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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STWA40N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA40N95K5
Produktcode: 180858
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA40N95K5STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA45N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA45N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: PTD HIGH VOLTAGE
Packaging: Tube
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA45N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA45N65M5STMicroelectronics
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA45N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.067 Ohm 35 A MDmesh(TM)
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.39 EUR
10+10.16 EUR
100+9.4 EUR
600+9.32 EUR
1200+9.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA45N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.17 EUR
15+15.71 EUR
18+12.32 EUR
50+11.19 EUR
100+10.26 EUR
250+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA46N65DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 55 mOhm typ., 50 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA46N65DM6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3344 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA48N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long l
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.72 EUR
10+11.6 EUR
100+10.08 EUR
600+8.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA48N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA48N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA48N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA48N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA48N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 39A TO247
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 19.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2578 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA48N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 61 mOhm typ 39 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.56 EUR
10+13.83 EUR
100+11.52 EUR
600+10.26 EUR
1200+9.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA50N65DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 38A TO247
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA50N65DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA57N65M5STMicroelectronics
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA57N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA57N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.056 Ohm 42 A Mdmesh
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA57N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Technology: MDmesh™ M5
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA58N65DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA60N028TSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.73 EUR
10+8.52 EUR
100+6.85 EUR
600+6.09 EUR
1200+5.01 EUR
3000+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA60N035M9STMicroelectronicsDescription: N CHANNEL 600V 32MOHM TYP 62A
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.4 EUR
30+9.56 EUR
120+8.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA60N035M9STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 600V; 39A; Idm: 250A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 321W
Case: TO247
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
Technology: MDmesh™ M9
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA60N035M9STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.09 EUR
10+8.57 EUR
120+7.9 EUR
510+7.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA60N043DM9STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; Idm: 175A; 312W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA60N043DM9STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.23 EUR
10+14.55 EUR
120+12.9 EUR
510+12.57 EUR
1020+12.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA60N043DM9STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA60N043DM9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 55 A, 0.043 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 312W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM9 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+31.29 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA60N043DM9STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4675 pF @ 400 V
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.71 EUR
10+15.42 EUR
30+14.17 EUR
120+13.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA63N65DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA63N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.042 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.24 EUR
11+22.25 EUR
12+19.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA63N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA63N65DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.56 EUR
10+24.42 EUR
25+23.4 EUR
100+20.61 EUR
600+18.41 EUR
1200+18.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA65N023M9STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8844 pF @ 400 V
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.1 EUR
30+13.51 EUR
120+13.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA65N023M9STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.49 EUR
10+32.84 EUR
30+23.95 EUR
120+23.62 EUR
510+22.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA65N023M9STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA65N023M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 95 A, 0.0199 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0199ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+31.61 EUR
9+27.38 EUR
10+23.45 EUR
50+21.61 EUR
100+19.79 EUR
250+17.97 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA65N023M9STMN-Channel 650 V 95A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA65N045M9STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA65N045M9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.039 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+16.8 EUR
15+14.67 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA65N045M9STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.59 EUR
10+20.22 EUR
100+16.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA65N045M9STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA65N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA65N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.43 EUR
10+9.03 EUR
100+7.77 EUR
600+6.75 EUR
1200+6.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA65N65DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.37 EUR
10+10.77 EUR
100+9.95 EUR
600+9.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA65N65DM2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA65N65DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.05 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.99 EUR
13+18.81 EUR
16+14.16 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA65N65DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.29 EUR
10+13.28 EUR
50+10.71 EUR
100+9.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA67N60DM6STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA67N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 37A; Idm: 190A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 431W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA67N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 45 mOhm typ 58 A MDmesh DM6 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA67N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.55 EUR
10+12.07 EUR
100+8.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA67N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 33A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA67N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA68N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA68N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.035 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 390W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA68N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 63A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 31.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA68N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 40A; Idm: 252A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 252A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA68N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA68N65DM6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA68N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 48 A, 0.051 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.05 EUR
8+31.86 EUR
10+24.93 EUR
50+17.37 EUR
100+17.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA68N65DM6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA68N65DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 72 A, 0.033 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.76 EUR
13+18.61 EUR
15+14.41 EUR
50+13.26 EUR
100+12.34 EUR
250+11.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA70N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5508 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA70N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 37 Ohm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA70N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA70N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 62A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA70N65DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA70N65DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 450W
Gate charge: 125nC
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ DM6
Drain current: 43A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA70N65DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 68A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA70N65DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.41 EUR
10+15.71 EUR
100+15.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA72N60DM2AGSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 42A; Idm: 220A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Pulsed drain current: 220A
Polarisation: unipolar
Drain current: 42A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA72N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 66A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5508 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA72N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A, MDmesh DM2 Power MOSFET in
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA72N60DM6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4444 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA72N60DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive N-channel 600 V 37 mOhm typ. 56 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STWA75N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.49 EUR
10+12.95 EUR
100+9.67 EUR
600+9.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA75N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.29 EUR
10+11.1 EUR
100+10.66 EUR
600+10.14 EUR
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STWA75N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 100 V
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.06 EUR
30+11.92 EUR
120+10.14 EUR
510+8.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STWA75N65DM6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA75N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.01 EUR
9+27.66 EUR
10+22.75 EUR
50+21.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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STWA75N65DM6STMN-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7 Транзистори
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STWA75N65DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 480W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STWA75N65DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.33 EUR
10+18.83 EUR
100+16.46 EUR
600+15.24 EUR
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STWA75N65DM6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 100 V
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STWA88N65M5STMN-кан. MOSFET 650V 84A TO-247 Транзистори
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STWA88N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM)
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.52 EUR
10+17.93 EUR
100+17.23 EUR
600+16.9 EUR
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STWA88N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 84A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.37 EUR
30+19.27 EUR
60+17.83 EUR
120+16.61 EUR
510+15.39 EUR
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STWBCSTMicroelectronicsDescription: IC CONTROLLER BATT CHARG QFPN
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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STWBCSTMicroelectronicsSingle Mode Wireless Power Transmitter Medical 32-Pin VFQFPN EP
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 Mindestbestellmenge: 2940 Stücke
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STWBCSTMicroelectronicsWireless Charging ICs Digital controller for wireless battery charger transmitters supporting Qi A11 t
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWBCSTMicroelectronicsSingle Mode Wireless Power Transmitter Medical 32-Pin VFQFPN EP
auf Bestellung 2848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.76 EUR
59+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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STWBC-EPSTMicroelectronics15W Wireless Power Transmitter 32-Pin VFQFPN EP
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 Mindestbestellmenge: 2940 Stücke
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STWBC-EPSTMicroelectronicsWireless Charging ICs INDUSTRIAL & POWER CONVERSION
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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STWBC-EPSTMicroelectronicsDescription: VFQFPN 5X5X1.0 32L P
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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STWBC-EPTRSTMicroelectronicsWireless Charging ICs INDUSTRIAL & POWER CONVERSION
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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STWBC-EPTRSTMicroelectronicsDescription: IND.& POWER CONV.
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STWBC-EPTRSTMicroelectronics15W Wireless Power Transmitter 32-Pin VFQFPN EP
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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STWBC-EPTRSTMicroelectronicsDescription: IND.& POWER CONV.
auf Bestellung 96185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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STWBC-MCSTMicroelectronicsDigital Controller For Wireless Battery Charger Transmitter
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.7 EUR
39+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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STWBC-MCSTMicroelectronicsDescription: IND.& POWER CONV.
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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STWBC-MCSTMicroelectronicsWireless Charging ICs INDUSTRIAL & POWER CONVERSION
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWBC-MCSTMicroelectronicsDigital Controller For Wireless Battery Charger Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2940 Stücke
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