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SCTW40N120G2V STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
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SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics sctw40n120g2vag-1761445.pdf MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm
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TW140N120C,S1F TW140N120C,S1F Toshiba Toshiba_TW140N120C_E_20220615.pdf MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
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10+ 22.93 EUR
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120+ 19.08 EUR
270+ 18.72 EUR
510+ 18.33 EUR
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7MBI40N-120 module
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7MBI40N-120 FUJI 40A/1200V/IGBT/7U
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7MBI40N-120 FUJI D4-3
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7MBI40N-120 FUJI
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7MBI40N-120 FUJI MODULE
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7MBI40N-120 FUJI 07+;
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7MBI40N120 FUJI MODULE
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FGL40N120AND FAIRCH 09+ DIP
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FGL40N120AND FAIRCHIL
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FGL40N120ANTU ON Semiconductor FGL40N120AN.pdf
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IGW40N120H3FKSA1 Infineon DS_IG40N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d0125921b9364704d
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NGTB40N120FL2WAG ON Semiconductor ngtb40n120fl2wa-d.pdf
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NGTB40N120IHRWG ON Semiconductor ngtb40n120ihr-d.pdf
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NGTB40N120S3WG ON Semiconductor ngtb40n120s3w-d.pdf
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NGTG40N120FL2WG ON Semiconductor ngtg40n120fl2w-d.pdf
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NTBG040N120SC1 ON Semiconductor ntbg040n120sc1-d.pdf
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NVBG040N120SC1 ON Semiconductor nvbg040n120sc1-d.pdf
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NVH4L040N120SC1 ON Semiconductor nvh4l040n120sc1-d.pdf
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NVHL040N120SC1 ON Semiconductor nvhl040n120sc1-d.pdf
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SDH40N120P SW 05+
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7MBI40N-120
Produktcode: 29318 		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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FGH40N120
Produktcode: 179924 		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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FGH40N120ANTU
Produktcode: 165183 		fgh40n120an-d.pdf Verschiedene Bauteile > Other components 3
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FGL40N120AND
Produktcode: 94242 		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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FGL40N120ANDTU FGL40N120ANDTU
Produktcode: 58535 		FAIR csdfcsdc7899gewud.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-264
Vces: 1200
Vce: 2,6
Ic 25: 64
Ic 100: 40
Pd 25: 200
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/110
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FGL40N120ANTU
Produktcode: 188179 		FGL40N120AN.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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IGW40N120H3 IGW40N120H3
Produktcode: 51727 		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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IHW40N120R5XKSA1
Produktcode: 175988 		Infineon-IHW40N120R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0f4a65430e9 Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IKW40N120CS6XKSA1
Produktcode: 193315 		Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0 Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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IKW40N120H3
Produktcode: 153177 		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IKW40N120H3FKSA1
Produktcode: 144428 		IKW40N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591d4832f7032 Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IKW40N120T2 IKW40N120T2
Produktcode: 73806 		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IKW40N120T2
Produktcode: 150870 		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXGH40N120C3D1
Produktcode: 182236 		littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh40n120c3d1_datasheet.pdf.pdf Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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NGTB40N120FL2WAG
Produktcode: 171155 		ngtb40n120fl2wa-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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NGTB40N120FL2WG
Produktcode: 165841 		ngtb40n120fl2w-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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NGTB40N120FL3WG
Produktcode: 133614 		ngtb40n120fl3w-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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NGTB40N120L3WG
Produktcode: 166585 		ngtb40n120l3w-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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NGTB40N120SWG
Produktcode: 162412 		ngtb40n120sw-d.pdf Verschiedene Bauteile > Other components 3
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NVBG040N120SC1
Produktcode: 179416 		nvbg040n120sc1-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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NVHL040N120SC1
Produktcode: 190306 		nvhl040n120sc1-d.pdf Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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5240-N-120 RAF Electronic Hardware Screws & Fasteners
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BGH40N120HF BGH40N120HF BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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BGH40N120HF BGH40N120HF BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DACMH40N1200 DACMH40N1200 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; HB9434; screw; SiC
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: HB9434
Semiconductor structure: transistor/transistor
Operating temperature: -55...150°C
Electrical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
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DACMH40N1200 DACMH40N1200 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; HB9434; screw; SiC
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: HB9434
Semiconductor structure: transistor/transistor
Operating temperature: -55...150°C
Electrical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies ds_ig40n120h3_2_1.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW40N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
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IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW40N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw40n120r5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikq140n120ch7-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 175A 962W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ40N120CH3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ40N120CH3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikq40n120ch3-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ40N120CT2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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SCTW40N120G2V sctw40n120g2v.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SCTW40N120G2VAG sctw40n120g2vag-1761445.pdf
SCTW40N120G2VAG
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+51.32 EUR
25+ 42.54 EUR
100+ 39.88 EUR
250+ 34.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TW140N120C,S1F Toshiba_TW140N120C_E_20220615.pdf
TW140N120C,S1F
Hersteller: Toshiba
MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+26.44 EUR
10+ 22.93 EUR
30+ 19.47 EUR
120+ 19.08 EUR
270+ 18.72 EUR
510+ 18.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
7MBI40N-120
Hersteller: module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7MBI40N-120
Hersteller: FUJI
40A/1200V/IGBT/7U
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7MBI40N-120
Hersteller: FUJI
D4-3
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7MBI40N-120
Hersteller: FUJI
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7MBI40N-120
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7MBI40N-120
Hersteller: FUJI
07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7MBI40N120
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGL40N120AND
Hersteller: FAIRCH
09+ DIP
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGL40N120AND
Hersteller: FAIRCHIL
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGL40N120ANTU FGL40N120AN.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 5625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IGW40N120H3FKSA1 DS_IG40N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d0125921b9364704d
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NGTB40N120FL2WAG ngtb40n120fl2wa-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NGTB40N120IHRWG ngtb40n120ihr-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 7725 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NGTB40N120S3WG ngtb40n120s3w-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 9034 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NGTG40N120FL2WG ngtg40n120fl2w-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVBG040N120SC1 nvbg040n120sc1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVH4L040N120SC1 nvh4l040n120sc1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SDH40N120P
Hersteller: SW
05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7MBI40N-120
Produktcode: 29318
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
FGH40N120
Produktcode: 179924
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
FGH40N120ANTU
Produktcode: 165183		 fgh40n120an-d.pdf
Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
FGL40N120AND
Produktcode: 94242
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
FGL40N120ANDTU
Produktcode: 58535		 csdfcsdc7899gewud.pdf
FGL40N120ANDTU
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-264
Vces: 1200
Vce: 2,6
Ic 25: 64
Ic 100: 40
Pd 25: 200
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/110
Produkt ist nicht verfügbar
FGL40N120ANTU
Produktcode: 188179		 FGL40N120AN.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IGW40N120H3
Produktcode: 51727
IGW40N120H3
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
IHW40N120R5XKSA1
Produktcode: 175988		 Infineon-IHW40N120R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0f4a65430e9
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IKW40N120CS6XKSA1
Produktcode: 193315		 Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
IKW40N120H3
Produktcode: 153177
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IKW40N120H3FKSA1
Produktcode: 144428		 IKW40N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591d4832f7032
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IKW40N120T2
Produktcode: 73806
IKW40N120T2
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IKW40N120T2
Produktcode: 150870
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IXGH40N120C3D1
Produktcode: 182236		 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh40n120c3d1_datasheet.pdf.pdf
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
NGTB40N120FL2WAG
Produktcode: 171155		 ngtb40n120fl2wa-d.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
NGTB40N120FL2WG
Produktcode: 165841		 ngtb40n120fl2w-d.pdf
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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NGTB40N120FL3WG
Produktcode: 133614		 ngtb40n120fl3w-d.pdf
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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NGTB40N120L3WG
Produktcode: 166585		 ngtb40n120l3w-d.pdf
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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NGTB40N120SWG
Produktcode: 162412		 ngtb40n120sw-d.pdf
Verschiedene Bauteile > Other components 3
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NVBG040N120SC1
Produktcode: 179416		 nvbg040n120sc1-d.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
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NVHL040N120SC1
Produktcode: 190306		 nvhl040n120sc1-d.pdf
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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5240-N-120
Hersteller: RAF Electronic Hardware
Screws & Fasteners
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BGH40N120HF
BGH40N120HF
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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BGH40N120HF
BGH40N120HF
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BGH40N120HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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BGH40N120HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DACMH40N1200
DACMH40N1200
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; HB9434; screw; SiC
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: HB9434
Semiconductor structure: transistor/transistor
Operating temperature: -55...150°C
Electrical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
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DACMH40N1200
DACMH40N1200
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; HB9434; screw; SiC
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: HB9434
Semiconductor structure: transistor/transistor
Operating temperature: -55...150°C
Electrical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IGW40N120H3FKSA1 ds_ig40n120h3_2_1.pdf
IGW40N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
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IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IHW40N120R5XKSA1 infineon-ihw40n120r5-ds-v02_02-en.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKQ140N120CH7XKSA1 infineon-ikq140n120ch7-datasheet-v01_10-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 175A 962W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IKQ40N120CH3XKSA1 infineon-ikq40n120ch3-ds-v02_03-en.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2.pdf
IKQ40N120CT2XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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