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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DXT13003DG | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT13003DG-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT13003DG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 1.3A; 3W; SOT223 Manufacturer standard package: 2500pcs. Collector-emitter voltage: 450V Power dissipation: 3W Polarisation: bipolar Pulsed collector current: 3A Type of transistor: NPN Current gain: 5...40 Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Frequency: 4MHz Collector current: 1.3A Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT13003DG-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1.3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT13003DG-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV | auf Bestellung 2489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT13003DG-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 700 mW | auf Bestellung 6282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT13003DG-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT13003DG-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1.3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT13003DG-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 700 mW | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT13003DG-7 | Diodes Incorporated | Description: IC TRANSISTOR ARRAY SMD Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT13003DK-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt TO252 450V 700V | auf Bestellung 2108 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT13003DK-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 1.5A TO-252-3 Power - Max: 1.6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252-3 Frequency - Transition: 4MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT13003EK-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 460V 1.5A TO-252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 460 V Power - Max: 1.6 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT13003EK-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV | auf Bestellung 6298 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2010P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.2 Bauform - Transistor: PowerDI5 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 4920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT2010P5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A | auf Bestellung 11278 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2010P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3.2 W | auf Bestellung 32999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2010P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Verlustleistung: 3.2 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 4920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT2010P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3.2 W | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2011P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3.2 W | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2011P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3.2 W | auf Bestellung 25282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2011P5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 100V,6A | auf Bestellung 4647 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2011P5Q-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5 Power - Max: 3.2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2011P5Q-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Pwr Low Sat. Transistor | auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2011P5Q-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI 5 Power - Max: 3.2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 5 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 28036 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2012P5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A | auf Bestellung 4495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2012P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5 Power - Max: 3.2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 5 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2012P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT2012P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI 5 Power - Max: 3.2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 5 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2012P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT2013P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5 Power - Max: 3.2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Frequency - Transition: 125MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 5 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 204295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2013P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 3.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT2013P5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A | auf Bestellung 2461 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2013P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI 5 Power - Max: 3.2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Frequency - Transition: 125MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 5 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 200000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2013P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 3.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT2014P5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -140V,-4A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT2014P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI 5 Power - Max: 3.2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 5 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 206689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2014P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI 5 Power - Max: 3.2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 5 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 200000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2014P5-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 140V; 4A; 3.2W; PowerDI®5 Polarisation: bipolar Mounting: SMD Type of transistor: PNP Case: PowerDI®5 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 3.2W Collector current: 4A Current gain: 5...300 Pulsed collector current: 10A Collector-emitter voltage: 140V Quantity in set/package: 5000pcs. Frequency: 120MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT2222A | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT2222A | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT2222A-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo | auf Bestellung 1303 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2222A-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2222A-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 750mW euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 600mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT2222A-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 415000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT2222A-13 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.2W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.2W Case: SOT89 Mounting: SMD Frequency: 300MHz Current gain: 35...300 Kind of package: reel; tape Manufacturer standard package: 2500pcs. Pulsed collector current: 0.8A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT2222A-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT2222A-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 26002 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2222A-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT2907A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT2907A | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT2907A-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.2W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.2W Case: SOT89 Current gain: 50...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Manufacturer standard package: 2500pcs. Pulsed collector current: 0.8A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT2907A-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT2907A-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-89-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2907A-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT2907A-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT2907A-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000mW -60Vceo | auf Bestellung 772 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2907A-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-89-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3641 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT2907A-13 | Diodes | TRANS PNP 60V 0.6A SOT89-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT3150 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT3150 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT3150-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT3150-13 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT3150-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT3150-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT3150-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000mW 25Vceo | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT3904-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-89-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 23738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT3904-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Verlustleistung: 1 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 1338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT3904-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-89-3 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT3904-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo | auf Bestellung 2919 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT3904-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 1338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT3906-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1000mW -40Vceo | auf Bestellung 12184 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT3906-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 6661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT3906-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT458P5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT458P5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 425000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT458P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 300mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT458P5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT458P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI 5 Power - Max: 2.8 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 5 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 388585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT458P5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 350000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT458P5-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 400V,300mA | auf Bestellung 4746 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT458P5-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 300mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT458P5-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | auf Bestellung 350000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT458P5-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI 5 Power - Max: 2.8 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 5 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 385000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5401 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT5401-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1W -150V | auf Bestellung 4150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5401-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 85000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5401-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 112500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5401-13 | Diodes Inc./Zetex | PNP 150V 0.6A SOT-89-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT5401-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 87083 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5401-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DXT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 325000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 1285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 1285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DXT5551-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 1W 160V | auf Bestellung 256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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