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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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10N65 10N65 LUGUANG ELECTRONIC 10N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+0.9 EUR
120+0.6 EUR
134+0.54 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N65 LGE Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N65 LGE Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N60
auf Bestellung 8995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 AOT10N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT10N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31nC
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.6 EUR
51+1.42 EUR
57+1.26 EUR
100+1.13 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 ALPHA&OMEGA AOT10N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N60 TAOT10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 AOT10N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT10N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.05 EUR
50+1.98 EUR
100+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 AOT10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
64+1.13 EUR
100+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 ALPHA&OMEGA TO220.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 AOTF10N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31.1nC
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.63 EUR
50+1.44 EUR
56+1.29 EUR
100+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N65 AOTF10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF10N65-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.46 EUR
56+1.29 EUR
63+1.14 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N60F BXP10N60F BRIDGELUX BXP10N60F-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+0.89 EUR
91+0.79 EUR
102+0.71 EUR
115+0.63 EUR
250+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF BXP10N65CF BRIDGELUX BXP10N65C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.79 EUR
120+0.6 EUR
138+0.52 EUR
149+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F10N60 WXDH Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 900mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP10NK60ZFP; F10N60 DONGHAI TDHF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65F FCB110N65F onsemi fcb110n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.6 EUR
10+8.56 EUR
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65F FCB110N65F onsemi fcb110n65f-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
auf Bestellung 4648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.21 EUR
10+8.98 EUR
100+7.27 EUR
500+6.44 EUR
800+5.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65F FCB110N65F onsemi fcb110n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+5 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH110N65F-F155 FCH110N65F-F155 onsemi fch110n65f-d.pdf FAIR-S-A0000571230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.54 EUR
10+10.26 EUR
120+8.55 EUR
510+7.62 EUR
1020+7.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH110N65F-F155 FCH110N65F-F155 onsemi fch110n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.92 EUR
30+8.17 EUR
120+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP110N65F FCP110N65F onsemi fcp110n65f-d.pdf MOSFETs SuperFET2 650V, 110mohm
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.89 EUR
10+8.71 EUR
100+7.06 EUR
500+6.27 EUR
1000+5.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP110N65F FCP110N65F onsemi fcp110n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.53 EUR
50+6.23 EUR
100+5.71 EUR
500+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0110N60 FDBL0110N60 onsemi fdbl0110n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13650 pF @ 30 V
auf Bestellung 1631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.67 EUR
10+7.2 EUR
100+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6P03-PM FLS010N6P03-PM Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.3 EUR
10+10.17 EUR
25+9.98 EUR
50+9.91 EUR
100+9.43 EUR
250+7.23 EUR
500+6.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6PHEC03 FLS010N6PHEC03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.87 EUR
10+11.84 EUR
250+10.86 EUR
500+10.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6S03 FLS010N6S03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.4 EUR
10+11.05 EUR
25+9.68 EUR
50+9.52 EUR
100+9.24 EUR
250+8.66 EUR
500+8.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6S03-PM FLS010N6S03-PM Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.63 EUR
10+8.73 EUR
100+7.43 EUR
250+7.02 EUR
500+6.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6SHEC03 FLS010N6SHEC03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.87 EUR
10+13.85 EUR
25+12.72 EUR
50+12.34 EUR
100+10.98 EUR
250+10.31 EUR
500+10.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS6BS10N6P03 FLS6BS10N6P03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS PLUG
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.93 EUR
10+16.68 EUR
25+15.45 EUR
50+13.89 EUR
100+13.46 EUR
250+12.78 EUR
500+12.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS710N6PHEC03 FLS710N6PHEC03 Amphenol SINE Systems FLS710N6PHEC03.pdf Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.94 EUR
10+16.63 EUR
250+15.19 EUR
500+15.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
auf Bestellung 1003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.4 EUR
76+0.94 EUR
105+0.69 EUR
250+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 Infineon IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.9 EUR
2000+0.83 EUR
3000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGB10N60T_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.49 EUR
100+0.99 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
auf Bestellung 3298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.92 EUR
10+1.86 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP10N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.74 EUR
44+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA10N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Gate charge: 27nC
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.83 EUR
43+1.69 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Infineon-IKA10N65ET6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e844d55a5527e IGBT 650V 15A TO220-3 TrenchStop -40+175°C OBSOLETE; IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies TIKA10n65et6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB10N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.37 EUR
42+1.73 EUR
48+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RATMA1 IKD10N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD10N60R_DS_v02_05_EN.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
auf Bestellung 2303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.71 EUR
10+1.72 EUR
100+1.16 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RATMA1 IKD10N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD10N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5df8088c02fd Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.71 EUR
11+1.72 EUR
100+1.16 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23 Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.72 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23 Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
auf Bestellung 7574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.64 EUR
11+1.66 EUR
100+1.11 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RF IKD10N60RF Infineon Technologies Infineon_IKD10N60RF_DS_v02_05_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
auf Bestellung 4571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.76 EUR
100+1.16 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 Infineon Technologies DS_IKD10N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e7ea2d2d7a72 Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 2339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.26 EUR
10+2.08 EUR
100+1.41 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD10N60RF_DS_v02_05_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 6311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.83 EUR
10+1.61 EUR
100+1.15 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2 EUR
46+1.56 EUR
53+1.35 EUR
72+1 EUR
100+0.89 EUR
250+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N60P IXFA10N60P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-10n60p-datasheet?assetguid=0f5c9fee-540f-4bb5-b895-18038baa6018 Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.88 EUR
50+4.12 EUR
100+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N60P-TRL IXYS Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.45 EUR
10+5.62 EUR
100+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB110N60P3 IXFB110N60P3 IXYS DS100314BIXFB110N60P3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.36 EUR
25+27.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60P IXFP10N60P IXYS IXFA(P)10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA110N65L2-7TR IXSA110N65L2-7TR IXYS Littelfuse_09-11-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA110N65L2-7TR_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.83 EUR
10+12.85 EUR
100+10.72 EUR
500+9.35 EUR
800+8.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSG110N65L2K IXSG110N65L2K IXYS Littelfuse_09-11-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSG110N65L2K_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.83 EUR
10+12.85 EUR
100+10.72 EUR
500+9.73 EUR
2000+8.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60P IXTP10N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_10N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.48 EUR
10+4.96 EUR
100+3.68 EUR
500+3.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS IXXH110N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.84 EUR
6+12.43 EUR
10+10.88 EUR
30+10.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS ds100497c%28ixxh110n65c4%29.pdf Description: IGBT PT 650V 234A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 234 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 880 W
auf Bestellung 5190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.56 EUR
30+13.15 EUR
120+11.31 EUR
510+11.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH110N65C4_Datasheet.PDF IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22 EUR
10+15.42 EUR
120+12.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+24.22 EUR
5+23.08 EUR
10+20.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixx-110n65b4h1-datasheet?assetguid=f2444f1a-72a7-4cd6-9d41-c399cd2e0f6d Description: IGBT PT 650V 240A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A
Power - Max: 880 W
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.73 EUR
25+23.93 EUR
100+21.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N65 10N65.pdf
10N65
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
120+0.6 EUR
134+0.54 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N65
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N65
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N60
auf Bestellung 8995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 AOT10N60.pdf
AOT10N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31nC
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
51+1.42 EUR
57+1.26 EUR
100+1.13 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 AOT10N60.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N60 TAOT10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 AOT10N60.pdf
AOT10N60
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.05 EUR
50+1.98 EUR
100+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 TO220.pdf
AOT10N65
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
56+1.29 EUR
64+1.13 EUR
100+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 TO220.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 TO220F.pdf
AOTF10N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31.1nC
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
50+1.44 EUR
56+1.29 EUR
100+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N65 AOTF10N65-DTE.pdf
AOTF10N65
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
56+1.29 EUR
63+1.14 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N60F BXP10N60F-DTE.pdf
BXP10N60F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
91+0.79 EUR
102+0.71 EUR
115+0.63 EUR
250+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF BXP10N65C.pdf
BXP10N65CF
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
120+0.6 EUR
138+0.52 EUR
149+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F10N60
Hersteller: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 900mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP10NK60ZFP; F10N60 DONGHAI TDHF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65F fcb110n65f-d.pdf
FCB110N65F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+12.6 EUR
10+8.56 EUR
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65F fcb110n65f-d.pdf
FCB110N65F
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
auf Bestellung 4648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.21 EUR
10+8.98 EUR
100+7.27 EUR
500+6.44 EUR
800+5.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65F fcb110n65f-d.pdf
FCB110N65F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+5 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH110N65F-F155 fch110n65f-d.pdf FAIR-S-A0000571230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCH110N65F-F155
Hersteller: onsemi
MOSFETs SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.54 EUR
10+10.26 EUR
120+8.55 EUR
510+7.62 EUR
1020+7.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH110N65F-F155 fch110n65f-d.pdf
FCH110N65F-F155
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+13.92 EUR
30+8.17 EUR
120+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP110N65F fcp110n65f-d.pdf
FCP110N65F
Hersteller: onsemi
MOSFETs SuperFET2 650V, 110mohm
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.89 EUR
10+8.71 EUR
100+7.06 EUR
500+6.27 EUR
1000+5.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP110N65F fcp110n65f-d.pdf
FCP110N65F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+11.53 EUR
50+6.23 EUR
100+5.71 EUR
500+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0110N60 fdbl0110n60-d.pdf
FDBL0110N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13650 pF @ 30 V
auf Bestellung 1631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.67 EUR
10+7.2 EUR
100+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6P03-PM
FLS010N6P03-PM
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.3 EUR
10+10.17 EUR
25+9.98 EUR
50+9.91 EUR
100+9.43 EUR
250+7.23 EUR
500+6.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6PHEC03
FLS010N6PHEC03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.87 EUR
10+11.84 EUR
250+10.86 EUR
500+10.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6S03
FLS010N6S03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.4 EUR
10+11.05 EUR
25+9.68 EUR
50+9.52 EUR
100+9.24 EUR
250+8.66 EUR
500+8.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6S03-PM
FLS010N6S03-PM
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.63 EUR
10+8.73 EUR
100+7.43 EUR
250+7.02 EUR
500+6.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6SHEC03
FLS010N6SHEC03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.87 EUR
10+13.85 EUR
25+12.72 EUR
50+12.34 EUR
100+10.98 EUR
250+10.31 EUR
500+10.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS6BS10N6P03
FLS6BS10N6P03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.93 EUR
10+16.68 EUR
25+15.45 EUR
50+13.89 EUR
100+13.46 EUR
250+12.78 EUR
500+12.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS710N6PHEC03 FLS710N6PHEC03.pdf
FLS710N6PHEC03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.94 EUR
10+16.63 EUR
250+15.19 EUR
500+15.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T-DTE.pdf
IGB10N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
auf Bestellung 1003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
76+0.94 EUR
105+0.69 EUR
250+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92
IGB10N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.9 EUR
2000+0.83 EUR
3000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 Infineon_IGB10N60T_DS_v02_01_EN.pdf
IGB10N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.34 EUR
10+1.49 EUR
100+0.99 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92
IGB10N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
auf Bestellung 3298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.92 EUR
10+1.86 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60T-DTE.pdf
IGP10N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
44+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6.pdf
IKA10N65ET6XKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Gate charge: 27nC
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
43+1.69 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA10N65ET6XKSA2 Infineon-IKA10N65ET6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e844d55a5527e
Hersteller: Infineon
IGBT 650V 15A TO220-3 TrenchStop -40+175°C OBSOLETE; IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies TIKA10n65et6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB10N60TATMA1 IKB10N60T.pdf
IKB10N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.37 EUR
42+1.73 EUR
48+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RATMA1 Infineon_IKD10N60R_DS_v02_05_EN.pdf
IKD10N60RATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
auf Bestellung 2303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.71 EUR
10+1.72 EUR
100+1.16 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RATMA1 Infineon-IKD10N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5df8088c02fd
IKD10N60RATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.71 EUR
11+1.72 EUR
100+1.16 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RC2ATMA1 Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23
IKD10N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.72 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RC2ATMA1 Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23
IKD10N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
auf Bestellung 7574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.64 EUR
11+1.66 EUR
100+1.11 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RF Infineon_IKD10N60RF_DS_v02_05_EN.pdf
IKD10N60RF
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
auf Bestellung 4571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.76 EUR
10+1.76 EUR
100+1.16 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RFATMA1 DS_IKD10N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e7ea2d2d7a72
IKD10N60RFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 2339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.26 EUR
10+2.08 EUR
100+1.41 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RFATMA1 Infineon_IKD10N60RF_DS_v02_05_EN.pdf
IKD10N60RFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 6311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.83 EUR
10+1.61 EUR
100+1.15 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.9 EUR
2500+0.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60T.pdf
IKP10N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2 EUR
46+1.56 EUR
53+1.35 EUR
72+1 EUR
100+0.89 EUR
250+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N60P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-10n60p-datasheet?assetguid=0f5c9fee-540f-4bb5-b895-18038baa6018
IXFA10N60P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.88 EUR
50+4.12 EUR
100+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N60P-TRL
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.45 EUR
10+5.62 EUR
100+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB110N60P3 DS100314BIXFB110N60P3.pdf
IXFB110N60P3
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+41.36 EUR
25+27.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60P IXFA(P)10N60P.pdf
IXFP10N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA110N65L2-7TR Littelfuse_09-11-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA110N65L2-7TR_Datasheet.pdf
IXSA110N65L2-7TR
Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.83 EUR
10+12.85 EUR
100+10.72 EUR
500+9.35 EUR
800+8.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSG110N65L2K Littelfuse_09-11-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSG110N65L2K_Datasheet.pdf
IXSG110N65L2K
Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.83 EUR
10+12.85 EUR
100+10.72 EUR
500+9.73 EUR
2000+8.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_10N60P_Datasheet.PDF
IXTP10N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.48 EUR
10+4.96 EUR
100+3.68 EUR
500+3.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4.pdf
IXXH110N65C4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.84 EUR
6+12.43 EUR
10+10.88 EUR
30+10.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 ds100497c%28ixxh110n65c4%29.pdf
IXXH110N65C4
Hersteller: IXYS
Description: IGBT PT 650V 234A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 234 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 880 W
auf Bestellung 5190 Stücke:
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1+21.56 EUR
30+13.15 EUR
120+11.31 EUR
510+11.05 EUR
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IXXH110N65C4 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH110N65C4_Datasheet.PDF
IXXH110N65C4
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 8 Stücke:
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1+22 EUR
10+15.42 EUR
120+12.83 EUR
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IXXK110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXK110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 250ns
Gate charge: 183nC
Turn-on time: 65ns
auf Bestellung 11 Stücke:
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3+24.22 EUR
5+23.08 EUR
10+20.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXXK110N65B4H1 littelfuse-discrete-igbts-ixx-110n65b4h1-datasheet?assetguid=f2444f1a-72a7-4cd6-9d41-c399cd2e0f6d
IXXK110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Description: IGBT PT 650V 240A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: TO-264 (IXXK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A
Power - Max: 880 W
auf Bestellung 312 Stücke:
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1+36.73 EUR
25+23.93 EUR
100+21.87 EUR
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