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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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10N65 | LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Power dissipation: 27.5W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 45nC |
auf Bestellung 703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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10N65 | LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Power dissipation: 27.5W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 45nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 703 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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10N65 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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10N60 |
auf Bestellung 8995 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
10N65 | LGE | Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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AOT10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 31nC |
auf Bestellung 871 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOT10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 31nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 871 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOT10N60 | ALPHA&OMEGA |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOT10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 27.7nC |
auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOT10N65 | ALPHA&OMEGA |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOT10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 27.7nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOTF10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.4A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 31.1nC |
auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOTF10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.4A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 31.1nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOTF10N60 | ALPHA&OMEGA |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOTF10N60 | ALPHA&OMEGA |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOTF10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 27.7nC |
auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOTF10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 27.7nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BXP10N60F | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 48W Case: TO220F On-state resistance: 0.68Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 40A |
auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BXP10N65CF | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 48W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 32nC Pulsed drain current: 40A |
auf Bestellung 707 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BXP10N65CF | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 48W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 32nC Pulsed drain current: 40A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 707 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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F10N60 | WXDH |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 900mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP10NK60ZFP; F10N60 DONGHAI TDHF10n60 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FCB110N65F | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 3309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCH110N65F-F155 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FLS010N6P03-PM | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FLS010N6PHEC03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FLS010N6S03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FLS010N6S03-PM | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FLS010N6SHEC03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FLS6BS10N6P03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS PLUG |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FLS6BS10N6S03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS PLUG |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FLS710N6P03 | Amphenol SINE Systems |
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auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FLS710N6PHEC03 | Amphenol SINE Systems |
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auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FLS710N6S03 | Amphenol SINE Systems |
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auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FN2010N-60-24 | TE Connectivity / Schaffner |
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auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGB10N60T | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V |
auf Bestellung 1306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGB10N60TATMA1 | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1306 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGB10N60TATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 3352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGP10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V |
auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGP10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKA10N65ET6XKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Power dissipation: 20W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 27nC Collector current: 9A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 42.5A Collector-emitter voltage: 650V Manufacturer series: T6 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKA10N65ET6XKSA2 | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKA10N65ET6XKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Power dissipation: 20W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 27nC Collector current: 9A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 42.5A Collector-emitter voltage: 650V Manufacturer series: T6 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 62nC Turn-on time: 20ns Turn-off time: 253ns Collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 62nC Turn-on time: 20ns Turn-off time: 253ns Collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKD10N60RATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKD10N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2929 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKD10N60RF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 6812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKP10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 62nC Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFB110N60P3 | IXYS |
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auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN110N60P3 | IXYS |
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auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFP10N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: TO220AB On-state resistance: 0.74Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 32nC Reverse recovery time: 120ns |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFP10N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: TO220AB On-state resistance: 0.74Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 32nC Reverse recovery time: 120ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTP10N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: TO220AB On-state resistance: 0.74Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 32nC Reverse recovery time: 0.5µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IXTP10N60P | IXYS |
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auf Bestellung 283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXXH110N65C4 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 880W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 167nC Turn-on time: 71ns Turn-off time: 160ns Collector current: 110A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Collector-emitter voltage: 650V |
auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXXH110N65C4 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 880W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 167nC Turn-on time: 71ns Turn-off time: 160ns Collector current: 110A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Collector-emitter voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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![]() |
IXXH110N65C4 | IXYS |
![]() |
auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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10N65 |
![]() |
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 0.94 EUR |
115+ | 0.62 EUR |
127+ | 0.56 EUR |
148+ | 0.48 EUR |
157+ | 0.46 EUR |
250+ | 0.45 EUR |
10N65 |
![]() |
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 0.94 EUR |
115+ | 0.62 EUR |
127+ | 0.56 EUR |
148+ | 0.48 EUR |
157+ | 0.46 EUR |
250+ | 0.45 EUR |
10N65 |
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 1.02 EUR |
10N65 |
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AOT10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31nC
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
42+ | 1.73 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
AOT10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
42+ | 1.73 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
AOT10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N60 TAOT10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N60 TAOT10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.64 EUR |
AOT10N65 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 1.4 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
100+ | 1.02 EUR |
AOT10N65 |
![]() |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.46 EUR |
AOT10N65 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 1.4 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
100+ | 1.02 EUR |
AOTF10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31.1nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31.1nC
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 1.76 EUR |
46+ | 1.56 EUR |
60+ | 1.2 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
AOTF10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31.1nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31.1nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 1.76 EUR |
46+ | 1.56 EUR |
60+ | 1.2 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
AOTF10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 2.84 EUR |
AOTF10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 2.84 EUR |
AOTF10N65 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.46 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
100+ | 1.04 EUR |
500+ | 1.03 EUR |
AOTF10N65 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.46 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
100+ | 1.04 EUR |
500+ | 1.03 EUR |
BXP10N60F |
![]() |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 0.94 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
96+ | 0.75 EUR |
123+ | 0.58 EUR |
130+ | 0.55 EUR |
BXP10N65CF |
![]() |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
91+ | 0.79 EUR |
119+ | 0.6 EUR |
137+ | 0.52 EUR |
145+ | 0.5 EUR |
150+ | 0.48 EUR |
BXP10N65CF |
![]() |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
91+ | 0.79 EUR |
119+ | 0.6 EUR |
137+ | 0.52 EUR |
145+ | 0.5 EUR |
150+ | 0.48 EUR |
F10N60 |
Hersteller: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 900mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP10NK60ZFP; F10N60 DONGHAI TDHF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 900mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP10NK60ZFP; F10N60 DONGHAI TDHF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.56 EUR |
FCB110N65F |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
auf Bestellung 3309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.72 EUR |
10+ | 5.63 EUR |
100+ | 5.46 EUR |
500+ | 4.95 EUR |
FCH110N65F-F155 |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
MOSFETs SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 11.93 EUR |
10+ | 8.24 EUR |
120+ | 7.83 EUR |
510+ | 7.27 EUR |
1020+ | 6.56 EUR |
2520+ | 6.53 EUR |
FLS010N6P03-PM |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.52 EUR |
10+ | 8.27 EUR |
25+ | 8.15 EUR |
250+ | 6.85 EUR |
500+ | 6.79 EUR |
FLS010N6PHEC03 |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 13.53 EUR |
10+ | 12.37 EUR |
25+ | 12.16 EUR |
50+ | 12.11 EUR |
100+ | 11.84 EUR |
250+ | 11.02 EUR |
500+ | 10.77 EUR |
FLS010N6S03 |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.77 EUR |
10+ | 10.14 EUR |
25+ | 9.54 EUR |
50+ | 9.52 EUR |
100+ | 9.24 EUR |
250+ | 8.66 EUR |
500+ | 8.4 EUR |
FLS010N6S03-PM |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.15 EUR |
10+ | 8.31 EUR |
25+ | 8.1 EUR |
50+ | 8.04 EUR |
100+ | 7.99 EUR |
250+ | 7.6 EUR |
500+ | 7.22 EUR |
FLS010N6SHEC03 |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 13.75 EUR |
10+ | 12.62 EUR |
25+ | 12.34 EUR |
50+ | 11.4 EUR |
100+ | 11.26 EUR |
250+ | 10.31 EUR |
500+ | 10.1 EUR |
FLS6BS10N6P03 |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 17.21 EUR |
10+ | 15.36 EUR |
25+ | 15.12 EUR |
50+ | 13.89 EUR |
100+ | 13.46 EUR |
250+ | 13.16 EUR |
500+ | 12.51 EUR |
FLS6BS10N6S03 |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 22.44 EUR |
10+ | 19.84 EUR |
25+ | 19.06 EUR |
50+ | 18.48 EUR |
100+ | 17.44 EUR |
250+ | 15.93 EUR |
500+ | 14.89 EUR |
FLS710N6P03 |
![]() |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 14.71 EUR |
10+ | 12.71 EUR |
25+ | 12.46 EUR |
50+ | 12.21 EUR |
100+ | 11.74 EUR |
500+ | 10.86 EUR |
1000+ | 10.54 EUR |
FLS710N6PHEC03 |
![]() |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 18.69 EUR |
10+ | 17.18 EUR |
25+ | 16.76 EUR |
50+ | 16.63 EUR |
250+ | 16.61 EUR |
500+ | 16.05 EUR |
1000+ | 15.12 EUR |
FLS710N6S03 |
![]() |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 17.41 EUR |
10+ | 15.65 EUR |
25+ | 14.77 EUR |
50+ | 14.45 EUR |
100+ | 13.46 EUR |
250+ | 12.55 EUR |
500+ | 11.79 EUR |
FN2010N-60-24 |
![]() |
Hersteller: TE Connectivity / Schaffner
Power Line Filters 250Vac 60A 1mH Screw EMI Filter
Power Line Filters 250Vac 60A 1mH Screw EMI Filter
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 193.25 EUR |
10+ | 189.59 EUR |
25+ | 183.88 EUR |
50+ | 178.2 EUR |
100+ | 172.52 EUR |
IGB10N60T |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.43 EUR |
10+ | 1.53 EUR |
100+ | 1.02 EUR |
500+ | 0.83 EUR |
1000+ | 0.7 EUR |
2000+ | 0.67 EUR |
5000+ | 0.6 EUR |
IGB10N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 1306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.22 EUR |
72+ | 1 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
500+ | 0.8 EUR |
1000+ | 0.79 EUR |
IGB10N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.65 EUR |
IGB10N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.22 EUR |
72+ | 1 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
500+ | 0.8 EUR |
1000+ | 0.79 EUR |
IGB10N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.11 EUR |
10+ | 1.39 EUR |
100+ | 0.94 EUR |
500+ | 0.78 EUR |
1000+ | 0.71 EUR |
2000+ | 0.62 EUR |
5000+ | 0.58 EUR |
IGP10N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
39+ | 1.84 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
IGP10N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
39+ | 1.84 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
IKA10N65ET6XKSA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: T6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: T6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.93 EUR |
41+ | 1.77 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
IKA10N65ET6XKSA2 |
![]() |
Hersteller: Infineon
IGBT 650V 15A TO220-3 TrenchStop -40+175°C OBSOLETE; IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies TIKA10n65et6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
IGBT 650V 15A TO220-3 TrenchStop -40+175°C OBSOLETE; IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies TIKA10n65et6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.56 EUR |
IKA10N65ET6XKSA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: T6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: T6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.93 EUR |
41+ | 1.77 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
500+ | 1.34 EUR |
IKB10N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.4 EUR |
39+ | 1.87 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
50+ | 1.52 EUR |
IKB10N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.4 EUR |
39+ | 1.87 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
50+ | 1.52 EUR |
IKD10N60RATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.78 EUR |
10+ | 1.06 EUR |
100+ | 0.83 EUR |
500+ | 0.72 EUR |
1000+ | 0.69 EUR |
2500+ | 0.62 EUR |
5000+ | 0.58 EUR |
IKD10N60RC2ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
IGBTs 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 2929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 1.39 EUR |
10+ | 0.98 EUR |
100+ | 0.75 EUR |
500+ | 0.65 EUR |
1000+ | 0.61 EUR |
2500+ | 0.57 EUR |
5000+ | 0.51 EUR |
IKD10N60RF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
auf Bestellung 4785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.75 EUR |
10+ | 1.74 EUR |
100+ | 1.16 EUR |
500+ | 0.95 EUR |
1000+ | 0.83 EUR |
2500+ | 0.77 EUR |
5000+ | 0.7 EUR |
IKD10N60RFATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 6812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.66 EUR |
10+ | 1.5 EUR |
100+ | 1.08 EUR |
500+ | 0.89 EUR |
1000+ | 0.82 EUR |
2500+ | 0.75 EUR |
5000+ | 0.69 EUR |
IKP10N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 2.27 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
100+ | 1.19 EUR |
IXFB110N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFETs 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 39.51 EUR |
10+ | 32.33 EUR |
100+ | 30.96 EUR |
IXFN110N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFET Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 59.72 EUR |
10+ | 52.92 EUR |
IXFP10N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.49 EUR |
23+ | 3.13 EUR |
27+ | 2.75 EUR |
28+ | 2.59 EUR |
50+ | 2.5 EUR |
IXFP10N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.49 EUR |
23+ | 3.13 EUR |
27+ | 2.75 EUR |
28+ | 2.59 EUR |
50+ | 2.5 EUR |
IXTP10N60P |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP10N60P |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
MOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.48 EUR |
10+ | 4.96 EUR |
100+ | 3.94 EUR |
500+ | 3.87 EUR |
1000+ | 3.66 EUR |
IXXH110N65C4 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.34 EUR |
7+ | 10.5 EUR |
IXXH110N65C4 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.34 EUR |
7+ | 10.5 EUR |
IXXH110N65C4 |
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Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 21.56 EUR |
10+ | 13.46 EUR |
510+ | 13.2 EUR |
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