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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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10N65 10N65 LUGUANG ELECTRONIC 10N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+0.93 EUR
117+0.61 EUR
131+0.55 EUR
144+0.50 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N65 LGE Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N65 10N65 LUGUANG ELECTRONIC 10N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
117+0.61 EUR
131+0.55 EUR
144+0.50 EUR
152+0.47 EUR
250+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N60
auf Bestellung 8995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 AOT10N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT10N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 ALPHA&OMEGA AOT10N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N60 TAOT10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 AOT10N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT10N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
39+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 AOT10N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT10N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.92 EUR
50+1.91 EUR
100+1.72 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 AOT10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.50 EUR
53+1.36 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
100+1.09 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 AOT10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.50 EUR
53+1.36 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
100+1.09 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 ALPHA&OMEGA TO220.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 AOTF10N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
61+1.19 EUR
64+1.13 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 AOTF10N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
61+1.19 EUR
64+1.13 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N65 AOTF10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF10N65-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.52 EUR
53+1.36 EUR
61+1.17 EUR
65+1.10 EUR
100+1.09 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N65 AOTF10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF10N65-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
53+1.36 EUR
61+1.17 EUR
65+1.10 EUR
100+1.09 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF BXP10N65CF BRIDGELUX BXP10N65C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.37 EUR
66+1.10 EUR
74+0.98 EUR
126+0.57 EUR
134+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF BXP10N65CF BRIDGELUX BXP10N65C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
66+1.10 EUR
74+0.98 EUR
126+0.57 EUR
134+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F10N60 WXDH Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 900mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP10NK60ZFP F10N60 DONGHAI TDHF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65F FCB110N65F onsemi fcb110n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+5.30 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65F FCB110N65F onsemi / Fairchild fcb110n65f-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
auf Bestellung 5814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.66 EUR
10+7.18 EUR
25+6.81 EUR
100+5.54 EUR
800+5.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65F FCB110N65F onsemi fcb110n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.25 EUR
10+8.30 EUR
100+6.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH110N65F-F155 FCH110N65F-F155 onsemi / Fairchild fch110n65f-d.pdf FAIR-S-A0000571230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.08 EUR
10+10.07 EUR
30+6.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH110N65F-F155 FCH110N65F-F155 onsemi fch110n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.23 EUR
30+5.91 EUR
120+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP110N65F FCP110N65F onsemi fcp110n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.64 EUR
50+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0110N60 FDBL0110N60 onsemi fdbl0110n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13650 pF @ 30 V
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.51 EUR
10+7.77 EUR
100+5.65 EUR
500+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6P03 FLS010N6P03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.21 EUR
10+10.65 EUR
100+9.03 EUR
200+8.64 EUR
500+8.13 EUR
1000+7.13 EUR
2500+6.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6P03-PM FLS010N6P03-PM Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.87 EUR
10+11.11 EUR
50+10.74 EUR
100+10.19 EUR
250+9.12 EUR
500+8.57 EUR
1000+7.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6PHEC03 FLS010N6PHEC03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.80 EUR
10+16.65 EUR
50+15.54 EUR
100+14.52 EUR
250+13.24 EUR
500+12.37 EUR
1000+11.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6S03 FLS010N6S03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.31 EUR
10+13.78 EUR
50+12.97 EUR
100+12.32 EUR
250+10.98 EUR
500+10.31 EUR
1000+9.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6S03-PM FLS010N6S03-PM Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.11 EUR
10+10.82 EUR
50+10.12 EUR
100+8.85 EUR
250+8.36 EUR
500+7.30 EUR
1000+6.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6SHEC03 FLS010N6SHEC03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 75 Stücke:
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1+18.08 EUR
10+15.14 EUR
50+14.94 EUR
100+14.26 EUR
250+12.94 EUR
500+11.60 EUR
1000+10.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS610N6PHEC03 FLS610N6PHEC03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 7 POS PLUG
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1+21.21 EUR
10+19.59 EUR
50+16.63 EUR
100+13.82 EUR
200+13.57 EUR
500+13.41 EUR
1000+13.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS610N6SHEC03 FLS610N6SHEC03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 7 POS PLUG
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.80 EUR
10+21.95 EUR
50+18.62 EUR
100+15.91 EUR
250+15.42 EUR
500+15.08 EUR
1000+14.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS6BS10N6P03 FLS6BS10N6P03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS PLUG
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.19 EUR
10+17.86 EUR
50+17.42 EUR
100+16.47 EUR
250+15.01 EUR
500+13.80 EUR
1000+12.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS6BS10N6S03 FLS6BS10N6S03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS PLUG
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.43 EUR
10+21.65 EUR
50+20.22 EUR
100+18.87 EUR
250+17.21 EUR
500+16.10 EUR
1000+14.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS710N6P03 FLS710N6P03 Amphenol SINE Systems FLS710N6P03.pdf Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.27 EUR
10+15.51 EUR
50+14.82 EUR
100+13.46 EUR
250+12.62 EUR
500+12.09 EUR
1000+11.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS710N6PHEC03 FLS710N6PHEC03 Amphenol SINE Systems FLS710N6PHEC03.pdf Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.35 EUR
10+24.34 EUR
50+20.64 EUR
100+20.35 EUR
250+16.77 EUR
500+16.56 EUR
1000+16.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS710N6S03 FLS710N6S03 Amphenol SINE Systems FLS710N6S03.pdf Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.76 EUR
10+17.78 EUR
50+15.08 EUR
100+12.04 EUR
200+11.51 EUR
500+11.25 EUR
1000+10.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FN2010N-60-24 FN2010N-60-24 Schaffner EMC Inc. Schaffner_datasheet_FN2010.pdf Description: LINE FILTER 250VAC/VDC 60A CHASS
Packaging: Box
Inductance: 1mH
Filter Type: Single Phase
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -25°C ~ 100°C
Termination Style: Threaded Post (M6)
Applications: General Purpose
Approval Agency: CE, CSA, ENEC, UR
Voltage - Rated DC: 250V
Voltage - Rated AC: 250V
Frequency - Operating: DC ~ 400Hz
Part Status: Active
Current: 60 A
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+238.52 EUR
10+194.47 EUR
25+184.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.80 EUR
50+1.46 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.80 EUR
50+1.46 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 Infineon IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
auf Bestellung 3785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.22 EUR
10+2.05 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.00 EUR
2000+0.92 EUR
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP10N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.80 EUR
46+1.57 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP10N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.80 EUR
46+1.57 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 Infineon Technologies IGP10N60T+Rev2_3G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432313ff5e0123b847bd617897 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.48 EUR
50+1.69 EUR
100+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA10N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 27nC
Manufacturer series: T6
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 42.5A
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA10N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 27nC
Manufacturer series: T6
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 42.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+3.98 EUR
31+2.30 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB10N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.52 EUR
38+1.89 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
50+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB10N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.52 EUR
38+1.89 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
50+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RATMA1 IKD10N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD10N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5df8088c02fd Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.20 EUR
10+2.04 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RATMA1 IKD10N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD10N60R_DS_v02_05_EN-1731586.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.89 EUR
10+1.78 EUR
100+1.34 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.97 EUR
2500+0.91 EUR
5000+0.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23 Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.81 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD10N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362116.pdf IGBTs 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 2032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.12 EUR
10+1.11 EUR
100+0.96 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.80 EUR
2500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23 Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
auf Bestellung 5824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.94 EUR
10+1.86 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RF IKD10N60RF Infineon Technologies Infineon_IKD10N60RF_DS_v02_05_EN-3361983.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
auf Bestellung 4989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.69 EUR
10+2.22 EUR
100+1.72 EUR
500+1.47 EUR
1000+1.20 EUR
2500+1.17 EUR
5000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD10N60RF_DS_v02_05_EN-3361983.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 6868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.73 EUR
10+2.04 EUR
100+1.47 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.10 EUR
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N65 10N65.pdf
10N65
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
117+0.61 EUR
131+0.55 EUR
144+0.50 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N65
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N65 10N65.pdf
10N65
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
117+0.61 EUR
131+0.55 EUR
144+0.50 EUR
152+0.47 EUR
250+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N60
auf Bestellung 8995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 AOT10N60.pdf
AOT10N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 AOT10N60.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N60 TAOT10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 AOT10N60.pdf
AOT10N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
39+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 AOT10N60.pdf
AOT10N60
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.92 EUR
50+1.91 EUR
100+1.72 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 TO220.pdf
AOT10N65
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.50 EUR
53+1.36 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
100+1.09 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 TO220.pdf
AOT10N65
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.50 EUR
53+1.36 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
100+1.09 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 TO220.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 TO220F.pdf
AOTF10N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
61+1.19 EUR
64+1.13 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 TO220F.pdf
AOTF10N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
61+1.19 EUR
64+1.13 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N65 AOTF10N65-DTE.pdf
AOTF10N65
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
53+1.36 EUR
61+1.17 EUR
65+1.10 EUR
100+1.09 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N65 AOTF10N65-DTE.pdf
AOTF10N65
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
53+1.36 EUR
61+1.17 EUR
65+1.10 EUR
100+1.09 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF BXP10N65C.pdf
BXP10N65CF
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
66+1.10 EUR
74+0.98 EUR
126+0.57 EUR
134+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF BXP10N65C.pdf
BXP10N65CF
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
66+1.10 EUR
74+0.98 EUR
126+0.57 EUR
134+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F10N60
Hersteller: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 900mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP10NK60ZFP F10N60 DONGHAI TDHF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65F fcb110n65f-d.pdf
FCB110N65F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+5.30 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65F fcb110n65f-d.pdf
FCB110N65F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
auf Bestellung 5814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.66 EUR
10+7.18 EUR
25+6.81 EUR
100+5.54 EUR
800+5.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB110N65F fcb110n65f-d.pdf
FCB110N65F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+12.25 EUR
10+8.30 EUR
100+6.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH110N65F-F155 fch110n65f-d.pdf FAIR-S-A0000571230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCH110N65F-F155
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.08 EUR
10+10.07 EUR
30+6.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH110N65F-F155 fch110n65f-d.pdf
FCH110N65F-F155
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.23 EUR
30+5.91 EUR
120+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP110N65F fcp110n65f-d.pdf
FCP110N65F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.64 EUR
50+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0110N60 fdbl0110n60-d.pdf
FDBL0110N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13650 pF @ 30 V
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+11.51 EUR
10+7.77 EUR
100+5.65 EUR
500+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6P03
FLS010N6P03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.21 EUR
10+10.65 EUR
100+9.03 EUR
200+8.64 EUR
500+8.13 EUR
1000+7.13 EUR
2500+6.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6P03-PM
FLS010N6P03-PM
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.87 EUR
10+11.11 EUR
50+10.74 EUR
100+10.19 EUR
250+9.12 EUR
500+8.57 EUR
1000+7.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6PHEC03
FLS010N6PHEC03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
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1+18.80 EUR
10+16.65 EUR
50+15.54 EUR
100+14.52 EUR
250+13.24 EUR
500+12.37 EUR
1000+11.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6S03
FLS010N6S03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
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250+10.98 EUR
500+10.31 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6S03-PM
FLS010N6S03-PM
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
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10+10.82 EUR
50+10.12 EUR
100+8.85 EUR
250+8.36 EUR
500+7.30 EUR
1000+6.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS010N6SHEC03
FLS010N6SHEC03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
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1+18.08 EUR
10+15.14 EUR
50+14.94 EUR
100+14.26 EUR
250+12.94 EUR
500+11.60 EUR
1000+10.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS610N6PHEC03
FLS610N6PHEC03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 7 POS PLUG
auf Bestellung 68 Stücke:
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Anzahl Preis
1+21.21 EUR
10+19.59 EUR
50+16.63 EUR
100+13.82 EUR
200+13.57 EUR
500+13.41 EUR
1000+13.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS610N6SHEC03
FLS610N6SHEC03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 7 POS PLUG
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+23.80 EUR
10+21.95 EUR
50+18.62 EUR
100+15.91 EUR
250+15.42 EUR
500+15.08 EUR
1000+14.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS6BS10N6P03
FLS6BS10N6P03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.19 EUR
10+17.86 EUR
50+17.42 EUR
100+16.47 EUR
250+15.01 EUR
500+13.80 EUR
1000+12.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS6BS10N6S03
FLS6BS10N6S03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+24.43 EUR
10+21.65 EUR
50+20.22 EUR
100+18.87 EUR
250+17.21 EUR
500+16.10 EUR
1000+14.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS710N6P03 FLS710N6P03.pdf
FLS710N6P03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.27 EUR
10+15.51 EUR
50+14.82 EUR
100+13.46 EUR
250+12.62 EUR
500+12.09 EUR
1000+11.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS710N6PHEC03 FLS710N6PHEC03.pdf
FLS710N6PHEC03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+26.35 EUR
10+24.34 EUR
50+20.64 EUR
100+20.35 EUR
250+16.77 EUR
500+16.56 EUR
1000+16.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FLS710N6S03 FLS710N6S03.pdf
FLS710N6S03
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.76 EUR
10+17.78 EUR
50+15.08 EUR
100+12.04 EUR
200+11.51 EUR
500+11.25 EUR
1000+10.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FN2010N-60-24 Schaffner_datasheet_FN2010.pdf
FN2010N-60-24
Hersteller: Schaffner EMC Inc.
Description: LINE FILTER 250VAC/VDC 60A CHASS
Packaging: Box
Inductance: 1mH
Filter Type: Single Phase
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -25°C ~ 100°C
Termination Style: Threaded Post (M6)
Applications: General Purpose
Approval Agency: CE, CSA, ENEC, UR
Voltage - Rated DC: 250V
Voltage - Rated AC: 250V
Frequency - Operating: DC ~ 400Hz
Part Status: Active
Current: 60 A
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+238.52 EUR
10+194.47 EUR
25+184.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T-DTE.pdf
IGB10N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.80 EUR
50+1.46 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T-DTE.pdf
IGB10N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.80 EUR
50+1.46 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92
IGB10N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
auf Bestellung 3785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.22 EUR
10+2.05 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92
IGB10N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+1.00 EUR
2000+0.92 EUR
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60T-DTE.pdf
IGP10N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.80 EUR
46+1.57 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60T-DTE.pdf
IGP10N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.80 EUR
46+1.57 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60T+Rev2_3G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432313ff5e0123b847bd617897
IGP10N60TXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.48 EUR
50+1.69 EUR
100+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6.pdf
IKA10N65ET6XKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 27nC
Manufacturer series: T6
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 42.5A
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6.pdf
IKA10N65ET6XKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 27nC
Manufacturer series: T6
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 42.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.98 EUR
31+2.30 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB10N60TATMA1 IKB10N60T.pdf
IKB10N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
38+1.89 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
50+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB10N60TATMA1 IKB10N60T.pdf
IKB10N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
38+1.89 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
50+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RATMA1 Infineon-IKD10N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5df8088c02fd
IKD10N60RATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.20 EUR
10+2.04 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RATMA1 Infineon_IKD10N60R_DS_v02_05_EN-1731586.pdf
IKD10N60RATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.89 EUR
10+1.78 EUR
100+1.34 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.97 EUR
2500+0.91 EUR
5000+0.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RC2ATMA1 Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23
IKD10N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.81 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RC2ATMA1 Infineon_IKD10N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362116.pdf
IKD10N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 2032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.12 EUR
10+1.11 EUR
100+0.96 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.80 EUR
2500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD10N60RC2ATMA1 Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23
IKD10N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
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6+2.94 EUR
10+1.86 EUR
100+1.25 EUR
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1000+0.90 EUR
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IKD10N60RF Infineon_IKD10N60RF_DS_v02_05_EN-3361983.pdf
IKD10N60RF
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
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1000+1.20 EUR
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5000+1.16 EUR
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IKD10N60RFATMA1 Infineon_IKD10N60RF_DS_v02_05_EN-3361983.pdf
IKD10N60RFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
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10+2.04 EUR
100+1.47 EUR
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1000+1.10 EUR
2500+1.06 EUR
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