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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| 10N65 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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10N65 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Power dissipation: 27.5W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 45nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 409 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 10N65 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 10N60 |
auf Bestellung 8995 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| AOT10N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N60 TAOT10n60Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOT10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 31nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 809 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOT10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 27.7nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 442 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOT10N65 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOTF10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.4A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 31.1nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 339 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF10N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| AOTF10N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOTF10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 27.7nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BXP10N60F | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 48W Case: TO220F On-state resistance: 0.68Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 40A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 682 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BXP10N65CF | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 48W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 32nC Pulsed drain current: 40A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| F10N60 | WXDH |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 900mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP10NK60ZFP; F10N60 DONGHAI TDHF10n60 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IGB10N60TATMA1 | Infineon |
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60tAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1116 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGP10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKA10N65ET6XKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Power dissipation: 20W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 9A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 42.5A Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: T6 Gate charge: 27nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IKA10N65ET6XKSA2 | Infineon |
IGBT 650V 15A TO220-3 TrenchStop -40+175°C OBSOLETE; IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies TIKA10n65et6Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 62nC Turn-on time: 20ns Turn-off time: 253ns Collector current: 18A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKP10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 62nC Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 566 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFP10N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: TO220AB On-state resistance: 0.74Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 32nC Reverse recovery time: 120ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXXH110N65C4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 880W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 110A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Collector-emitter voltage: 650V Turn-off time: 160ns Gate charge: 167nC Turn-on time: 71ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXXK110N65B4H1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 880W Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 110A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 570A Collector-emitter voltage: 650V Turn-off time: 250ns Gate charge: 183nC Turn-on time: 65ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYP10N65C3D1M | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 53W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 7A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Collector-emitter voltage: 650V Turn-off time: 128ns Gate charge: 18nC Turn-on time: 44ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MOT10N65A | MOT |
650V 10A 50W 800mOhm@10V,5A 2V 1 N-Channel TO-220 Single FETs, MOSFETs ODPOWIEDNIK: STP10NK60Z; MOT10N65 TO220 MOT T10N65 MOT Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MOT10N65F | MOT |
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF10N65BTH; STP10NK60ZFP; MOT10N65F TO-220F T10N65F MOT Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MOT10N65F | MOT |
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF10N65BTH; STP10NK60ZFP; MOT10N65F TO-220F T10N65F MOT Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MPEB-10N/630 | SR PASSIVES |
Category: THT Film CapacitorsDescription: Capacitor: polyester; 10nF; 630VDC; 10mm; ±10%; 13x4x9mm; MKT; THT Type of capacitor: polyester Capacitance: 10nF Operating voltage: 630V DC Tolerance: ±10% Mounting: THT Terminal pitch: 10mm Body dimensions: 13x4x9mm Lead length: 15mm Manufacturer series: MKT Climate class: 40/85/21 Capacitor application: DC applications; filtering; high frequency circuits; impulse circuits; supression circuits Capacitors features: increased service life capacitors; non-inductive capacitors Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 4890 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RTS6BS10N6S03 | AMPHENOL |
Category: AMPHENOL connectorsDescription: Connector: circular; plug; for cable; PIN: 6; female; w/o contacts Case: size 10 IP rating: IP68; IP69K Connector: plug Spatial orientation: straight Connector variant: w/o contacts Operating temperature: -40...125°C Cable external diameter: 4...8.8mm Number of pins: 6 Maximum current: 7.5A Rated voltage: 500V Connector pinout layout: 10-6 Contact size: 20 Type of connector: circular Electrical mounting: crimped Manufacturer series: eco|mate Aquarius Kind of connector: female Mechanical mounting: for cable Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RTS710N6P03 | AMPHENOL |
Category: AMPHENOL connectorsDescription: Connector: circular; socket; for panel mounting,front side nut Case: size 10 IP rating: IP68; IP69K Connector: socket Connector variant: w/o contacts Operating temperature: -40...125°C Number of pins: 6 Maximum current: 7.5A Rated voltage: 250V Connector pinout layout: 10-6 Contact size: 20 Type of connector: circular Manufacturer series: eco|mate Aquarius Kind of connector: male Mechanical mounting: for panel mounting; front side nut Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STD10N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.9A Power dissipation: 85W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2191 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF10N65K3 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 40A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 40A Gate charge: 42nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP10N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.9A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 13.5nC Pulsed drain current: 30A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMF10N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 57W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 720mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 419 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMM10N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 57W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 690mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 573 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMM10N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 57W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 690mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 576 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMN10N60C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 57W Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 690mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMN10N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 57W Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 690mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMO10N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 57W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 690mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1735 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 1210N6R0D501NT |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| 3806/GB10N60L | 07+ |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 7A10N-680K-T | N/A | 2006 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 86C260-10-N6AOIB | S3 | BGA |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| C1210N683M5XPC | KEMET |
auf Bestellung 500000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CIL10N68NMNC | ИэРЗ |
auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FCH110N65F-F155 | ON Semiconductor |
|
auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FCP110N65F | ON Semiconductor |
|
auf Bestellung 715 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FQB10N60C | FAIRCHILD | TO-263 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FQB10N60C | Fairchild |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FQB10N60C | fairchild | to-263/d2-pak |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FQB10N60C | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FQB10N60C | FAIRCHILD | SOT-263 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FQB10N60CTM | Fairchild |
|
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FQP10N60C | FSC |
09+ SSOP |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FQPF10N60 |
auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| G10N60RUF |
auf Bestellung 615 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| G10N60RUFD |
auf Bestellung 2121 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IKA10N60T | Infineon technologies |
|
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 10N65 |
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.2 EUR |
| 10N65 |
![]() |
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 81+ | 0.89 EUR |
| 121+ | 0.59 EUR |
| 135+ | 0.53 EUR |
| 152+ | 0.47 EUR |
| 250+ | 0.45 EUR |
| 10N65 |
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.2 EUR |
| AOT10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N60 TAOT10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N60 TAOT10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.67 EUR |
| AOT10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 45+ | 1.6 EUR |
| 51+ | 1.42 EUR |
| 57+ | 1.26 EUR |
| 100+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| AOT10N65 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 52+ | 1.4 EUR |
| 56+ | 1.29 EUR |
| 64+ | 1.13 EUR |
| 100+ | 1.03 EUR |
| AOT10N65 |
![]() |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.48 EUR |
| AOTF10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 44+ | 1.63 EUR |
| 50+ | 1.44 EUR |
| 56+ | 1.29 EUR |
| 100+ | 1.16 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| AOTF10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 2.88 EUR |
| AOTF10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 2.88 EUR |
| AOTF10N65 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.46 EUR |
| 56+ | 1.29 EUR |
| 63+ | 1.14 EUR |
| 100+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 1.03 EUR |
| BXP10N60F |
![]() |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 81+ | 0.89 EUR |
| 93+ | 0.77 EUR |
| 103+ | 0.69 EUR |
| 117+ | 0.62 EUR |
| 250+ | 0.55 EUR |
| 1000+ | 0.53 EUR |
| BXP10N65CF |
![]() |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 91+ | 0.79 EUR |
| 118+ | 0.61 EUR |
| 137+ | 0.52 EUR |
| 149+ | 0.48 EUR |
| F10N60 |
Hersteller: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 900mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP10NK60ZFP; F10N60 DONGHAI TDHF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 900mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP10NK60ZFP; F10N60 DONGHAI TDHF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 1.58 EUR |
| IGB10N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.69 EUR |
| IGB10N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1116 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 76+ | 0.94 EUR |
| 93+ | 0.77 EUR |
| 100+ | 0.73 EUR |
| 250+ | 0.66 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| IGP10N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 41+ | 1.74 EUR |
| 54+ | 1.33 EUR |
| 57+ | 1.26 EUR |
| IKA10N65ET6XKSA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 40+ | 1.83 EUR |
| 43+ | 1.69 EUR |
| 50+ | 1.62 EUR |
| 100+ | 1.46 EUR |
| 250+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| IKA10N65ET6XKSA2 |
![]() |
Hersteller: Infineon
IGBT 650V 15A TO220-3 TrenchStop -40+175°C OBSOLETE; IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies TIKA10n65et6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
IGBT 650V 15A TO220-3 TrenchStop -40+175°C OBSOLETE; IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies TIKA10n65et6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 3.6 EUR |
| IKB10N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 32+ | 2.27 EUR |
| 41+ | 1.77 EUR |
| 48+ | 1.52 EUR |
| IKP10N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 34+ | 2.14 EUR |
| 46+ | 1.59 EUR |
| 59+ | 1.23 EUR |
| 100+ | 1.1 EUR |
| IXFP10N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 21+ | 3.49 EUR |
| 23+ | 3.13 EUR |
| 26+ | 2.77 EUR |
| 50+ | 2.5 EUR |
| IXXH110N65C4 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 14.53 EUR |
| 6+ | 12.28 EUR |
| 10+ | 10.93 EUR |
| 30+ | 10.1 EUR |
| IXXK110N65B4H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 24.25 EUR |
| 5+ | 23.01 EUR |
| 10+ | 20.62 EUR |
| 25+ | 18.38 EUR |
| IXYP10N65C3D1M |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 23+ | 3.1 EUR |
| MOT10N65A |
Hersteller: MOT
650V 10A 50W 800mOhm@10V,5A 2V 1 N-Channel TO-220 Single FETs, MOSFETs ODPOWIEDNIK: STP10NK60Z; MOT10N65 TO220 MOT T10N65 MOT
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
650V 10A 50W 800mOhm@10V,5A 2V 1 N-Channel TO-220 Single FETs, MOSFETs ODPOWIEDNIK: STP10NK60Z; MOT10N65 TO220 MOT T10N65 MOT
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.87 EUR |
| MOT10N65F |
Hersteller: MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF10N65BTH; STP10NK60ZFP; MOT10N65F TO-220F T10N65F MOT
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF10N65BTH; STP10NK60ZFP; MOT10N65F TO-220F T10N65F MOT
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.87 EUR |
| MOT10N65F |
Hersteller: MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF10N65BTH; STP10NK60ZFP; MOT10N65F TO-220F T10N65F MOT
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF10N65BTH; STP10NK60ZFP; MOT10N65F TO-220F T10N65F MOT
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.87 EUR |
| MPEB-10N/630 |
![]() |
Hersteller: SR PASSIVES
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polyester; 10nF; 630VDC; 10mm; ±10%; 13x4x9mm; MKT; THT
Type of capacitor: polyester
Capacitance: 10nF
Operating voltage: 630V DC
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Terminal pitch: 10mm
Body dimensions: 13x4x9mm
Lead length: 15mm
Manufacturer series: MKT
Climate class: 40/85/21
Capacitor application: DC applications; filtering; high frequency circuits; impulse circuits; supression circuits
Capacitors features: increased service life capacitors; non-inductive capacitors
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polyester; 10nF; 630VDC; 10mm; ±10%; 13x4x9mm; MKT; THT
Type of capacitor: polyester
Capacitance: 10nF
Operating voltage: 630V DC
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Terminal pitch: 10mm
Body dimensions: 13x4x9mm
Lead length: 15mm
Manufacturer series: MKT
Climate class: 40/85/21
Capacitor application: DC applications; filtering; high frequency circuits; impulse circuits; supression circuits
Capacitors features: increased service life capacitors; non-inductive capacitors
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 810+ | 0.089 EUR |
| 1020+ | 0.071 EUR |
| 1100+ | 0.065 EUR |
| 1130+ | 0.063 EUR |
| RTS6BS10N6S03 |
![]() |
Hersteller: AMPHENOL
Category: AMPHENOL connectors
Description: Connector: circular; plug; for cable; PIN: 6; female; w/o contacts
Case: size 10
IP rating: IP68; IP69K
Connector: plug
Spatial orientation: straight
Connector variant: w/o contacts
Operating temperature: -40...125°C
Cable external diameter: 4...8.8mm
Number of pins: 6
Maximum current: 7.5A
Rated voltage: 500V
Connector pinout layout: 10-6
Contact size: 20
Type of connector: circular
Electrical mounting: crimped
Manufacturer series: eco|mate Aquarius
Kind of connector: female
Mechanical mounting: for cable
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: AMPHENOL connectors
Description: Connector: circular; plug; for cable; PIN: 6; female; w/o contacts
Case: size 10
IP rating: IP68; IP69K
Connector: plug
Spatial orientation: straight
Connector variant: w/o contacts
Operating temperature: -40...125°C
Cable external diameter: 4...8.8mm
Number of pins: 6
Maximum current: 7.5A
Rated voltage: 500V
Connector pinout layout: 10-6
Contact size: 20
Type of connector: circular
Electrical mounting: crimped
Manufacturer series: eco|mate Aquarius
Kind of connector: female
Mechanical mounting: for cable
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 11.74 EUR |
| 10+ | 10.55 EUR |
| 50+ | 8.54 EUR |
| 100+ | 8.34 EUR |
| RTS710N6P03 |
![]() |
Hersteller: AMPHENOL
Category: AMPHENOL connectors
Description: Connector: circular; socket; for panel mounting,front side nut
Case: size 10
IP rating: IP68; IP69K
Connector: socket
Connector variant: w/o contacts
Operating temperature: -40...125°C
Number of pins: 6
Maximum current: 7.5A
Rated voltage: 250V
Connector pinout layout: 10-6
Contact size: 20
Type of connector: circular
Manufacturer series: eco|mate Aquarius
Kind of connector: male
Mechanical mounting: for panel mounting; front side nut
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: AMPHENOL connectors
Description: Connector: circular; socket; for panel mounting,front side nut
Case: size 10
IP rating: IP68; IP69K
Connector: socket
Connector variant: w/o contacts
Operating temperature: -40...125°C
Number of pins: 6
Maximum current: 7.5A
Rated voltage: 250V
Connector pinout layout: 10-6
Contact size: 20
Type of connector: circular
Manufacturer series: eco|mate Aquarius
Kind of connector: male
Mechanical mounting: for panel mounting; front side nut
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 4.52 EUR |
| 18+ | 4.08 EUR |
| 50+ | 3.29 EUR |
| 100+ | 2.89 EUR |
| STD10N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 42+ | 1.72 EUR |
| 51+ | 1.42 EUR |
| 57+ | 1.26 EUR |
| 67+ | 1.07 EUR |
| STF10N65K3 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 40A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 42nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 40A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 42nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 28+ | 2.6 EUR |
| 50+ | 1.44 EUR |
| 58+ | 1.24 EUR |
| 100+ | 1.17 EUR |
| 250+ | 1.06 EUR |
| 500+ | 0.99 EUR |
| 1000+ | 0.97 EUR |
| STP10N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13.5nC
Pulsed drain current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13.5nC
Pulsed drain current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 60+ | 1.2 EUR |
| 66+ | 1.09 EUR |
| 75+ | 0.96 EUR |
| 100+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| WMF10N60C2 |
![]() |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 109+ | 0.66 EUR |
| 120+ | 0.6 EUR |
| 143+ | 0.5 EUR |
| 162+ | 0.44 EUR |
| 174+ | 0.41 EUR |
| 250+ | 0.39 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| WMM10N60C2 |
![]() |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 573 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 91+ | 0.79 EUR |
| 124+ | 0.58 EUR |
| 140+ | 0.51 EUR |
| 155+ | 0.46 EUR |
| 800+ | 0.42 EUR |
| WMM10N65C2 |
![]() |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 91+ | 0.79 EUR |
| 122+ | 0.59 EUR |
| 137+ | 0.52 EUR |
| 152+ | 0.47 EUR |
| 800+ | 0.44 EUR |
| WMN10N60C2 |
![]() |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 35.75 EUR |
| 5+ | 14.3 EUR |
| 25+ | 2.86 EUR |
| 100+ | 0.72 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| WMN10N65C2 |
![]() |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 4.2 EUR |
| 25+ | 2.86 EUR |
| 100+ | 0.72 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| WMO10N60C2 |
![]() |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 136+ | 0.53 EUR |
| 155+ | 0.46 EUR |
| 174+ | 0.41 EUR |
| 182+ | 0.39 EUR |
| 1210N6R0D501NT |
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 3806/GB10N60L |
07+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 7A10N-680K-T |
Hersteller: N/A
2006
2006
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 86C260-10-N6AOIB |
Hersteller: S3
BGA
BGA
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| C1210N683M5XPC |
Hersteller: KEMET
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CIL10N68NMNC |
Hersteller: ИэРЗ
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FCH110N65F-F155 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FCP110N65F |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQB10N60C |
Hersteller: FAIRCHILD
TO-263
TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQB10N60C |
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQB10N60C |
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQB10N60C |
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-263
07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQB10N60C |
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-263
SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQB10N60CTM |
![]() |
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQP10N60C |
![]() |
Hersteller: FSC
09+ SSOP
09+ SSOP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQPF10N60 |
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| G10N60RUFD |
auf Bestellung 2121 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IKA10N60T | ![]() |
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Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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