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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DXT13003DGDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT13003DG-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+0.84 EUR
100+0.74 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT13003DG-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
19+1.17 EUR
25+0.98 EUR
50+0.86 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT13003DG-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT13003DG-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 1.3A; 3W; SOT223
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Collector-emitter voltage: 450V
Power dissipation: 3W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Current gain: 5...40
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Frequency: 4MHz
Collector current: 1.3A
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT13003DG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
160+1.45 EUR
254+0.84 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT13003DG-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT13003DG-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT13003DG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
160+1.45 EUR
254+0.84 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT13003DG-7Diodes IncorporatedDescription: IC TRANSISTOR ARRAY SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT13003DK-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 450V 1.5A TO-252-3
Power - Max: 1.6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT13003DK-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt TO252 450V 700V
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+1.14 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT13003EK-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 460V 1.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 460 V
Power - Max: 1.6 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT13003EK-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV
auf Bestellung 6298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+1.2 EUR
100+0.89 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2010P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A
auf Bestellung 3041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.12 EUR
100+0.93 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2010P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 20A
Type of transistor: NPN
Current gain: 20...300
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®5
Frequency: 130MHz
Collector current: 6A
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 5000pcs.
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+1.36 EUR
111+0.76 EUR
161+0.54 EUR
168+0.51 EUR
250+0.45 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2010P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 4920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.76 EUR
174+1.34 EUR
235+0.92 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2010P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.54 EUR
25+1.29 EUR
50+1.13 EUR
100+1 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2010P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2010P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 4920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.76 EUR
174+1.34 EUR
235+0.92 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2011P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
auf Bestellung 1862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
15+1.49 EUR
25+1.25 EUR
50+1.11 EUR
100+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2011P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 100V,6A
auf Bestellung 41352 Stücke:
Lieferzeit 318-322 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.08 EUR
100+0.96 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2011P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 100V
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Current gain: 10...300
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®5
Frequency: 130MHz
Collector current: 6A
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 5000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2011P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2011P5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2011P5Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V NPN Pwr Low Sat. Transistor
auf Bestellung 5741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.06 EUR
100+0.93 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2011P5Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 100V
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 10A
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN
Current gain: 10...300
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®5
Frequency: 130MHz
Collector current: 6A
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 5000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2011P5Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 11038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.45 EUR
25+1.21 EUR
50+1.07 EUR
100+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2012P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2012P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
177+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2012P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A
auf Bestellung 4417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.02 EUR
100+0.89 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.56 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2012P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
15+1.4 EUR
25+1.18 EUR
50+1.04 EUR
100+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2012P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 15A
Type of transistor: PNP
Current gain: 10...300
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®5
Frequency: 120MHz
Collector current: 5.5A
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 5000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2012P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.93 EUR
177+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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DXT2013P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 73884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
15+1.4 EUR
25+1.18 EUR
50+1.04 EUR
100+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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DXT2013P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
172+1.34 EUR
197+1.09 EUR
500+1.06 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DXT2013P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A
auf Bestellung 7206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.02 EUR
100+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DXT2013P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.52 EUR
15000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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DXT2013P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 5A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 100V
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Current gain: 5...300
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®5
Frequency: 125MHz
Collector current: 5A
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 5000pcs.
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DXT2013P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.15 EUR
172+1.34 EUR
197+1.09 EUR
500+1.06 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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DXT2014P5-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 140V; 4A; 3.2W; PowerDI®5
Collector-emitter voltage: 140V
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Current gain: 5...300
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®5
Frequency: 120MHz
Collector current: 4A
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 5000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
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DXT2014P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2014P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A POWERDI 5
Power - Max: 3.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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DXT2014P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -140V,-4A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DXT2222AonsemiBipolar Transistors - BJT
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DXT2222ADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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DXT2222A-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DXT2222A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 750mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+1.24 EUR
331+0.7 EUR
519+0.42 EUR
690+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
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DXT2222A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 1702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.32 EUR
26+0.81 EUR
31+0.68 EUR
50+0.6 EUR
100+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2222A-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 415000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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DXT2222A-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
Current gain: 35...300
Kind of package: reel; tape
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 0.8A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2222A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+1.24 EUR
331+0.7 EUR
519+0.42 EUR
690+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2222A-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo
auf Bestellung 27287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.58 EUR
100+0.51 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2222A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2907ADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2907Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2907A-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 0.8A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2907A-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2907A-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW -60Vceo
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2907A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-89-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
31+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2907A-13DiodesTRANS PNP 60V 0.6A SOT89-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2907A-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2907A-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT2907A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-89-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT3150Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT3150onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT3150-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 25Vceo
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT3150-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT3150-13onsemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT3904-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-89-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.26 EUR
5000+0.24 EUR
7500+0.23 EUR
12500+0.21 EUR
17500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT3904-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 1
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+1.04 EUR
296+0.79 EUR
435+0.49 EUR
579+0.37 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT3904-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo
auf Bestellung 2919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.68 EUR
100+0.38 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
10000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT3904-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT3904-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+1.04 EUR
296+0.79 EUR
435+0.49 EUR
579+0.37 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT3904-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-89-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 23738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
31+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT3906-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW -40Vceo
auf Bestellung 12184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.09 EUR
10+0.46 EUR
100+0.35 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT3906-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 6661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
29+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT3906-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.27 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT458P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.63 EUR
234+1 EUR
342+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
auf Bestellung 350000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT458P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI 5
Power - Max: 2.8 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.62 EUR
22+1 EUR
26+0.83 EUR
50+0.73 EUR
100+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
auf Bestellung 425000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT458P5-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.63 EUR
234+1 EUR
342+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT458P5-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 400V,300mA
auf Bestellung 4746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.76 EUR
100+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.32 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT458P5-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI 5
Power - Max: 2.8 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT458P5-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
auf Bestellung 350000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT5401Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT5401-13Diodes Inc./ZetexPNP 150V 0.6A SOT-89-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT5401-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 1W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Current gain: 50...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT5401-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 87083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.32 EUR
26+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 112500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT5401-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -150V
auf Bestellung 3604 Stücke:
Lieferzeit 318-322 Tag (e)
3+1.58 EUR
10+1.07 EUR
100+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT5401-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 85000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.31 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.27 EUR
12500+0.25 EUR
25000+0.24 EUR
62500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DXT5551-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Manufacturer standard package: 2500pcs.
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+0.75 EUR
167+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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