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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTM50N20IXYSMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTM50N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO204AE
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-204AE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTM5N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTM5N100AIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTM67N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO204AE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-204AE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 33.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTM6N80AIXYSLittelfuse
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTM6N80AStandard Power MOSFET N-channel Enhancement Mode: 800v, 6a TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTM6N90AIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTM75N10IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTM75N10IXYSMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN102N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN102N65X2 - MOSFET-Transistor, Klasse X2, n-Kanal, 76A, 650V, 0.03 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 595W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 595W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN102N65X2IXYSMOSFET Modules MBLOC 650V 76A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.43 EUR
10+48.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN102N65X2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: 204A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 595W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Technology: X2-Class
Drain current: 76A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 450ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN102N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 76A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 595AW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.68 EUR
10+45.6 EUR
100+40.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN110N20L2IXYSMOSFET Modules 100Amps 200V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+105.85 EUR
10+82.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN110N20L2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: Linear L2™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 420ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN110N20L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+107.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN110N20L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN110N20L2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 100 A, 200 V, 0.024 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 735W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN110N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 100A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN120N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN120N25IXYSDiscrete Semiconductor Modules 120 Amps 250V 0.02 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN120P20TIXYSDiscrete Semiconductor Modules TrenchP Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN120P20TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 106A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN120P20TIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 106A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+101.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN120P20TIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; -200V; -106A; SOT227B; screw; Idm: -400A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: -400A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 830W
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -106A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 300ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN15N100IXYS
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN170P10PIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+80.16 EUR
10+59.89 EUR
50+51.27 EUR
100+50.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN170P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 170A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN170P10PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN170P10PIXYSMOSFET Modules -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.86 EUR
10+52.82 EUR
100+48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN170P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 170A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN170P10P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN170P10P. - MOSFET, P-CH, 100V, 170A, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+93.76 EUR
5+75.84 EUR
10+61.32 EUR
25+58.5 EUR
100+56.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN17N120LLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 15A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN17N120LIXYSMOSFET Modules 17 Amps 1200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN17N120LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 8.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+122.92 EUR
10+94.27 EUR
100+88.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10L2IXYSMOSFET Modules Linear L2 Pwr MOSFET w/Extended FBSOA
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+103.89 EUR
10+87.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 2544 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+114.1 EUR
10+86.75 EUR
50+77.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 178A 4-Pin SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10L2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN200N10L2. - MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+119.75 EUR
5+97.58 EUR
10+84.55 EUR
25+81.66 EUR
50+80.19 EUR
100+78.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+81.63 EUR
10+61.07 EUR
50+52.31 EUR
100+52.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10TIXYSMOSFET Modules 100V 200A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 210A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10TIXYSMOSFET Modules TrenchP Channel Power MOSFETs
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+104.93 EUR
10+86.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 210A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10TIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: -800A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 830W
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN210P10T - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 210A, 100V, 0.0075 Ohm, 10V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+139.92 EUR
5+114.36 EUR
10+91.17 EUR
50+85.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+113.95 EUR
10+86.62 EUR
50+77.58 EUR
100+73.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 210A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+90.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN21N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN21N100IXYSMODULE
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN21N100IXYSDiscrete Semiconductor Modules 21 Amps 100V 0.55 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN22N100LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 22A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN22N100LIXYSMOSFET Modules 22 Amps 1000V
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+105.18 EUR
10+94.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN22N100LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN22N100LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 22A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN240N075L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 225A SOT227B
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 120A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+114.17 EUR
10+87.11 EUR
50+78.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN240N075L2IXYSMOSFET Modules SOT227 N-CH 75V 225A
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+95.49 EUR
10+89.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN30N100LIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; SOT227B; screw; Idm: 70A; 800W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 800W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.45Ω
Gate charge: 545nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 1µs
Technology: Linear™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN30N100LIXYSMOSFET Modules 30 Amps 1000V
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+171.11 EUR
10+142.31 EUR
100+137.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN30N100LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN320N10TIXYSDiscrete Semiconductor Modules 320 Amps 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN320N10TMOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN320N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN320N10TIXYSSOT-227B
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN32P60PIXYSDescription: MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+74.79 EUR
10+68.98 EUR
100+58.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN32P60PIXYSMOSFET Modules -32 Amps -600V 0.350 Rds
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.18 EUR
10+50.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN36N50IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN36N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 36A SOT227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN400N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+71.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN400N15X4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN400N15X4 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 400 A, 150 V, 2350 µohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00235ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+130.27 EUR
5+106.35 EUR
10+84.67 EUR
50+75.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN400N15X4IXYSMOSFET Modules MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+100.56 EUR
10+79.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN400N15X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 400A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+83.28 EUR
10+62.72 EUR
100+58.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN400N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN400N20X4IXYSMOSFET Modules 200V 3mohm 340A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in SOT-227B
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.32 EUR
10+49.85 EUR
100+48.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN400N20X4IXYSDescription: Ultra Junction X4-Class Power
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 348 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN40P50PIXYSMOSFET Modules -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.3 EUR
10+58.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN40P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.98 EUR
10+63.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN40P50PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN40P50P - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 890W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 890W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+81.49 EUR
5+71.59 EUR
10+62.31 EUR
50+58.54 EUR
100+54.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN44N50LIXYSMOSFET Modules 44 Amps 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN44N50LWL
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN46N50LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
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IXTN46N50LТранзистори
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IXTN46N50LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 46A 4-Pin SOT-227B
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IXTN46N50LIXYSMOSFET Modules 44 Amps 500V
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IXTN46N50LIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 46A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 0.6µs
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
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IXTN500N20X4LittelfuseIXTN500N20X4
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IXTN500N20X4IXYSMOSFET Modules 200V 1.99mohm 500A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in SOT-227B
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IXTN500N20X4IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; 200V; 500A; SOT227B; 1.15kW; 250ns; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 500A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.99mΩ
Power dissipation: 1.15kW
Reverse recovery time: 250ns
Mechanical mounting: screw
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IXTN500N20X4IXYSDescription: Ultra Junction X4-Class Power
Power Dissipation (Max): 1150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.99mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 535 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Packaging: Tube
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10+72.01 EUR
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IXTN500N20X4LittelfuseIXTN500N20X4
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXTN550N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
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IXTN550N055T2IXYSMOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
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IXTN5N250IXYSDiscrete Semiconductor Modules 2500V 5A HV Power MOSFET
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IXTN5N250Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8560 pF @ 25 V
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IXTN600N04T2IXYSMOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
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1+71.44 EUR
10+58.35 EUR
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IXTN600N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
auf Bestellung 1533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.8 EUR
10+58.04 EUR
50+49.62 EUR
100+49.11 EUR
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IXTN600N04T2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN600N04T2. - MOSFET, N-CH, 40V, 600A, SOT-227
tariffCode: 85364190
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 940W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchT2 GigaMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+79.97 EUR
5+64.65 EUR
10+54.11 EUR
25+52.24 EUR
50+50.6 EUR
100+49.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXTN60N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+107.64 EUR
10+90.3 EUR
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