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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 17600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.85 EUR
1600+0.83 EUR
2400+0.81 EUR
4000+0.71 EUR
5600+0.7 EUR
8000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 155400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.04 EUR
142+1.01 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.71 EUR
4000+0.62 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.68 EUR
4000+0.64 EUR
10000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.6 EUR
1600+2.34 EUR
2400+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BLDCSHIELDIFX007TTOBO1 BLDCSHIELDIFX007TTOBO1 Infineon Technologies rol_shield_with_ifx007t_for_arduino-usermanual-v03_00-en.pdf IFX007T Demo Board
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+83.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA90R500C3XKSA2 IPA90R500C3XKSA2 Infineon Technologies ipa90r500c3_1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+2.94 EUR
51+2.87 EUR
100+2.57 EUR
500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA90R1K2C3XKSA2 IPA90R1K2C3XKSA2 Infineon Technologies ipa90r1k2c3_1.0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043183a955501183c3c4d2400.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+1.88 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA90R1K2C3XKSA2 IPA90R1K2C3XKSA2 Infineon Technologies ipa90r1k2c3_1.0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043183a955501183c3c4d2400.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+1.88 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR21531STRPBF IR21531STRPBF Infineon Technologies infineonir21531datasheetv0300en.pdf Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR21531STRPBF IR21531STRPBF Infineon Technologies infineonir21531datasheetv0300en.pdf Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C64225-28PVXC CY7C64225-28PVXC Infineon Technologies c64225usbtouartbridgecontrollerdatasheetdatasheetv0800en.pdf USB-to-UART 1-CH 64byte FIFO 3.3V/5V 28-Pin SSOP Tube
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+4.82 EUR
42+3.5 EUR
46+3.11 EUR
50+3.01 EUR
100+2.93 EUR
250+2.46 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C64225-28PVXCT CY7C64225-28PVXCT Infineon Technologies c64225usbtouartbridgecontrollerdatasheetdatasheetv0800en.pdf USB-to-UART 1-CH 64byte FIFO 3.3V/5V 28-Pin SSOP T/R
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies infineonirl3705ndsv0102en.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138IXUSA1 BSS138IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24C64B-GTR FM24C64B-GTR Infineon Technologies infineonfm24c64b64kbit8k8seriali2cframdatasheetv1000en.pdf FRAM 64Kbit Serial-2Wire Interface 5V Automotive AEC-Q100 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+4.81 EUR
32+4.54 EUR
33+4.33 EUR
50+4.14 EUR
100+3.99 EUR
250+3.82 EUR
500+3.65 EUR
1000+3.32 EUR
2500+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24C64B-GTR FM24C64B-GTR Infineon Technologies infineonfm24c64b64kbit8k8seriali2cframdatasheetv1000en.pdf FRAM 64Kbit Serial-2Wire Interface 5V Automotive AEC-Q100 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+3.31 EUR
500+3.1 EUR
1000+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss127idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.1 EUR
21000+0.097 EUR
30000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss127idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.096 EUR
9000+0.076 EUR
24000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss127idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1525+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 1525 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss127idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.094 EUR
9000+0.072 EUR
24000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 Infineon Technologies infineon-bss127-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1210+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 Infineon Technologies infineon-bss127-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.084 EUR
6000+0.082 EUR
9000+0.079 EUR
15000+0.077 EUR
21000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB20N60H3-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.33 EUR
44+1.64 EUR
53+1.37 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N60H3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60TATMA1 IKB20N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 241ns
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 31ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.8 EUR
31+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60C3 SPA20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.29 EUR
18+4.1 EUR
25+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPA20N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3 SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.16 EUR
20+3.68 EUR
25+3.3 EUR
100+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5 SPB20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPB20N60S5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 15721 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+0.59 EUR
182+0.39 EUR
211+0.34 EUR
302+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1602VH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1603WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS16E6327HTSA1 BAS16E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1603WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
201+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 201 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
91+0.79 EUR
97+0.74 EUR
103+0.7 EUR
250+0.65 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7545PBF IRFB7545PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb7545pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.13 EUR
117+0.61 EUR
123+0.58 EUR
132+0.54 EUR
250+0.5 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml5203pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z34n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
102+0.71 EUR
117+0.61 EUR
130+0.55 EUR
138+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 166ns
Turn-on time: 24ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
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IR2104PBF IR2104PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2104PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Case: DIP8
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -270...130mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.58 EUR
27+2.72 EUR
29+2.52 EUR
50+2.39 EUR
100+2.29 EUR
250+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IR2104SPBF IR2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2104.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Case: SO8
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -270...130mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.23 EUR
38+1.93 EUR
41+1.74 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104STRPBF IR2104STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2104PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
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IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.49 EUR
18+4.13 EUR
19+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60T-dte.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.35 EUR
15+4.93 EUR
30+4.23 EUR
60+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60ET.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 59A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S409ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 17600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
800+0.85 EUR
1600+0.83 EUR
2400+0.81 EUR
4000+0.71 EUR
5600+0.7 EUR
8000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 155400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
140+1.04 EUR
142+1.01 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.71 EUR
4000+0.62 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.68 EUR
4000+0.64 EUR
10000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
800+2.6 EUR
1600+2.34 EUR
2400+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BLDCSHIELDIFX007TTOBO1 rol_shield_with_ifx007t_for_arduino-usermanual-v03_00-en.pdf
BLDCSHIELDIFX007TTOBO1
Hersteller: Infineon Technologies
IFX007T Demo Board
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2+83.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA90R500C3XKSA2 ipa90r500c3_1.0.pdf
IPA90R500C3XKSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
50+2.94 EUR
51+2.87 EUR
100+2.57 EUR
500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA90R1K2C3XKSA2 ipa90r1k2c3_1.0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043183a955501183c3c4d2400.pdf
IPA90R1K2C3XKSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
292+1.88 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA90R1K2C3XKSA2 ipa90r1k2c3_1.0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043183a955501183c3c4d2400.pdf
IPA90R1K2C3XKSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
292+1.88 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR21531STRPBF infineonir21531datasheetv0300en.pdf
IR21531STRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
80+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR21531STRPBF infineonir21531datasheetv0300en.pdf
IR21531STRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C64225-28PVXC c64225usbtouartbridgecontrollerdatasheetdatasheetv0800en.pdf
CY7C64225-28PVXC
Hersteller: Infineon Technologies
USB-to-UART 1-CH 64byte FIFO 3.3V/5V 28-Pin SSOP Tube
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
31+4.82 EUR
42+3.5 EUR
46+3.11 EUR
50+3.01 EUR
100+2.93 EUR
250+2.46 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C64225-28PVXCT c64225usbtouartbridgecontrollerdatasheetdatasheetv0800en.pdf
CY7C64225-28PVXCT
Hersteller: Infineon Technologies
USB-to-UART 1-CH 64byte FIFO 3.3V/5V 28-Pin SSOP T/R
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
45+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF description infineonirl3705ndsv0102en.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 415 Stücke:
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132+1.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138IXUSA1 infineonbss138idatasheetv0201en.pdf
BSS138IXUSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24C64B-GTR infineonfm24c64b64kbit8k8seriali2cframdatasheetv1000en.pdf
FM24C64B-GTR
Hersteller: Infineon Technologies
FRAM 64Kbit Serial-2Wire Interface 5V Automotive AEC-Q100 8-Pin SOIC T/R
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31+4.81 EUR
32+4.54 EUR
33+4.33 EUR
50+4.14 EUR
100+3.99 EUR
250+3.82 EUR
500+3.65 EUR
1000+3.32 EUR
2500+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24C64B-GTR infineonfm24c64b64kbit8k8seriali2cframdatasheetv1000en.pdf
FM24C64B-GTR
Hersteller: Infineon Technologies
FRAM 64Kbit Serial-2Wire Interface 5V Automotive AEC-Q100 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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166+3.31 EUR
500+3.1 EUR
1000+2.85 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1 infineonbss127idatasheetv0201en.pdf
BSS127IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
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AnzahlPreis
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.1 EUR
21000+0.097 EUR
30000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1 infineonbss127idatasheetv0201en.pdf
BSS127IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.11 EUR
6000+0.096 EUR
9000+0.076 EUR
24000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1 infineonbss127idatasheetv0201en.pdf
BSS127IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1525+0.096 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1 infineonbss127idatasheetv0201en.pdf
BSS127IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
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3000+0.11 EUR
6000+0.094 EUR
9000+0.072 EUR
24000+0.068 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2 infineon-bss127-ds-v02_01-en.pdf
BSS127H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
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1210+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2 infineon-bss127-ds-v02_01-en.pdf
BSS127H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
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AnzahlPreis
3000+0.084 EUR
6000+0.082 EUR
9000+0.079 EUR
15000+0.077 EUR
21000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3-DTE.pdf
IGB20N60H3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 636 Stücke:
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AnzahlPreis
31+2.33 EUR
44+1.64 EUR
53+1.37 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3.pdf
IKB20N60H3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60TATMA1 IKB20N60T.pdf
IKB20N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3-DTE.pdf
IKP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 241ns
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 31ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
26+2.8 EUR
31+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60T.pdf
IKW20N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPA20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
14+5.29 EUR
18+4.1 EUR
25+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFD.pdf
SPA20N60CFDXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3
SPB20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
18+4.16 EUR
20+3.68 EUR
25+3.3 EUR
100+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5 SPB20N60S5.pdf
SPB20N60S5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF irlml0030pbf.pdf
IRLML0030TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 15721 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
122+0.59 EUR
182+0.39 EUR
211+0.34 EUR
302+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1.pdf
BAS1602VH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
72+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1.pdf
BAS1603WE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS16E6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1.pdf
BAS16E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
201+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 201 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF irfz48n.pdf
IRFZ48NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
76+0.94 EUR
91+0.79 EUR
97+0.74 EUR
103+0.7 EUR
250+0.65 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF irfz48nspbf.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7545PBF irfb7545pbf.pdf
IRFB7545PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
64+1.13 EUR
117+0.61 EUR
123+0.58 EUR
132+0.54 EUR
250+0.5 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5203TRPBF irlml5203pbf.pdf
IRLML5203TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF description irf9z34n.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
74+0.97 EUR
102+0.71 EUR
117+0.61 EUR
130+0.55 EUR
138+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5.pdf
IKP15N65F5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 166ns
Turn-on time: 24ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104PBF description IR2104PBF.pdf
IR2104PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Case: DIP8
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -270...130mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
20+3.58 EUR
27+2.72 EUR
29+2.52 EUR
50+2.39 EUR
100+2.29 EUR
250+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104SPBF description ir2104.pdf
IR2104SPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Case: SO8
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -270...130mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
33+2.23 EUR
38+1.93 EUR
41+1.74 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104STRPBF description IR2104PBF.pdf
IR2104STRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 IGB50N60T-DTE.pdf
IGB50N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP50N60TXKSA1 IGP50N60T-DTE.pdf
IGP50N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3-DTE.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60T-DTE.pdf
IGW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
auf Bestellung 86 Stücke:
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AnzahlPreis
16+4.49 EUR
18+4.13 EUR
19+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTP.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T-dte.pdf
IKW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
12+6.35 EUR
15+4.93 EUR
30+4.23 EUR
60+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CT.pdf
AIKW50N60CTXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3E.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ET.pdf
IKFW50N60ETXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 59A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S409ATMA2 INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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