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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| 3N60 | to-220/f | AAT |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 3N60 AAT | TO-220/F 08+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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AOD3N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.6A Power dissipation: 56.8W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.9nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AOD3N60 | ALPHA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGD3N60LSDTM | onsemi |
IGBTs 600V IGBT HID Application |
auf Bestellung 1325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKN03N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs HOME APPLIANCES |
auf Bestellung 818 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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M83-LMT2M3N60-0000-000 | Harwin |
Headers & Wire Housings Datamate J-Tek 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB053N60E-GE3 | Vishay |
MOSFETs TO263 600V 47A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB23N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
auf Bestellung 1433 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB33N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
auf Bestellung 566 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB33N60ET5-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263 |
auf Bestellung 747 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHF23N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
auf Bestellung 912 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SiHG23N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG33N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG33N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG73N60AE-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG73N60E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 46A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 362nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 376 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG73N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHL023N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 600V |
auf Bestellung 885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP23N60E-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 600V 23A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SiHP23N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP33N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 291 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP33N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 303 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHW33N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPD03N60C3ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_LEGACY |
auf Bestellung 2025 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB13N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 |
auf Bestellung 1779 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB33N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package |
auf Bestellung 857 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB33N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package |
auf Bestellung 1387 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD13N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package |
auf Bestellung 3149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 1703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD13N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 |
auf Bestellung 4476 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF13N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.365Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF13N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack |
auf Bestellung 836 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF13N60M2 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STF13N60M2 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF13N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 |
auf Bestellung 1003 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STF33N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 35W Case: TO220FP On-state resistance: 108mΩ Mounting: THT Gate charge: 45.5nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF33N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2 |
auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF43N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag |
auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STFH13N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep |
auf Bestellung 935 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL13N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 |
auf Bestellung 3195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL13N60M6 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV |
auf Bestellung 2794 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL33N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 |
auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL33N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 |
auf Bestellung 1617 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP13N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP13N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 |
auf Bestellung 965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP33N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.5A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP33N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package |
auf Bestellung 1406 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP33N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 104A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 45.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP33N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2 |
auf Bestellung 645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP33N60M6 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package |
auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP43N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STU13N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 |
auf Bestellung 2386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW33N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15.5A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW33N60M6 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package |
auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW43N60DM2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package |
auf Bestellung 2384 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TK063N60Z1,S1F | Toshiba | MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS? |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 3N60 |
Hersteller: to-220/f
AAT
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 3N60 AAT |
TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AOD3N60 |
|
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 130+ | 0.55 EUR |
| 150+ | 0.48 EUR |
| 163+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.41 EUR |
| AOD3N60 |
|
Hersteller: ALPHA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 1.09 EUR |
| FGD3N60LSDTM |
|
Hersteller: onsemi
IGBTs 600V IGBT HID Application
IGBTs 600V IGBT HID Application
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.41 EUR |
| 10+ | 2.13 EUR |
| 100+ | 1.4 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| 2500+ | 0.84 EUR |
| IKD03N60RFATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.34 EUR |
| 10+ | 1.45 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.69 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
| 2500+ | 0.57 EUR |
| 5000+ | 0.53 EUR |
| IKN03N60RC2ATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES
IGBTs HOME APPLIANCES
auf Bestellung 818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.54 EUR |
| 10+ | 0.96 EUR |
| 100+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| 3000+ | 0.38 EUR |
| 6000+ | 0.36 EUR |
| M83-LMT2M3N60-0000-000 |
|
Hersteller: Harwin
Headers & Wire Housings Datamate J-Tek 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS
Headers & Wire Housings Datamate J-Tek 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 41.43 EUR |
| 12+ | 35.2 EUR |
| 24+ | 33 EUR |
| 60+ | 31.42 EUR |
| 108+ | 30.82 EUR |
| SIHB053N60E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay
MOSFETs TO263 600V 47A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 600V 47A N-CH MOSFET
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.25 EUR |
| 10+ | 6.64 EUR |
| 100+ | 5.53 EUR |
| 500+ | 4.93 EUR |
| SIHB23N60E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 1433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.36 EUR |
| 10+ | 3.1 EUR |
| SIHB33N60EF-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.05 EUR |
| 10+ | 7.9 EUR |
| 100+ | 5.79 EUR |
| 500+ | 5.68 EUR |
| SIHB33N60ET5-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.26 EUR |
| 10+ | 7.5 EUR |
| 100+ | 6.05 EUR |
| 500+ | 5.39 EUR |
| 800+ | 4.8 EUR |
| SIHF23N60E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.15 EUR |
| 10+ | 4.66 EUR |
| 100+ | 3.64 EUR |
| 500+ | 3.06 EUR |
| 1000+ | 2.69 EUR |
| SiHG23N60E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.57 EUR |
| 10+ | 6.28 EUR |
| 100+ | 4.63 EUR |
| 500+ | 4.12 EUR |
| 1000+ | 3.7 EUR |
| SIHG33N60E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.28 EUR |
| 10+ | 8.17 EUR |
| 100+ | 6.62 EUR |
| 500+ | 5.88 EUR |
| 1000+ | 5.19 EUR |
| SIHG33N60EF-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.65 EUR |
| 10+ | 7.62 EUR |
| 100+ | 6.39 EUR |
| 500+ | 5.93 EUR |
| SIHG73N60AE-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 18.71 EUR |
| 10+ | 11.79 EUR |
| 100+ | 10.07 EUR |
| SIHG73N60E-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 14.46 EUR |
| 6+ | 12.03 EUR |
| 10+ | 10.6 EUR |
| 25+ | 10.55 EUR |
| SIHG73N60E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 21.28 EUR |
| 10+ | 17.9 EUR |
| 100+ | 14.92 EUR |
| 500+ | 12.6 EUR |
| SIHL023N60E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 600V
MOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 22.02 EUR |
| 10+ | 17.93 EUR |
| 100+ | 13.06 EUR |
| 480+ | 13.04 EUR |
| 960+ | 12.62 EUR |
| SIHP23N60E-BE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 23A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 23A N-CH MOSFET
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.79 EUR |
| 10+ | 3.5 EUR |
| 100+ | 3.04 EUR |
| 500+ | 2.6 EUR |
| 1000+ | 2.52 EUR |
| SiHP23N60E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.37 EUR |
| 10+ | 3.27 EUR |
| 100+ | 2.97 EUR |
| 500+ | 2.55 EUR |
| SIHP33N60E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.98 EUR |
| 10+ | 5.88 EUR |
| 100+ | 5.37 EUR |
| 500+ | 4.75 EUR |
| SIHP33N60EF-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.51 EUR |
| 10+ | 8.69 EUR |
| 100+ | 7.02 EUR |
| 500+ | 6.04 EUR |
| SIHW33N60E-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 13.08 EUR |
| 10+ | 9.2 EUR |
| 100+ | 7.44 EUR |
| 480+ | 5.95 EUR |
| SPD03N60C3ATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.76 EUR |
| 10+ | 1.22 EUR |
| 100+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| STB13N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 2.95 EUR |
| 37+ | 1.96 EUR |
| 42+ | 1.73 EUR |
| 50+ | 1.62 EUR |
| STB13N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.33 EUR |
| 10+ | 2.8 EUR |
| 100+ | 1.94 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.42 EUR |
| 2000+ | 1.34 EUR |
| STB33N60DM2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.52 EUR |
| 10+ | 5.68 EUR |
| 100+ | 4.05 EUR |
| 500+ | 3.63 EUR |
| 1000+ | 3.13 EUR |
| 2000+ | 3.1 EUR |
| STB33N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 1387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.74 EUR |
| 10+ | 5.14 EUR |
| 100+ | 3.64 EUR |
| 500+ | 3.2 EUR |
| 1000+ | 2.99 EUR |
| STD13N60DM2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 3149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.5 EUR |
| 10+ | 2.25 EUR |
| 100+ | 1.53 EUR |
| 500+ | 1.22 EUR |
| 1000+ | 1.15 EUR |
| 2500+ | 1.02 EUR |
| 5000+ | 1.01 EUR |
| STD13N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 1703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 40+ | 1.79 EUR |
| 54+ | 1.34 EUR |
| STD13N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 4476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.62 EUR |
| 10+ | 1.66 EUR |
| 100+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| 2500+ | 0.74 EUR |
| STF13N60DM2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 26+ | 2.82 EUR |
| 42+ | 1.73 EUR |
| 53+ | 1.36 EUR |
| STF13N60DM2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.15 EUR |
| 10+ | 2.04 EUR |
| 100+ | 1.83 EUR |
| 500+ | 1.51 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| 2000+ | 1.29 EUR |
| STF13N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 36+ | 1.99 EUR |
| 61+ | 1.17 EUR |
| 65+ | 1.12 EUR |
| STF13N60M2 |
|
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.3 EUR |
| STF13N60M2 |
|
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.3 EUR |
| STF13N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.92 EUR |
| 10+ | 1.4 EUR |
| 100+ | 1.25 EUR |
| 500+ | 0.99 EUR |
| 1000+ | 0.91 EUR |
| 2000+ | 0.86 EUR |
| STF33N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 4.16 EUR |
| 23+ | 3.2 EUR |
| 27+ | 2.75 EUR |
| 50+ | 2.14 EUR |
| STF33N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.49 EUR |
| 10+ | 3.34 EUR |
| 100+ | 2.99 EUR |
| 500+ | 2.5 EUR |
| 1000+ | 2.31 EUR |
| 2000+ | 2.16 EUR |
| STF43N60DM2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.36 EUR |
| 10+ | 4.59 EUR |
| 100+ | 4.19 EUR |
| 1000+ | 3.84 EUR |
| STFH13N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
MOSFETs N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.77 EUR |
| 10+ | 1.87 EUR |
| 100+ | 1.71 EUR |
| 920+ | 1.69 EUR |
| STL13N60DM2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
MOSFETs N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
auf Bestellung 3195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.21 EUR |
| 10+ | 2.73 EUR |
| 100+ | 1.88 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| 1000+ | 1.51 EUR |
| 3000+ | 1.28 EUR |
| STL13N60M6 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
MOSFETs N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
auf Bestellung 2794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.94 EUR |
| 10+ | 2.53 EUR |
| 100+ | 1.72 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |
| 1000+ | 1.26 EUR |
| 3000+ | 1.13 EUR |
| STL33N60DM2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.92 EUR |
| 10+ | 5.97 EUR |
| 100+ | 4.28 EUR |
| 500+ | 3.87 EUR |
| 1000+ | 3.73 EUR |
| 3000+ | 3.29 EUR |
| STL33N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.48 EUR |
| 10+ | 7.2 EUR |
| 100+ | 5.63 EUR |
| 500+ | 5.02 EUR |
| 1000+ | 4.28 EUR |
| 3000+ | 2.68 EUR |
| STP13N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 33+ | 2.23 EUR |
| 51+ | 1.43 EUR |
| 58+ | 1.24 EUR |
| 65+ | 1.12 EUR |
| 100+ | 1.01 EUR |
| STP13N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.45 EUR |
| 10+ | 1.85 EUR |
| 100+ | 1.48 EUR |
| 500+ | 1.2 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| 2000+ | 0.99 EUR |
| 5000+ | 0.94 EUR |
| STP33N60DM2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 4.12 EUR |
| 25+ | 2.92 EUR |
| 50+ | 2.72 EUR |
| STP33N60DM2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 1406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.88 EUR |
| 10+ | 4.1 EUR |
| 100+ | 3.73 EUR |
| 500+ | 3.08 EUR |
| 1000+ | 2.87 EUR |
| 2000+ | 2.8 EUR |
| STP33N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 104A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 4.9 EUR |
| 25+ | 2.9 EUR |
| 50+ | 2.63 EUR |
| STP33N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.76 EUR |
| 10+ | 4.03 EUR |
| 100+ | 3.66 EUR |
| 500+ | 3.4 EUR |
| 1000+ | 2.94 EUR |
| STP33N60M6 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
MOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.62 EUR |
| 10+ | 5.05 EUR |
| 100+ | 3.61 EUR |
| 500+ | 2.97 EUR |
| 1000+ | 2.9 EUR |
| STP43N60DM2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.01 EUR |
| 10+ | 4.79 EUR |
| 100+ | 4.38 EUR |
| 500+ | 3.94 EUR |
| STU13N60M2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.2 EUR |
| 10+ | 1.45 EUR |
| 100+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.1 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| 3000+ | 0.96 EUR |
| STW33N60DM2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 7.15 EUR |
| STW33N60M6 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
MOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.84 EUR |
| 10+ | 6.16 EUR |
| 100+ | 4.45 EUR |
| 600+ | 4.12 EUR |
| STW43N60DM2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
auf Bestellung 2384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.26 EUR |
| 10+ | 6.55 EUR |
| 100+ | 5.44 EUR |
| TK063N60Z1,S1F |
Hersteller: Toshiba
MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS?
MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS?
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.05 EUR |
| 10+ | 6.34 EUR |
| 120+ | 5.28 EUR |
| 510+ | 4.8 EUR |
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