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3N60 MOT CAN
auf Bestellung 387 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3N60 to-220/f AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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3N60 AAT TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD3N60 AOD3N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781963AE57FADA259&compId=AOD3N60.pdf?ci_sign=89ef99c7605aa7087fe59699794148e95f28d9d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.6 EUR
139+0.52 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD3N60 ALPHA AOD3N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
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25+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD3N60 AOD3N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781963AE57FADA259&compId=AOD3N60.pdf?ci_sign=89ef99c7605aa7087fe59699794148e95f28d9d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
139+0.52 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
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Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CDE23N-60-B10K CDE23N-60-B10K SR PASSIVES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8ABBEE99037040D2&compId=cde-series.pdf?ci_sign=c00f3b3059afdfae995657639b6c1bc15ee3b07a Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon
Resistance: 10kΩ
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Type of potentiometer: slide
Characteristics: linear
Body material: metal
Potentiometer features: mono
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Power: 0.5W
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Track length: 60mm
Operating voltage: 500V
Track material: carbon
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.8 EUR
49+1.49 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CDE23N-60-B50K CDE23N-60-B50K SR PASSIVES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8ABBEE99037040D2&compId=cde-series.pdf?ci_sign=c00f3b3059afdfae995657639b6c1bc15ee3b07a Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon
Resistance: 50kΩ
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Characteristics: linear
Body material: metal
Potentiometer features: mono
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Power: 0.5W
Track length: 60mm
Operating voltage: 500V
Track material: carbon
Type of potentiometer: slide
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
49+1.47 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM onsemi / Fairchild FGD3N60LSD-D.PDF IGBTs 600V IGBT HID Application
auf Bestellung 1419 Stücke:
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1+3.04 EUR
10+1 EUR
100+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD03N60RF_DS_v02_06_EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN03N60RC2ATMA1 IKN03N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKN03N60RC2-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 5838 Stücke:
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3+1.36 EUR
10+0.85 EUR
100+0.58 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.34 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M83-LMT1M3N600000000 M83-LMT1M3N600000000 Harwin M83-LMT1M3NXX-0000-000.pdf Power to the Board
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+68.96 EUR
12+60.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M83-LMT2M3N60-0000-000 M83-LMT2M3N60-0000-000 Harwin M83_LMT2M3NXX_0000_000.pdf Headers & Wire Housings 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.1 EUR
12+31.42 EUR
24+30.06 EUR
60+29.08 EUR
108+28.11 EUR
252+26.56 EUR
504+25.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB053N60E-GE3 SIHB053N60E-GE3 Vishay sihb053n60e.pdf MOSFETs TO263 600V 47A N-CH MOSFET
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.86 EUR
10+5.58 EUR
100+5.16 EUR
500+4.47 EUR
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SIHB23N60E-GE3 SIHB23N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihb23n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+2.87 EUR
500+2.85 EUR
2000+2.8 EUR
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SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb33n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.62 EUR
10+6.97 EUR
100+5.07 EUR
500+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB33N60EF-GE3 SIHB33N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb33n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.11 EUR
10+7.9 EUR
100+5.79 EUR
500+5.67 EUR
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SIHB33N60ET1-GE3 SIHB33N60ET1-GE3 Vishay Semiconductors sihb33n60e.pdf MOSFETs N-Channel 600V
auf Bestellung 1651 Stücke:
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1+10.54 EUR
10+7.55 EUR
100+6.11 EUR
800+5.7 EUR
2400+5.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB33N60ET5-GE3 SIHB33N60ET5-GE3 Vishay / Siliconix sihb33n60e.pdf MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.23 EUR
10+7.5 EUR
100+6.05 EUR
500+5.39 EUR
800+4.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF23N60E-GE3 SIHF23N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihf23n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.55 EUR
10+4.38 EUR
100+3.38 EUR
500+2.99 EUR
1000+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG23N60E-GE3 SiHG23N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg23n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.45 EUR
10+5.72 EUR
100+4.63 EUR
500+4.12 EUR
1000+3.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N60E-GE3 SIHG33N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg33n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.18 EUR
10+8.17 EUR
100+6.62 EUR
500+5.88 EUR
1000+4.72 EUR
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SIHG33N60EF-GE3 SIHG33N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg33n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.14 EUR
10+5.74 EUR
100+5.44 EUR
500+5.32 EUR
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SIHG73N60AE-GE3 SIHG73N60AE-GE3 Vishay Semiconductors sihg73n60ae.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906BD8333C0143&compId=SIHG73N60E.pdf?ci_sign=e22d1d02f504fd0f6006dd6fda5d233ca807c85b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.74 EUR
7+10.97 EUR
10+10.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906BD8333C0143&compId=SIHG73N60E.pdf?ci_sign=e22d1d02f504fd0f6006dd6fda5d233ca807c85b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.74 EUR
7+10.97 EUR
10+10.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg73n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.29 EUR
10+13.69 EUR
100+13.5 EUR
500+11.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP23N60E-BE3 SIHP23N60E-BE3 Vishay / Siliconix sihp23n60e.pdf MOSFETs TO220 600V 23A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.63 EUR
10+2.76 EUR
100+2.68 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.32 EUR
2000+2.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHP23N60E-GE3 SiHP23N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp23n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.6 EUR
10+3.12 EUR
100+2.97 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60E-GE3 SIHP33N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp33n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.88 EUR
10+5.26 EUR
100+5.03 EUR
500+4.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60EF-GE3 SIHP33N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihp33n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.72 EUR
10+7.96 EUR
100+6.64 EUR
500+6.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW33N60E-GE3 SIHW33N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihw33n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.63 EUR
10+8.31 EUR
480+5.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD03N60C3-DataSheet-v02_07-EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 2135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.27 EUR
10+1.02 EUR
100+0.86 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D754CAB1594745&compId=STB13N60M2.pdf?ci_sign=b9908146562bf6542a795ebdfd3f10dfd8902295 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.09 EUR
41+1.76 EUR
43+1.67 EUR
100+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D754CAB1594745&compId=STB13N60M2.pdf?ci_sign=b9908146562bf6542a795ebdfd3f10dfd8902295 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.09 EUR
41+1.76 EUR
43+1.67 EUR
100+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics stb13n60m2.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.26 EUR
10+2.83 EUR
100+1.95 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.45 EUR
2000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60DM2 STB33N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.27 EUR
10+5.39 EUR
100+3.84 EUR
500+3.71 EUR
1000+3.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60M2 STB33N60M2 STMicroelectronics en.DM00095324.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.36 EUR
10+4.88 EUR
100+3.61 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD13N60DM2 STD13N60DM2 STMicroelectronics en.DM00286120.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 3359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.38 EUR
10+2.25 EUR
100+1.53 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.16 EUR
2500+1.02 EUR
5000+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D754CAB1594745&compId=STB13N60M2.pdf?ci_sign=b9908146562bf6542a795ebdfd3f10dfd8902295 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D754CAB1594745&compId=STB13N60M2.pdf?ci_sign=b9908146562bf6542a795ebdfd3f10dfd8902295 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1888 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics en.DM00082928.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
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STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB696000D2&compId=stf13n60dm2.pdf?ci_sign=ac63e93b2830b0e4bd3f197acd9bcd90db40c5f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB696000D2&compId=stf13n60dm2.pdf?ci_sign=ac63e93b2830b0e4bd3f197acd9bcd90db40c5f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics en.DM00285795.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
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5000+1.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7E4E15320D2&compId=stf13n60m2.pdf?ci_sign=aa533324886ad93fa1c8ec70c2876d70510fcc46 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 211 Stücke:
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39+1.84 EUR
59+1.23 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60M2 ST en.DM00070271.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
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STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7E4E15320D2&compId=stf13n60m2.pdf?ci_sign=aa533324886ad93fa1c8ec70c2876d70510fcc46 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 211 Stücke:
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39+1.84 EUR
59+1.23 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60M2 ST en.DM00070271.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics en.DM00070271.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF33N60DM2 STF33N60DM2 STMicroelectronics stf33n60dm2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
auf Bestellung 465 Stücke:
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1+7.3 EUR
10+4.86 EUR
100+3.85 EUR
500+3.47 EUR
1000+2.94 EUR
2000+2.82 EUR
5000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF33N60M2 STF33N60M2 STMicroelectronics en.DM00078147.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+2.29 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF43N60DM2 STF43N60DM2 STMicroelectronics STF43N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+4.68 EUR
500+3.87 EUR
1000+3.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFH13N60M2 STFH13N60M2 STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
auf Bestellung 1094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.77 EUR
10+1.9 EUR
100+1.69 EUR
920+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL13N60DM2 STL13N60DM2 STMicroelectronics en.DM00290959.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.1 EUR
10+2.5 EUR
100+1.78 EUR
500+1.54 EUR
3000+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL13N60M6 STL13N60M6 STMicroelectronics stl13n60m6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+2.31 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL33N60DM2 STL33N60DM2 STMicroelectronics en.DM00128601.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.57 EUR
10+5.79 EUR
100+4.17 EUR
500+4.08 EUR
1000+3.85 EUR
3000+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL33N60M2 STL33N60M2 STMicroelectronics en.DM00078624.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.23 EUR
10+4.79 EUR
100+3.73 EUR
500+3.33 EUR
1000+2.85 EUR
3000+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60M2 STMicroelectronics en.DM00070267.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.74 EUR
62+1.17 EUR
84+0.86 EUR
89+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60M2 STP13N60M2 STMicroelectronics en.DM00070267.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.39 EUR
100+1.33 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3N60
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3N60
Hersteller: to-220/f
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3N60 AAT
TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD3N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781963AE57FADA259&compId=AOD3N60.pdf?ci_sign=89ef99c7605aa7087fe59699794148e95f28d9d7
AOD3N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
139+0.52 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD3N60 AOD3N60.pdf
Hersteller: ALPHA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD3N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781963AE57FADA259&compId=AOD3N60.pdf?ci_sign=89ef99c7605aa7087fe59699794148e95f28d9d7
AOD3N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
139+0.52 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CDE23N-60-B10K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8ABBEE99037040D2&compId=cde-series.pdf?ci_sign=c00f3b3059afdfae995657639b6c1bc15ee3b07a
CDE23N-60-B10K
Hersteller: SR PASSIVES
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon
Resistance: 10kΩ
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Type of potentiometer: slide
Characteristics: linear
Body material: metal
Potentiometer features: mono
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Power: 0.5W
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Track length: 60mm
Operating voltage: 500V
Track material: carbon
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.8 EUR
49+1.49 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CDE23N-60-B50K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8ABBEE99037040D2&compId=cde-series.pdf?ci_sign=c00f3b3059afdfae995657639b6c1bc15ee3b07a
CDE23N-60-B50K
Hersteller: SR PASSIVES
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon
Resistance: 50kΩ
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Characteristics: linear
Body material: metal
Potentiometer features: mono
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Power: 0.5W
Track length: 60mm
Operating voltage: 500V
Track material: carbon
Type of potentiometer: slide
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
49+1.47 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSD-D.PDF
FGD3N60LSDTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V IGBT HID Application
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.04 EUR
10+1 EUR
100+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD03N60RFATMA1 Infineon_IKD03N60RF_DS_v02_06_EN.pdf
IKD03N60RFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN03N60RC2ATMA1 Infineon-IKN03N60RC2-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKN03N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 5838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.36 EUR
10+0.85 EUR
100+0.58 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.34 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M83-LMT1M3N600000000 M83-LMT1M3NXX-0000-000.pdf
M83-LMT1M3N600000000
Hersteller: Harwin
Power to the Board
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+68.96 EUR
12+60.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M83-LMT2M3N60-0000-000 M83_LMT2M3NXX_0000_000.pdf
M83-LMT2M3N60-0000-000
Hersteller: Harwin
Headers & Wire Housings 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+37.1 EUR
12+31.42 EUR
24+30.06 EUR
60+29.08 EUR
108+28.11 EUR
252+26.56 EUR
504+25.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB053N60E-GE3 sihb053n60e.pdf
SIHB053N60E-GE3
Hersteller: Vishay
MOSFETs TO263 600V 47A N-CH MOSFET
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.86 EUR
10+5.58 EUR
100+5.16 EUR
500+4.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB23N60E-GE3 sihb23n60e.pdf
SIHB23N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.8 EUR
10+2.87 EUR
500+2.85 EUR
2000+2.8 EUR
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SIHB33N60E-GE3 sihb33n60e.pdf
SIHB33N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 788 Stücke:
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1+8.62 EUR
10+6.97 EUR
100+5.07 EUR
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SIHB33N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 177 Stücke:
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1+11.11 EUR
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500+5.67 EUR
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SIHB33N60ET1-GE3 sihb33n60e.pdf
SIHB33N60ET1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Channel 600V
auf Bestellung 1651 Stücke:
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1+10.54 EUR
10+7.55 EUR
100+6.11 EUR
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2400+5.02 EUR
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SIHB33N60ET5-GE3 sihb33n60e.pdf
SIHB33N60ET5-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.23 EUR
10+7.5 EUR
100+6.05 EUR
500+5.39 EUR
800+4.33 EUR
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SIHF23N60E-GE3 sihf23n60e.pdf
SIHF23N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 915 Stücke:
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Anzahl Preis
1+6.55 EUR
10+4.38 EUR
100+3.38 EUR
500+2.99 EUR
1000+2.41 EUR
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SiHG23N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 679 Stücke:
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Anzahl Preis
1+8.45 EUR
10+5.72 EUR
100+4.63 EUR
500+4.12 EUR
1000+3.29 EUR
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SIHG33N60E-GE3 sihg33n60e.pdf
SIHG33N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 522 Stücke:
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Anzahl Preis
1+11.18 EUR
10+8.17 EUR
100+6.62 EUR
500+5.88 EUR
1000+4.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N60EF-GE3 sihg33n60ef.pdf
SIHG33N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.14 EUR
10+5.74 EUR
100+5.44 EUR
500+5.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60AE-GE3 sihg73n60ae.pdf
SIHG73N60AE-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 142 Stücke:
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Anzahl Preis
1+10.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906BD8333C0143&compId=SIHG73N60E.pdf?ci_sign=e22d1d02f504fd0f6006dd6fda5d233ca807c85b
SIHG73N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.74 EUR
7+10.97 EUR
10+10.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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SIHG73N60E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906BD8333C0143&compId=SIHG73N60E.pdf?ci_sign=e22d1d02f504fd0f6006dd6fda5d233ca807c85b
SIHG73N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.74 EUR
7+10.97 EUR
10+10.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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SIHG73N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.29 EUR
10+13.69 EUR
100+13.5 EUR
500+11.3 EUR
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SIHP23N60E-BE3 sihp23n60e.pdf
SIHP23N60E-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 23A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.63 EUR
10+2.76 EUR
100+2.68 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.32 EUR
2000+2.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHP23N60E-GE3 sihp23n60e.pdf
SiHP23N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.6 EUR
10+3.12 EUR
100+2.97 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60E-GE3 sihp33n60e.pdf
SIHP33N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.88 EUR
10+5.26 EUR
100+5.03 EUR
500+4.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP33N60EF-GE3 sihp33n60ef.pdf
SIHP33N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.72 EUR
10+7.96 EUR
100+6.64 EUR
500+6.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW33N60E-GE3 sihw33n60e.pdf
SIHW33N60E-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.63 EUR
10+8.31 EUR
480+5.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD03N60C3ATMA1 Infineon-SPD03N60C3-DataSheet-v02_07-EN.pdf
SPD03N60C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 2135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.27 EUR
10+1.02 EUR
100+0.86 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D754CAB1594745&compId=STB13N60M2.pdf?ci_sign=b9908146562bf6542a795ebdfd3f10dfd8902295
STB13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.09 EUR
41+1.76 EUR
43+1.67 EUR
100+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D754CAB1594745&compId=STB13N60M2.pdf?ci_sign=b9908146562bf6542a795ebdfd3f10dfd8902295
STB13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.09 EUR
41+1.76 EUR
43+1.67 EUR
100+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB13N60M2 stb13n60m2.pdf
STB13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.26 EUR
10+2.83 EUR
100+1.95 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.45 EUR
2000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf
STB33N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.27 EUR
10+5.39 EUR
100+3.84 EUR
500+3.71 EUR
1000+3.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB33N60M2 en.DM00095324.pdf
STB33N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.36 EUR
10+4.88 EUR
100+3.61 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD13N60DM2 en.DM00286120.pdf
STD13N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 3359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.38 EUR
10+2.25 EUR
100+1.53 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.16 EUR
2500+1.02 EUR
5000+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD13N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D754CAB1594745&compId=STB13N60M2.pdf?ci_sign=b9908146562bf6542a795ebdfd3f10dfd8902295
STD13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
37+1.97 EUR
49+1.49 EUR
52+1.4 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD13N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D754CAB1594745&compId=STB13N60M2.pdf?ci_sign=b9908146562bf6542a795ebdfd3f10dfd8902295
STD13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
37+1.97 EUR
49+1.49 EUR
52+1.4 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD13N60M2 en.DM00082928.pdf
STD13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 3954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.18 EUR
10+1.53 EUR
100+1.11 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB696000D2&compId=stf13n60dm2.pdf?ci_sign=ac63e93b2830b0e4bd3f197acd9bcd90db40c5f1
STF13N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
43+1.67 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB696000D2&compId=stf13n60dm2.pdf?ci_sign=ac63e93b2830b0e4bd3f197acd9bcd90db40c5f1
STF13N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
43+1.67 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
100+1.33 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60DM2 en.DM00285795.pdf
STF13N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.41 EUR
10+1.95 EUR
100+1.85 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.27 EUR
5000+1.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7E4E15320D2&compId=stf13n60m2.pdf?ci_sign=aa533324886ad93fa1c8ec70c2876d70510fcc46
STF13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
59+1.23 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60M2 en.DM00070271.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60M2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7E4E15320D2&compId=stf13n60m2.pdf?ci_sign=aa533324886ad93fa1c8ec70c2876d70510fcc46
STF13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
59+1.23 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF13N60M2 en.DM00070271.pdf
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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STF13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.69 EUR
10+1.42 EUR
100+1.37 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.89 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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STF33N60DM2 stf33n60dm2.pdf
STF33N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.3 EUR
10+4.86 EUR
100+3.85 EUR
500+3.47 EUR
1000+2.94 EUR
2000+2.82 EUR
5000+2.76 EUR
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STF33N60M2 en.DM00078147.pdf
STF33N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.78 EUR
10+2.29 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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STF43N60DM2 STF43N60DM2.pdf
STF43N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.41 EUR
10+4.68 EUR
500+3.87 EUR
1000+3.66 EUR
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STFH13N60M2
STFH13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
auf Bestellung 1094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.77 EUR
10+1.9 EUR
100+1.69 EUR
920+1.68 EUR
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STL13N60DM2 en.DM00290959.pdf
STL13N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.1 EUR
10+2.5 EUR
100+1.78 EUR
500+1.54 EUR
3000+1.31 EUR
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STL13N60M6 stl13n60m6.pdf
STL13N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.19 EUR
10+2.31 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.19 EUR
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STL33N60DM2 en.DM00128601.pdf
STL33N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.57 EUR
10+5.79 EUR
100+4.17 EUR
500+4.08 EUR
1000+3.85 EUR
3000+3.45 EUR
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STL33N60M2 en.DM00078624.pdf
STL33N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.23 EUR
10+4.79 EUR
100+3.73 EUR
500+3.33 EUR
1000+2.85 EUR
3000+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP13N60M2 en.DM00070267.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
62+1.17 EUR
84+0.86 EUR
89+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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STP13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.34 EUR
10+1.39 EUR
100+1.33 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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