Produkte > DXT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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| DXT13003DG | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT13003DG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 1.3A; 3W; SOT223 Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 450V Current gain: 5...40 Collector current: 1.3A Pulsed collector current: 3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 2500pcs. Mounting: SMD Case: SOT223 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT13003DG-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT13003DG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 1.3A; 3W; SOT223 Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 450V Current gain: 5...40 Collector current: 1.3A Pulsed collector current: 3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 2500pcs. Mounting: SMD Case: SOT223 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT13003DG-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 700 mW | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT13003DG-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT13003DG-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT13003DG-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT13003DG-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV | auf Bestellung 2402 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT13003DG-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT13003DG-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 700 mW | auf Bestellung 82819 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT13003DG-7 | Diodes Incorporated | Description: IC TRANSISTOR ARRAY SMD Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT13003DK-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 1.5A TO-252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 1.6 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT13003DK-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt TO252 450V 700V | auf Bestellung 2108 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT13003DK-13 | Diodes Inc | TRANS NPN 450V 1.5A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT13003EK-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV | auf Bestellung 6298 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT13003EK-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 460V 1.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT13003EK-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 460V 1.5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 460 V Power - Max: 1.6 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2010P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.2 Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 4920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2010P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3.2 W | auf Bestellung 210000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2010P5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A | auf Bestellung 4678 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2010P5-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2010P5-13 | DIODES INCORPORATED | DXT2010P5-13 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2010P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Verlustleistung: 3.2 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 4920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2010P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3.2 W | auf Bestellung 211147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2011P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3.2 W | auf Bestellung 1219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2011P5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 100V,6A | auf Bestellung 26996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2011P5-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2011P5-13 | DIODES INCORPORATED | DXT2011P5-13 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2011P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3.2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2011P5Q-13 | DIODES INCORPORATED | DXT2011P5Q-13 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2011P5Q-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3.2 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 28036 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2011P5Q-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3.2 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2011P5Q-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Pwr Low Sat. Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2011P5Q-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2012P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 4980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2012P5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A | auf Bestellung 3882 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2012P5-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2012P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 4980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2012P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3.2 W | auf Bestellung 5164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2012P5-13 | DIODES INCORPORATED | DXT2012P5-13 PNP SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2012P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3.2 W | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2013P5-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 100V 5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2013P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3.2 W | auf Bestellung 200000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2013P5-13 | DIODES INCORPORATED | DXT2013P5-13 PNP SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2013P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 8050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2013P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 8050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2013P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3.2 W | auf Bestellung 204295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2013P5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A | auf Bestellung 5164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2014P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 3.2 W | auf Bestellung 200000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2014P5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -140V,-4A | auf Bestellung 4604 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2014P5-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 140V 4A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2014P5-13 | DIODES INCORPORATED | DXT2014P5-13 PNP SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2014P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 3.2 W | auf Bestellung 206689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2222A | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2222A | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2222A-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 277322 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2222A-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2222A-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 415000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT2222A-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo | auf Bestellung 61369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2222A-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.2W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.2W Case: SOT89 Current gain: 35...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 2500pcs. Pulsed collector current: 0.8A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2222A-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Dauer-Kollektorstrom: 600mA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 750mW euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 600mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2222A-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 275000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2222A-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.2W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.2W Case: SOT89 Current gain: 35...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 2500pcs. Pulsed collector current: 0.8A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2222A-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 600mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2222A-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2907A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2907A | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2907A-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2907A-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000mW -60Vceo | auf Bestellung 2501 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2907A-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 4442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2907A-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.2W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.2W Case: SOT89 Current gain: 50...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Quantity in set/package: 2500pcs. Pulsed collector current: 0.8A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2907A-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2907A-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT2907A-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2907A-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT2907A-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.2W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.2W Case: SOT89 Current gain: 50...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Quantity in set/package: 2500pcs. Pulsed collector current: 0.8A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT3150 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT3150 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT3150-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT3150-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT3150-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT3150-13 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT3150-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT3150-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000mW 25Vceo | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT3904-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 85000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT3904-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT3904-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 1338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT3904-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo | auf Bestellung 2919 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT3904-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.2W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT89 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 2500pcs. Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT3904-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 91538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT3904-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Verlustleistung: 1 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 1338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT3904-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.2W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT89 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 2500pcs. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT3906-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 1W; SOT89 Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 30...300 Collector current: 0.2A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 2500pcs. Mounting: SMD Case: SOT89 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT3906-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 165000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT3906-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 1W; SOT89 Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 30...300 Collector current: 0.2A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 2500pcs. Mounting: SMD Case: SOT89 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT3906-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT3906-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000mW -40Vceo | auf Bestellung 15131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT3906-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 175442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT458P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2.8 W | auf Bestellung 474390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT458P5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT458P5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 425000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT458P5-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT458P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 300mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT458P5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 400V,300mA | auf Bestellung 4746 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT458P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2.8 W | auf Bestellung 470000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT458P5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT458P5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 350000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT458P5-13 | DIODES INCORPORATED | DXT458P5-13 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT458P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 300mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT458P5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 350000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5401 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5401-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 1W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Current gain: 50...240 Mounting: SMD Quantity in set/package: 2500pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5401-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 87083 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5401-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 1W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Current gain: 50...240 Mounting: SMD Quantity in set/package: 2500pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5401-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 112500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5401-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1W -150V | auf Bestellung 4009 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5401-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 85000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5401-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5401-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5551-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1W 160V | auf Bestellung 5188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 1285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 461733 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 1.2W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.2W Case: SOT89 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 2500pcs. Frequency: 100...300MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 457500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 1.2W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.2W Case: SOT89 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 2500pcs. Frequency: 100...300MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 325000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 1285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551P5-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5551P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.25W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 4360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5551P5-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2.25W; PowerDI®5 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 2.25W Case: PowerDI®5 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 5000pcs. Frequency: 130MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5551P5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 155000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.25W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 4360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5551P5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551P5-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2.25W; PowerDI®5 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 2.25W Case: PowerDI®5 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 5000pcs. Frequency: 130MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5551P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 2.25 W | auf Bestellung 293491 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5551P5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA | auf Bestellung 19591 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5551P5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5551P5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 2.25 W | auf Bestellung 290000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5551P5Q-13 | Diodes Zetex | NPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5551P5Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2.25W; PowerDI®5 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 2.25W Case: PowerDI®5 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Quantity in set/package: 5000pcs. Frequency: 130MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5551P5Q-13 | Diodes Incorporated | Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 2.25 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 410000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5551P5Q-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K | auf Bestellung 6153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5551P5Q-13 | Diodes Inc | NPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT5551P5Q-13 | Diodes Zetex | NPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 405000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551P5Q-13 | Diodes Incorporated | Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 2.25 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 413993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5551P5Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2.25W; PowerDI®5 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 2.25W Case: PowerDI®5 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Quantity in set/package: 5000pcs. Frequency: 130MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT651 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT651-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT651-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT651-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT651-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT651-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Power dissipation: 2W Case: SOT89 Pulsed collector current: 6A Current gain: 40...300 Mounting: SMD Quantity in set/package: 2500pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 140...200MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT651-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN | auf Bestellung 3954 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT651-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 847500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT651-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT651-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Power dissipation: 2W Case: SOT89 Pulsed collector current: 6A Current gain: 40...300 Mounting: SMD Quantity in set/package: 2500pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 140...200MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT651-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 847500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT651-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 5669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT651Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2W; SOT89; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Power dissipation: 2W Case: SOT89 Pulsed collector current: 6A Current gain: 40...300 Mounting: SMD Quantity in set/package: 2500pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 140...200MHz Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT651Q-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 2140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT651Q-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT651Q-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2274 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT651Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2W; SOT89; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Power dissipation: 2W Case: SOT89 Pulsed collector current: 6A Current gain: 40...300 Mounting: SMD Quantity in set/package: 2500pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 140...200MHz Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT651Q-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT651Q-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT690BP5 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT690BP5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 45V,3A | auf Bestellung 9138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT690BP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 740 mW | auf Bestellung 646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT690BP5-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 45V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT690BP5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT690BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT690BP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 740 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT690BP5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT690BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT690BP5-13 | DIODES INCORPORATED | DXT690BP5-13 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT690BP5Q-13 | DIODES INCORPORATED | DXT690BP5Q-13 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT690BP5Q-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 45V NPN High Gain 3A Curr 6A ICM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT690BP5Q-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 740 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 140000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT690BP5Q-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 45V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT696BK-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 180V 0.5A TO-252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V Power - Max: 3.9 W | auf Bestellung 112500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT696BK-13 | DIODES INCORPORATED | DXT696BK-13 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT696BK-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 180V NPN Med Pwr 200mV 3.9W 70MHz | auf Bestellung 2559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT696BK-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 180V 0.5A TO-252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V Power - Max: 3.9 W | auf Bestellung 114273 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT696BK-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 180V 0.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT751 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT751-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT751-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 57500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT751-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 62500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT751-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 1000000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT751-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT751-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP | auf Bestellung 7422 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT751-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT751-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 62500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT751-13 | DIODES INCORPORATED | DXT751-13 PNP SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT751-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 1000000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT751-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT751Q-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 175000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT751Q-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT751Q-13 | DIODES INCORPORATED | DXT751Q-13 PNP SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT751Q-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 59822 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT751Q-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT751Q-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT751Q-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 57500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT790AP5 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT790AP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 3.2 W | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT790AP5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT790AP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4753 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT790AP5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT790AP5-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT790AP5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 40V,3A | auf Bestellung 9406 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT790AP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 3.2 W | auf Bestellung 107449 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT790AP5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT790AP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4753 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXT790AP5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT790AP5-13 | DIODES INCORPORATED | DXT790AP5-13 PNP SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTA42-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT89-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTA42-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTA42-13 | DIODES INCORPORATED | DXTA42-13 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTA42-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300 rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 500 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTA42-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000mW 300Vceo | auf Bestellung 3705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTA92-13 | DIODES INCORPORATED | DXTA92-13 PNP SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTA92-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTA92-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 151327 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTA92-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTA92-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000mW -300Vceo | auf Bestellung 17458 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTA92-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 147500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTC3C100PD-13 | Diodes Incorporated | Description: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTC3C100PDQ-13 | Diodes Zetex | DXTC3C100PDQ-13 | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTC3C100PDQ-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | auf Bestellung 2401 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTC3C100PDQ-13 | Diodes Zetex | DXTC3C100PDQ-13 | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTC3C100PDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.47W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 130MHz, 100MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN03060BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN03100CFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTN03100CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 5A Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN03100CFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTN03100CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN06080BFG-7 | Diodes Zetex | NPN Medium Power Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN06080BFG-7 | Diodes Zetex | NPN Medium Power Transistor | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTN07025BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 240MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 900 mW | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN07025BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN07025BFG-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN07025BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 240MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 900 mW | auf Bestellung 15475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN07045DFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 | auf Bestellung 8875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN07045DFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN07045DFG-7 | DIODES INCORPORATED | DXTN07045DFG-7 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN07045DFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 681 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN07060BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 | auf Bestellung 1512 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN07060BFG-7 | DIODES INCORPORATED | DXTN07060BFG-7 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN07060BFG-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN07060BFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 hazardous: false DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1 Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN07060BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN07060BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN07060BFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Verlustleistung: 3.1 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 3 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN07100BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 5689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN07100BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 900 mW | auf Bestellung 10668 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN07100BFG-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTN07100BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 900 mW | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN07100BFG-7 | DIODES INCORPORATED | DXTN07100BFG-7 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN07100BFG-7 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN07100BFG-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN07100BP5-13 | DIODES INCORPORATED | DXTN07100BP5-13 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN07100BP5-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 100V 2A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN07100BP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 740 mW | auf Bestellung 328489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN07100BP5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V NPN TRANSISTOR 3.2W Ic 2A Icm 6A | auf Bestellung 3637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN07100BP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 740 mW | auf Bestellung 325000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN07100BP5Q-13 | Diodes Zetex | DXTN07100BP5Q-13 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTN07100BP5Q-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3.2 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN07100BP5Q-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN07100BP5Q-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3.2 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN10060DFJBQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN10060DFJBQ-7 | Diodes Inc | 60V NPN Low Saturation Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN10060DFJBQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.8 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN10060DFJBQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN10060DFJBQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN10060DFJBQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.8 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 40449 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN10060DFJBWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.8 W | auf Bestellung 11445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN10060DFJBWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: WDFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN10060DFJBWQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist | auf Bestellung 2441 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN10060DFJBWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.8 W | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN10060DFJBWQ-7 | Diodes Inc | SS Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN10060DFJBWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: WDFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN22040CFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN22040CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.1 W | auf Bestellung 21980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN22040CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.1 W | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN22040CFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Verlustleistung: 2.3 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN22040CFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80 DC-Stromverstärkung hFE: 80 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.3 Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN22040CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 19980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN22040CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN22040CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN22040DFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 198MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN22040DFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN22040DFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 198MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN22040DFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 198MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN22040DFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 198MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN22040DFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 198MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN22040DFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 198MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 19980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN22040DFGQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN26070CY | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN26070CY-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Power - Max: 700 mW | auf Bestellung 63890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN26070CY-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 70V NPN Transistor 2A Bipolar BJT | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN26070CY-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Power - Max: 700 mW | auf Bestellung 62500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN3C100PD-13 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.47W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN3C100PD-13 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.47W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN3C100PDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.47W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1476 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN3C100PSQ-13 | DIODES INCORPORATED | DXTN3C100PSQ-13 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN3C100PSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 5 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN3C100PSQ-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN3C60PS-13 | Diodes Incorporated | Description: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.25 W | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN3C60PS-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN3C60PS-13 | Diodes Incorporated | Description: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.25 W | auf Bestellung 17408 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN3C60PSQ-13 | DIODES INCORPORATED | DXTN3C60PSQ-13 NPN SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN3C60PSQ-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor | auf Bestellung 7266 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN58100CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 690 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN58100CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 690 mW | auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN5820DFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 690 mW | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN5820DFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 690 mW | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN5820DFDB-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN5840CFDB-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN5840CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 690 mW | auf Bestellung 17990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN5840CFDB-7 | Diodes Inc | NPN Low Saturation Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN5840CFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN5840CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 690 mW | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN5840CFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN5860DFDB-7 | Diodes Zetex | 60V NPN Low Saturation Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN5860DFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 115MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 690 mW | auf Bestellung 8998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN5860DFDB-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTN5860DFDB-7 | Diodes Zetex | 60V NPN Low Saturation Transistor | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTN5860DFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 115MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 690 mW | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTN5860DFDB-7 | Diodes Inc | 60V NPN Low Saturation Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP03060BFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP03060BFG-7 | DIODES INCORPORATED | DXTP03060BFG-7 PNP SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP03060BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP03060BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 9980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03060BFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP03060BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03060CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03060CFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1881 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP03060CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 11980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03060CFG-7 | DIODES INCORPORATED | DXTP03060CFG-7 PNP SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP03060CFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1881 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP03100BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03100BFG-7 | DIODES INCORPORATED | DXTP03100BFG-7 PNP SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP03100BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transist | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP03100BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 11980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03100CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 11960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03100CFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP03100CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03140BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP03140BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 7975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03140BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03200BP5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP03200BP5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP03200BP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 200V 2A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 105MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 3.2 W | auf Bestellung 2476 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03200BP5-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 200V 2A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP03200BP5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W | auf Bestellung 6891 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03200BP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 200V 2A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 105MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 3.2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP03200BP5Q-13 | Diodes Incorporated | Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 T Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 105MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 740 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP03200BP5Q-13 | Diodes Inc | PNP High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP03200BP5Q-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP06080BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP06080BFG-7 | Diodes Zetex | DXTP06080BFG-7 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP06080BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP06080BFG-7 | Diodes Zetex | DXTP06080BFG-7 | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP07025BFG-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP07025BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 61980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07025BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP07025BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07025BFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07025BFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP07025BFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 3 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP07025BFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP07025BFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 3 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP07025BFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 25V 3A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 41980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07040CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP07040CFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 1048 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07040CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 | auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP07040CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 | auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP07040CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP07040CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 2389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07060BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 900 mW | auf Bestellung 7985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07060BFG-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP07060BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 7990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07060BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 900 mW | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07060BFG-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP07060BFGQ-7 | Diodes Inc | 60V PNP Medium Power Transistor In Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP07100BFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | auf Bestellung 5935 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07100BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 11980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07100BFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07100BFG-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP07100BFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP07100BFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP19020DP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 8A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 176MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 3 W | auf Bestellung 55000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP19020DP5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP | auf Bestellung 29598 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP19020DP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 8A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 176MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 3 W | auf Bestellung 60283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP22040CFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP22040CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP22040CFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 19980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP22040CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.07 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 19980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP22040CFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP22040CFGQ-7 | Diodes Zetex | DXTP22040CFGQ-7 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXTP22040CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.07 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP22040CFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP22040CFGQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP22040DFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 23980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP22040DFG-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP22040DFG-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.07 W | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP22040DFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.07 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 41770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP22040DFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120 DC-Stromverstärkung hFE: 120 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.4 Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP22040DFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A POWERDI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.07 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP22040DFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Verlustleistung: 3.4 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP3C100PD-13 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power - Max: 1.76W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP3C100PD-13 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power - Max: 1.76W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C100PDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power - Max: 1.76W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1481 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C100PSQ-13 | DIODES INCORPORATED | DXTP3C100PSQ-13 PNP SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP3C100PSQ-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor | auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C100PSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP3C100PSQ-13 | Diodes Inc | Pwr Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP3C100PSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 5 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 64770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C100PSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP3C100PSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 5 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 62500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C60PS-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP3C60PS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP3C60PS-13 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 60 V, 3 A tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 5W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 35hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP3C60PS-13 | DIODES INCORPORATED | DXTP3C60PS-13 PNP SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP3C60PS-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8 | auf Bestellung 9265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP3C60PS-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor | auf Bestellung 2165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C60PS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP3C60PS-13 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 60 V, 3 A tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 5W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 35hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP3C60PSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 135MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 4938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP3C60PSQ-13 | DIODES INCORPORATED | DXTP3C60PSQ-13 PNP SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP3C60PSQ-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor | auf Bestellung 32398 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP3C60PSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 135MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 4938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP560BP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 2.8 W | auf Bestellung 135000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP560BP5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP560BP5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP560BP5-13 | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 500V 0.15A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP560BP5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 2.8 W | auf Bestellung 144843 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP560BP5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP - 500 -150mA IC VCEO - 500 ICM - 500 | auf Bestellung 15838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP58100CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 135MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 690 mW | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP58100CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 135MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 690 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP58100CFDB-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K | auf Bestellung 2695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP5820CFDB-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K | auf Bestellung 13835 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP5820CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 6A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 690 mW | auf Bestellung 1680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP5820CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 6A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 690 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP5820CFDB-7 | DIODES INCORPORATED | DXTP5820CFDB-7 PNP SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP5840CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020 | auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP5840CFDB-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP5840CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP5860CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP5860CFDB-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K | auf Bestellung 2759 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXTP5860CFDB-7 | Diodes Inc | 60V PNP Low Saturation Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTP5860CFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DXTV6 | Phoenix Contact | Phoenix Contact D XTV 6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |