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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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3N60 | MOT | CAN |
auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
3N60 | to-220/f | AAT |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
3N60 AAT | TO-220/F 08+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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AOD3N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.6A Power dissipation: 56.8W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.9nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD3N60 | ALPHA |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOD3N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.6A Power dissipation: 56.8W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.9nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2397 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CDE23N-60-B10K | SR PASSIVES |
![]() Description: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon Resistance: 10kΩ Power: 0.5W Tolerance: ±20% Body dimensions: 88x12.5x11mm Track material: carbon Characteristics: linear Body material: metal Potentiometer features: mono Type of potentiometer: slide Mounting: THT Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm Track length: 60mm Max. operating voltage: 500V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 537 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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CDE23N-60-B50K | SR PASSIVES |
![]() Description: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon Type of potentiometer: slide Resistance: 50kΩ Power: 0.5W Mounting: THT Tolerance: ±20% Characteristics: linear Track material: carbon Body dimensions: 88x12.5x11mm Max. operating voltage: 500V Track length: 60mm Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm Potentiometer features: mono Body material: metal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGD3N60LSDTM | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 1419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKN03N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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M83-LMT1M3N600000000 | Harwin |
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auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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M83-LMT2M3N60-0000-000 | Harwin |
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auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB053N60E-GE3 | Vishay |
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auf Bestellung 876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB23N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1952 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB33N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB33N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB33N60ET1-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1651 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB33N60ET5-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 747 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHF23N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SiHG23N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 704 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG33N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG33N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG73N60AE-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG73N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 46A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 362nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG73N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 46A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 362nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIHG73N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP23N60E-BE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SiHP23N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP33N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP33N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHW33N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPD03N60C3ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB13N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STB13N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STB13N60M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB33N60DM2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB33N60M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD13N60DM2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 3359 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD13N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 1905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD13N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1905 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD13N60M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 4192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF13N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.365Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF13N60DM2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.365Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF13N60DM2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 884 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF13N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF13N60M2 | ST |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF13N60M2 | ST |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF13N60M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF13N60M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1125 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF33N60DM2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF33N60M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF43N60DM2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STFH13N60M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep |
auf Bestellung 1097 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL13N60DM2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 271 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL13N60M6 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL33N60DM2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL33N60M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP13N60M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP33N60DM2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1436 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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3N60 |
Hersteller: MOT
CAN
CAN
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
3N60 |
Hersteller: to-220/f
AAT
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
3N60 AAT |
TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AOD3N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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120+ | 0.6 EUR |
139+ | 0.52 EUR |
158+ | 0.45 EUR |
167+ | 0.43 EUR |
AOD3N60 |
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Hersteller: ALPHA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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25+ | 1.09 EUR |
AOD3N60 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
120+ | 0.6 EUR |
139+ | 0.52 EUR |
158+ | 0.45 EUR |
167+ | 0.43 EUR |
2500+ | 0.42 EUR |
CDE23N-60-B10K |
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Hersteller: SR PASSIVES
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Track material: carbon
Characteristics: linear
Body material: metal
Potentiometer features: mono
Type of potentiometer: slide
Mounting: THT
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Track length: 60mm
Max. operating voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±20%
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Track material: carbon
Characteristics: linear
Body material: metal
Potentiometer features: mono
Type of potentiometer: slide
Mounting: THT
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Track length: 60mm
Max. operating voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.79 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
72+ | 1 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
CDE23N-60-B50K |
![]() |
Hersteller: SR PASSIVES
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon
Type of potentiometer: slide
Resistance: 50kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Characteristics: linear
Track material: carbon
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Max. operating voltage: 500V
Track length: 60mm
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Potentiometer features: mono
Body material: metal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; metal; carbon
Type of potentiometer: slide
Resistance: 50kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Characteristics: linear
Track material: carbon
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Max. operating voltage: 500V
Track length: 60mm
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Potentiometer features: mono
Body material: metal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
42+ | 1.73 EUR |
50+ | 1.46 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
100+ | 0.93 EUR |
FGD3N60LSDTM |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V IGBT HID Application
IGBTs 600V IGBT HID Application
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.04 EUR |
10+ | 1 EUR |
100+ | 0.76 EUR |
IKD03N60RFATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.83 EUR |
10+ | 1.14 EUR |
100+ | 0.75 EUR |
500+ | 0.58 EUR |
1000+ | 0.52 EUR |
2500+ | 0.48 EUR |
5000+ | 0.43 EUR |
IKN03N60RC2ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 5838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 1.36 EUR |
10+ | 0.85 EUR |
100+ | 0.58 EUR |
500+ | 0.46 EUR |
1000+ | 0.38 EUR |
3000+ | 0.34 EUR |
6000+ | 0.31 EUR |
M83-LMT1M3N600000000 |
![]() |
Hersteller: Harwin
Power to the Board
Power to the Board
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 68.96 EUR |
12+ | 59.96 EUR |
24+ | 57.36 EUR |
60+ | 55.51 EUR |
108+ | 53.66 EUR |
252+ | 50.71 EUR |
M83-LMT2M3N60-0000-000 |
![]() |
Hersteller: Harwin
Headers & Wire Housings 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS
Headers & Wire Housings 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 37.1 EUR |
12+ | 31.42 EUR |
24+ | 31.13 EUR |
SIHB053N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
MOSFETs TO263 600V 47A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 600V 47A N-CH MOSFET
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.77 EUR |
10+ | 5.77 EUR |
100+ | 5.16 EUR |
500+ | 4.63 EUR |
1000+ | 4.47 EUR |
SIHB23N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.8 EUR |
10+ | 2.87 EUR |
500+ | 2.82 EUR |
1000+ | 2.8 EUR |
2000+ | 2.76 EUR |
SIHB33N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.62 EUR |
10+ | 6.97 EUR |
100+ | 5.07 EUR |
500+ | 4.36 EUR |
SIHB33N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 11.11 EUR |
10+ | 7.9 EUR |
100+ | 5.79 EUR |
500+ | 5.67 EUR |
SIHB33N60ET1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Channel 600V
MOSFETs N-Channel 600V
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.54 EUR |
10+ | 7.55 EUR |
100+ | 6.11 EUR |
800+ | 5.7 EUR |
2400+ | 5.03 EUR |
SIHB33N60ET5-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.23 EUR |
10+ | 7.5 EUR |
100+ | 6.05 EUR |
500+ | 5.39 EUR |
800+ | 4.33 EUR |
SIHF23N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.55 EUR |
10+ | 4.38 EUR |
100+ | 3.38 EUR |
500+ | 2.99 EUR |
1000+ | 2.41 EUR |
SiHG23N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.45 EUR |
10+ | 5.72 EUR |
100+ | 4.63 EUR |
500+ | 4.12 EUR |
1000+ | 3.29 EUR |
SIHG33N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.95 EUR |
10+ | 8.17 EUR |
100+ | 6.62 EUR |
500+ | 5.88 EUR |
1000+ | 4.72 EUR |
SIHG33N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.14 EUR |
10+ | 5.74 EUR |
100+ | 5.44 EUR |
500+ | 5.32 EUR |
SIHG73N60AE-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.07 EUR |
SIHG73N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.97 EUR |
7+ | 11 EUR |
25+ | 10.55 EUR |
SIHG73N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.97 EUR |
7+ | 11 EUR |
25+ | 10.55 EUR |
SIHG73N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 20.12 EUR |
10+ | 14.17 EUR |
100+ | 13.78 EUR |
500+ | 11.3 EUR |
SIHP23N60E-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 23A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 23A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.61 EUR |
10+ | 3.13 EUR |
100+ | 2.97 EUR |
500+ | 2.43 EUR |
1000+ | 2.32 EUR |
2000+ | 2.29 EUR |
SiHP23N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.6 EUR |
10+ | 3.12 EUR |
100+ | 2.97 EUR |
500+ | 2.43 EUR |
1000+ | 2.29 EUR |
SIHP33N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.88 EUR |
10+ | 5.26 EUR |
100+ | 5.03 EUR |
500+ | 4.95 EUR |
SIHP33N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 11.7 EUR |
10+ | 7.96 EUR |
100+ | 6.64 EUR |
500+ | 6.04 EUR |
SIHW33N60E-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 11.18 EUR |
10+ | 8.17 EUR |
480+ | 5.49 EUR |
SPD03N60C3ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.57 EUR |
10+ | 1.46 EUR |
100+ | 1.08 EUR |
500+ | 0.92 EUR |
1000+ | 0.85 EUR |
2500+ | 0.75 EUR |
5000+ | 0.73 EUR |
STB13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.93 EUR |
41+ | 1.77 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
100+ | 1.62 EUR |
STB13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.93 EUR |
41+ | 1.77 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
100+ | 1.62 EUR |
STB13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.19 EUR |
10+ | 2.83 EUR |
100+ | 1.97 EUR |
500+ | 1.62 EUR |
1000+ | 1.45 EUR |
2000+ | 1.37 EUR |
STB33N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.27 EUR |
10+ | 5.39 EUR |
100+ | 3.84 EUR |
500+ | 3.71 EUR |
1000+ | 3.15 EUR |
STB33N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.36 EUR |
10+ | 4.88 EUR |
100+ | 3.73 EUR |
500+ | 3.29 EUR |
1000+ | 2.76 EUR |
STD13N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 3359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.38 EUR |
10+ | 2.25 EUR |
100+ | 1.53 EUR |
500+ | 1.22 EUR |
1000+ | 1.16 EUR |
2500+ | 1.02 EUR |
5000+ | 1.01 EUR |
STD13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.39 EUR |
37+ | 1.97 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
500+ | 1.36 EUR |
STD13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.39 EUR |
37+ | 1.97 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
500+ | 1.36 EUR |
STD13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 4192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.18 EUR |
10+ | 1.53 EUR |
100+ | 1.11 EUR |
500+ | 0.88 EUR |
1000+ | 0.8 EUR |
2500+ | 0.68 EUR |
STF13N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.2 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
54+ | 1.34 EUR |
STF13N60DM2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.2 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
54+ | 1.34 EUR |
100+ | 1.29 EUR |
STF13N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
MOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.29 EUR |
10+ | 1.92 EUR |
100+ | 1.85 EUR |
500+ | 1.51 EUR |
1000+ | 1.37 EUR |
2000+ | 1.27 EUR |
5000+ | 1.22 EUR |
STF13N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 1.74 EUR |
50+ | 1.44 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
62+ | 1.16 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
STF13N60M2 |
![]() |
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.22 EUR |
STF13N60M2 |
![]() |
Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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20+ | 2.22 EUR |
STF13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 1.74 EUR |
50+ | 1.44 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
62+ | 1.16 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
STF13N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.53 EUR |
10+ | 1.42 EUR |
100+ | 1.37 EUR |
500+ | 1.09 EUR |
1000+ | 0.99 EUR |
2000+ | 0.89 EUR |
5000+ | 0.83 EUR |
STF33N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.42 EUR |
10+ | 3.34 EUR |
100+ | 3.04 EUR |
500+ | 2.89 EUR |
STF33N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.27 EUR |
10+ | 2.36 EUR |
100+ | 2.29 EUR |
500+ | 2.2 EUR |
1000+ | 2.18 EUR |
STF43N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.16 EUR |
10+ | 4.7 EUR |
100+ | 4.68 EUR |
500+ | 3.92 EUR |
1000+ | 3.71 EUR |
STFH13N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
MOSFETs N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
auf Bestellung 1097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.77 EUR |
10+ | 1.9 EUR |
100+ | 1.69 EUR |
920+ | 1.68 EUR |
STL13N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
MOSFETs N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.04 EUR |
10+ | 2.43 EUR |
100+ | 1.74 EUR |
500+ | 1.54 EUR |
1000+ | 1.51 EUR |
3000+ | 1.31 EUR |
STL13N60M6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
MOSFETs N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.19 EUR |
10+ | 2.31 EUR |
100+ | 1.76 EUR |
500+ | 1.4 EUR |
1000+ | 1.29 EUR |
3000+ | 1.19 EUR |
STL33N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.52 EUR |
10+ | 5.68 EUR |
100+ | 4.17 EUR |
500+ | 4.1 EUR |
1000+ | 4.08 EUR |
3000+ | 3.48 EUR |
STL33N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
auf Bestellung 1927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.23 EUR |
10+ | 4.79 EUR |
100+ | 3.73 EUR |
500+ | 3.33 EUR |
1000+ | 2.85 EUR |
3000+ | 2.68 EUR |
STP13N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.38 EUR |
10+ | 1.4 EUR |
100+ | 1.33 EUR |
500+ | 1.12 EUR |
1000+ | 0.89 EUR |
5000+ | 0.84 EUR |
STP33N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 1436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 7.53 EUR |
10+ | 3.89 EUR |
100+ | 3.63 EUR |
500+ | 2.94 EUR |
1000+ | 2.83 EUR |
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