Produkte > FCH
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| FCH-11/06.2330 | PRO POWER | Description: PRO POWER - FCH-11/06.2330 - HF-/Koaxialsteckverbinder, F-Koaxial, Gerader Stecker, Twist-On, 75 ohm Steckverbindertyp: 0 Steckverbinderausführung: Gerader Stecker Koaxialanschluss: Twist-On Impedanz: 75 Steckverbindermontage: Kabelmontage SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC00182R | Omega | Description: ENCLOSURE FAN HEATER, COMPACT, 2 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC00182R | OMEGA | Description: OMEGA - FCH-FGC00182R - Kanalheizung, Produktreihe FCH-FGC0, 70°C, 24V, 20W, Gehäuseheizung und Heizlüfter Versorgungsspannung: 24 Temperatur der ausströmenden Luft, max.: 70 Durchflussrate, max.: 5.1 Mantelmaterial: - Stromverbrauch: 20 Wattdichte: - Einlass NPT: - Beheizte Länge - metrisch: - Phasen: - Beheizte Länge - imperial: - Auslass NPT: - Anzahl der Heizelemente: - Außendurchmesser: - Produktpalette: FCH-FGC0 Series Kanalheizung: Gehäuseheizung und Heizlüfter SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC05032R | OMEGA | Description: OMEGA - FCH-FGC05032R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC05032R | Omega | Description: ENCLOSURE FAN HEATER, COMPACT, 1 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC05242R | OMEGA | Description: OMEGA - FCH-FGC05242R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC05242R | Omega | Description: ENCLOSURE FAN HEATER, COMPACT, 2 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC10022R | OMEGA | Description: OMEGA - FCH-FGC10022R - Heizlüfter, 60 W, 12 V, 8 cu.ft/min, 42 mm, 42 mm, 72 mm Luftdurchsatz: 8 Nennleistung: 60 Netzsteckertyp: - Versorgungsspannung: 12 Außentiefe: 72 Außenhöhe: 42 Außenbreite: 42 Produktpalette: FCH-FGC1 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC10022R | Omega | Description: ENCLOSURE FAN HEATER, COMPACT, 1 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC10262R | OMEGA | Description: OMEGA - FCH-FGC10262R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC10262R | Omega | Description: ENCLOSURE FAN HEATER, COMPACT, 2 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC10312R | Omega | Description: ENCLOSURE FAN HEATER, COMPACT, 1 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC10312R | OMEGA | Description: OMEGA - FCH-FGC10312R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC15012R | OMEGA | Description: OMEGA - FCH-FGC15012R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC15022R | OMEGA | Description: OMEGA - FCH-FGC15022R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC15022R | Omega | Description: ENCLOSURE FAN HEATER, COMPACT, 1 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC15072R | Omega | Description: ENCLOSURE FAN HEATER, COMPACT, 1 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC15132R | Omega | Description: ENCLOSURE FAN HEATER, COMPACT, 1 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC15142R | Omega | Description: ENCLOSURE FAN HEATER, COMPACT, 1 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC15142R | OMEGA | Description: OMEGA - FCH-FGC15142R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH-FGC20022R | OMEGA | Description: OMEGA - FCH-FGC20022R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0100 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0100 - Lochsäge, Bimetall, 25mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 25mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0112 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0112 - Lochsäge, Bimetall, 38mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 38mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0114 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0114 - Lochsäge, Bimetall, 32mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 32mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0134 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0134 - Lochsäge, Bimetall, 44mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 44mm rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0158 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0158 - Lochsäge, Bimetall, 41mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 41mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0196 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0196 - Lochsäge, Bimetall, 40mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 40mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0200 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0200 - Lochsäge, Bimetall, 51mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 51mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0212 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0212 - Lochsäge, Bimetall, 64mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 64mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0234 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0234 - Lochsäge, Bimetall, 70mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 70mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0238 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0238 - Lochsäge, Bimetall, 60mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 60mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH023N65S3 | onsemi | SF3 650V 23MOHM E TO247L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH023N65S3-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V | auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH023N65S3-F155 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperFET3 650V 23 mOhm | auf Bestellung 821 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH023N65S3-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH023N65S3-F155 Produktcode: 160087
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH023N65S3-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH023N65S3-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH023N65S3-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH023N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 595W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 356 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH023N65S3-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH023N65S3L4 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65.8A; Idm: 300A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 65.8A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 19.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 222nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH023N65S3L4 | ON Semiconductor | auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH023N65S3L4 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 595 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: SuperFET III Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH023N65S3L4 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH023N65S3L4 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH023N65S3L4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V | auf Bestellung 72222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH023N65S3L4 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65.8A; Idm: 300A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 65.8A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 19.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 222nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH023N65S3L4 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 650V N-Channel SuperFET III MOSFET | auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH023N65S3L4 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0278 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0278 - Lochsäge, Bimetall, 73mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 73mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH029N65S3-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH029N65S3-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH029N65S3-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 463W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 201 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 400 V | auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH029N65S3-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.8A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 463W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 201nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH029N65S3-F155 | onsemi | MOSFETs SF3 650V EASY 29MOHM, TO-247 | auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH029N65S3-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH029N65S3-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 463W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH029N65S3-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.8A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 463W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 201nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH029N65S3-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A Tube | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH0300 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0300 - Lochsäge, Bimetall, 76mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 76mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0314 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0314 - Lochsäge, Bimetall, 83mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 83mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0318 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0318 - Lochsäge, Bimetall, 79mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 79mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0400 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0400 - Lochsäge, Bimetall, 102mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 102mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH040N65S3 | onsemi | onsemi SF3 650V 40MOHM E TO247L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH040N65S3-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 417W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 41A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 40mΩ Pulsed drain current: 162.5A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH040N65S3-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 417W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 41A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 40mΩ Pulsed drain current: 162.5A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH040N65S3-F155 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperFET3 650V 40 mOhm | auf Bestellung 944 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH040N65S3-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH040N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0354 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0354ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH040N65S3-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH040N65S3-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V | auf Bestellung 28910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH040N65S3-F155 | ON Semiconductor | auf Bestellung 2340 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH040N65S3-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0412 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0412 - Lochsäge, Bimetall, 114mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 114mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0418 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0418 - Lochsäge, Bimetall, 105mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 105mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N60E | ON Semiconductor | auf Bestellung 8930 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH041N60E | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600V, 77A, 41mO | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH041N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N60E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 77A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 39A, 10V Power Dissipation (Max): 592W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 100 V | auf Bestellung 111600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH041N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N60E | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48.7A Power dissipation: 592W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 285nC Pulsed drain current: 231A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N60E | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48.7A Power dissipation: 592W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 285nC Pulsed drain current: 231A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N60F | ON Semiconductor | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH041N60F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N60F | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH041N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 595W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1616 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N60F | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 76A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 277nC Pulsed drain current: 228A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N60F | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V N-Channel MOSFET, FRFET | auf Bestellung 746 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH041N60F | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 76A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 277nC Pulsed drain current: 228A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N60F Produktcode: 194305
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH041N60F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N60F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14365 pF @ 100 V | auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH041N60F-F085 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 76A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 277nC Pulsed drain current: 228A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N60F-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFETs Auto SuperFET2 600V 41mOhm, 76A, FRFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N60F-F085 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 76A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 277nC Pulsed drain current: 228A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N60F-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 76A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N60F-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 76A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N60F-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 347 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH041N60F-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 76A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N60F-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH041N60F-F085 - FCH041N60F-F085, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65EF | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH041N65EF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH041N65EF - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65EF | onsemi | onsemi SF2 650V 44MOHM F TO247L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65EF-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 76A Pulsed drain current: 228A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 277nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65EF-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65EF-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65EF-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH041N65EF-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 595W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65EF-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V | auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH041N65EF-F155 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 700V NChnl SuperFET II FRFET MOSFET | auf Bestellung 771 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH041N65EF-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 76A Pulsed drain current: 228A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 277nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65EF-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65EF-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V | auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH041N65EFL4 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65EFL4 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET | auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH041N65EFL4 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65EFL4 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65EFL4 | ONSEMI | FCH041N65EFL4 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65EFL4 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65EFL4 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65EFL4 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH041N65EFL4 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65EFL4 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65EFL4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V | auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH041N65EFLN4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65EFLN4 | ON Semiconductor | MOSFET SF2 650V 44MOHM F TO2474L NARROW LEAD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65F | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH041N65F | onsemi | onsemi SF2 650V 44MOHM F TO247L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65F | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH041N65F - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65F-F085 | ON Semiconductor | auf Bestellung 9884 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH041N65F-F085 | ON Semiconductor | FCH041N65F_F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 76A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65F-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 76A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65F-F085 | ON Semiconductor | FCH041N65F_F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 76A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65F-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13566 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 399906 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH041N65F-F085 | ONSEMI | FCH041N65F-F085 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65F-F085 | ON Semiconductor | FCH041N65F_F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 76A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65F-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET | auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH041N65F-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH041N65F-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65F-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65F-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13020 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65F-F155 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperFET2 650V, 44 mOhm, FRFET | auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH041N65F-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH041N65F-F155 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH041N65F-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0438 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0438 - Lochsäge, Bimetall, 111mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 111mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH043N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET SF2 600V 43MOHM F TO247 | auf Bestellung 423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH043N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH043N60 | ONSEMI | FCH043N60 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH043N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH043N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH043N60 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH043N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.037 ohm, TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 592 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SUPERFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | auf Bestellung 406 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH043N60 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 592W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12225 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0500 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0500 - Lochsäge, Bimetall, 127mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 127mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH05A10 | NIHON | 09+ | auf Bestellung 8018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH0600 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH0600 - Lochsäge, Bimetall, 152mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 152mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH060N80-F155 | ONSEMI | FCH060N80-F155 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH060N80-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 58 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH060N80-F155 Produktcode: 158569
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH060N80-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 56A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.8mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14685 pF @ 100 V | auf Bestellung 3104 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH060N80-F155 | ON Semiconductor | auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH060N80-F155 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperFET2 800V | auf Bestellung 1608 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH060N80-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH060N80_F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH060N80_F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH060N80_F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH060N80_F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH067N65S3 | onsemi | SF3 650V 67MOHM E TO247L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH067N65S3-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH067N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH067N65S3-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V | auf Bestellung 492 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH067N65S3-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH067N65S3-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 312W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 59mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH067N65S3-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 17100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH067N65S3-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 20700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH067N65S3-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 12660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH067N65S3-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH067N65S3-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH067N65S3-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 312W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 59mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH067N65S3-F155 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm | auf Bestellung 653 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH067N65S3-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 20700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH06A10 | NIEC | 09+ | auf Bestellung 8018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH070N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH070N60E | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET | auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH070N60E | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH070N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 52 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 481 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 481 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SUPERFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH070N60E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4925 pF @ 380 V | auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH070N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH070N60E | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 33A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 58mΩ Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 156A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH070N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH070N60E | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 33A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 58mΩ Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 156A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH072N60 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH072N60 | ONSEMI | FCH072N60 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH072N60 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 380 V | auf Bestellung 3091 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH072N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH072N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH072N60 | ON Semiconductor | auf Bestellung 4850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH072N60F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH072N60F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH072N60F | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH072N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 481W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 383 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH072N60F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH072N60F | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 33A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH072N60F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH072N60F | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V, 52A, 72mOhm N-Channel Mosfet | auf Bestellung 11617 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH072N60F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH072N60F | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 33A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH072N60F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8660 pF @ 100 V | auf Bestellung 53248 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH072N60F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH072N60F-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH072N60F-F085 | ON Semiconductor | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH072N60F-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6330 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH072N60F-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 52A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH072N60F-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 52A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH077N65F-F085 | ON Semiconductor | FCH077N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH077N65F-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3554 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH077N65F-F085 | ON Semiconductor | FCH077N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH077N65F-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH077N65F-F085 | ON Semiconductor | FCH077N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com | auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH077N65F-F085 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 54A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH077N65F-F085 | ON Semiconductor | FCH077N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com | auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH077N65F-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH077N65F-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH077N65F-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH077N65F-F085 - FCH077N65F-F085, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH077N65F-F085 | ON Semiconductor | auf Bestellung 3600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH077N65F-F085 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 54A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH077N65F-F155 | ON Semiconductor | auf Bestellung 8910 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH077N65F-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V | auf Bestellung 373 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH077N65F-F155 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET | auf Bestellung 1332 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH077N65F-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH077N65F-F155 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH077N65F-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 32A Pulsed drain current: 162A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH077N65F-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 32A Pulsed drain current: 162A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH077N65F-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH085N80-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH085N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 46 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 46 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 446 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH085N80-F155 | ON Semiconductor | auf Bestellung 415 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH085N80-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH085N80-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH085N80-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH085N80-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 46A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.6mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10825 pF @ 100 V | auf Bestellung 437 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH085N80-F155 | ONSEMI | FCH085N80-F155 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH085N80-F155 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperFET2 800V | auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH08A10 | NIHON | 09+ | auf Bestellung 30018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH099N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH099N60E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 380 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH099N60E | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperFET2 600V Slow version | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH099N65S3-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V | auf Bestellung 8811 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH099N65S3-F155 | ON Semiconductor | auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH099N65S3-F155 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperFET3 650V 99 mOhm, TO247 PKG | auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH099N65S3-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 79mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH099N65S3-F155 | ON Semiconductor | N-Channel SuperFET III MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH099N65S3-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 79mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH099N65S3_F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH104N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH104N60 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH104N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH104N60 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH104N60 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 96mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 63nC Pulsed drain current: 111A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH104N60 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V | auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH104N60F Produktcode: 154661
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH104N60F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH104N60F | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH104N60F | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel SuperFET | auf Bestellung 2017 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH104N60F | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH104N60F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 100 V | auf Bestellung 739 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH104N60F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 3150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH104N60F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH104N60F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 3150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH104N60F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH104N60F-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4302 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH104N60F-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH104N60F-F085 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH104N60F-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH104N60F-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH104N60F-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH104N60F-F085 Produktcode: 189067
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH104N60F-F085 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH104N60F-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V N-Channel SuperFET II MOSFET | auf Bestellung 843 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH10A04 | NIEC | 09+ | auf Bestellung 20018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH10A06 | NIHON | 09+ | auf Bestellung 30018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH10A10 | NIHON | 09+ | auf Bestellung 30018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH10A15 | NIHON | 09+ | auf Bestellung 30018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH10A15 | Kyocera AVX | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO-220 FULL MOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH10A15 | KYOCERA AVX | Description: DIODE ARR SCHOTTKY 150V TO220 FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH10A20 | Kyocera AVX | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO-220 FULL MOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH10A20 | KYOCERA AVX | Description: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Full-Mold Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH110N65F-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH110N65F-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 105A; 357W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 96mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC Pulsed drain current: 105A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH110N65F-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 105A; 357W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 96mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC Pulsed drain current: 105A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH110N65F-F155 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET | auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH110N65F-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V | auf Bestellung 515 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH110N65F-F155 | ON Semiconductor | auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH125N60E | ON Semiconductor | auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH125N60E | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Pulsed drain current: 87A Power dissipation: 278W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.102Ω Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH125N60E | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH125N60E | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 380 V | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH125N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH125N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH125N60E | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Pulsed drain current: 87A Power dissipation: 278W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.102Ω Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH125N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH125N60E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 380 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH125N65S3R0-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH125N65S3R0-F155 | ON Semiconductor | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH125N65S3R0-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH125N65S3R0-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH125N65S3R0-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH125N65S3R0-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 181 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SUPERFET III Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH125N65S3R0-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 181W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH125N65S3R0-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 181W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH125N65S3R0-F155 | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm | auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH125N65S3R0-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH130N60 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH130N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH130N60 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperFET2 600V, 130mohm | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH130N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH150N65F-F155 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET | auf Bestellung 397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH150N65F-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH150N65F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH150N65F-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH150N65F-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14.9A; Idm: 72A; 298W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 298W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 650V Drain current: 14.9A On-state resistance: 0.133Ω Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH150N65F-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14.9A; Idm: 72A; 298W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 298W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 650V Drain current: 14.9A On-state resistance: 0.133Ω Polarisation: unipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH150N65F-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V | auf Bestellung 4495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH160808SF-1R0M | TAI-TECH Advanced Electronics Co., Ltd. | Description: IND 1UH 0.08OHM 1700MA Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 80mOhm Max Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0603 Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 1.7 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH160808SF-2R2M | TAI-TECH Advanced Electronics Co., Ltd. | Description: IND 2.2UH 0.13OHM 1300MA Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 130mOhm Max Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0603 Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm) Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 1.3 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH160808SF-4R7M | TAI-TECH Advanced Electronics Co., Ltd. | Description: IND 4.7UH 0.2OHM 1000MA Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0603 (1608 Metric) Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Multilayer Operating Temperature: -55°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 200mOhm Max Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0603 Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm) Inductance: 4.7 µH Current Rating (Amps): 1 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH16252ABTP | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FCH165N60E | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 69A; 227W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A On-state resistance: 0.165Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 75nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 69A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH165N60E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V | auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH165N60E | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 69A; 227W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A On-state resistance: 0.165Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 75nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 69A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH165N60E | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive | auf Bestellung 628 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH165N60E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH165N65S3R0-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.3A; Idm: 47.5A; 154W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 12.3A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 154W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 39nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 47.5A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH165N65S3R0-F155 | onsemi | MOSFETs SF3 650V 165MOHM 19A | auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH165N65S3R0-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH165N65S3R0-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.3A; Idm: 47.5A; 154W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 12.3A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 154W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 39nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 47.5A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH165N65S3R0-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 154W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V | auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH165N65S3R0-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH165N65S3R0-F155 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH170N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH170N60 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 227W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 227W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 66A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH170N60 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 380 V | auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH170N60 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH170N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 11671 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH170N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH170N60 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 227W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 227W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 66A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH170N60 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SuperFET2 600V, 170mohm | auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH170N60 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 380 V | auf Bestellung 11671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH190N65F | onsemi | onsemi SF2 650V 190MOHM F TO247L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH190N65F-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH190N65F-F085 | ON Semiconductor | FCH190N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 20.6A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH190N65F-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3181 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH190N65F-F085 | ON Semiconductor | FCH190N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 20.6A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH190N65F-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH190N65F-F085 | ON Semiconductor | FCH190N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 20.6A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH190N65F-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH190N65F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 20.6 Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 208 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH190N65F-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3225 pF @ 100 V | auf Bestellung 383 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH190N65F-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH190N65F-F155 Produktcode: 191730
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH190N65F-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH190N65F-F155 | ON Semiconductor | auf Bestellung 8100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH190N65F-F155 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea | auf Bestellung 6291 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH190N65F-F155 | ONSEMI | FCH190N65F-F155 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH2-A-C14 | Panduit | Cable Mounting & Accessories FOR 2 CABLE W/ADHSV | auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH2-A-C14 | Panduit | Cable Accessories Flat Cable Holder Nylon 6/6 Gray | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH2-A-C14 | Panduit Corp | Description: CABLE TIE HOLDER SINGLE ADH GRAY Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 2.48" L x 1.03" W (63.0mm x 26.2mm) Mounting Type: Screw, #6, Adhesive Material: Nylon Type: Single Opening | auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH2-A-C14 | Panduit | Cable Accessories Flat Cable Holder Nylon 6/6 Gray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH2-A-T14 | Panduit Corp | Description: CBL CLIP FLAT ADHESIVE FASTENER Packaging: Bulk Color: Gray Mounting Type: Adhesive, Fastener Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Length: 2.480" (63.00mm) Type: Clip, Flat Width: 1.030" (26.16mm) Adhesive: Rubber Based Opening Size: 2.060" (52.32mm) Type Attributes: Hinged, Top Lock | auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH2-A-T14 | Panduit | Cable Accessories Flat Cable Holder Nylon 6/6 Gray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH2-A-T14 | Panduit | Cable Mounting & Accessories 2 FLAT CABLE HOLDER | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH2-A-T14 | Panduit | Cable Accessories Flat Cable Holder Nylon 6/6 Gray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH2-S6-C14 | Panduit | Cable Mounting & Accessories Flat Cbl Holder Adh. 2 (50.8mm)W Ca | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH2-S6-C14 | PANDUIT | Description: PANDUIT - FCH2-S6-C14 - Befestigungselement, Flachbandkabelhalter, Schraubmontage, Nylon 6.6, grau, 26.2mm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH2-S6-C14 | Panduit Corp | Description: CABLE MNT #6 STACK TO .25" | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH20A03L | NIEC | 2001 | auf Bestellung 157 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH20A06 | auf Bestellung 1692 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FCH20A10 | NIHON | 09+ | auf Bestellung 30018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH20A15 | Kyocera AVX | Schottky Diodes & Rectifiers 150V 20A TO-220 FULL-MOLD | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH20A15 | KYOCERA AVX | Description: KYOCERA AVX - FCH20A15 - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220FP, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FP Durchlassstoßstrom: 180A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 900mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH20A15 | NIEC | 09+ | auf Bestellung 70018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH20A15 | KYOCERA AVX | Description: DIODE ARR SCHOTT 150V TO220 FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH20A15 | NIEC | TO-220AB | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH20A15G | NIHON | TO220 | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH20A20 | KYOCERA AVX | Description: DIODE ARR SCHOTT 200V TO220 FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 200 V | auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH20A20 | NIEC | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH20A20 | Kyocera AVX | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO-220 FULL MOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH20A20 | NIEC | 09+ | auf Bestellung 20018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH20B06 | ?? | TO-220 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH20E10 | KYOCERA AVX | Schottky Diodes & Rectifiers 100V 20A TO-220 FULL-MOLD | auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH20E10 | KYOCERA AVX | Description: DIODE ARR SCHOTT 100V TO220 FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH20E10 | KYOCERA AVX | Description: KYOCERA AVX - FCH20E10 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220FP, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FP Durchlassstoßstrom: 180A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 800mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH20N60 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V | auf Bestellung 838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH20N60 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH20N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH20U10 | SHINDE | auf Bestellung 2320 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH20U10 | NIEC | TO-220AB | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH20U15 | auf Bestellung 1941 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FCH211 | SIEMENS | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH22N60N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH22N60N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH22N60N | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 66A; 205W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 205W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH22N60N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH22N60N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH22N60N | onsemi / Fairchild | MOSFETs SUPREMOS 22A-TO247 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH22N60N | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 66A; 205W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 205W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH252505T-V2 | AMEC THERMASOL | Description: AMEC THERMASOL - FCH252505T-V2 - Kühlkörper, mit Rippen, 6 W/m.K, 25 mm, 5 mm, 25 mm tariffCode: 85479000 rohsCompliant: YES Außenhöhe - imperial: 0.2" hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Außenhöhe - metrisch: 5mm euEccn: NLR Außenbreite - metrisch: 25mm Wärmewiderstand: 6W/m.K Produktpalette: FCH Series Gekühlte Bauformen/Gehäuse: - productTraceability: No Außendurchmesser - metrisch: - Außendurchmesser - imperial: - Kühlkörpermaterial: Keramik Außenlänge - metrisch: 25mm Außenbreite - Zoll: 0.98" Außenlänge - imperial: 0.98" SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH25255T | AMEC THERMASOL | Description: AMEC THERMASOL - FCH25255T - Kühlkörper, 25.4 mm, 5 mm, 25 mm tariffCode: 69091900 rohsCompliant: YES Außenhöhe - imperial: 0.2" hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Außenhöhe - metrisch: 5mm euEccn: NLR Außenbreite - metrisch: 25.4mm Wärmewiderstand: - Produktpalette: - Gekühlte Bauformen/Gehäuse: - productTraceability: No Außendurchmesser - metrisch: - Außendurchmesser - imperial: - Kühlkörpermaterial: Keramik Außenlänge - metrisch: 25mm Außenbreite - Zoll: 1" Außenlänge - imperial: 1" SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH2532 | STARRETT | Description: STARRETT - FCH2532 - Lochsäge, Bimetall, 20mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe tariffCode: 82079091 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Schnitttiefe, max.: 41mm euEccn: NLR hazardous: false Blatt-/Scheibendurchmesser: 20mm rohsPhthalatesCompliant: TBA Klingenmaterial: Bimetall usEccn: EAR99 Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH25N60N | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH25N60N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH25N60N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 216W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3352 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH25N60N | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH25N60N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH25N60N | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V N-Channel MOSFET SupreMOS | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH25N60N | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 75A; 216W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 216W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 108mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH25N60N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH25N60N | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail | auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH25N60N | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 216W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3352 pF @ 100 V | auf Bestellung 6788 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH25N60N | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH25N60N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH25N60N | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH25N60N | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 75A; 216W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 216W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 108mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH25N60N | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail | auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH303005T-V2 | AMEC THERMASOL | Description: AMEC THERMASOL - FCH303005T-V2 - Kühlkörper, mit Rippen, 6 W/m.K, 30 mm, 5.25 mm, 30 mm tariffCode: 85479000 rohsCompliant: YES Außenhöhe - imperial: 0.21" hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Außenhöhe - metrisch: 5.25mm euEccn: NLR Außenbreite - metrisch: 30mm Wärmewiderstand: 6W/m.K Produktpalette: FCH Series Gekühlte Bauformen/Gehäuse: - productTraceability: No Außendurchmesser - metrisch: - Außendurchmesser - imperial: - Kühlkörpermaterial: Keramik Außenlänge - metrisch: 30mm Außenbreite - Zoll: 1.18" Außenlänge - imperial: 1.18" SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH30305T | AMEC THERMASOL | Description: AMEC THERMASOL - FCH30305T - Kühlkörper, 999 °C/W, 30 mm, 5.25 mm, 30 mm tariffCode: 69091900 rohsCompliant: YES Außenhöhe - imperial: 0.21" hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Außenhöhe - metrisch: 5.25mm euEccn: NLR Außenbreite - metrisch: 30mm Wärmewiderstand: 999°C/W Produktpalette: - Gekühlte Bauformen/Gehäuse: - productTraceability: No Außendurchmesser - metrisch: - Außendurchmesser - imperial: - Kühlkörpermaterial: Keramik Außenlänge - metrisch: 30mm Außenbreite - Zoll: 1.18" Außenlänge - imperial: 1.18" SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH303512T | AMEC THERMASOL | Description: AMEC THERMASOL - FCH303512T - Kühlkörper, 30 mm, 12.25 mm, 35 mm tariffCode: 69091900 rohsCompliant: YES Außenhöhe - imperial: 0.48" hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Außenhöhe - metrisch: 12.25mm euEccn: NLR Außenbreite - metrisch: 30mm Wärmewiderstand: - Produktpalette: - Gekühlte Bauformen/Gehäuse: - productTraceability: No Außendurchmesser - metrisch: - Außendurchmesser - imperial: - Kühlkörpermaterial: Keramik Außenlänge - metrisch: 35mm Außenbreite - Zoll: 1.18" Außenlänge - imperial: 1.38" SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH30A03L | NIHON | 09+ | auf Bestellung 30018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH30A04 | NI | TO-220 04+ | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH30A06 | NIHON | 09+ | auf Bestellung 30018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH30A06 | NIEC | TO-220AB | auf Bestellung 7800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH30A06 Produktcode: 46274
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH30A10 | NIHON | 09+ | auf Bestellung 30018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH30A15 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FCH30AU10 | KYOCERA AVX | Description: DIODE SCHOT 100V 30A TO220 F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH30B15 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FCH3216-R10M | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FCH35N60 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 25 V | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH35N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel SuperFET | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH35N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH35N60 | ONSEMI | FCH35N60 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH35N60 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH35N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH404005T-V2 | AMEC THERMASOL | Description: AMEC THERMASOL - FCH404005T-V2 - Kühlkörper, mit Rippen, 6 W/m.K, 40 mm, 5.25 mm, 40 mm tariffCode: 85479000 rohsCompliant: YES Außenhöhe - imperial: 0.21" hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Außenhöhe - metrisch: 5.25mm euEccn: NLR Außenbreite - metrisch: 40mm Wärmewiderstand: 6W/m.K Produktpalette: FCH Series Gekühlte Bauformen/Gehäuse: - productTraceability: No Außendurchmesser - metrisch: - Außendurchmesser - imperial: - Kühlkörpermaterial: Keramik Außenlänge - metrisch: 40mm Außenbreite - Zoll: 1.57" Außenlänge - imperial: 1.57" SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH40405T | AMEC THERMASOL | Description: AMEC THERMASOL - FCH40405T - Kühlkörper, 999 °C/W, 40 mm, 5.25 mm, 40 mm tariffCode: 69091900 rohsCompliant: YES Außenhöhe - imperial: 0.21" hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Außenhöhe - metrisch: 5.25mm euEccn: NLR Außenbreite - metrisch: 40mm Wärmewiderstand: 999°C/W Produktpalette: - Gekühlte Bauformen/Gehäuse: - productTraceability: No Außendurchmesser - metrisch: - Außendurchmesser - imperial: - Kühlkörpermaterial: Keramik Außenlänge - metrisch: 40mm Außenbreite - Zoll: 1.57" Außenlänge - imperial: 1.57" SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 650V SUPER FET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60-F085 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Case: TO247 Power dissipation: 417W Gate charge: 187nC Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A On-state resistance: 64mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V, 47A, SuperFET | auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH47N60-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 47A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60-F085 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Case: TO247 Power dissipation: 417W Gate charge: 187nC Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A On-state resistance: 64mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60-F133 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH47N60-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-247AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-247AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60-F133 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60-F133 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FCH47N60-F133 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60-F133 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 4290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60-F133 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperFET® | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH47N60-F133 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V | auf Bestellung 583 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH47N60-F133 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V N-Channel MOSFET | auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH47N60-F133 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60F | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60F(Transistor) Produktcode: 95873
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| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH47N60F-F085 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 66mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60F-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60F-F085 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 66mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60F-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60F-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60F-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH47N60F-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60F-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL MOSFET 600V, 47A Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH47N60F-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET NMOS TO247 600V 47 MOHM | auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH47N60F-F133 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V | auf Bestellung 561 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH47N60F-F133 | ONSEMI | FCH47N60F-F133 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60F-F133 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH47N60F-F133 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60F-F133 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V N-Channel MOSFET | auf Bestellung 401 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH47N60F-F133 | ON Semiconductor | auf Bestellung 905 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH47N60F-F133 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60F_F133 | FCS | 10+ T0-247 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60F_F133 | fairchild | 2011+ | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60N | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V N-Chan MOSFET SupreMOS | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH47N60N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH47N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.0515 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 47 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 368 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 368 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0515 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0515 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 368W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 100 V | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH47N60N | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH47N60N | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 368W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29.7A Pulsed drain current: 141A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 51.5Ω Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60N | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 368W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 100 V | auf Bestellung 1010 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH47N60N | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH47N60N | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 368W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29.7A Pulsed drain current: 141A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 51.5Ω Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 368W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60N | ON Semiconductor | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH47N60N | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCH47N60NF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 45.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60NF | ON Semiconductor | auf Bestellung 8970 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCH47N60NF | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28.9A; Idm: 137.4A; 368W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28.9A Pulsed drain current: 137.4A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 57.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60NF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 45.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60NF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 45.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 368W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60NF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 45.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60NF | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28.9A; Idm: 137.4A; 368W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28.9A Pulsed drain current: 137.4A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 57.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60NF | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH47N60NF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCH47N60NF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45.8 A, 0.0575 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 45.8 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 368 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 368 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0575 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH505010T | AMEC THERMASOL | Description: AMEC THERMASOL - FCH505010T - Kühlkörper, 999 °C/W, 50 mm, 10.25 mm, 50 mm tariffCode: 69091900 rohsCompliant: YES Außenhöhe - imperial: 0.41" hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Außenhöhe - metrisch: 10.25mm euEccn: NLR Außenbreite - metrisch: 50mm Wärmewiderstand: 999°C/W Produktpalette: - Gekühlte Bauformen/Gehäuse: - productTraceability: No Außendurchmesser - metrisch: - Außendurchmesser - imperial: - Kühlkörpermaterial: Keramik Außenlänge - metrisch: 50mm Außenbreite - Zoll: 1.97" Außenlänge - imperial: 1.97" SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH76N60N | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 543W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12385 pF @ 100 V | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH76N60N | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V N-Chan MOSFET SupreMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH76N60N | ONSEMI | FCH76N60N THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH76N60N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH76N60N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 543W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12385 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH76N60NF | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH76N60NF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 72.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH76N60NF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 72.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH76N60NF | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 543W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11045 pF @ 100 V | auf Bestellung 4950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCH76N60NF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 72.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 543W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11045 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCH76N60NF | ONSEMI | FCH76N60NF THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHC20-1R0M-RC | Allied Components International | Description: 1.0uH +/-20% Ferrite Core Chip Tolerance: ±20% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.146" L x 0.114" W (3.70mm x 2.90mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Wirewound Operating Temperature: -25°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 80mOhm Q @ Freq: 20 @ 7.96MHz Frequency - Self Resonant: 100MHz Current - Saturation (Isat): 1.5A Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.083" (2.10mm) Part Status: Active Inductance: 1 µH | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHC20-3R3K-RC | Allied Components International | Description: 3.3uH +/-10% Ferrite Core Chip Tolerance: ±10% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.146" L x 0.114" W (3.70mm x 2.90mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Wirewound Operating Temperature: -25°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 160mOhm Q @ Freq: 20 @ 7.96MHz Frequency - Self Resonant: 54MHz Current - Saturation (Isat): 837mA Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.083" (2.10mm) Part Status: Active Inductance: 3.3 µH | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHC20-5R6K-RC | Allied Components International | Description: 5.6uH +/-10% Ferrite Core Chip Tolerance: ±10% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1414 (3535 Metric) Size / Dimension: 0.146" L x 0.142" W (3.70mm x 3.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Wirewound Operating Temperature: -25°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 260mOhm Q @ Freq: 20 @ 7.96MHz Frequency - Self Resonant: 36MHz Current - Saturation (Isat): 620mA Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz Supplier Device Package: 1414 Height - Seated (Max): 0.114" (2.90mm) Part Status: Active Inductance: 5.6 µH | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHC20-681K-RC | Allied Components International | Description: 680uH +/-10% High Current Chip Tolerance: ±10% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1414 (3535 Metric) Size / Dimension: 0.146" L x 0.142" W (3.70mm x 3.60mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Wirewound Operating Temperature: -25°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 28Ohm Q @ Freq: 15 @ 796kHz Frequency - Self Resonant: 2MHz Current - Saturation (Isat): 65mA Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 796 kHz Supplier Device Package: 1414 Height - Seated (Max): 0.114" (2.90mm) Part Status: Active Inductance: 680 µH | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHD040N65S3 | onsemi | onsemi | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHD040N65S3-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 417W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 41A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 35.4Ω/4mΩ Pulsed drain current: 162.5A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHD040N65S3-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCHD040N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 65 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 417 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHD040N65S3-F155 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 417W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 41A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 35.4Ω/4mΩ Pulsed drain current: 162.5A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHD040N65S3-F155 | onsemi | MOSFET Easy Drive 650V 65A 40 mOhm | auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHD040N65S3-F155 | ON Semiconductor | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCHD040N65S3-F155 | ON Semiconductor | N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHD040N65S3-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHD125N65S3R0-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHD125N65S3R0-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCHD125N65S3R0-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-247AD Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 181 Bauform - Transistor: TO-247AD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SUPERFET III Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHD125N65S3R0-F155 | onsemi | MOSFET Easy Drive 650V 24A 125 mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHD190N65S3R0-F155 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHD190N65S3R0-F155 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FCHD190N65S3R0-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.159 ohm, TO-247AD Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 17 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 144 Bauform - Transistor: TO-247AD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SUPERFET III Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHD190N65S3R0-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHD190N65S3R0-F155 | onsemi | MOSFET Easy Drive 650V 17A 190 mOhm | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHD190N65S3R0-F155 | ON Semiconductor | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCHM | Cynergy 3 | Description: PUMP CONTROLLER - PRESSURE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E1000BBT1 | Vishay | High Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1% | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 607-611 Tag (e) |
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| FCHP0402E1000BBT1 | Vishay / Thin Film | High Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1% | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHP0402E1000BBT1 | VISHAY | Description: VISHAY - FCHP0402E1000BBT1 - RES, 100R, 0.1%, 1W, 0402, THIN FILM tariffCode: 85332100 rohsCompliant: TBA Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [1005 Metric] Widerstandstechnologie: Thin Film hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstandstyp: High Power Widerstand: 100ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 0.1% Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C Produktlänge: 1.02mm euEccn: NLR Produktpalette: FCHP Series productTraceability: No Nennspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.5mm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E1000BGT1 | VISHAY | Description: VISHAY - FCHP0402E1000BGT1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 100 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstandstyp: Hochleistung Widerstand: 100ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 0.1% Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C Produktlänge: 1.07mm euEccn: NLR Produktpalette: Produktreihe FCHP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.56mm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E1000BGT1 | Vishay | High Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1% | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHP0402E1000BGT1 | Vishay Dale Thin Film | Description: FCHP0402 25PPM 100 OHM 0.1% GOLD Power (Watts): 1W Tolerance: ±0.1% Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0402 (1005 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0402 Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm) Resistance: 100 Ohms | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHP0402E1000BGT1 | VISHAY | Description: VISHAY - FCHP0402E1000BGT1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 100 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstandstyp: Hochleistung Widerstand: 100ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 0.1% Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C Produktlänge: 1.07mm euEccn: NLR Produktpalette: Produktreihe FCHP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.56mm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E1000BGT1 | Vishay / Thin Film | High Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1% | auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHP0402E1000BGT1 | Vishay Dale Thin Film | Description: FCHP0402 25PPM 100 OHM 0.1% GOLD Power (Watts): 1W Tolerance: ±0.1% Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0402 (1005 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0402 Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm) Resistance: 100 Ohms | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHP0402E1000BGT1. | VISHAY | Description: VISHAY - FCHP0402E1000BGT1. - RES, 100R, 0.1%, 1W, 0402, THIN FILM tariffCode: 0 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [1005 Metric] Widerstandstechnologie: Thin Film hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstandstyp: High Power Widerstand: 100ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0.1% Temperaturkoeffizient: 25ppm/C Produktlänge: 1.02mm euEccn: NLR Produktpalette: FCHP Series productTraceability: No Nennspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.5mm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E1000BST1 | Vishay / Thin Film | High Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1% | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 164-168 Tag (e) |
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| FCHP0402E1000BST1 | Vishay Dale Thin Film | Description: FCHP0402 25PPM 100 OHM 0.1% LEAD Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 1W Tolerance: ±0.1% Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety Package / Case: 0402 (1005 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0402 Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm) Resistance: 100 Ohms | auf Bestellung 736 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHP0402E1000BST1 | VISHAY | Description: VISHAY - FCHP0402E1000BST1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 100 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstandstyp: Hochleistung Widerstand: 100ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0.1% Temperaturkoeffizient: 25ppm/C Produktlänge: 1.07mm euEccn: NLR Produktpalette: Produktreihe FCHP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.56mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E1000BST1 | Vishay | High Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1% | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHP0402E1000BST1 | Vishay Dale Thin Film | Description: FCHP0402 25PPM 100 OHM 0.1% LEAD Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 1W Tolerance: ±0.1% Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety Package / Case: 0402 (1005 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0402 Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm) Resistance: 100 Ohms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E1000BST1 | VISHAY | Description: VISHAY - FCHP0402E1000BST1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 100 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstandstyp: Hochleistung Widerstand: 100ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0.1% Temperaturkoeffizient: 25ppm/C Produktlänge: 1.07mm euEccn: NLR Produktpalette: Produktreihe FCHP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.56mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E1000BST1. | VISHAY | Description: VISHAY - FCHP0402E1000BST1. - RES, 100R, 0.1%, 1W, 0402, THIN FILM tariffCode: 0 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [1005 Metric] Widerstandstechnologie: Thin Film hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstandstyp: High Power Widerstand: 100ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0.1% Temperaturkoeffizient: 25ppm/C Produktlänge: 1.02mm euEccn: NLR Produktpalette: FCHP Series productTraceability: No Nennspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.5mm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E1000BTT1 | VISHAY | Description: VISHAY - FCHP0402E1000BTT1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 100 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstandstyp: Hochleistung Widerstand: 100ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0.1% Temperaturkoeffizient: 25ppm/C Produktlänge: 1.07mm euEccn: NLR Produktpalette: Produktreihe FCHP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.56mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E1000BTT1 | Vishay / Thin Film | High Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1% | auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHP0402E1000BTT1 | Vishay Dale Thin Film | Description: FCHP0402 25PPM 100 OHM 0.1% TOPS Power (Watts): 1W Tolerance: ±0.1% Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0402 (1005 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0402 Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm) Resistance: 100 Ohms | auf Bestellung 658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHP0402E1000BTT1 | Vishay | High Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1% | auf Bestellung 4385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHP0402E1000BTT1 | VISHAY | Description: VISHAY - FCHP0402E1000BTT1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 100 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstandstyp: Hochleistung Widerstand: 100ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0.1% Temperaturkoeffizient: 25ppm/C Produktlänge: 1.07mm euEccn: NLR Produktpalette: Produktreihe FCHP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.56mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E1000BTT1 | Vishay Dale Thin Film | Description: FCHP0402 25PPM 100 OHM 0.1% TOPS Power (Watts): 1W Tolerance: ±0.1% Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0402 (1005 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0402 Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm) Resistance: 100 Ohms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E1000BTT1. | VISHAY | Description: VISHAY - FCHP0402E1000BTT1. - RES, 100R, 0.1%, 1W, 0402, THIN FILM tariffCode: 0 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [1005 Metric] Widerstandstechnologie: Thin Film hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstandstyp: High Power Widerstand: 100ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0.1% Temperaturkoeffizient: 25ppm/C Produktlänge: 1.02mm euEccn: NLR Produktpalette: FCHP Series productTraceability: No Nennspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.5mm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 1031 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E50R0BBT1 | Vishay Dale Thin Film | Description: FCHP0402 25PPM 50 OHM 0.1% LEAD Power (Watts): 1W Tolerance: ±0.1% Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0402 (1005 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0402 Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm) Resistance: 50 Ohms | auf Bestellung 2196 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHP0402E50R0BBT1 | Vishay / Thin Film | High Frequency/RF Resistors 50w 50ohm .1% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E50R0BBT1 | Vishay Dale Thin Film | Description: FCHP0402 25PPM 50 OHM 0.1% LEAD Power (Watts): 1W Tolerance: ±0.1% Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0402 (1005 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0402 Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm) Resistance: 50 Ohms | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHP0402E50R0BGT1 | Vishay / Thin Film | High Frequency/RF Resistors 50w 50ohm .1% | auf Bestellung 2948 Stücke: Lieferzeit 248-252 Tag (e) |
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| FCHP0402E50R0BGT1 | Vishay | High Frequency/RF Resistors 50w 50ohm .1% | auf Bestellung 1634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHP0402E50R0BGT1. | VISHAY | Description: VISHAY - FCHP0402E50R0BGT1. - RES, 50R, 0.1%, 1W, 0402, THIN FILM tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [1005 Metric] Widerstandstechnologie: Thin Film hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstandstyp: High Power Widerstand: 50ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 0.1% Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C Produktlänge: 1.02mm euEccn: NLR Produktpalette: FCHP Series productTraceability: No Nennspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.5mm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E50R0BST1 | VISHAY | Description: VISHAY - FCHP0402E50R0BST1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 50 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstandstyp: Hochleistung Widerstand: 50ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0.1% Temperaturkoeffizient: 25ppm/C Produktlänge: 1.07mm euEccn: NLR Produktpalette: Produktreihe FCHP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.56mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E50R0BST1 | Vishay Dale Thin Film | Description: FCHP0402 25PPM 50 OHM 0.1% LEAD Power (Watts): 1W Tolerance: ±0.1% Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0402 (1005 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0402 Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm) Resistance: 50 Ohms | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHP0402E50R0BST1 | VISHAY | Description: VISHAY - FCHP0402E50R0BST1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 50 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstandstyp: Hochleistung Widerstand: 50ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0.1% Temperaturkoeffizient: 25ppm/C Produktlänge: 1.07mm euEccn: NLR Produktpalette: Produktreihe FCHP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.56mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E50R0BST1 | Vishay / Thin Film | High Frequency/RF Resistors 50w 50ohm .1% | auf Bestellung 8400 Stücke: Lieferzeit 248-252 Tag (e) |
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| FCHP0402E50R0BST1 | Vishay Dale Thin Film | Description: FCHP0402 25PPM 50 OHM 0.1% LEAD Power (Watts): 1W Tolerance: ±0.1% Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0402 (1005 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0402 Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm) Resistance: 50 Ohms | auf Bestellung 2261 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHP0402E50R0BTT1 | Vishay Dale Thin Film | Description: FCHP0402 25PPM 50 OHM 0.1% TOPSI Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 1W Tolerance: ±0.1% Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety Package / Case: 0402 (1005 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0402 Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm) Resistance: 50 Ohms | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHP0402E50R0BTT1 | Vishay / Thin Film | High Frequency/RF Resistors 50w 50ohm .1% | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 262-266 Tag (e) |
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| FCHP0402E50R0BTT1 | VISHAY | Description: VISHAY - FCHP0402E50R0BTT1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 50 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstandstyp: Hochleistung Widerstand: 50ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0.1% Temperaturkoeffizient: 25ppm/C Produktlänge: 1.07mm euEccn: NLR Produktpalette: Produktreihe FCHP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.56mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E50R0BTT1 | VISHAY | Description: VISHAY - FCHP0402E50R0BTT1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 50 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstandstyp: Hochleistung Widerstand: 50ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0.1% Temperaturkoeffizient: 25ppm/C Produktlänge: 1.07mm euEccn: NLR Produktpalette: Produktreihe FCHP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.56mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHP0402E50R0BTT1 | Vishay Dale Thin Film | Description: FCHP0402 25PPM 50 OHM 0.1% TOPSI Packaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 1W Tolerance: ±0.1% Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety Package / Case: 0402 (1005 Metric) Temperature Coefficient: ±25ppm/°C Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0402 Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm) Resistance: 50 Ohms | auf Bestellung 1580 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHS10A065 | KYOCERA AVX | Description: DIODE ARR SCHOT 65V 10A TO220 FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 65 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHS10A065 | KYOCERA | Diode Schottky 65V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCHS10A065 | Kyocera AVX | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 65V 10A TO-220 FULL MOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHS10A08 | Kyocera AVX | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 85V 10A TO-220 FULL MOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHS10A08 | KYOCERA AVX | Description: DIODE ARR SCHOT 80V 10A TO220 FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 80 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHS10A12 | KYOCERA AVX | Description: DIODE ARR SCHOTTKY 120V TO220 FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 860 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 120 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHS20A065 | KYOCERA AVX | Description: DIODE ARR SCHOT 65V 20A TO220 FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHS20A08 | KYOCERA AVX | Description: DIODE ARR SCHOT 80V 20A TO220 FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 80 V | auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHS20A08 | KYOCERA AVX | Description: KYOCERA AVX - FCHS20A08 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220FP, 3 Pin(s), 750 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FP Durchlassstoßstrom: 180A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 750mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHS20A08 | Kyocera AVX | Diodes - General Purpose, Power, Switching 80V 20A TO-220 FULL-MOLD | auf Bestellung 351 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHS20A12 | KYOCERA AVX | Description: DIODE ARR SCHOTT 120V TO220 FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 120 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FCHS20A12 | KYOCERA AVX | Description: KYOCERA AVX - FCHS20A12 - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220FP, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FP Durchlassstoßstrom: 180 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 890 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHS20A12 | KYOCERA AVX | Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 20A TO-220 FULL-MOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FCHS30A12 | KYOCERA AVX | Description: DIODE SCHOT 120V 30A TO220 F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 120 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |