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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTN200N10L2IXYSMOSFET Modules Linear L2 Pwr MOSFET w/Extended FBSOA
auf Bestellung 402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+82.67 EUR
10+75.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+105.87 EUR
10+80.5 EUR
100+73.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10L2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN200N10L2. - MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+119.55 EUR
5+97.44 EUR
10+77.39 EUR
25+75.85 EUR
50+74.3 EUR
100+72.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10TIXYSMOSFET Modules 100V 200A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.36 EUR
10+59.36 EUR
100+50.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 210A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+91.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN210P10T - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 210A, 100V, 0.0075 Ohm, 10V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+124.63 EUR
5+108.3 EUR
10+93.09 EUR
50+86.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10TIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: -800A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 830W
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 210A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10TIXYSMOSFET Modules TrenchP Channel Power MOSFETs
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+104.93 EUR
10+86.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+86.97 EUR
10+65.68 EUR
100+61.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 210A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN21N100IXYSDiscrete Semiconductor Modules 21 Amps 100V 0.55 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN21N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN21N100IXYSMODULE
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN22N100LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN22N100LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 22A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN22N100LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 22A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN22N100LIXYSMOSFET Modules 22 Amps 1000V
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+105.18 EUR
10+94.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN240N075L2IXYSMOSFET Modules SOT227 N-CH 75V 225A
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+95.49 EUR
10+89.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN240N075L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 225A SOT227B
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 120A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+110.96 EUR
10+84.67 EUR
100+76.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN30N100LIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; SOT227B; screw; Idm: 70A; 800W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 800W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.45Ω
Gate charge: 545nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 1µs
Technology: Linear™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN30N100LIXYSMOSFET Modules 30 Amps 1000V
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+171.11 EUR
10+142.31 EUR
100+137.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN30N100LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN320N10TIXYSSOT-227B
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN320N10TMOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN320N10TIXYSDiscrete Semiconductor Modules 320 Amps 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN320N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN32P60PIXYSMOSFET Modules -32 Amps -600V 0.350 Rds
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.18 EUR
10+50.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN32P60PIXYSDescription: MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+74.79 EUR
10+68.98 EUR
100+58.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN36N50IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN36N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 36A SOT227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN400N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+72.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN400N15X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 400A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+83.28 EUR
10+62.72 EUR
100+58.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN400N15X4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN400N15X4 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 400 A, 150 V, 0.00235 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00235ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+98.14 EUR
5+82 EUR
10+58.5 EUR
50+56.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN400N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN400N15X4IXYSMOSFET Modules MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+100.56 EUR
10+79.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN400N20X4IXYSDescription: Ultra Junction X4-Class Power
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 348 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN400N20X4IXYSMOSFET Modules 200V 3mohm 340A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in SOT-227B
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.32 EUR
10+49.85 EUR
100+48.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN40P50PIXYSMOSFET Modules -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.3 EUR
10+58.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN40P50PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN40P50P - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 890W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 890W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+81.49 EUR
5+71.59 EUR
10+62.31 EUR
50+58.54 EUR
100+54.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN40P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.98 EUR
10+63.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN44N50LIXYSMOSFET Modules 44 Amps 500V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN44N50LWL
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN46N50LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 46A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN46N50LIXYSMOSFET Modules 44 Amps 500V
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+121.83 EUR
10+105.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN46N50LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN46N50LТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN500N20X4IXYSDescription: Ultra Junction X4-Class Power
Power Dissipation (Max): 1150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.99mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 535 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Packaging: Tube
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+94.72 EUR
10+71.51 EUR
100+63.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN550N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN550N055T2IXYSMOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.87 EUR
10+69.51 EUR
100+64.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN5N250Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8560 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN5N250IXYSDiscrete Semiconductor Modules 2500V 5A HV Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN600N04T2IXYSMOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
auf Bestellung 2198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.44 EUR
10+58.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN600N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.99 EUR
10+58.18 EUR
100+49.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN600N04T2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN600N04T2. - MOSFET, N-CH, 40V, 600A, SOT-227
tariffCode: 85364190
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 940W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchT2 GigaMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+77.45 EUR
5+62.61 EUR
10+49.21 EUR
25+48.84 EUR
50+48.52 EUR
100+48.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN60N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
auf Bestellung 1689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+100.84 EUR
10+85.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN60N50L2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN60N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 53 A, 0.1 ohm, SOT-227, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 53
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 735
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+102.05 EUR
5+92.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN60N50L2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Technology: Linear L2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN60N50L2IXYSMOSFET Modules 60 Amps 500V
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+88.3 EUR
10+69.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN62N50LТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN62N50LIXYSMOSFET Modules 62 Amps 500V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+160.96 EUR
10+137.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN62N50L
Produktcode: 29989
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN62N50LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 62A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN62N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 62A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN660N04T4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN660N04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 660 A, 0.00085 ohm, SOT-227, Modul
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 660A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchT4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+71.2 EUR
10+60.96 EUR
30+52.18 EUR
100+48.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN660N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 860 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44000 pF @ 25 V
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.51 EUR
10+52 EUR
100+45.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN660N04T4IXYSMOSFET Modules 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN660N04T4.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN660N04T4. - MOSFET, N-CH, 40V, 660A, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Module
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 660
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.04
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04
Bauform - Transistor: SOT-227
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TrenchT4 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 850
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+79.49 EUR
5+70.96 EUR
10+62.84 EUR
25+58.26 EUR
100+53.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN79N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN79N20IXYSMOSFET Modules 79 Amps 200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN79N20IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN80N30L2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 300V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Kind of channel: enhancement
Technology: Linear L2™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 485ns
Gate charge: 660nC
On-state resistance: 38mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 735W
Semiconductor structure: single transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN8N150LIXYSMOSFET Modules 8 Amps 1500V
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+85.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN8N150LLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.5KV 7.5A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN8N150LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 545W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90N25L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+108.3 EUR
10+82.46 EUR
100+75.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90N25L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTN90N25L2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 90 A, 250 V, 0.036 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 735W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
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3+112.38 EUR
5+98.66 EUR
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IXTN90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 4-Pin SOT-227B
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IXTN90N25L2IXYSMOSFET Modules 90 Amps 250V
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1+88.3 EUR
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IXTN90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 4-Pin SOT-227B
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IXTN90P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 90A 4-Pin SOT-227B
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IXTN90P20PIXYSMOSFET Modules -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
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10+64.26 EUR
100+58.1 EUR
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IXTN90P20PIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: -270A
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 44mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Case: SOT227B
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: PolarP™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+76.45 EUR
10+57.12 EUR
100+49.53 EUR
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IXTP01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100DIxys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.62 EUR
11+16.68 EUR
50+10.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXTP01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+8.41 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100DIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+11.39 EUR
10+10.34 EUR
50+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100DIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.03 EUR
50+9.91 EUR
100+9.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100DIXYSMOSFETs 0.1 Amps 1000V 110 Rds
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.26 EUR
10+9.73 EUR
100+8.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+12.44 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100D.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP01N100D. - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.4A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.11 EUR
25+14.04 EUR
100+8.63 EUR
250+8.06 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.2A; 33W; TO220AB; 1.6us
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 75Ω
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
auf Bestellung 2939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.24 EUR
50+3.13 EUR
100+2.83 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.14 EUR
2000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120P
Produktcode: 161462
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