Suchergebnisse für "10N6" : > 60
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
10N65 | LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Power dissipation: 27.5W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 45nC |
auf Bestellung 471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
10N65 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
10N65 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
10N65 | LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Power dissipation: 27.5W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 45nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 471 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
10N60 |
auf Bestellung 8995 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
![]() |
AOT10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 31nC |
auf Bestellung 864 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
AOT10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 31nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 864 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
AOT10N60 | ALPHA&OMEGA |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
AOT10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 27.7nC |
auf Bestellung 453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
AOT10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 27.7nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 453 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
AOT10N65 | ALPHA&OMEGA |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
AOTF10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.4A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 31.1nC |
auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
AOTF10N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.4A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 31.1nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
AOTF10N60 | ALPHA&OMEGA |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
AOTF10N60 | ALPHA&OMEGA |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
AOTF10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 27.7nC |
auf Bestellung 451 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
AOTF10N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.2A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 27.7nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 451 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
BXP10N60F | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 48W Case: TO220F On-state resistance: 0.68Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 40A |
auf Bestellung 762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
BXP10N65CF | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 48W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 32nC Pulsed drain current: 40A |
auf Bestellung 707 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
BXP10N65CF | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 48W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 32nC Pulsed drain current: 40A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 707 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
F10N60 | WXDH |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 900mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP10NK60ZFP; F10N60 DONGHAI TDHF10n60 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FCB110N65F | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 1229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCP110N65F | onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FLS010N6P03-PM | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FLS010N6PHEC03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FLS010N6S03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FLS010N6S03-PM | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FLS010N6SHEC03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FLS610N6SHEC03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 7 POS PLUG |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FLS6BS10N6P03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS PLUG |
auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FLS6BS10N6S03 | Amphenol SINE Systems | Standard Circular Connector 6 POS PLUG |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FLS710N6P03 | Amphenol SINE Systems |
![]() |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FLS710N6PHEC03 | Amphenol SINE Systems |
![]() |
auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
FLS710N6S03 | Amphenol SINE Systems |
![]() |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V |
auf Bestellung 1134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
IGB10N60TATMA1 | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IGB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1134 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGB10N60TATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 3352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGP10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V |
auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IGP10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKA10N65ET6XKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Power dissipation: 20W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 27nC Collector current: 9A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 42.5A Collector-emitter voltage: 650V Manufacturer series: T6 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
IKA10N65ET6XKSA2 | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IKA10N65ET6XKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Power dissipation: 20W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 27nC Collector current: 9A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 42.5A Collector-emitter voltage: 650V Manufacturer series: T6 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 62nC Turn-on time: 20ns Turn-off time: 253ns Collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 62nC Turn-on time: 20ns Turn-off time: 253ns Collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKD10N60RATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKD10N60RF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 4785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 6811 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKP10N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 62nC Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFB110N60P3 | IXYS |
![]() |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFP10N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: TO220AB On-state resistance: 0.74Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 32nC Reverse recovery time: 120ns |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFP10N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: TO220AB On-state resistance: 0.74Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 32nC Reverse recovery time: 120ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFP10N60P | IXYS |
![]() |
auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXSA110N65L2-7TR | IXYS |
![]() |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXSG110N65L2K | IXYS |
![]() |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTP10N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: TO220AB On-state resistance: 0.74Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 32nC Reverse recovery time: 0.5µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IXTP10N60P | IXYS |
![]() |
auf Bestellung 283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXXH110N65C4 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 880W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 167nC Turn-on time: 71ns Turn-off time: 160ns Collector current: 110A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Collector-emitter voltage: 650V |
auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXXH110N65C4 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 880W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 167nC Turn-on time: 71ns Turn-off time: 160ns Collector current: 110A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Collector-emitter voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXXH110N65C4 | IXYS |
![]() |
auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
10N65 |
![]() |
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
74+ | 0.97 EUR |
112+ | 0.64 EUR |
125+ | 0.58 EUR |
145+ | 0.49 EUR |
153+ | 0.47 EUR |
250+ | 0.46 EUR |
10N65 |
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.2 EUR |
10N65 |
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.2 EUR |
10N65 |
![]() |
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
74+ | 0.97 EUR |
112+ | 0.64 EUR |
125+ | 0.58 EUR |
145+ | 0.49 EUR |
153+ | 0.47 EUR |
250+ | 0.46 EUR |
AOT10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31nC
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
42+ | 1.73 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
AOT10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
42+ | 1.73 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
AOT10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N60 TAOT10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N60 TAOT10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.67 EUR |
AOT10N65 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 1.4 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
100+ | 1.02 EUR |
AOT10N65 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 1.4 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
100+ | 1.02 EUR |
AOT10N65 |
![]() |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.48 EUR |
AOTF10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31.1nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31.1nC
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 1.76 EUR |
46+ | 1.56 EUR |
60+ | 1.2 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
AOTF10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31.1nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31.1nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 1.76 EUR |
46+ | 1.56 EUR |
60+ | 1.2 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
AOTF10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 2.88 EUR |
AOTF10N60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 2.88 EUR |
AOTF10N65 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.46 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
100+ | 1.04 EUR |
AOTF10N65 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 27.7nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.46 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
100+ | 1.04 EUR |
500+ | 1.03 EUR |
BXP10N60F |
![]() |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
75+ | 0.96 EUR |
85+ | 0.84 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
122+ | 0.59 EUR |
128+ | 0.56 EUR |
BXP10N65CF |
![]() |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
90+ | 0.8 EUR |
118+ | 0.61 EUR |
136+ | 0.53 EUR |
143+ | 0.5 EUR |
149+ | 0.48 EUR |
BXP10N65CF |
![]() |
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
90+ | 0.8 EUR |
118+ | 0.61 EUR |
136+ | 0.53 EUR |
143+ | 0.5 EUR |
149+ | 0.48 EUR |
F10N60 |
Hersteller: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 900mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP10NK60ZFP; F10N60 DONGHAI TDHF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 900mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP10NK60ZFP; F10N60 DONGHAI TDHF10n60
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.58 EUR |
FCB110N65F |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.86 EUR |
10+ | 5.72 EUR |
100+ | 5.63 EUR |
500+ | 5.46 EUR |
FCP110N65F |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 650V, 110mohm
MOSFETs SuperFET2 650V, 110mohm
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 11.09 EUR |
10+ | 5.98 EUR |
100+ | 5.47 EUR |
500+ | 4.8 EUR |
FLS010N6P03-PM |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.52 EUR |
10+ | 8.27 EUR |
25+ | 8.15 EUR |
250+ | 6.85 EUR |
500+ | 6.79 EUR |
FLS010N6PHEC03 |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 13.53 EUR |
10+ | 12.37 EUR |
25+ | 12.16 EUR |
50+ | 12.11 EUR |
100+ | 11.84 EUR |
250+ | 11.02 EUR |
500+ | 10.77 EUR |
FLS010N6S03 |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.77 EUR |
10+ | 10.14 EUR |
25+ | 9.54 EUR |
50+ | 9.52 EUR |
100+ | 9.24 EUR |
250+ | 8.66 EUR |
500+ | 8.4 EUR |
FLS010N6S03-PM |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.84 EUR |
10+ | 7.69 EUR |
25+ | 7.67 EUR |
50+ | 7.66 EUR |
100+ | 7.43 EUR |
500+ | 7.2 EUR |
1000+ | 6.71 EUR |
FLS010N6SHEC03 |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 13.75 EUR |
10+ | 12.62 EUR |
25+ | 12.34 EUR |
50+ | 11.4 EUR |
100+ | 11.26 EUR |
250+ | 10.31 EUR |
500+ | 10.1 EUR |
FLS610N6SHEC03 |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 7 POS PLUG
Standard Circular Connector 7 POS PLUG
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 17.49 EUR |
10+ | 14.75 EUR |
25+ | 14.7 EUR |
50+ | 14.68 EUR |
250+ | 13.46 EUR |
500+ | 13.36 EUR |
FLS6BS10N6P03 |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 17.21 EUR |
10+ | 15.36 EUR |
25+ | 15.12 EUR |
50+ | 13.89 EUR |
100+ | 13.46 EUR |
250+ | 13.16 EUR |
500+ | 12.51 EUR |
FLS6BS10N6S03 |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 21.54 EUR |
10+ | 19.41 EUR |
25+ | 18.87 EUR |
50+ | 18.48 EUR |
100+ | 17.46 EUR |
250+ | 15.93 EUR |
500+ | 14.89 EUR |
FLS710N6P03 |
![]() |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 13.71 EUR |
10+ | 11.65 EUR |
25+ | 11.6 EUR |
250+ | 10.63 EUR |
500+ | 10.54 EUR |
FLS710N6PHEC03 |
![]() |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 18.69 EUR |
10+ | 17.18 EUR |
25+ | 16.76 EUR |
50+ | 16.63 EUR |
250+ | 16.61 EUR |
500+ | 16.05 EUR |
1000+ | 15.12 EUR |
FLS710N6S03 |
![]() |
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 17.41 EUR |
10+ | 15.65 EUR |
25+ | 14.77 EUR |
50+ | 14.45 EUR |
100+ | 13.46 EUR |
250+ | 12.55 EUR |
500+ | 11.79 EUR |
IGB10N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.22 EUR |
72+ | 1 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
500+ | 0.8 EUR |
1000+ | 0.79 EUR |
IGB10N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.69 EUR |
IGB10N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.22 EUR |
72+ | 1 EUR |
84+ | 0.86 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
500+ | 0.8 EUR |
1000+ | 0.79 EUR |
IGB10N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.15 EUR |
10+ | 1.4 EUR |
100+ | 0.96 EUR |
500+ | 0.78 EUR |
1000+ | 0.71 EUR |
2000+ | 0.62 EUR |
5000+ | 0.58 EUR |
IGP10N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
39+ | 1.84 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
IGP10N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
39+ | 1.84 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
53+ | 1.37 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
IKA10N65ET6XKSA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: T6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: T6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.93 EUR |
41+ | 1.77 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
IKA10N65ET6XKSA2 |
![]() |
Hersteller: Infineon
IGBT 650V 15A TO220-3 TrenchStop -40+175°C OBSOLETE; IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies TIKA10n65et6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
IGBT 650V 15A TO220-3 TrenchStop -40+175°C OBSOLETE; IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies TIKA10n65et6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.6 EUR |
IKA10N65ET6XKSA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: T6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: T6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.93 EUR |
41+ | 1.77 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
500+ | 1.34 EUR |
IKB10N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.4 EUR |
39+ | 1.87 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
50+ | 1.52 EUR |
IKB10N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.4 EUR |
39+ | 1.87 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
50+ | 1.52 EUR |
IKD10N60RATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.78 EUR |
10+ | 1.06 EUR |
100+ | 0.83 EUR |
500+ | 0.72 EUR |
1000+ | 0.69 EUR |
2500+ | 0.6 EUR |
5000+ | 0.58 EUR |
IKD10N60RF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
auf Bestellung 4785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.75 EUR |
10+ | 1.74 EUR |
100+ | 1.16 EUR |
500+ | 0.95 EUR |
1000+ | 0.83 EUR |
2500+ | 0.77 EUR |
5000+ | 0.7 EUR |
IKD10N60RFATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 6811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.66 EUR |
10+ | 1.5 EUR |
100+ | 1.08 EUR |
500+ | 0.89 EUR |
1000+ | 0.82 EUR |
2500+ | 0.75 EUR |
5000+ | 0.69 EUR |
IKP10N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 2.27 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
IXFB110N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFETs 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 39.51 EUR |
10+ | 31.22 EUR |
100+ | 30.96 EUR |
IXFP10N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.49 EUR |
23+ | 3.13 EUR |
27+ | 2.75 EUR |
28+ | 2.59 EUR |
50+ | 2.5 EUR |
IXFP10N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.49 EUR |
23+ | 3.13 EUR |
27+ | 2.75 EUR |
28+ | 2.59 EUR |
50+ | 2.5 EUR |
IXFP10N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs HiPERFET Id10 BVdass600
MOSFETs HiPERFET Id10 BVdass600
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.23 EUR |
10+ | 4.1 EUR |
100+ | 3.8 EUR |
500+ | 3.68 EUR |
1000+ | 3.56 EUR |
IXSA110N65L2-7TR |
![]() |
Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 16.4 EUR |
10+ | 12.83 EUR |
100+ | 10.68 EUR |
500+ | 9.52 EUR |
800+ | 8.1 EUR |
IXSG110N65L2K |
![]() |
Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 16.4 EUR |
10+ | 12.83 EUR |
100+ | 10.68 EUR |
500+ | 9.52 EUR |
1000+ | 8.1 EUR |
IXTP10N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTP10N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
MOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.48 EUR |
10+ | 4.96 EUR |
100+ | 3.87 EUR |
IXXH110N65C4 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.34 EUR |
7+ | 10.5 EUR |
IXXH110N65C4 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 167nC
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Collector current: 110A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.34 EUR |
7+ | 10.5 EUR |
IXXH110N65C4 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 21.56 EUR |
10+ | 13.46 EUR |
510+ | 13.2 EUR |
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]