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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
FCH-11/06.2330PRO POWERDescription: PRO POWER - FCH-11/06.2330 - HF-/Koaxialsteckverbinder, F-Koaxial, Gerader Stecker, Twist-On, 75 ohm
Steckverbindertyp: 0
Steckverbinderausführung: Gerader Stecker
Koaxialanschluss: Twist-On
Impedanz: 75
Steckverbindermontage: Kabelmontage
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH-FGC00182ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC00182R - Kanalheizung, Produktreihe FCH-FGC0, 70°C, 24V, 20W, Gehäuseheizung und Heizlüfter
Versorgungsspannung: 24
Temperatur der ausströmenden Luft, max.: 70
Durchflussrate, max.: 5.1
Mantelmaterial: -
Stromverbrauch: 20
Wattdichte: -
Einlass NPT: -
Beheizte Länge - metrisch: -
Phasen: -
Beheizte Länge - imperial: -
Auslass NPT: -
Anzahl der Heizelemente: -
Außendurchmesser: -
Produktpalette: FCH-FGC0 Series
Kanalheizung: Gehäuseheizung und Heizlüfter
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH-FGC05032ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC05032R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH-FGC05242ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC05242R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH-FGC10022ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC10022R - Heizlüfter, 60 W, 12 V, 8 cu.ft/min, 42 mm, 42 mm, 72 mm
Luftdurchsatz: 8
Nennleistung: 60
Netzsteckertyp: -
Versorgungsspannung: 12
Außentiefe: 72
Außenhöhe: 42
Außenbreite: 42
Produktpalette: FCH-FGC1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH-FGC10262ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC10262R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH-FGC10312ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC10312R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH-FGC15012ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC15012R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH-FGC15022ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC15022R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH-FGC15142ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC15142R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH-FGC20022ROMEGADescription: OMEGA - FCH-FGC20022R - ELECTRIC HEATERS: ENCLOSURE& FAN HEATERS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH0100STARRETTDescription: STARRETT - FCH0100 - Lochsäge, Bimetall, 25mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
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Blatt-/Scheibendurchmesser: 25mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH0112STARRETTDescription: STARRETT - FCH0112 - Lochsäge, Bimetall, 38mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
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Blatt-/Scheibendurchmesser: 38mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH0114STARRETTDescription: STARRETT - FCH0114 - Lochsäge, Bimetall, 32mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
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Blatt-/Scheibendurchmesser: 32mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH0134STARRETTDescription: STARRETT - FCH0134 - Lochsäge, Bimetall, 44mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
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Blatt-/Scheibendurchmesser: 44mm
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Klingenmaterial: Bimetall
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Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH0158STARRETTDescription: STARRETT - FCH0158 - Lochsäge, Bimetall, 41mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
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Blatt-/Scheibendurchmesser: 41mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
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Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH0196STARRETTDescription: STARRETT - FCH0196 - Lochsäge, Bimetall, 40mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
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Blatt-/Scheibendurchmesser: 40mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
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Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH0200STARRETTDescription: STARRETT - FCH0200 - Lochsäge, Bimetall, 51mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
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Blatt-/Scheibendurchmesser: 51mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
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Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH0212STARRETTDescription: STARRETT - FCH0212 - Lochsäge, Bimetall, 64mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
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Blatt-/Scheibendurchmesser: 64mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH0234STARRETTDescription: STARRETT - FCH0234 - Lochsäge, Bimetall, 70mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
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Blatt-/Scheibendurchmesser: 70mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH0238STARRETTDescription: STARRETT - FCH0238 - Lochsäge, Bimetall, 60mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 60mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH023N65S3onsemionsemi SF3 650V 23MOHM E TO247L
Produkt ist nicht verfügbar
FCH023N65S3-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH023N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH023N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH023N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+32.65 EUR
10+ 29.26 EUR
25+ 27.06 EUR
50+ 24.88 EUR
100+ 23.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FCH023N65S3-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V
auf Bestellung 10259 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+50.62 EUR
30+ 41.96 EUR
120+ 39.33 EUR
510+ 33.57 EUR
FCH023N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH023N65S3-F155onsemi / FairchildMOSFET SuperFET3 650V 23 mOhm
auf Bestellung 1132 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+42.38 EUR
10+ 42.33 EUR
25+ 38.3 EUR
50+ 37.91 EUR
100+ 36.74 EUR
250+ 35.7 EUR
450+ 34.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH023N65S3-F155
Produktcode: 160087
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FCH023N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH023N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+32.65 EUR
10+ 29.26 EUR
25+ 27.06 EUR
50+ 24.88 EUR
100+ 23.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FCH023N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH023N65S3L4ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65.8A; Idm: 300A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 65.8A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH023N65S3L4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH023N65S3L4ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65.8A; Idm: 300A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 65.8A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH023N65S3L4ON Semiconductor
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH023N65S3L4ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH023N65S3L4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH023N65S3L4onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
FCH023N65S3L4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH023N65S3L4onsemi / FairchildMOSFET 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+54.65 EUR
10+ 49.5 EUR
25+ 42.35 EUR
50+ 42.17 EUR
100+ 40.87 EUR
250+ 40.56 EUR
450+ 36.45 EUR
FCH0278STARRETTDescription: STARRETT - FCH0278 - Lochsäge, Bimetall, 73mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 73mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH029N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH029N65S3-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 201 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
FCH029N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH029N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+28.03 EUR
10+ 25.05 EUR
25+ 20.14 EUR
100+ 19.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FCH029N65S3-F155onsemiMOSFET SF3 650V EASY 29MOHM, TO-247
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+51.06 EUR
10+ 46.36 EUR
25+ 44.51 EUR
50+ 43.03 EUR
100+ 41.63 EUR
450+ 35.36 EUR
2700+ 35.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH029N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.8A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 463W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 201nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH029N65S3-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH029N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH029N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.8A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 463W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 201nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH0300STARRETTDescription: STARRETT - FCH0300 - Lochsäge, Bimetall, 76mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 76mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH0314STARRETTDescription: STARRETT - FCH0314 - Lochsäge, Bimetall, 83mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 83mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH0318STARRETTDescription: STARRETT - FCH0318 - Lochsäge, Bimetall, 79mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 79mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH0400STARRETTDescription: STARRETT - FCH0400 - Lochsäge, Bimetall, 102mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 102mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH040N65S3onsemionsemi SF3 650V 40MOHM E TO247L
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FCH040N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH040N65S3-F155ON Semiconductor
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH040N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH040N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH040N65S3-F155onsemi / FairchildMOSFET SuperFET3 650V 40 mOhm
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+29.77 EUR
10+ 26.29 EUR
25+ 24.1 EUR
50+ 22.67 EUR
100+ 22.65 EUR
250+ 20.57 EUR
450+ 19.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH040N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH040N65S3-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH040N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0354 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 417
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0354
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH040N65S3-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V
auf Bestellung 1152 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+29.56 EUR
30+ 23.93 EUR
120+ 22.52 EUR
510+ 20.41 EUR
1020+ 18.72 EUR
FCH0412STARRETTDescription: STARRETT - FCH0412 - Lochsäge, Bimetall, 114mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 114mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH0418STARRETTDescription: STARRETT - FCH0418 - Lochsäge, Bimetall, 105mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 105mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH041N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.7A
Pulsed drain current: 231A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N60Eonsemi / FairchildMOSFET N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600V, 77A, 41mO
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+30.58 EUR
10+ 26.94 EUR
30+ 26.21 EUR
60+ 24.75 EUR
120+ 23.32 EUR
270+ 22.57 EUR
510+ 21.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH041N60EON Semiconductor
auf Bestellung 8930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH041N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 77A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 592W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 100 V
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+30.37 EUR
30+ 24.59 EUR
120+ 23.15 EUR
FCH041N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH041N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.7A; Idm: 231A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.7A
Pulsed drain current: 231A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCH041N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N60F
Produktcode: 194305
Transistoren > MOSFET N-CH
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FCH041N60FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N60FonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14365 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N60FON Semiconductor
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH041N60FONSEMIDescription: ONSEMI - FCH041N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH041N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N60FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N60Fonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel MOSFET, FRFET
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N60F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N60F-F085onsemi / FairchildMOSFET Auto SuperFET2 600V 41mOhm, 76A, FRFET
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N60F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N60F-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 347 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N65EFonsemionsemi SF2 650V 44MOHM F TO247L
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N65EFONSEMIDescription: ONSEMI - FCH041N65EF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH041N65EFFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
36+19.77 EUR
Mindestbestellmenge: 36
FCH041N65EF-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+21.51 EUR
10+ 19.22 EUR
30+ 15.87 EUR
120+ 13.7 EUR
510+ 12.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FCH041N65EF-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N65EF-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N65EF-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+21.51 EUR
10+ 19.22 EUR
30+ 15.87 EUR
120+ 13.7 EUR
510+ 12.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FCH041N65EF-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N65EF-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+36.92 EUR
10+ 33.94 EUR
FCH041N65EF-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N65EF-F155onsemi / FairchildMOSFET 700V NChnl SuperFET II FRFET MOSFET
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+33.07 EUR
10+ 29.07 EUR
25+ 28.42 EUR
50+ 25.35 EUR
100+ 25.06 EUR
250+ 22.98 EUR
450+ 22.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH041N65EF-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH041N65EF-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH041N65EF-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N65EF-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N65EF-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+32.6 EUR
10+ 28.74 EUR
100+ 24.86 EUR
FCH041N65EFL4Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FCH041N65EFL4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FCH041N65EFL4onsemi / FairchildMOSFET 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
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2+34.42 EUR
25+ 29.2 EUR
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FCH041N65EFL4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FCH041N65EFL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH041N65EFL4 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 232 Stücke:
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FCH041N65EFL4ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N65EFL4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N65EFL4onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N65EFL4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH041N65EFL4ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N65EFL4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FCH041N65EFL4ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N65EFLN4onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
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FCH041N65EFLN4ON SemiconductorMOSFET SF2 650V 44MOHM F TO2474L NARROW LEAD
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FCH041N65Fonsemionsemi SF2 650V 44MOHM F TO247L
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FCH041N65FFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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36+19.77 EUR
Mindestbestellmenge: 36
FCH041N65FONSEMIDescription: ONSEMI - FCH041N65F - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH041N65F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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FCH041N65F-F085onsemi / FairchildMOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
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2+33.85 EUR
10+ 29.82 EUR
25+ 28.76 EUR
50+ 27.43 EUR
100+ 25.3 EUR
250+ 24.54 EUR
450+ 20.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH041N65F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCH041N65F-F085ON SemiconductorFCH041N65F_F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 76A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
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FCH041N65F-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13566 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
32+22.61 EUR
Mindestbestellmenge: 32
FCH041N65F-F085ON Semiconductor
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FCH041N65F-F085ON SemiconductorFCH041N65F_F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 76A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
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FCH041N65F-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH041N65F-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH041N65F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH041N65F-F085ON SemiconductorFCH041N65F_F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 76A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
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FCH041N65F-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13020 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N65F-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH041N65F-F155 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N65F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N65F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Gate charge: 277nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 76A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
FCH041N65F-F155ON Semiconductor / FairchildMOSFET SuperFET2 650V, 44 mOhm, FRFET
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FCH041N65F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH0438STARRETTDescription: STARRETT - FCH0438 - Lochsäge, Bimetall, 111mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 111mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH043N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47.5A; Idm: 225A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47.5A
Pulsed drain current: 225A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH043N60onsemi / FairchildMOSFET SF2 600V 43MOHM F TO247
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+42.38 EUR
10+ 38.95 EUR
25+ 37.05 EUR
50+ 35.07 EUR
100+ 33.02 EUR
250+ 31.88 EUR
450+ 26.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH043N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH043N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH043N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.037 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 592
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH043N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH043N60Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 592W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12225 pF @ 400 V
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
27+27.03 EUR
Mindestbestellmenge: 27
FCH043N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47.5A; Idm: 225A; 592W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47.5A
Pulsed drain current: 225A
Power dissipation: 592W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH043N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH0500STARRETTDescription: STARRETT - FCH0500 - Lochsäge, Bimetall, 127mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 127mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH05A10NIHON09+
auf Bestellung 8018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH0600STARRETTDescription: STARRETT - FCH0600 - Lochsäge, Bimetall, 152mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 152mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH060N80-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH060N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 58 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 58
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH060N80-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 56A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14685 pF @ 100 V
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+41.52 EUR
10+ 36.6 EUR
450+ 28.69 EUR
FCH060N80-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 36.8A; Idm: 174A; 500W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.27µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 174A
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 36.8A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH060N80-F155
Produktcode: 158569
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FCH060N80-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 36.8A; Idm: 174A; 500W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.27µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 174A
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 36.8A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FCH060N80-F155onsemi / FairchildMOSFET SuperFET2 800V
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+41.83 EUR
10+ 36.82 EUR
25+ 35.88 EUR
50+ 34.32 EUR
100+ 31.54 EUR
250+ 29.8 EUR
450+ 28.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH060N80-F155ON Semiconductor
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH060N80-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH060N80_F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH060N80_F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH060N80_F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH060N80_F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH067N65S3onsemionsemi SF3 650V 67MOHM E TO247L
Produkt ist nicht verfügbar
FCH067N65S3-F155onsemi / FairchildMOSFET SuperFET3 650V 67 mOhm
auf Bestellung 2690 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+18.82 EUR
10+ 18.15 EUR
25+ 15.37 EUR
100+ 14.61 EUR
250+ 14.53 EUR
450+ 13.65 EUR
900+ 12.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FCH067N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH067N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH067N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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FCH067N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+9.31 EUR
18+ 8.46 EUR
30+ 7.85 EUR
Mindestbestellmenge: 17
FCH067N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH067N65S3-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH067N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH067N65S3-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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17+9.31 EUR
18+ 8.46 EUR
30+ 7.85 EUR
Mindestbestellmenge: 17
FCH067N65S3-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+23.24 EUR
30+ 18.56 EUR
120+ 16.61 EUR
510+ 14.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH06A10NIEC09+
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FCH070N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH070N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH070N60EONSEMIFCH070N60E THT N channel transistors
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FCH070N60EONSEMIDescription: ONSEMI - FCH070N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 52
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 481
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 481
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FCH070N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4925 pF @ 380 V
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+23.74 EUR
30+ 18.94 EUR
120+ 16.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH070N60Eonsemi / FairchildMOSFET SF2 600V 72MOHM E TO247
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+25.61 EUR
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120+ 19.14 EUR
510+ 15.13 EUR
1020+ 13.55 EUR
2520+ 13.34 EUR
5010+ 13.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FCH070N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH072N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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FCH072N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 380 V
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+21.71 EUR
10+ 19.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH072N60onsemi / FairchildMOSFET SF2 600V 72MOHM F TO247
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+21.94 EUR
10+ 18.8 EUR
30+ 14.35 EUR
120+ 12.25 EUR
270+ 11.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FCH072N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH072N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCH072N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH072N60ON Semiconductor
auf Bestellung 4850 Stücke:
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FCH072N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH072N60FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH072N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH072N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH072N60FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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FCH072N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+14.53 EUR
12+ 12.68 EUR
120+ 10.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FCH072N60FonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8660 pF @ 100 V
auf Bestellung 70243 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+21.35 EUR
30+ 17.03 EUR
120+ 15.24 EUR
510+ 13.45 EUR
1020+ 12.1 EUR
2010+ 11.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH072N60Fonsemi / FairchildMOSFET 600V, 52A, 72mOhm N-Channel Mosfet
auf Bestellung 8923 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+21.42 EUR
10+ 17.78 EUR
25+ 15.08 EUR
100+ 14.51 EUR
250+ 13.08 EUR
450+ 12.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FCH072N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+14.53 EUR
12+ 12.68 EUR
120+ 10.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FCH072N60FONSEMIDescription: ONSEMI - FCH072N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH072N60F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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FCH072N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH072N60F-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6330 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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FCH072N60F-F085onsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FCH072N60F-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH072N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 52A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH077N65F-F085ON SemiconductorFCH077N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+15.65 EUR
12+ 13.05 EUR
25+ 11.69 EUR
50+ 9.3 EUR
100+ 8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FCH077N65F-F085onsemi / FairchildMOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 210-224 Tag (e)
3+23.66 EUR
10+ 22.31 EUR
25+ 18.38 EUR
100+ 17.21 EUR
250+ 16.33 EUR
450+ 16.3 EUR
900+ 15.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FCH077N65F-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH077N65F-F085ON SemiconductorFCH077N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
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FCH077N65F-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
46+15.94 EUR
Mindestbestellmenge: 46
FCH077N65F-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH077N65F-F085 - FCH077N65F-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH077N65F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH077N65F-F085ON SemiconductorFCH077N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
FCH077N65F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH077N65F-F085ON SemiconductorFCH077N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+10.58 EUR
Mindestbestellmenge: 15
FCH077N65F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH077N65F-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+26.49 EUR
30+ 21.15 EUR
120+ 18.92 EUR
510+ 16.7 EUR
FCH077N65F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 162A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH077N65F-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+24.15 EUR
30+ 19.28 EUR
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FCH077N65F-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH077N65F-F155 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH077N65F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH077N65F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 162A; 481W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 162A
Power dissipation: 481W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH077N65F-F155ON Semiconductor
auf Bestellung 8910 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH077N65F-F155onsemi / FairchildMOSFET SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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250+ 16.38 EUR
450+ 15.34 EUR
900+ 13.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FCH077N65F-F155Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FCH085N80-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 86 Stücke:
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FCH085N80-F155onsemi / FairchildMOSFET SuperFET2 800V
auf Bestellung 450 Stücke:
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450+37.62 EUR
Mindestbestellmenge: 450
FCH085N80-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 29A; Idm: 138A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 138A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH085N80-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10825 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
FCH085N80-F155ON Semiconductor
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH085N80-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH085N80-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 46 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 46
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FCH085N80-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH085N80-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH085N80-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 29A; Idm: 138A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 138A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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FCH08A10NIHON09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH099N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH099N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 111A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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FCH099N60Eonsemi / FairchildMOSFET SuperFET2 600V Slow version
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FCH099N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3465 pF @ 380 V
Produkt ist nicht verfügbar
FCH099N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH099N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH099N65S3-F155onsemi / FairchildMOSFET SuperFET3 650V 99 mOhm, TO247 PKG
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+17.11 EUR
10+ 14.66 EUR
25+ 11.39 EUR
100+ 9.52 EUR
250+ 9.23 EUR
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FCH099N65S3-F155ON Semiconductor
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH099N65S3-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+16.98 EUR
30+ 13.55 EUR
120+ 12.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH099N65S3-F155ON SemiconductorN-Channel SuperFET III MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FCH099N65S3_F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
FCH104N60onsemi / FairchildMOSFET SuperFET2 600V Fast ver
Produkt ist nicht verfügbar
FCH104N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
Produkt ist nicht verfügbar
FCH104N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH104N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH104N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
115+6.29 EUR
Mindestbestellmenge: 115
FCH104N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 111A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH104N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH104N60F
Produktcode: 154661
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FCH104N60FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.104Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 357W
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
FCH104N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH104N60Fonsemi / FairchildMOSFET N-Channel SuperFET
auf Bestellung 3882 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.12 EUR
10+ 13.88 EUR
25+ 10.19 EUR
100+ 10.14 EUR
250+ 10.09 EUR
450+ 8.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FCH104N60FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.104Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 357W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH104N60FonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 100 V
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+16.02 EUR
30+ 12.78 EUR
120+ 11.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH104N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH104N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH104N60F-F085onsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 1344 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.61 EUR
10+ 12.53 EUR
25+ 9.96 EUR
100+ 8.32 EUR
250+ 8.09 EUR
900+ 8.06 EUR
2700+ 7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FCH104N60F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Mounting: THT
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.104Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 357W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH104N60F-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4302 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.48 EUR
30+ 11.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH104N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH104N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.33 EUR
27+ 5.65 EUR
30+ 4.85 EUR
120+ 4.2 EUR
270+ 3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FCH104N60F-F085
Produktcode: 189067
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FCH104N60F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Mounting: THT
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.104Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 357W
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
FCH10A04NIEC09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH10A06NIHON09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH10A10NIHON09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH10A15NIHON09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH10A15Kyocera AVXSchottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO-220 FULL MOLD
Produkt ist nicht verfügbar
FCH10A15KYOCERA AVXDescription: DIODE ARR SCHOTT 150V TO220 FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
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FCH10A20Kyocera AVXSchottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO-220 FULL MOLD
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FCH10A20KYOCERA AVXDescription: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO-220 F
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FCH110N65F-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+18.1 EUR
30+ 14.45 EUR
120+ 12.93 EUR
510+ 11.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH110N65F-F155ON Semiconductor
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH110N65F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH110N65F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 105A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 105A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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FCH110N65F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 105A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 105A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCH110N65F-F155onsemi / FairchildMOSFET SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 112-126 Tag (e)
3+18.23 EUR
10+ 15.63 EUR
25+ 13 EUR
250+ 11.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FCH125N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 87A
Power dissipation: 278W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH125N60EON Semiconductor
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH125N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH125N60Eonsemi / FairchildMOSFET 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
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FCH125N60EFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 380 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
120+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 120
FCH125N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH125N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 87A; 278W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 87A
Power dissipation: 278W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCH125N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH125N65S3R0-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH125N65S3R0-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.95 EUR
151+ 2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 53
FCH125N65S3R0-F155onsemiMOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.07 EUR
10+ 13.52 EUR
25+ 11.49 EUR
100+ 10.89 EUR
250+ 10.5 EUR
450+ 9.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FCH125N65S3R0-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH125N65S3R0-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 181
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH125N65S3R0-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+16.02 EUR
30+ 12.69 EUR
120+ 10.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH125N65S3R0-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH125N65S3R0-F155ON Semiconductor
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH125N65S3R0-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH125N65S3R0-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 181W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH130N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH130N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH130N60onsemi / FairchildMOSFET SuperFET2 600V, 130mohm
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+12.82 EUR
10+ 11.54 EUR
25+ 10.89 EUR
100+ 9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FCH130N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 380 V
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
144+6.17 EUR
Mindestbestellmenge: 144
FCH150N65F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14.9A; Idm: 72A; 298W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14.9A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 298W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.133Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH150N65F-F155onsemi / FairchildMOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.37 EUR
10+ 13.18 EUR
25+ 11.93 EUR
100+ 10.95 EUR
250+ 8.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FCH150N65F-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.24 EUR
30+ 12.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH150N65F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH150N65F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14.9A; Idm: 72A; 298W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14.9A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 298W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.133Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH150N65F-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH150N65F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH160808SF-1R0MTAI-TECH Advanced Electronics Co., Ltd.Description: IND 1UH 0.08OHM 1700MA
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 80mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 1.7 A
Produkt ist nicht verfügbar
FCH160808SF-2R2MTAI-TECH Advanced Electronics Co., Ltd.Description: IND 2.2UH 0.13OHM 1300MA
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 130mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 1.3 A
Produkt ist nicht verfügbar
FCH160808SF-4R7MTAI-TECH Advanced Electronics Co., Ltd.Description: IND 4.7UH 0.2OHM 1000MA
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Multilayer
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 200mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1 A
Produkt ist nicht verfügbar
FCH16252ABTP
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH165N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH165N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V
auf Bestellung 2273 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.69 EUR
30+ 11.63 EUR
120+ 9.97 EUR
510+ 8.86 EUR
1020+ 7.59 EUR
2010+ 7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH165N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 69A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH165N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 69A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH165N60Eonsemi / FairchildMOSFET 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+14.95 EUR
10+ 12.56 EUR
30+ 9.49 EUR
120+ 8.79 EUR
270+ 8.76 EUR
510+ 7.51 EUR
1020+ 7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FCH165N65S3R0-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH165N65S3R0-F155 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH165N65S3R0-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.69 EUR
10+ 12.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH165N65S3R0-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.3A; Idm: 47.5A; 154W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.3A
Pulsed drain current: 47.5A
Power dissipation: 154W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH165N65S3R0-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.3A; Idm: 47.5A; 154W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.3A
Pulsed drain current: 47.5A
Power dissipation: 154W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCH165N65S3R0-F155onsemiMOSFET SF3 650V 165MOHM 19A
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FCH165N65S3R0-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH170N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH170N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH170N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 380 V
auf Bestellung 8548 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.17 EUR
10+ 12.72 EUR
100+ 10.43 EUR
500+ 8.88 EUR
1000+ 7.49 EUR
2000+ 7.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH170N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 227W; TO247
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 14A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
FCH170N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 227W; TO247
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 14A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO247
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCH170N60onsemi / FairchildMOSFET SuperFET2 600V, 170mohm
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.11 EUR
10+ 11.02 EUR
120+ 9 EUR
510+ 8.01 EUR
1020+ 7.59 EUR
2520+ 7.49 EUR
5010+ 7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FCH170N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH170N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH190N65Fonsemionsemi SF2 650V 190MOHM F TO247L
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FCH190N65F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20.6A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH190N65F-F085ON SemiconductorFCH190N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 20.6A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
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FCH190N65F-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FCH190N65F-F085ON SemiconductorFCH190N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 20.6A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
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FCH190N65F-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3181 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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FCH190N65F-F085ON SemiconductorFCH190N65F-F085 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 650V 20.6A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
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FCH190N65F-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3225 pF @ 100 V
auf Bestellung 9415 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.16 EUR
10+ 12.72 EUR
450+ 9.15 EUR
1350+ 7.84 EUR
2250+ 7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH190N65F-F155
Produktcode: 191730
Transistoren > MOSFET N-CH
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FCH190N65F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH190N65F-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH190N65F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20.6
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 208
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FCH190N65F-F155ON Semiconductor
auf Bestellung 8100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH190N65F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH190N65F-F155onsemi / FairchildMOSFET SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
auf Bestellung 2242 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.42 EUR
10+ 12.95 EUR
30+ 9.8 EUR
120+ 8.94 EUR
270+ 8.29 EUR
510+ 7.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FCH2-A-C14PanduitCable Accessories Flat Cable Holder Nylon 6/6 Gray
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FCH2-A-C14PanduitCable Mounting & Accessories FOR 2 CABLE W/ADHSV
auf Bestellung 847 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.45 EUR
10+ 6.29 EUR
20+ 6.11 EUR
50+ 5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FCH2-A-C14PanduitCable Accessories Flat Cable Holder Nylon 6/6 Gray
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH2-A-C14Panduit CorpDescription: CABLE TIE HLDR SNGLE ADH GRAY
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 2.48" L x 1.03" W (63.0mm x 26.2mm)
Mounting Type: Screw, #6, Adhesive
Material: Nylon
Type: Single Opening
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.45 EUR
10+ 6.28 EUR
25+ 6.11 EUR
50+ 5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FCH2-A-T14PanduitCable Accessories Flat Cable Holder Nylon 6/6 Gray
Produkt ist nicht verfügbar
FCH2-A-T14PanduitCable Mounting & Accessories 2 FLAT CABLE HOLDER
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FCH2-A-T14PanduitCable Accessories Flat Cable Holder Nylon 6/6 Gray
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FCH2-A-T14Panduit CorpDescription: CBL CLIP FLAT ADHESIVE FASTENER
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Adhesive, Fastener
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Length: 2.480" (63.00mm)
Type: Clip, Flat
Width: 1.030" (26.16mm)
Adhesive: Rubber Based
Opening Size: 2.060" (52.32mm)
Type Attributes: Hinged, Top Lock
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.42 EUR
10+ 4.31 EUR
25+ 4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FCH2-S6-C14Panduit CorpDescription: CABLE MNT #6 STACK TO .25"
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH2-S6-C14PANDUITDescription: PANDUIT - FCH2-S6-C14 - Befestigungselement, Flachbandkabelhalter, Schraubmontage, Nylon 6.6, grau, 26.2mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH2-S6-C14PanduitCable Mounting & Accessories Flat Cbl Holder Adh. 2 (50.8mm)W Ca
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FCH20A03LNIEC2001
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH20A06
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH20A10NIHON09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH20A15NIEC09+
auf Bestellung 70018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH20A15Kyocera AVXSchottky Diodes & Rectifiers 150V 20A TO-220 FULL-MOLD
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.47 EUR
10+ 5.38 EUR
100+ 4.32 EUR
500+ 3.64 EUR
1000+ 2.94 EUR
2500+ 2.91 EUR
5000+ 2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FCH20A15KYOCERA AVXDescription: DIODE ARR SCHOTT 150V TO220 FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FCH20A15NIECTO-220AB
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH20A15KYOCERA AVXDescription: KYOCERA AVX - FCH20A15 - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH20A15GNIHONTO220
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH20A20KYOCERA AVXDescription: DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO-220 F
Produkt ist nicht verfügbar
FCH20A20NIEC09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH20A20NIEC
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH20A20Kyocera AVXSchottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO-220 FULL MOLD
Produkt ist nicht verfügbar
FCH20B06??TO-220
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH20E10KYOCERA AVXDescription: KYOCERA AVX - FCH20E10 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Durchlassstoßstrom: 180A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 800mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -888
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -888
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH20E10KYOCERA AVXSchottky Diodes & Rectifiers 100V 20A TO-220 FULL-MOLD
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.78 EUR
13+ 4.29 EUR
100+ 3.46 EUR
500+ 2.83 EUR
1000+ 2.28 EUR
5000+ 2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FCH20E10KYOCERA AVXDescription: DIODE SCHOT 100V 20A TO220 F
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.63 EUR
10+ 4.15 EUR
100+ 3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FCH20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Produkt ist nicht verfügbar
FCH20N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
105+6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 105
FCH20U10SHINDE
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH20U10NIECTO-220AB
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH20U15
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH211SIEMENS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH22N60NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 66A; 205W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH22N60NonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
FCH22N60Nonsemi / FairchildMOSFET SUPREMOS 22A-TO247
Produkt ist nicht verfügbar
FCH22N60NonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
FCH22N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH22N60NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 66A; 205W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 205W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH22N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH252505T-V2AMEC THERMASOLDescription: AMEC THERMASOL - FCH252505T-V2 - Kühlkörper, mit Rippen, 6 W/m.K, 25 mm, 5 mm, 25 mm
tariffCode: 85479000
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 0.2"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 5mm
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 25mm
Wärmewiderstand: 6W/m.K
Produktpalette: FCH Series
Gekühlte Bauformen/Gehäuse: -
productTraceability: No
Außendurchmesser - metrisch: -
Außendurchmesser - imperial: -
Kühlkörpermaterial: Keramik
Außenlänge - metrisch: 25mm
Außenbreite - Zoll: 0.98"
Außenlänge - imperial: 0.98"
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH25255TAMEC THERMASOLDescription: AMEC THERMASOL - FCH25255T - Kühlkörper, 25.4 mm, 5 mm, 25 mm
tariffCode: 69091900
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 0.2"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 5mm
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 25.4mm
Wärmewiderstand: -
Produktpalette: -
Gekühlte Bauformen/Gehäuse: -
productTraceability: No
Außendurchmesser - metrisch: -
Außendurchmesser - imperial: -
Kühlkörpermaterial: Keramik
Außenlänge - metrisch: 25mm
Außenbreite - Zoll: 1"
Außenlänge - imperial: 1"
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH2532STARRETTDescription: STARRETT - FCH2532 - Lochsäge, Bimetall, 20mm Klingendurchmesser, 41mm Schnitttiefe
tariffCode: 82079091
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Schnitttiefe, max.: 41mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Blatt-/Scheibendurchmesser: 20mm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Klingenmaterial: Bimetall
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH25N60NFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 216W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3352 pF @ 100 V
auf Bestellung 6788 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
80+9 EUR
Mindestbestellmenge: 80
FCH25N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH25N60NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 75A; 216W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 216W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH25N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH25N60NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 75A; 216W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 216W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH25N60Nonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel MOSFET SupreMOS
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+16.04 EUR
10+ 13.47 EUR
25+ 11.91 EUR
100+ 10.43 EUR
250+ 9.88 EUR
450+ 9.33 EUR
900+ 8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FCH303005T-V2AMEC THERMASOLDescription: AMEC THERMASOL - FCH303005T-V2 - Kühlkörper, mit Rippen, 6 W/m.K, 30 mm, 5.25 mm, 30 mm
tariffCode: 85479000
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 0.21"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 5.25mm
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 30mm
Wärmewiderstand: 6W/m.K
Produktpalette: FCH Series
Gekühlte Bauformen/Gehäuse: -
productTraceability: No
Außendurchmesser - metrisch: -
Außendurchmesser - imperial: -
Kühlkörpermaterial: Keramik
Außenlänge - metrisch: 30mm
Außenbreite - Zoll: 1.18"
Außenlänge - imperial: 1.18"
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH30305TAMEC THERMASOLDescription: AMEC THERMASOL - FCH30305T - Kühlkörper, 999 °C/W, 30 mm, 5.25 mm, 30 mm
tariffCode: 69091900
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 0.21"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 5.25mm
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 30mm
Wärmewiderstand: 999°C/W
Produktpalette: -
Gekühlte Bauformen/Gehäuse: -
productTraceability: No
Außendurchmesser - metrisch: -
Außendurchmesser - imperial: -
Kühlkörpermaterial: Keramik
Außenlänge - metrisch: 30mm
Außenbreite - Zoll: 1.18"
Außenlänge - imperial: 1.18"
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH303512TAMEC THERMASOLDescription: AMEC THERMASOL - FCH303512T - Kühlkörper, 30 mm, 12.25 mm, 35 mm
tariffCode: 69091900
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 0.48"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 12.25mm
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 30mm
Wärmewiderstand: -
Produktpalette: -
Gekühlte Bauformen/Gehäuse: -
productTraceability: No
Außendurchmesser - metrisch: -
Außendurchmesser - imperial: -
Kühlkörpermaterial: Keramik
Außenlänge - metrisch: 35mm
Außenbreite - Zoll: 1.18"
Außenlänge - imperial: 1.38"
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH30A03LNIHON09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH30A04NITO-220 04+
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH30A06
Produktcode: 46274
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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FCH30A06NIECTO-220AB
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH30A06NIHON09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH30A10NIHON09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH30A15
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH30AU10KYOCERA AVXDescription: DIODE SCHOT 100V 30A TO220 F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
FCH30B15
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH3216-R10M
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCH35N60onsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.24 EUR
10+ 13.05 EUR
25+ 11.83 EUR
100+ 10.89 EUR
250+ 9.65 EUR
450+ 9.15 EUR
900+ 8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FCH35N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FCH35N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH35N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.2A; Idm: 105A; 312.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.2A
Pulsed drain current: 105A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 139nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH35N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.2A; Idm: 105A; 312.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.2A
Pulsed drain current: 105A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 139nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCH35N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH404005T-V2AMEC THERMASOLDescription: AMEC THERMASOL - FCH404005T-V2 - Kühlkörper, mit Rippen, 6 W/m.K, 40 mm, 5.25 mm, 40 mm
tariffCode: 85479000
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 0.21"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 5.25mm
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 40mm
Wärmewiderstand: 6W/m.K
Produktpalette: FCH Series
Gekühlte Bauformen/Gehäuse: -
productTraceability: No
Außendurchmesser - metrisch: -
Außendurchmesser - imperial: -
Kühlkörpermaterial: Keramik
Außenlänge - metrisch: 40mm
Außenbreite - Zoll: 1.57"
Außenlänge - imperial: 1.57"
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH40405TAMEC THERMASOLDescription: AMEC THERMASOL - FCH40405T - Kühlkörper, 999 °C/W, 40 mm, 5.25 mm, 40 mm
tariffCode: 69091900
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 0.21"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 5.25mm
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 40mm
Wärmewiderstand: 999°C/W
Produktpalette: -
Gekühlte Bauformen/Gehäuse: -
productTraceability: No
Außendurchmesser - metrisch: -
Außendurchmesser - imperial: -
Kühlkörpermaterial: Keramik
Außenlänge - metrisch: 40mm
Außenbreite - Zoll: 1.57"
Außenlänge - imperial: 1.57"
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH47N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60onsemi / FairchildMOSFET 650V SUPER FET
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60-F085onsemi / FairchildMOSFET 600V, 47A, SuperFET
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+32.76 EUR
10+ 28.86 EUR
25+ 28.11 EUR
50+ 26.52 EUR
100+ 24.96 EUR
250+ 22.62 EUR
900+ 20.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH47N60-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 187nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 187nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60-F133onsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
3+25.97 EUR
10+ 22.88 EUR
25+ 22.26 EUR
50+ 20.98 EUR
100+ 19.76 EUR
250+ 15.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FCH47N60-F133ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60-F133ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60-F133onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+26.13 EUR
30+ 21.15 EUR
120+ 19.91 EUR
FCH47N60-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH47N60-F133ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH47N60-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-247AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH47N60-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+14.22 EUR
13+ 12.21 EUR
30+ 11.32 EUR
60+ 10.29 EUR
120+ 9.32 EUR
270+ 7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FCH47N60FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60Fonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60FonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60F(Transistor)
Produktcode: 95873
Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60F-F085onsemi / FairchildMOSFET NMOS TO247 600V 47 MOHM
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+46.72 EUR
10+ 42.95 EUR
25+ 41.16 EUR
100+ 36.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCH47N60F-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FCH47N60F-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH47N60F-F085Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL MOSFET 600V, 47A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FCH47N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH47N60F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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FCH47N60F-F085ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCH47N60F-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH47N60F-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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FCH47N60F-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH47N60F-F133ON Semiconductor
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FCH47N60F-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH47N60F-F133onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
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FCH47N60F-F133onsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel MOSFET
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FCH47N60F_F133FCS10+ T0-247
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FCH47N60F_F133fairchild2011+
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FCH47N60NON Semiconductor
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FCH47N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH47N60NFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 368W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 100 V
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35+21.01 EUR
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FCH47N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH47N60NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 51.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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FCH47N60NonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 368W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 100 V
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FCH47N60Nonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Chan MOSFET SupreMOS
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250+ 22.98 EUR
450+ 19.53 EUR
2700+ 19.16 EUR
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FCH47N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH47N60NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 51.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FCH47N60NonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 368W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 100 V
auf Bestellung 18 Stücke:
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1+29.33 EUR
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FCH47N60NONSEMIDescription: ONSEMI - FCH47N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.0515 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 47
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0515
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0515
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FCH47N60NFonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS
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FCH47N60NFON Semiconductor
auf Bestellung 8970 Stücke:
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FCH47N60NFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 45.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH47N60NFONSEMIDescription: ONSEMI - FCH47N60NF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45.8 A, 0.0575 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 45.8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0575
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH47N60NFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 45.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCH47N60NFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 45.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60NFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28.9A; Idm: 137.4A; 368W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28.9A
Pulsed drain current: 137.4A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 57.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60NFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28.9A; Idm: 137.4A; 368W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28.9A
Pulsed drain current: 137.4A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 57.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH47N60NFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 45.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 368W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Produkt ist nicht verfügbar
FCH505010TAMEC THERMASOLDescription: AMEC THERMASOL - FCH505010T - Kühlkörper, 999 °C/W, 50 mm, 10.25 mm, 50 mm
tariffCode: 69091900
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 0.41"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 10.25mm
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 50mm
Wärmewiderstand: 999°C/W
Produktpalette: -
Gekühlte Bauformen/Gehäuse: -
productTraceability: No
Außendurchmesser - metrisch: -
Außendurchmesser - imperial: -
Kühlkörpermaterial: Keramik
Außenlänge - metrisch: 50mm
Außenbreite - Zoll: 1.97"
Außenlänge - imperial: 1.97"
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH76N60NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.1A; Idm: 228A; 543W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.1A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 543W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCH76N60NONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48.1A; Idm: 228A; 543W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48.1A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 543W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH76N60NFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12385 pF @ 100 V
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
20+36.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FCH76N60Nonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Chan MOSFET SupreMOS
Produkt ist nicht verfügbar
FCH76N60NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH76N60NFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; Idm: 218A; 543W; TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
On-state resistance: 28.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 543W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 218A
Produkt ist nicht verfügbar
FCH76N60NFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; Idm: 218A; 543W; TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
On-state resistance: 28.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 543W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 218A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCH76N60NFFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11045 pF @ 100 V
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+30.95 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FCH76N60NFonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS
Produkt ist nicht verfügbar
FCH76N60NFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 72.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCH76N60NFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 72.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
FCHC20-1R0M-RCAllied Components InternationalDescription: 1.0uH +/-20% Ferrite Core Chip
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Size / Dimension: 0.146" L x 0.114" W (3.70mm x 2.90mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 80mOhm
Q @ Freq: 20 @ 7.96MHz
Frequency - Self Resonant: 100MHz
Current - Saturation (Isat): 1.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.083" (2.10mm)
Part Status: Active
Inductance: 1 µH
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.42 EUR
12+ 2.22 EUR
15+ 2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FCHC20-3R3K-RCAllied Components InternationalDescription: 3.3uH +/-10% Ferrite Core Chip
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Size / Dimension: 0.146" L x 0.114" W (3.70mm x 2.90mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 160mOhm
Q @ Freq: 20 @ 7.96MHz
Frequency - Self Resonant: 54MHz
Current - Saturation (Isat): 837mA
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.083" (2.10mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.47 EUR
12+ 2.34 EUR
15+ 2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FCHC20-5R6K-RCAllied Components InternationalDescription: 5.6uH +/-10% Ferrite Core Chip
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1414 (3535 Metric)
Size / Dimension: 0.146" L x 0.142" W (3.70mm x 3.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 260mOhm
Q @ Freq: 20 @ 7.96MHz
Frequency - Self Resonant: 36MHz
Current - Saturation (Isat): 620mA
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Supplier Device Package: 1414
Height - Seated (Max): 0.114" (2.90mm)
Part Status: Active
Inductance: 5.6 µH
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCHC20-681K-RCAllied Components InternationalDescription: 680uH +/-10% High Current Chip
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: 1414 (3535 Metric)
Size / Dimension: 0.146" L x 0.142" W (3.70mm x 3.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 28Ohm
Q @ Freq: 15 @ 796kHz
Frequency - Self Resonant: 2MHz
Current - Saturation (Isat): 65mA
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 796 kHz
Supplier Device Package: 1414
Height - Seated (Max): 0.114" (2.90mm)
Part Status: Active
Inductance: 680 µH
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.47 EUR
12+ 2.34 EUR
15+ 2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FCHD040N65S3onsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
FCHD040N65S3-F155ON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
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FCHD040N65S3-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+29.33 EUR
30+ 23.75 EUR
FCHD040N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 35.4Ω/4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FCHD040N65S3-F155onsemiMOSFET Easy Drive 650V 65A 40 mOhm
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
2+29.54 EUR
10+ 26.42 EUR
30+ 22.41 EUR
120+ 21.24 EUR
270+ 19.92 EUR
510+ 19.27 EUR
1020+ 18.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCHD040N65S3-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 35.4Ω/4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FCHD040N65S3-F155ON Semiconductor
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCHD040N65S3-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCHD040N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCHD125N65S3R0-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCHD125N65S3R0-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-247AD
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 181
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCHD125N65S3R0-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
FCHD125N65S3R0-F155onsemiMOSFET Easy Drive 650V 24A 125 mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
FCHD190N65S3R0-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+14.17 EUR
30+ 11.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FCHD190N65S3R0-F155onsemiMOSFET Easy Drive 650V 17A 190 mOhm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
4+15.73 EUR
10+ 14.14 EUR
30+ 11.44 EUR
120+ 9.85 EUR
270+ 9.26 EUR
510+ 8.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FCHD190N65S3R0-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FCHD190N65S3R0-F155ON Semiconductor
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCHD190N65S3R0-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FCHD190N65S3R0-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.159 ohm, TO-247AD
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 17
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 144
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCHMCynergy 3Description: PUMP CONTROLLER - PRESSURE
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FCHP0402E1000BBT1VishayHigh Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1%
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 611-625 Tag (e)
10+5.67 EUR
11+ 5.07 EUR
25+ 4.68 EUR
50+ 4.39 EUR
100+ 3.87 EUR
250+ 3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FCHP0402E1000BBT1VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BBT1 - RES, 100R, 0.1%, 1W, 0402, THIN FILM
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: TBA
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [1005 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.02mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FCHP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCHP0402E1000BBT1Vishay / Thin FilmHigh Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1%
auf Bestellung 1893 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.68 EUR
100+ 3.87 EUR
250+ 3.3 EUR
500+ 3.02 EUR
1000+ 2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FCHP0402E1000BGT1VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BGT1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 100 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.07mm
euEccn: NLR
Produktpalette: Produktreihe FCHP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.56mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCHP0402E1000BGT1VishayHigh Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1%
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.69 EUR
11+ 5.07 EUR
25+ 4.68 EUR
50+ 4.39 EUR
100+ 3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FCHP0402E1000BGT1VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BGT1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 100 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.07mm
euEccn: NLR
Produktpalette: Produktreihe FCHP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.56mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCHP0402E1000BGT1.VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BGT1. - RES, 100R, 0.1%, 1W, 0402, THIN FILM
tariffCode: 0
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [1005 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.02mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FCHP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCHP0402E1000BST1Vishay Dale Thin FilmDescription: FCHP0402 25PPM 100 OHM 0.1% LEAD
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±0.1%
Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm)
Resistance: 100 Ohms
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.69 EUR
10+ 3.87 EUR
50+ 2.88 EUR
100+ 2.52 EUR
500+ 2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FCHP0402E1000BST1VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BST1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 100 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.07mm
euEccn: NLR
Produktpalette: Produktreihe FCHP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.56mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCHP0402E1000BST1Vishay Dale Thin FilmDescription: FCHP0402 25PPM 100 OHM 0.1% LEAD
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±0.1%
Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm)
Resistance: 100 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
FCHP0402E1000BST1Vishay / Thin FilmHigh Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1%
auf Bestellung 6363 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.49 EUR
12+ 4.39 EUR
100+ 3.8 EUR
250+ 3.48 EUR
500+ 2.73 EUR
1000+ 2.68 EUR
10000+ 2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FCHP0402E1000BST1VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BST1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 100 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.07mm
euEccn: NLR
Produktpalette: Produktreihe FCHP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.56mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCHP0402E1000BST1VishayHigh Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1%
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.59 EUR
12+ 4.42 EUR
100+ 3.87 EUR
500+ 2.78 EUR
1000+ 2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FCHP0402E1000BST1.VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BST1. - RES, 100R, 0.1%, 1W, 0402, THIN FILM
tariffCode: 0
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [1005 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.02mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FCHP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCHP0402E1000BTT1VishayHigh Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1%
auf Bestellung 4385 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.69 EUR
11+ 5.07 EUR
25+ 4.68 EUR
50+ 4.39 EUR
100+ 3.87 EUR
250+ 3.3 EUR
500+ 2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FCHP0402E1000BTT1VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BTT1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 100 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.07mm
euEccn: NLR
Produktpalette: Produktreihe FCHP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.56mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCHP0402E1000BTT1Vishay Dale Thin FilmDescription: FCHP0402 25PPM 100 OHM 0.1% TOPS
auf Bestellung 1879 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCHP0402E1000BTT1VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BTT1 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 100 ohm, ± 0.1%, 1 W, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.07mm
euEccn: NLR
Produktpalette: Produktreihe FCHP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.56mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCHP0402E1000BTT1Vishay Dale Thin FilmDescription: FCHP0402 25PPM 100 OHM 0.1% TOPS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCHP0402E1000BTT1Vishay / Thin FilmHigh Frequency/RF Resistors 50w 100ohm .1%
auf Bestellung 2011 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.84 EUR
13+ 4.26 EUR
100+ 3.51 EUR
250+ 3.2 EUR
500+ 2.76 EUR
1000+ 2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FCHP0402E1000BTT1.VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E1000BTT1. - RES, 100R, 0.1%, 1W, 0402, THIN FILM
tariffCode: 0
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [1005 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.02mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FCHP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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FCHP0402E50R0BBT1Vishay / Thin FilmHigh Frequency/RF Resistors 50w 50ohm .1%
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9+5.95 EUR
11+ 4.86 EUR
100+ 3.95 EUR
250+ 3.64 EUR
500+ 3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FCHP0402E50R0BGT1Vishay / Thin FilmHigh Frequency/RF Resistors 50w 50ohm .1%
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10+5.69 EUR
11+ 4.76 EUR
100+ 3.87 EUR
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Mindestbestellmenge: 10
FCHP0402E50R0BGT1VishayHigh Frequency/RF Resistors 50w 50ohm .1%
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9+6.47 EUR
10+ 5.75 EUR
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500+ 3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FCHP0402E50R0BGT1.VISHAYDescription: VISHAY - FCHP0402E50R0BGT1. - RES, 50R, 0.1%, 1W, 0402, THIN FILM
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [1005 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 50ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/°C
Produktlänge: 1.02mm
euEccn: NLR
Produktpalette: FCHP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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FCHP0402E50R0BST1Vishay / Thin FilmHigh Frequency/RF Resistors 50w 50ohm .1%
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9+5.8 EUR
11+ 5.04 EUR
100+ 3.87 EUR
250+ 3.64 EUR
500+ 2.76 EUR
1000+ 2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FCHP0402E50R0BST1Vishay Dale Thin FilmDescription: FCHP0402 25PPM 50 OHM 0.1% LEAD
auf Bestellung 3 Stücke:
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FCHP0402E50R0BST1Vishay Dale Thin FilmDescription: FCHP0402 25PPM 50 OHM 0.1% LEAD
Produkt ist nicht verfügbar
FCHP0402E50R0BTT1Vishay Dale Thin FilmDescription: FCHP0402 25PPM 50 OHM 0.1% TOPSI
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±0.1%
Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm)
Resistance: 50 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
FCHP0402E50R0BTT1Vishay Dale Thin FilmDescription: FCHP0402 25PPM 50 OHM 0.1% TOPSI
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±0.1%
Features: Flame Retardant Coating, RF, High Frequency, Safety
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.042" L x 0.022" W (1.07mm x 0.56mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.015" (0.38mm)
Resistance: 50 Ohms
auf Bestellung 193 Stücke:
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5+5.69 EUR
10+ 3.87 EUR
50+ 2.88 EUR
100+ 2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FCHS10A065KYOCERA AVXDescription: DIODE ARR SCHOT 65V 10A TO220 FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 65 V
Produkt ist nicht verfügbar
FCHS10A065Kyocera AVXSchottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 65V 10A TO-220 FULL MOLD
Produkt ist nicht verfügbar
FCHS10A065KYOCERADiode Schottky 65V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 785 Stücke:
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224+0.7 EUR
232+ 0.65 EUR
235+ 0.62 EUR
500+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 224
FCHS10A08Kyocera AVXSchottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 85V 10A TO-220 FULL MOLD
Produkt ist nicht verfügbar
FCHS10A08KYOCERA AVXDescription: DIODE SCHOTTKY 85V 10A TO-220 FU
Produkt ist nicht verfügbar
FCHS20A065KYOCERA AVXDescription: DIODE SCHOT 65V 20A TO220 FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
Produkt ist nicht verfügbar
FCHS20A08KYOCERA AVXDescription: DIODE ARR SCHOT 80V 20A TO220 FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 80 V
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.77 EUR
10+ 3.08 EUR
100+ 2.4 EUR
500+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FCHS20A08KYOCERA AVXDescription: KYOCERA AVX - FCHS20A08 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220FP, 3 Pin(s), 750 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCHS20A08Kyocera AVXDiodes - General Purpose, Power, Switching 80V 20A TO-220 FULL-MOLD
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.64 EUR
18+ 2.94 EUR
100+ 2.31 EUR
500+ 1.96 EUR
1000+ 1.5 EUR
5000+ 1.43 EUR
10000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 15
FCHS20A12KYOCERA AVXDiodes - General Purpose, Power, Switching 120V 20A TO-220 FULL-MOLD
Produkt ist nicht verfügbar
FCHS20A12KYOCERA AVXDescription: DIODE ARR SCHOTT 120V TO220 FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 120 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.56 EUR
50+ 2.86 EUR
100+ 2.26 EUR
500+ 1.92 EUR
1000+ 1.56 EUR
2000+ 1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FCHS20A12KYOCERA AVXDescription: KYOCERA AVX - FCHS20A12 - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 180
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 890
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCHS30A12KYOCERA AVXDescription: DIODE SCHOT 120V 30A TO220 F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220 Full-Mold
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 120 V
Produkt ist nicht verfügbar