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10N65 LGE Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
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10N65 10N65 LUGUANG ELECTRONIC 10N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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10N60
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AOT10N60 AOT10N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT10N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 934 Stücke:
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42+1.73 EUR
47+1.53 EUR
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AOT10N60 ALPHA&OMEGA AOT10N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N60 TAOT10n60
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AOT10N60 AOT10N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT10N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AOT10N65 AOT10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.67 EUR
48+1.52 EUR
62+1.16 EUR
65+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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AOT10N65 AOT10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhancement
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AOT10N65 ALPHA&OMEGA TO220.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
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AOTF10N60 AOTF10N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 564 Stücke:
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41+1.76 EUR
46+1.56 EUR
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AOTF10N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 AOTF10N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhancement
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AOTF10N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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AOTF10N65 AOTF10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF10N65-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 541 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 42
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AOTF10N65 AOTF10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF10N65-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhancement
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auf Bestellung 541 Stücke:
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BXP10N60F BXP10N60F BRIDGELUX BXP10N60F-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+0.89 EUR
94+0.77 EUR
104+0.69 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF BXP10N65CF BRIDGELUX BXP10N65C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.26 EUR
71+1.01 EUR
80+0.90 EUR
132+0.54 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF BXP10N65CF BRIDGELUX BXP10N65C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
71+1.01 EUR
80+0.90 EUR
132+0.54 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.80 EUR
50+1.46 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 Infineon IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
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20+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.80 EUR
50+1.46 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
250+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP10N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.80 EUR
46+1.57 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP10N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.80 EUR
46+1.57 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA10N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 42.5A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Technology: TRENCHSTOP™ 6
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+1.93 EUR
41+1.77 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA10N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 42.5A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
41+1.77 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB10N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.09 EUR
36+2.03 EUR
44+1.66 EUR
46+1.57 EUR
100+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB10N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.09 EUR
36+2.03 EUR
44+1.66 EUR
46+1.57 EUR
100+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.95 EUR
55+1.30 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60P IXFP10N60P IXYS IXFA(P)10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.15 EUR
20+3.72 EUR
25+2.96 EUR
26+2.80 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60P IXFP10N60P IXYS IXFA(P)10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.15 EUR
20+3.72 EUR
25+2.96 EUR
26+2.80 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60P IXTP10N60P IXYS IXTP10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS IXXH110N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
auf Bestellung 241 Stücke:
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7+10.50 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS IXXH110N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 241 Stücke:
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5+15.49 EUR
7+10.50 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.10 EUR
25+18.88 EUR
50+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.10 EUR
25+18.88 EUR
50+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M IXYS IXYP10N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.30 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M IXYS IXYP10N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
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31+2.30 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPEB-10N/630 MPEB-10N/630 SR PASSIVES mpeb.pdf Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polyester; 10nF; 630VDC; 10mm; ±10%; 13x4x9mm; MKT; THT
Type of capacitor: polyester
Capacitance: 10nF
Operating voltage: 630V DC
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Terminal pitch: 10mm
Body dimensions: 13x4x9mm
Lead length: 15mm
Manufacturer series: MKT
Climate class: 40/85/21
Capacitor application: DC applications; filtering; high frequency circuits; impulse circuits; supression circuits
Capacitors features: increased service life capacitors; non-inductive capacitors
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 8330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
720+0.10 EUR
890+0.08 EUR
960+0.08 EUR
1010+0.07 EUR
1060+0.07 EUR
2000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 720
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPEM-10N/630 MPEM-10N/630 SR PASSIVES mpem.pdf Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polyester; 10nF; 630VDC; 10mm; ±10%; 12x4x8mm; MKT; THT
Type of capacitor: polyester
Capacitance: 10nF
Operating voltage: 630V DC
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Terminal pitch: 10mm
Body dimensions: 12x4x8mm
Lead length: 22mm
Manufacturer series: MKT
Climate class: 40/85/21
Capacitor application: filtering; high frequency circuits; impulse circuits; supression circuits
Capacitors features: coated with epoxy resin; high insulation resistance; increased service life capacitors; non-inductive capacitors
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
610+0.12 EUR
710+0.10 EUR
960+0.08 EUR
1530+0.05 EUR
1620+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 610
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RTS6BS10N6S03 RTS6BS10N6S03 AMPHENOL Ecomate_Aquarius.pdf RTS6BS10N6S03.pdf Category: AMPHENOL connectors
Description: Connector: circular; plug; for cable; PIN: 6; female; w/o contacts
Case: size 10
Number of pins: 6
Connector pinout layout: 10-6
Connector variant: w/o contacts
Maximum current: 7.5A
Connectors application: terminals, size 20
Mechanical mounting: for cable
Cable external diameter: 4...8.8mm
Manufacturer series: eco|mate Aquarius
Spatial orientation: straight
Type of connector: circular
Connector: plug
Kind of connector: female
Rated voltage: 500V
Operating temperature: -40...125°C
IP rating: IP68; IP69K
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.98 EUR
10+7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RTS6BS10N6S03 RTS6BS10N6S03 AMPHENOL Ecomate_Aquarius.pdf RTS6BS10N6S03.pdf Category: AMPHENOL connectors
Description: Connector: circular; plug; for cable; PIN: 6; female; w/o contacts
Case: size 10
Number of pins: 6
Connector pinout layout: 10-6
Connector variant: w/o contacts
Maximum current: 7.5A
Connectors application: terminals, size 20
Mechanical mounting: for cable
Cable external diameter: 4...8.8mm
Manufacturer series: eco|mate Aquarius
Spatial orientation: straight
Type of connector: circular
Connector: plug
Kind of connector: female
Rated voltage: 500V
Operating temperature: -40...125°C
IP rating: IP68; IP69K
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.98 EUR
10+7.38 EUR
50+7.25 EUR
100+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RTS710N6P03 RTS710N6P03 AMPHENOL Ecomate_Aquarius.pdf RTS710N6P03.pdf Category: AMPHENOL connectors
Description: Connector: circular; socket; for panel mounting,front side nut
Case: size 10
Number of pins: 6
Connector pinout layout: 10-6
Connector variant: w/o contacts
Maximum current: 7.5A
Connectors application: terminals, size 20
Mechanical mounting: for panel mounting; front side nut
Manufacturer series: eco|mate Aquarius
Type of connector: circular
Connector: socket
Kind of connector: male
Rated voltage: 250V
Operating temperature: -40...125°C
IP rating: IP68; IP69K
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.58 EUR
24+3.05 EUR
25+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RTS710N6P03 RTS710N6P03 AMPHENOL Ecomate_Aquarius.pdf RTS710N6P03.pdf Category: AMPHENOL connectors
Description: Connector: circular; socket; for panel mounting,front side nut
Case: size 10
Number of pins: 6
Connector pinout layout: 10-6
Connector variant: w/o contacts
Maximum current: 7.5A
Connectors application: terminals, size 20
Mechanical mounting: for panel mounting; front side nut
Manufacturer series: eco|mate Aquarius
Type of connector: circular
Connector: socket
Kind of connector: male
Rated voltage: 250V
Operating temperature: -40...125°C
IP rating: IP68; IP69K
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.58 EUR
24+3.05 EUR
25+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60M2 STD10N60M2 STMicroelectronics std10n60m2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
auf Bestellung 2324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.63 EUR
49+1.47 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
100+1.10 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60M2 STD10N60M2 STMicroelectronics std10n60m2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2324 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
49+1.47 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
100+1.10 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF10N65K3 STF10N65K3 STMicroelectronics en.CD00235865.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 40A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.12 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF10N65K3 STF10N65K3 STMicroelectronics en.CD00235865.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 40A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.12 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
2000+0.97 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF10N60C2 WMF10N60C2 WAYON WMF10N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.80 EUR
98+0.73 EUR
117+0.61 EUR
133+0.54 EUR
164+0.44 EUR
174+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N60C4 WML10N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4.8A; Idm: 19A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.30 EUR
62+1.17 EUR
73+0.98 EUR
90+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM10N60C2 WMM10N60C2 WAYON WMx10N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+0.82 EUR
120+0.60 EUR
136+0.53 EUR
204+0.35 EUR
216+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM10N65C2 WMM10N65C2 WAYON WMx10N65C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+0.82 EUR
118+0.61 EUR
134+0.54 EUR
197+0.36 EUR
209+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMN10N60C2 WMN10N60C2 WAYON WMx10N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+17.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMN10N65C2 WMN10N65C2 WAYON WMx10N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.20 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO10N60C2 WMO10N60C2 WAYON WMx10N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 1801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+0.64 EUR
127+0.57 EUR
142+0.50 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1210N6R0D501NT
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3806/GB10N60L 07+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7A10N-680K-T N/A 2006
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
86C260-10-N6AOIB S3 BGA
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C1210N683M5XPC KEMET
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CIL10N68NMNC ИэРЗ
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N65
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N65 10N65.pdf
10N65
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10N60
auf Bestellung 8995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 AOT10N60.pdf
AOT10N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
47+1.53 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 AOT10N60.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N60 TAOT10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N60 AOT10N60.pdf
AOT10N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
47+1.53 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 TO220.pdf
AOT10N65
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.67 EUR
48+1.52 EUR
62+1.16 EUR
65+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 TO220.pdf
AOT10N65
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.67 EUR
48+1.52 EUR
62+1.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT10N65 TO220.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 TO220F.pdf
AOTF10N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.76 EUR
46+1.56 EUR
60+1.20 EUR
64+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 TO220F.pdf
AOTF10N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.76 EUR
46+1.56 EUR
60+1.20 EUR
64+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N60 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N65 AOTF10N65-DTE.pdf
AOTF10N65
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
47+1.53 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF10N65 AOTF10N65-DTE.pdf
AOTF10N65
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
47+1.53 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N60F BXP10N60F-DTE.pdf
BXP10N60F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
94+0.77 EUR
104+0.69 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF BXP10N65C.pdf
BXP10N65CF
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
71+1.01 EUR
80+0.90 EUR
132+0.54 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF BXP10N65C.pdf
BXP10N65CF
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
71+1.01 EUR
80+0.90 EUR
132+0.54 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T-DTE.pdf
IGB10N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.80 EUR
50+1.46 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T-DTE.pdf
IGB10N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.80 EUR
50+1.46 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
250+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60T-DTE.pdf
IGP10N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.80 EUR
46+1.57 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60T-DTE.pdf
IGP10N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.80 EUR
46+1.57 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6.pdf
IKA10N65ET6XKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 42.5A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Technology: TRENCHSTOP™ 6
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
41+1.77 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6.pdf
IKA10N65ET6XKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 42.5A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
41+1.77 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB10N60TATMA1 IKB10N60T.pdf
IKB10N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.09 EUR
36+2.03 EUR
44+1.66 EUR
46+1.57 EUR
100+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB10N60TATMA1 IKB10N60T.pdf
IKB10N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.09 EUR
36+2.03 EUR
44+1.66 EUR
46+1.57 EUR
100+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60T.pdf
IKP10N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
55+1.30 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60P IXFA(P)10N60P.pdf
IXFP10N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.15 EUR
20+3.72 EUR
25+2.96 EUR
26+2.80 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60P IXFA(P)10N60P.pdf
IXFP10N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.15 EUR
20+3.72 EUR
25+2.96 EUR
26+2.80 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60P IXTP10N60P.pdf
IXTP10N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4.pdf
IXXH110N65C4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.49 EUR
7+10.50 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4.pdf
IXXH110N65C4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.49 EUR
7+10.50 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXK110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.10 EUR
25+18.88 EUR
50+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXK110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.10 EUR
25+18.88 EUR
50+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M.pdf
IXYP10N65C3D1M
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.30 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M.pdf
IXYP10N65C3D1M
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.30 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPEB-10N/630 mpeb.pdf
MPEB-10N/630
Hersteller: SR PASSIVES
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polyester; 10nF; 630VDC; 10mm; ±10%; 13x4x9mm; MKT; THT
Type of capacitor: polyester
Capacitance: 10nF
Operating voltage: 630V DC
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Terminal pitch: 10mm
Body dimensions: 13x4x9mm
Lead length: 15mm
Manufacturer series: MKT
Climate class: 40/85/21
Capacitor application: DC applications; filtering; high frequency circuits; impulse circuits; supression circuits
Capacitors features: increased service life capacitors; non-inductive capacitors
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 8330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
720+0.10 EUR
890+0.08 EUR
960+0.08 EUR
1010+0.07 EUR
1060+0.07 EUR
2000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 720
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPEM-10N/630 mpem.pdf
MPEM-10N/630
Hersteller: SR PASSIVES
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polyester; 10nF; 630VDC; 10mm; ±10%; 12x4x8mm; MKT; THT
Type of capacitor: polyester
Capacitance: 10nF
Operating voltage: 630V DC
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Terminal pitch: 10mm
Body dimensions: 12x4x8mm
Lead length: 22mm
Manufacturer series: MKT
Climate class: 40/85/21
Capacitor application: filtering; high frequency circuits; impulse circuits; supression circuits
Capacitors features: coated with epoxy resin; high insulation resistance; increased service life capacitors; non-inductive capacitors
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
610+0.12 EUR
710+0.10 EUR
960+0.08 EUR
1530+0.05 EUR
1620+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 610
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RTS6BS10N6S03 Ecomate_Aquarius.pdf RTS6BS10N6S03.pdf
RTS6BS10N6S03
Hersteller: AMPHENOL
Category: AMPHENOL connectors
Description: Connector: circular; plug; for cable; PIN: 6; female; w/o contacts
Case: size 10
Number of pins: 6
Connector pinout layout: 10-6
Connector variant: w/o contacts
Maximum current: 7.5A
Connectors application: terminals, size 20
Mechanical mounting: for cable
Cable external diameter: 4...8.8mm
Manufacturer series: eco|mate Aquarius
Spatial orientation: straight
Type of connector: circular
Connector: plug
Kind of connector: female
Rated voltage: 500V
Operating temperature: -40...125°C
IP rating: IP68; IP69K
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.98 EUR
10+7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RTS6BS10N6S03 Ecomate_Aquarius.pdf RTS6BS10N6S03.pdf
RTS6BS10N6S03
Hersteller: AMPHENOL
Category: AMPHENOL connectors
Description: Connector: circular; plug; for cable; PIN: 6; female; w/o contacts
Case: size 10
Number of pins: 6
Connector pinout layout: 10-6
Connector variant: w/o contacts
Maximum current: 7.5A
Connectors application: terminals, size 20
Mechanical mounting: for cable
Cable external diameter: 4...8.8mm
Manufacturer series: eco|mate Aquarius
Spatial orientation: straight
Type of connector: circular
Connector: plug
Kind of connector: female
Rated voltage: 500V
Operating temperature: -40...125°C
IP rating: IP68; IP69K
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.98 EUR
10+7.38 EUR
50+7.25 EUR
100+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RTS710N6P03 Ecomate_Aquarius.pdf RTS710N6P03.pdf
RTS710N6P03
Hersteller: AMPHENOL
Category: AMPHENOL connectors
Description: Connector: circular; socket; for panel mounting,front side nut
Case: size 10
Number of pins: 6
Connector pinout layout: 10-6
Connector variant: w/o contacts
Maximum current: 7.5A
Connectors application: terminals, size 20
Mechanical mounting: for panel mounting; front side nut
Manufacturer series: eco|mate Aquarius
Type of connector: circular
Connector: socket
Kind of connector: male
Rated voltage: 250V
Operating temperature: -40...125°C
IP rating: IP68; IP69K
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.58 EUR
24+3.05 EUR
25+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RTS710N6P03 Ecomate_Aquarius.pdf RTS710N6P03.pdf
RTS710N6P03
Hersteller: AMPHENOL
Category: AMPHENOL connectors
Description: Connector: circular; socket; for panel mounting,front side nut
Case: size 10
Number of pins: 6
Connector pinout layout: 10-6
Connector variant: w/o contacts
Maximum current: 7.5A
Connectors application: terminals, size 20
Mechanical mounting: for panel mounting; front side nut
Manufacturer series: eco|mate Aquarius
Type of connector: circular
Connector: socket
Kind of connector: male
Rated voltage: 250V
Operating temperature: -40...125°C
IP rating: IP68; IP69K
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.58 EUR
24+3.05 EUR
25+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60M2 std10n60m2.pdf
STD10N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
auf Bestellung 2324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
49+1.47 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
100+1.10 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60M2 std10n60m2.pdf
STD10N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2324 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
49+1.47 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
100+1.10 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF10N65K3 en.CD00235865.pdf
STF10N65K3
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 40A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.12 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF10N65K3 en.CD00235865.pdf
STF10N65K3
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 40A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.12 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
2000+0.97 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF10N60C2 WMF10N60C2.pdf
WMF10N60C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.80 EUR
98+0.73 EUR
117+0.61 EUR
133+0.54 EUR
164+0.44 EUR
174+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N60C4
WML10N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4.8A; Idm: 19A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.30 EUR
62+1.17 EUR
73+0.98 EUR
90+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM10N60C2 WMx10N60C2.pdf
WMM10N60C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
120+0.60 EUR
136+0.53 EUR
204+0.35 EUR
216+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM10N65C2 WMx10N65C2.pdf
WMM10N65C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
118+0.61 EUR
134+0.54 EUR
197+0.36 EUR
209+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMN10N60C2 WMx10N60C2.pdf
WMN10N60C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMN10N65C2 WMx10N65C2.pdf
WMN10N65C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.20 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO10N60C2 WMx10N60C2.pdf
WMO10N60C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 1801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
127+0.57 EUR
142+0.50 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1210N6R0D501NT
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3806/GB10N60L
07+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7A10N-680K-T
Hersteller: N/A
2006
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
86C260-10-N6AOIB
Hersteller: S3
BGA
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C1210N683M5XPC
Hersteller: KEMET
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CIL10N68NMNC
Hersteller: ИэРЗ
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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