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Bipolar Transistors - BJT

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DXT13003DG-13

Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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DXT13003DG-13

Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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DXT13003DG-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV

auf Bestellung 2042 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
58+	0.9 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.42 EUR
2500+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 48

DXT13003DG-13

Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 5hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2455 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT13003DG-13

Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW

auf Bestellung 25329 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.14 EUR
27+	0.98 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 23

DXT13003DG-13

Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT13003DG-13

Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.39 EUR
5000+	0.37 EUR
12500+	0.34 EUR
25000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT13003DG-7

Description: IC TRANSISTOR ARRAY SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)

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DXT13003DK-13

Bipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt TO252 450V 700V

auf Bestellung 2108 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

33+	1.61 EUR
37+	1.42 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 33

DXT13003DK-13

TRANS NPN 450V 1.5A TO252

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DXT13003DK-13

Description: TRANS NPN 450V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.6 W

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DXT13003EK-13

Trans GP BJT NPN 460V 1.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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DXT13003EK-13

Description: TRANS NPN 460V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 460 V
Power - Max: 1.6 W

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DXT13003EK-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV

auf Bestellung 6298 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

30+	1.74 EUR
35+	1.49 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 30

DXT2010P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 4920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT2010P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A

auf Bestellung 4908 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.47 EUR
41+	1.27 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.56 EUR
5000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 36

DXT2010P5-13

Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

auf Bestellung 292261 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.46 EUR
21+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR
2000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 18

DXT2010P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 4920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT2010P5-13

Trans GP BJT NPN 60V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

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DXT2010P5-13

Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

auf Bestellung 290000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.52 EUR
10000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXT2011P5-13

Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

auf Bestellung 55000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.52 EUR
10000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXT2011P5-13

Trans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXT2011P5-13

Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

auf Bestellung 58107 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.46 EUR
21+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR
2000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 18

DXT2011P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 100V,6A

auf Bestellung 36844 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.47 EUR
41+	1.27 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.56 EUR
5000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 36

DXT2011P5Q-13

Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.6 EUR
10000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXT2011P5Q-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Pwr Low Sat. Transistor

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DXT2011P5Q-13

auf Bestellung 33745 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.66 EUR
19+	1.44 EUR
100+	1 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.71 EUR
2000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 16

DXT2011P5Q-13

Trans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

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DXT2012P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A

auf Bestellung 6082 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.47 EUR
41+	1.27 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.56 EUR
5000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 36

DXT2012P5-13

Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

auf Bestellung 2384 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.46 EUR
21+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR
2000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 18

DXT2012P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT2012P5-13

Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

Produkt ist nicht verfügbar

DXT2012P5-13

Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXT2012P5-13

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT2013P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT2013P5-13

Trans GP BJT PNP 100V 5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXT2013P5-13

Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

auf Bestellung 144218 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.46 EUR
21+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR
2000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 18

DXT2013P5-13

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT2013P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A

auf Bestellung 7960 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.45 EUR
41+	1.29 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR
2500+	0.57 EUR
5000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 36

DXT2013P5-13

Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

auf Bestellung 140000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.52 EUR
10000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXT2014P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -140V,-4A

auf Bestellung 4798 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

35+	1.52 EUR
39+	1.35 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 35

DXT2014P5-13

Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3.2 W

auf Bestellung 269684 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
20+	1.34 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.66 EUR
2000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 17

DXT2014P5-13

Trans GP BJT PNP 140V 4A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

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DXT2014P5-13

Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3.2 W

auf Bestellung 260000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.56 EUR
10000+	0.52 EUR
25000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXT2222A

onsemi

Bipolar Transistors - BJT

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DXT2222A

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

DXT2222A-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo

auf Bestellung 15745 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

60+	0.87 EUR
79+	0.67 EUR
148+	0.35 EUR
1000+	0.26 EUR
2500+	0.23 EUR
10000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 60

DXT2222A-13

Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 177500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.24 EUR
5000+	0.23 EUR
12500+	0.21 EUR
62500+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT2222A-13

Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 750mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 4305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT2222A-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 1065 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

346+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 346

DXT2222A-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXT2222A-13

Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 179983 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

30+	0.88 EUR
38+	0.7 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 30

DXT2222A-13

Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 4305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT2222A-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 1065 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

346+	0.45 EUR
427+	0.35 EUR
461+	0.32 EUR
722+	0.19 EUR
729+	0.18 EUR
786+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 346

DXT2907A

onsemi / Fairchild

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

DXT2907A

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT2907A-13

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 85000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.3 EUR
5000+	0.29 EUR
12500+	0.26 EUR
62500+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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DXT2907A-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW -60Vceo

auf Bestellung 2559 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

46+	1.14 EUR
59+	0.88 EUR
107+	0.49 EUR
1000+	0.33 EUR
2500+	0.29 EUR
10000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 46

DXT2907A-13

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 88097 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
30+	0.87 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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DXT3150

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

DXT3150

onsemi / Fairchild

Bipolar Transistors - BJT

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DXT3150-13

Description: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3

Produkt ist nicht verfügbar

DXT3150-13

onsemi

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

DXT3150-13

Description: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3

Produkt ist nicht verfügbar

DXT3150-13

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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DXT3150-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 25Vceo

Produkt ist nicht verfügbar

DXT3150-13

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 93 Stücke:

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DXT3904-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXT3904-13

Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 91538 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
30+	0.87 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DXT3904-13

Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 1
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 1338 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT3904-13

Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 85000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.3 EUR
5000+	0.29 EUR
12500+	0.26 EUR
62500+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT3904-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo

auf Bestellung 3925 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

46+	1.14 EUR
62+	0.84 EUR
112+	0.47 EUR
1000+	0.32 EUR
2500+	0.29 EUR
10000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 46

DXT3904-13

Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 1338 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT3906-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW -40Vceo

auf Bestellung 17089 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

56+	0.94 EUR
73+	0.72 EUR
150+	0.35 EUR
1000+	0.27 EUR
2500+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 56

DXT3906-13

Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 188537 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
30+	0.87 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DXT3906-13

Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXT3906-13

Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 177500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.3 EUR
5000+	0.29 EUR
12500+	0.26 EUR
62500+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT458P5-13

Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 15hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

auf Bestellung 350000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

auf Bestellung 350000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXT458P5-13

Description: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.8 W

auf Bestellung 487033 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.17 EUR
27+	0.99 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.44 EUR
2000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 23

DXT458P5-13

Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXT458P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 400V,300mA

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.19 EUR
56+	0.94 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.4 EUR
5000+	0.37 EUR
10000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 44

DXT458P5-13

Description: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.8 W

auf Bestellung 480000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.37 EUR
10000+	0.34 EUR
50000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXT5401

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

DXT5401-13

Bipolar Transistors - BJT 1W -150V

auf Bestellung 4524 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

53+	0.99 EUR
63+	0.84 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.38 EUR
2500+	0.3 EUR
25000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 53

DXT5401-13

Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 185000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.36 EUR
5000+	0.34 EUR
12500+	0.32 EUR
25000+	0.31 EUR
62500+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 185000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXT5401-13

Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 187470 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.07 EUR
29+	0.92 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 25

DXT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXT5551-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 682500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.3 EUR
5000+	0.29 EUR
12500+	0.26 EUR
62500+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXT5551-13

Bipolar Transistors - BJT 1W 160V

auf Bestellung 8023 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

47+	1.11 EUR
79+	0.66 EUR
113+	0.46 EUR
1000+	0.29 EUR
2500+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 47

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 882 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

215+	0.73 EUR
270+	0.56 EUR
278+	0.52 EUR
432+	0.32 EUR
462+	0.29 EUR
587+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 215

DXT5551-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 685922 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
30+	0.87 EUR
100+	0.52 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.22 EUR
10000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXT5551P5-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W

auf Bestellung 1057229 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

33+	0.81 EUR
38+	0.7 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 33

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXT5551P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA

auf Bestellung 46381 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

44+	1.19 EUR
52+	1.01 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.4 EUR
5000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 44

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT5551P5-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W

auf Bestellung 1052000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXT5551P5Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5

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DXT5551P5Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K

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DXT651

Bipolar Transistors - BJT

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DXT651-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN

auf Bestellung 7490 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

48+	1.09 EUR
55+	0.95 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.44 EUR
2500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 48

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 847500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.26 EUR
212500+	0.23 EUR
425000+	0.2 EUR
637500+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT651-13

Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT651-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 847500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.21 EUR
5000+	0.2 EUR
12500+	0.19 EUR
25000+	0.18 EUR
62500+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT651-13

auf Bestellung 2420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT651-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 5699 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.25 EUR
25+	1.08 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 21

DXT651Q-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 19878 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
29+	0.9 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 25

DXT651Q-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT651Q-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.35 EUR
5000+	0.34 EUR
12500+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT651Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

49+	1.06 EUR
57+	0.92 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.4 EUR
2500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 49

DXT651Q-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXT690BP5

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

DXT690BP5-13

Description: DIODES INC. - DXT690BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT690BP5-13

Trans GP BJT NPN 45V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXT690BP5-13

Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW

auf Bestellung 10941 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.46 EUR
21+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR
2000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 18

DXT690BP5-13

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT690BP5-13

Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.52 EUR
10000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXT690BP5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 45V,3A

auf Bestellung 13188 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.47 EUR
41+	1.27 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.57 EUR
2500+	0.56 EUR
5000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 36

DXT690BP5Q-13

Bipolar Transistors - BJT 45V NPN High Gain 3A Curr 6A ICM

auf Bestellung 4790 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.84 EUR
33+	1.61 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.78 EUR
2500+	0.71 EUR
5000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 29

DXT690BP5Q-13

Trans GP BJT NPN 45V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXT690BP5Q-13

Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW

Produkt ist nicht verfügbar

DXT696BK-13

Bipolar Transistors - BJT 180V NPN Med Pwr 200mV 3.9W 70MHz

auf Bestellung 5619 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.47 EUR
42+	1.26 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.56 EUR
2500+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 36

DXT696BK-13

Description: TRANS NPN 180V 0.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 3.9 W

auf Bestellung 57500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.5 EUR
5000+	0.48 EUR
12500+	0.44 EUR
25000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT696BK-13

Trans GP BJT NPN 180V 0.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXT696BK-13

Description: TRANS NPN 180V 0.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 3.9 W

auf Bestellung 59900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.51 EUR
21+	1.28 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 18

DXT751

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 1000000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.22 EUR
250000+	0.2 EUR
500000+	0.18 EUR
750000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT751-13

Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT751-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP

auf Bestellung 7432 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

41+	1.28 EUR
48+	1.09 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.48 EUR
2500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 41

DXT751-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 177500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.27 EUR
24+	1.09 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 21

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 57500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT751-13

auf Bestellung 2450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT751-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 177500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.43 EUR
5000+	0.41 EUR
12500+	0.38 EUR
25000+	0.37 EUR
62500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 1000000 Stücke:

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2500+	0.21 EUR
50000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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DXT751Q-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 175000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT751Q-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 177322 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.07 EUR
29+	0.91 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 25

DXT751Q-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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DXT751Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

auf Bestellung 849 Stücke:

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49+	1.06 EUR
57+	0.92 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.4 EUR
2500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 49

DXT751Q-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 175000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.36 EUR
5000+	0.34 EUR
12500+	0.32 EUR
25000+	0.31 EUR
62500+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXT751Q-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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DXT790AP5

Bipolar Transistors - BJT

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DXT790AP5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 40V,3A

auf Bestellung 9406 Stücke:

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50+	1.04 EUR
59+	0.89 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 50

DXT790AP5-13

Description: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3.2 W

auf Bestellung 65000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.58 EUR
10000+	0.56 EUR
25000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXT790AP5-13

Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

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DXT790AP5-13

Description: DIODES INC. - DXT790AP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4978 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXT790AP5-13

Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXT790AP5-13

Description: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3.2 W

auf Bestellung 73814 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.61 EUR
19+	1.41 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.69 EUR
2000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 17

DXT790AP5-13

auf Bestellung 4978 Stücke:

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DXTA42-13

DXTA42-13 NPN SMD transistors

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DXTA42-13

Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT89-3

Produkt ist nicht verfügbar

DXTA42-13

Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 500
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXTA42-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 300Vceo

auf Bestellung 3705 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

DXTA42-13

Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXTA92-13

Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2460 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXTA92-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW -300Vceo

auf Bestellung 18412 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

68+	0.77 EUR
73+	0.72 EUR
103+	0.51 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.32 EUR
2500+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 68

DXTA92-13

Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 202122 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

28+	0.96 EUR
33+	0.81 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 28

DXTA92-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1W; SOT89
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 300V
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.5A

Produkt ist nicht verfügbar

DXTA92-13

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DXTA92-13

Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 500
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2460 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXTA92-13

Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 200000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.32 EUR
5000+	0.3 EUR
12500+	0.28 EUR
25000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXTC3C100PD-13

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506

Produkt ist nicht verfügbar

DXTC3C100PDQ-13

DXTC3C100PDQ-13

auf Bestellung 35000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXTC3C100PDQ-13

Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz, 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.18 EUR
14+	1.89 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.93 EUR
2000+	0.83 EUR
5000+	0.78 EUR
10000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 12

DXTC3C100PDQ-13

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

auf Bestellung 2401 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.03 EUR
30+	1.78 EUR
100+	1.22 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.89 EUR
2500+	0.75 EUR
5000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 26

DXTN03060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

31+	1.71 EUR
36+	1.46 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.66 EUR
2000+	0.6 EUR
4000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 31

DXTN06080BFG-7

NPN Medium Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

DXTN06080BFG-7

NPN Medium Power Transistor

auf Bestellung 28000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTN07025BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

auf Bestellung 710 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

40+	1.33 EUR
47+	1.13 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.5 EUR
2000+	0.42 EUR
10000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 40

DXTN07025BFG-7

Description: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW

Produkt ist nicht verfügbar

DXTN07025BFG-7

Description: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW

Produkt ist nicht verfügbar

DXTN07025BFG-7

Trans GP BJT NPN 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXTN07045DFG-7

DXTN07045DFG-7 NPN SMD transistors

Produkt ist nicht verfügbar

DXTN07045DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DXTN07045DFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

auf Bestellung 2016 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

35+	1.51 EUR
41+	1.28 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 35

DXTN07045DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

auf Bestellung 8875 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DXTN07060BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

auf Bestellung 1512 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DXTN07060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

auf Bestellung 520 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.39 EUR
44+	1.2 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.55 EUR
2000+	0.49 EUR
4000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 38

DXTN07060BFG-7

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar

Produkt ist nicht verfügbar

DXTN07060BFG-7

Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.1
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXTN07060BFG-7

Trans GP BJT NPN 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

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DXTN07060BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

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DXTN07060BFG-7

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DXTN07060BFG-7

Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1900 Stücke:

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DXTN07100BFG-7

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

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DXTN07100BFG-7

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW

auf Bestellung 13127 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.3 EUR
24+	1.11 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 20

DXTN07100BFG-7

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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DXTN07100BFG-7

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

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2000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTN07100BFG-7

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.44 EUR
6000+	0.41 EUR
10000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTN07100BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

auf Bestellung 5689 Stücke:

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40+	1.33 EUR
47+	1.13 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.5 EUR
2000+	0.41 EUR
10000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 40

DXTN07100BFG-7

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD

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DXTN07100BFG-7

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

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DXTN07100BP5-13

DXTN07100BP5-13 NPN SMD transistors

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DXTN07100BP5-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN TRANSISTOR 3.2W Ic 2A Icm 6A

auf Bestellung 3888 Stücke:

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34+	1.55 EUR
39+	1.35 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.59 EUR
5000+	0.56 EUR
10000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 34

DXTN07100BP5-13

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

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DXTN07100BP5-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 740 mW

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

17+	1.53 EUR
20+	1.34 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.66 EUR
2000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 17

DXTN07100BP5-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 740 mW

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXTN07100BP5Q-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.74 EUR
10000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXTN07100BP5Q-13

DXTN07100BP5Q-13

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXTN07100BP5Q-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.03 EUR
15+	1.77 EUR
100+	1.23 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.87 EUR
2000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 13

DXTN07100BP5Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

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DXTN10060DFJBQ-7

60V NPN Low Saturation Transistor

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DXTN10060DFJBQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.31 EUR
6000+	0.3 EUR
9000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DXTN10060DFJBQ-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

DXTN10060DFJBQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 40449 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

23+	1.17 EUR
29+	0.9 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 23

DXTN10060DFJBWQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W

auf Bestellung 11445 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
27+	0.96 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DXTN10060DFJBWQ-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

auf Bestellung 2441 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

49+	1.08 EUR
57+	0.93 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.41 EUR
3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 49

DXTN10060DFJBWQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.4 EUR
6000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DXTN10060DFJBWQ-7

SS Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K

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DXTN22040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

auf Bestellung 22000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTN22040CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

DXTN22040CFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 2.3
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXTN22040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTN22040CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

DXTN22040CFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
DC-Stromverstärkung hFE: 80
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXTN22040DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTN22040DFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

DXTN22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 2.3
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXTN22040DFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTN22040DFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

DXTN22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 198
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXTN26070CY

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

DXTN26070CY-13

Description: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3

Produkt ist nicht verfügbar

DXTN26070CY-13

Bipolar Transistors - BJT 70V NPN Transistor 2A Bipolar BJT

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

45+	1.16 EUR
57+	0.92 EUR
107+	0.49 EUR
1000+	0.33 EUR
2500+	0.3 EUR
10000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 45

DXTN3C100PD-13

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

auf Bestellung 2480 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.51 EUR
20+	1.31 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 18

DXTN3C100PD-13

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

Produkt ist nicht verfügbar

DXTN3C100PDQ-13

Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1481 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

14+	1.98 EUR
16+	1.71 EUR
100+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 14

DXTN3C100PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor

auf Bestellung 2537 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.47 EUR
41+	1.28 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.58 EUR
2500+	0.53 EUR
10000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 36

DXTN3C100PSQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.5 EUR
5000+	0.48 EUR
12500+	0.44 EUR
25000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXTN3C100PSQ-13

DXTN3C100PSQ-13 NPN SMD transistors

Produkt ist nicht verfügbar

DXTN3C60PS-13

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.8 EUR
5000+	0.76 EUR
12500+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXTN3C60PS-13

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W

auf Bestellung 17480 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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DXTN3C60PS-13

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor

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DXTN3C60PSQ-13

DXTN3C60PSQ-13 NPN SMD transistors

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DXTN3C60PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor

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2500+	0.47 EUR
5000+	0.44 EUR

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DXTN58100CFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

Produkt ist nicht verfügbar

DXTN58100CFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

auf Bestellung 2340 Stücke:

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20+	1.3 EUR
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100+	0.77 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.49 EUR

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DXTN5820DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.27 EUR
25+	1.08 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 21

DXTN5820DFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

Produkt ist nicht verfügbar

DXTN5820DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DXTN5840CFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.27 EUR
25+	1.08 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 21

DXTN5840CFDB-7

Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXTN5840CFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW

auf Bestellung 18000 Stücke:

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3000+	0.42 EUR
6000+	0.4 EUR
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DXTN5840CFDB-7

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DXTN5860DFDB-7

60V NPN Low Saturation Transistor

auf Bestellung 9000 Stücke:

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3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DXTN5860DFDB-7

60V NPN Low Saturation Transistor

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DXTN5860DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

21+	1.27 EUR
25+	1.08 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 21

DXTN5860DFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

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DXTN5860DFDB-7

60V NPN Low Saturation Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

DXTN5860DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.42 EUR
6000+	0.4 EUR
9000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

DXTP03060BFG-7

Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXTP03060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

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DXTP03060BFG-7

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 10...300
Collector current: 5.5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Frequency: 120MHz

Produkt ist nicht verfügbar

DXTP03060BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

auf Bestellung 5980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.4 EUR
22+	1.23 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 19

DXTP03060BFG-7

Produkt ist nicht verfügbar

DXTP03060BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTP03060CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.53 EUR
6000+	0.51 EUR
10000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTP03060CFG-7

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 45...800
Collector current: 5.5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DXTP03060CFG-7

Description: DIODES INC. - DXTP03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 45hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXTP03060CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

auf Bestellung 11980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.4 EUR
22+	1.22 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 19

DXTP03060CFG-7

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 45...800
Collector current: 5.5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Frequency: 120MHz

Produkt ist nicht verfügbar

DXTP03100BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.54 EUR
6000+	0.51 EUR
10000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTP03100BFG-7

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 5A; PowerDI®3333-8
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Case: PowerDI®3333-8
Current gain: 5...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz

Produkt ist nicht verfügbar

DXTP03100BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transist

Produkt ist nicht verfügbar

DXTP03100BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

auf Bestellung 11980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.4 EUR
22+	1.23 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 19

DXTP03100BFG-7

Produkt ist nicht verfügbar

DXTP03100CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

auf Bestellung 11980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.4 EUR
22+	1.22 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 19

DXTP03100CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

DXTP03100CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.53 EUR
6000+	0.51 EUR
10000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTP03140BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

DXTP03140BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.07 W

auf Bestellung 3980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.33 EUR
23+	1.13 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 20

DXTP03140BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.07 W

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTP03200BP5-13

Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXTP03200BP5-13

Description: TRANS PNP 200V 2A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 3.2 W

auf Bestellung 107622 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.82 EUR
17+	1.58 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.78 EUR
2000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 15

DXTP03200BP5-13

Bipolar Transistors - BJT 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W

auf Bestellung 3913 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.84 EUR
33+	1.59 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.7 EUR
5000+	0.66 EUR
10000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 29

DXTP03200BP5-13

Trans GP BJT PNP 200V 2A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

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DXTP03200BP5-13

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXTP03200BP5-13

Description: TRANS PNP 200V 2A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 3.2 W

auf Bestellung 105000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.65 EUR
10000+	0.61 EUR
25000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXTP03200BP5Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 740 mW
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.57 EUR
10000+	0.53 EUR
25000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXTP03200BP5Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K

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DXTP06080BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.07 W

auf Bestellung 26000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

25+	1.04 EUR
32+	0.81 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 25

DXTP06080BFG-7

DXTP06080BFG-7

auf Bestellung 26000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTP06080BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.07 W

auf Bestellung 26000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.28 EUR
6000+	0.27 EUR
10000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTP06080BFG-7

DXTP06080BFG-7

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DXTP07025BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

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DXTP07025BFG-7

Trans GP BJT PNP 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

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DXTP07025BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

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DXTP07025BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

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DXTP07040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

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DXTP07040CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

auf Bestellung 1059 Stücke:

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40+	1.33 EUR
47+	1.13 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.51 EUR
2000+	0.42 EUR
10000+	0.39 EUR

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DXTP07040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

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DXTP07040CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

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36+	1.47 EUR
42+	1.26 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.57 EUR
2000+	0.47 EUR
10000+	0.43 EUR

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DXTP07040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

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DXTP07040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

auf Bestellung 1980 Stücke:

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DXTP07060BFG-7

Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW

auf Bestellung 7985 Stücke:

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19+	1.4 EUR
22+	1.2 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.54 EUR

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DXTP07060BFG-7

Trans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXTP07060BFG-7

Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.5 EUR
6000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTP07060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

auf Bestellung 7990 Stücke:

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38+	1.39 EUR
44+	1.2 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.55 EUR
2000+	0.49 EUR
4000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 38

DXTP07060BFG-7

Trans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTP07100BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

auf Bestellung 5950 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

40+	1.33 EUR
47+	1.13 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.5 EUR
2000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 40

DXTP07100BFG-7

Description: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 11980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.3 EUR
24+	1.11 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 20

DXTP07100BFG-7

Trans GP BJT PNP 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DXTP07100BFG-7

Description: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.44 EUR
6000+	0.41 EUR
10000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTP07100BFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

20+	1.35 EUR
23+	1.17 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 20

DXTP07100BFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTP19020DP5-13

Description: TRANS PNP 20V 8A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 176MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.44 EUR
10000+	0.41 EUR
25000+	0.4 EUR
50000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXTP19020DP5-13

Description: TRANS PNP 20V 8A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 176MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W

auf Bestellung 59120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

19+	1.38 EUR
23+	1.17 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.51 EUR
2000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 19

DXTP19020DP5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP

auf Bestellung 29600 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

38+	1.4 EUR
44+	1.19 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.47 EUR
5000+	0.44 EUR
10000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 38

DXTP22040CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

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DXTP22040CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

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DXTP22040CFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
DC-Stromverstärkung hFE: 80
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXTP22040CFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 3.4
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXTP22040CFGQ-7

DXTP22040CFGQ-7

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTP22040DFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Produkt ist nicht verfügbar

DXTP22040DFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W

auf Bestellung 22000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2000+	0.56 EUR
6000+	0.53 EUR
10000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

DXTP22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

DXTP22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 3.4
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

DXTP22040DFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W

auf Bestellung 22000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

18+	1.48 EUR
21+	1.28 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 18

DXTP3C100PD-13

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DXTP3C100PDQ-13

Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.76W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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13+	2.03 EUR
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DXTP3C100PSQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

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18+	1.48 EUR
21+	1.27 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.56 EUR

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DXTP3C100PSQ-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 5W; PowerDI®5060-8
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 5W
Case: PowerDI®5060-8
Pulsed collector current: 8A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz

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DXTP3C100PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor

auf Bestellung 799 Stücke:

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35+	1.5 EUR
41+	1.28 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.57 EUR
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DXTP3C100PSQ-13

Pwr Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

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DXTP3C100PSQ-13

Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

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DXTP3C100PSQ-13

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DXTP3C100PSQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 62500 Stücke:

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2500+	0.5 EUR
5000+	0.48 EUR
12500+	0.44 EUR
25000+	0.43 EUR

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DXTP3C100PSQ-13

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DXTP3C60PS-13

Description: DIODES INC. - DXTP3C60PS-13 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 60 V, 3 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 5W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 35hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1330 Stücke:

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DXTP3C60PS-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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DXTP3C60PS-13

Description: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8

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DXTP3C60PS-13

auf Bestellung 1330 Stücke:

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DXTP3C60PS-13

Description: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8

auf Bestellung 7500 Stücke:

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DXTP3C60PS-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD

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DXTP3C60PS-13

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor

auf Bestellung 2165 Stücke:

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34+	1.56 EUR
39+	1.36 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 34

DXTP3C60PSQ-13

Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4974 Stücke:

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DXTP3C60PSQ-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD

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DXTP3C60PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor

auf Bestellung 37260 Stücke:

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35+	1.5 EUR
41+	1.28 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.57 EUR
2500+	0.48 EUR
10000+	0.45 EUR

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DXTP3C60PSQ-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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DXTP3C60PSQ-13

auf Bestellung 4974 Stücke:

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DXTP560BP5-13

Trans GP BJT PNP 500V 0.15A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

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DXTP560BP5-13

Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DXTP560BP5-13

Description: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W

auf Bestellung 189843 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.82 EUR
17+	1.58 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.78 EUR
2000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 15

DXTP560BP5-13

Description: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W

auf Bestellung 180000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5000+	0.65 EUR
10000+	0.61 EUR
25000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DXTP560BP5-13

Bipolar Transistors - BJT PNP - 500 -150mA IC VCEO - 500 ICM - 500

auf Bestellung 18850 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.84 EUR
33+	1.59 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.7 EUR
5000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 29

DXTP58100CFDB-7

Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

Produkt ist nicht verfügbar

DXTP58100CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

auf Bestellung 2695 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

51+	1.03 EUR
59+	0.88 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 51

DXTP58100CFDB-7

Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

24+	1.12 EUR
28+	0.95 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DXTP5820CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

auf Bestellung 13837 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

52+	1.02 EUR
60+	0.87 EUR
100+	0.61 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.38 EUR
3000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 52

DXTP5820CFDB-7

Description: TRANS PNP 20V 6A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

Produkt ist nicht verfügbar

DXTP5820CFDB-7

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 6A; 690mW; U-DFN2020-3
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.69W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-3
Frequency: 140MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DXTP5820CFDB-7