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BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
30+8.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Operating temperature: -55...150°C
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+33.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Operating temperature: -55...150°C
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+33.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW40N120H3 IGW40N120H3 Infineon Technologies Infineon_IGW40N120H3_DS_v02_02_EN-3360239.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.96 EUR
10+10.7 EUR
25+6.35 EUR
100+5.32 EUR
480+4.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+8.99 EUR
13+5.51 EUR
14+5.21 EUR
90+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.99 EUR
13+5.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW40N120R5_DataSheet_v02_03_EN-3362245.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 1814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.69 EUR
10+7.6 EUR
25+4.29 EUR
100+3.56 EUR
240+3.41 EUR
480+2.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ140N120CH7XKSA1 IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3361798.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.46 EUR
25+15.03 EUR
100+12.95 EUR
240+12.94 EUR
1200+12.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN-3362362.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.2 EUR
10+12.83 EUR
25+7.78 EUR
100+6.56 EUR
240+6.55 EUR
480+6.02 EUR
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IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ40N120CT2_DS_v02_03_EN-3362626.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 66 Stücke:
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1+13.46 EUR
10+9.79 EUR
100+8.17 EUR
480+7.27 EUR
1200+6.48 EUR
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IKW40N120CH7XKSA1 IKW40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CH7_DataSheet_v01_10_EN-3083365.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.38 EUR
10+10.08 EUR
25+5.97 EUR
100+5 EUR
240+4.98 EUR
1200+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.11 EUR
16+4.72 EUR
17+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0 IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+14.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.11 EUR
16+4.72 EUR
17+4.46 EUR
510+4.4 EUR
1020+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3361968.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.24 EUR
10+9.59 EUR
25+6.62 EUR
100+5.67 EUR
240+5.65 EUR
480+5.17 EUR
1200+5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS7XKSA1 IKW40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449057.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 1411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.84 EUR
25+7.48 EUR
100+6.28 EUR
240+6.27 EUR
480+6.11 EUR
2640+5.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3 Infineon Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3 IKW40N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.39 EUR
10+8.41 EUR
100+6.81 EUR
480+6.11 EUR
2640+5.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4B1227AD871CC&compId=IKW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=f8b339f1e873d397d5d01461d09440706297c41f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.13 EUR
10+7.16 EUR
30+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.39 EUR
10+8.41 EUR
100+6.81 EUR
480+6.05 EUR
1200+5.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2 Infineon Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+22.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2 IKW40N120T2 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.71 EUR
10+11.76 EUR
100+9.79 EUR
240+9.77 EUR
480+8.64 EUR
1200+7.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
120+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.93 EUR
10+8.41 EUR
100+7.02 EUR
480+6.95 EUR
1200+5.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY140N120CH7XKSA1 IKY140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3362251.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.61 EUR
10+15.4 EUR
100+13.31 EUR
480+12.6 EUR
1200+10.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY40N120CH3XKSA1 IKY40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN-3362122.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.94 EUR
25+7.16 EUR
240+7.15 EUR
480+6.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY40N120CS6XKSA1 IKY40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3362419.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.02 EUR
10+9.24 EUR
25+7.18 EUR
100+6.04 EUR
240+5.47 EUR
480+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N120CH7XKSA1 IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA40N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3083270.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.4 EUR
10+8.43 EUR
100+6.81 EUR
480+6.05 EUR
1200+5.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N120CS7XKSA1 IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA40N120CS7_DataSheet_v01_10_EN-3362097.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.38 EUR
10+10.47 EUR
100+8.71 EUR
480+7.78 EUR
1200+6.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120A2 IXGH40N120A2 IXYS media-3319048.pdf IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.9 EUR
10+27.35 EUR
30+23.21 EUR
120+20.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS media-3322693.pdf IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
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IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS media-3320514.pdf IGBTs 75Amps 1200V
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IXSA40N120L2-7TR IXSA40N120L2-7TR IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
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IXSH40N120L2KHV IXSH40N120L2KHV IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
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IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS media-3322236.pdf IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
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IXYH40N120B4H1 IXYH40N120B4H1 IXYS media-3321654.pdf IGBTs IXYH40N120B4H1
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IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS media-3321921.pdf IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
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IXYH40N120C4H1 IXYH40N120C4H1 IXYS media-3323848.pdf IGBTs IXYH40N120C4H1
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IXYK140N120A4 IXYK140N120A4 IXYS media-3319281.pdf IGBTs TO264 1200V 140A GENX4
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IXYN140N120A4 IXYN140N120A4 IXYS media-3319578.pdf IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
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IXYX140N120A4 IXYX140N120A4 IXYS media-3321393.pdf IGBTs PLUS247 1200V 140A GENX4
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MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW40N120FLA_TO_247AB_-3044597.pdf IGBTs
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NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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7+11.04 EUR
10+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG onsemi ngtb40n120fl3w-d.pdf IGBTs IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
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1050+3.54 EUR
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NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
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500+8.29 EUR
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NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi ntbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
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500+22.55 EUR
800+21.3 EUR
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NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S onsemi nth4l040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
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NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 onsemi nth4l040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
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NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S onsemi nthl040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
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10+16.28 EUR
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NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 onsemi nthl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
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NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
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10+21.91 EUR
500+20.57 EUR
800+18.2 EUR
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NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 onsemi nvbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
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10+32.72 EUR
100+31.22 EUR
500+28.32 EUR
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NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 onsemi nvh4l040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
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10+31.19 EUR
30+27.07 EUR
120+26.66 EUR
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NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 onsemi nvhl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
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1+29.06 EUR
30+25.68 EUR
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SCTH40N120G2V-7 SCTH40N120G2V-7 STMicroelectronics scth40n120g2v-7.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C)
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10+19.17 EUR
25+19.1 EUR
100+17.3 EUR
250+17.23 EUR
500+17.2 EUR
1000+14.63 EUR
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SCTW40N120G2V SCTW40N120G2V STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ 36 A
auf Bestellung 347 Stücke:
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1+26.36 EUR
10+21.12 EUR
100+18.27 EUR
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BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 1 Stücke:
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Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
30+8.21 EUR
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DACMI40N1200 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183
DACMI40N1200
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Operating temperature: -55...150°C
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+33.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DACMI40N1200 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183
DACMI40N1200
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Operating temperature: -55...150°C
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
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Anzahl Preis
3+33.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IGW40N120H3 Infineon_IGW40N120H3_DS_v02_02_EN-3360239.pdf
IGW40N120H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.96 EUR
10+10.7 EUR
25+6.35 EUR
100+5.32 EUR
480+4.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8
IGW40N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.99 EUR
13+5.51 EUR
14+5.21 EUR
90+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8
IGW40N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.99 EUR
13+5.51 EUR
14+5.21 EUR
90+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IHW40N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa
IHW40N120R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IHW40N120R5XKSA1 Infineon_IHW40N120R5_DataSheet_v02_03_EN-3362245.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 1814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.69 EUR
10+7.6 EUR
25+4.29 EUR
100+3.56 EUR
240+3.41 EUR
480+2.78 EUR
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IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon_IKQ140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3361798.pdf
IKQ140N120CH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+24.46 EUR
25+15.03 EUR
100+12.95 EUR
240+12.94 EUR
1200+12.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN-3362362.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.2 EUR
10+12.83 EUR
25+7.78 EUR
100+6.56 EUR
240+6.55 EUR
480+6.02 EUR
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IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon_IKQ40N120CT2_DS_v02_03_EN-3362626.pdf
IKQ40N120CT2XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.46 EUR
10+9.79 EUR
100+8.17 EUR
480+7.27 EUR
1200+6.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CH7XKSA1 Infineon_IKW40N120CH7_DataSheet_v01_10_EN-3083365.pdf
IKW40N120CH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.38 EUR
10+10.08 EUR
25+5.97 EUR
100+5 EUR
240+4.98 EUR
1200+4.36 EUR
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IKW40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b
IKW40N120CS6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.11 EUR
16+4.72 EUR
17+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0
Hersteller: Infineon
IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+14.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b
IKW40N120CS6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.11 EUR
16+4.72 EUR
17+4.46 EUR
510+4.4 EUR
1020+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon_IKW40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3361968.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.24 EUR
10+9.59 EUR
25+6.62 EUR
100+5.67 EUR
240+5.65 EUR
480+5.17 EUR
1200+5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon_IKW40N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449057.pdf
IKW40N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 1411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.84 EUR
25+7.48 EUR
100+6.28 EUR
240+6.27 EUR
480+6.11 EUR
2640+5.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3 Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf
IKW40N120H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.39 EUR
10+8.41 EUR
100+6.81 EUR
480+6.11 EUR
2640+5.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4B1227AD871CC&compId=IKW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=f8b339f1e873d397d5d01461d09440706297c41f
IKW40N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.13 EUR
10+7.16 EUR
30+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3FKSA1 Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.39 EUR
10+8.41 EUR
100+6.81 EUR
480+6.05 EUR
1200+5.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+22.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2 Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf
IKW40N120T2
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.71 EUR
10+11.76 EUR
100+9.79 EUR
240+9.77 EUR
480+8.64 EUR
1200+7.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac
IKW40N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac
IKW40N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
120+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2FKSA1 Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.93 EUR
10+8.41 EUR
100+7.02 EUR
480+6.95 EUR
1200+5.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY140N120CH7XKSA1 Infineon_IKY140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3362251.pdf
IKY140N120CH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.61 EUR
10+15.4 EUR
100+13.31 EUR
480+12.6 EUR
1200+10.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY40N120CH3XKSA1 Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN-3362122.pdf
IKY40N120CH3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.94 EUR
25+7.16 EUR
240+7.15 EUR
480+6.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY40N120CS6XKSA1 Infineon_IKY40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3362419.pdf
IKY40N120CS6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.02 EUR
10+9.24 EUR
25+7.18 EUR
100+6.04 EUR
240+5.47 EUR
480+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon_IKZA40N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3083270.pdf
IKZA40N120CH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.4 EUR
10+8.43 EUR
100+6.81 EUR
480+6.05 EUR
1200+5.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon_IKZA40N120CS7_DataSheet_v01_10_EN-3362097.pdf
IKZA40N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.38 EUR
10+10.47 EUR
100+8.71 EUR
480+7.78 EUR
1200+6.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120A2 media-3319048.pdf
IXGH40N120A2
Hersteller: IXYS
IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+28.9 EUR
10+27.35 EUR
30+23.21 EUR
120+20.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120B2D1 media-3322693.pdf
IXGH40N120B2D1
Hersteller: IXYS
IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+30.24 EUR
30+22.23 EUR
120+21.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3D1 media-3320514.pdf
IXGH40N120C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs 75Amps 1200V
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+22.48 EUR
10+21.95 EUR
30+18.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA40N120L2-7TR Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf
IXSA40N120L2-7TR
Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.14 EUR
10+9.35 EUR
100+7.78 EUR
500+6.88 EUR
800+6.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH40N120L2KHV Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf
IXSH40N120L2KHV
Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.25 EUR
10+9.43 EUR
100+7.87 EUR
450+6.92 EUR
900+6.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B3D1 media-3322236.pdf
IXYH40N120B3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.59 EUR
10+16.33 EUR
30+14.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B4H1 media-3321654.pdf
IXYH40N120B4H1
Hersteller: IXYS
IGBTs IXYH40N120B4H1
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.71 EUR
10+17.25 EUR
30+11.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3 media-3321921.pdf
IXYH40N120C3
Hersteller: IXYS
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.73 EUR
10+18.62 EUR
30+12.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C4H1 media-3323848.pdf
IXYH40N120C4H1
Hersteller: IXYS
IGBTs IXYH40N120C4H1
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.56 EUR
30+11.7 EUR
120+11.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK140N120A4 media-3319281.pdf
IXYK140N120A4
Hersteller: IXYS
IGBTs TO264 1200V 140A GENX4
auf Bestellung 3234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+76.81 EUR
10+74.18 EUR
25+56.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN140N120A4 media-3319578.pdf
IXYN140N120A4
Hersteller: IXYS
IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+82.58 EUR
10+75.08 EUR
100+67.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX140N120A4 media-3321393.pdf
IXYX140N120A4
Hersteller: IXYS
IGBTs PLUS247 1200V 140A GENX4
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+79.66 EUR
10+76.12 EUR
30+59.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA_TO_247AB_-3044597.pdf
MIW40N120FLA-BP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
IGBTs
auf Bestellung 1756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.64 EUR
10+12.76 EUR
100+9.59 EUR
500+9.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.04 EUR
10+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.04 EUR
10+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Hersteller: onsemi
IGBTs IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.06 EUR
10+8.62 EUR
30+5.77 EUR
120+4.66 EUR
300+4.52 EUR
600+4.14 EUR
1050+3.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
NTBG040N120M3S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.59 EUR
10+10.79 EUR
100+8.61 EUR
500+8.29 EUR
800+8.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
NTBG040N120SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+30.08 EUR
10+24.85 EUR
250+24.41 EUR
500+22.55 EUR
800+21.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L040N120M3S nth4l040n120m3s-d.pdf
NTH4L040N120M3S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 1048 Stücke:
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1+23.97 EUR
10+14.29 EUR
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NTH4L040N120SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 1603 Stücke:
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1+32.28 EUR
10+30.1 EUR
30+22.44 EUR
120+21.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NTHL040N120M3S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 1108 Stücke:
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Anzahl Preis
1+16.98 EUR
10+16.28 EUR
30+10.98 EUR
120+10.28 EUR
510+9.91 EUR
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NTHL040N120SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 1128 Stücke:
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Anzahl Preis
1+32.52 EUR
10+22.99 EUR
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NVBG040N120M3S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+22.42 EUR
10+21.91 EUR
500+20.57 EUR
800+18.2 EUR
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NVBG040N120SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 130 Stücke:
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Anzahl Preis
1+38.97 EUR
10+32.72 EUR
100+31.22 EUR
500+28.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NVH4L040N120SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
auf Bestellung 236 Stücke:
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Anzahl Preis
1+32.16 EUR
10+31.19 EUR
30+27.07 EUR
120+26.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
NVHL040N120SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 274 Stücke:
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Anzahl Preis
1+29.06 EUR
30+25.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SCTH40N120G2V-7
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C)
auf Bestellung 740 Stücke:
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Anzahl Preis
1+26.26 EUR
10+19.17 EUR
25+19.1 EUR
100+17.3 EUR
250+17.23 EUR
500+17.2 EUR
1000+14.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW40N120G2V sctw40n120g2v.pdf
SCTW40N120G2V
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ 36 A
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+26.36 EUR
10+21.12 EUR
100+18.27 EUR
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