1.69 EUR |
| 920+ | 1.68 EUR |
| STL13N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
MOSFETs N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.1 EUR |
| 10+ | 2.5 EUR |
| 100+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| 3000+ | 1.31 EUR |
| STL13N60M6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
MOSFETs N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.19 EUR |
| 10+ | 2.31 EUR |
| 100+ | 1.76 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |
| 1000+ | 1.29 EUR |
| 3000+ | 1.19 EUR |
| STL33N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.57 EUR |
| 10+ | 5.79 EUR |
| 100+ | 4.17 EUR |
| 500+ | 4.08 EUR |
| 1000+ | 3.85 EUR |
| 3000+ | 3.45 EUR |
| STL33N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.23 EUR |
| 10+ | 4.79 EUR |
| 100+ | 3.73 EUR |
| 500+ | 3.33 EUR |
| 1000+ | 2.85 EUR |
| 3000+ | 2.68 EUR |
| STP13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 45+ | 1.62 EUR |
| 67+ | 1.08 EUR |
| 75+ | 0.96 EUR |
| 100+ | 0.91 EUR |
| STP13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 45+ | 1.62 EUR |
| 67+ | 1.08 EUR |
| 75+ | 0.96 EUR |
| 100+ | 0.91 EUR |
| 250+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.78 EUR |
| STP13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.34 EUR |
| 10+ | 1.39 EUR |
| 100+ | 1.33 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]




















