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AU40N120T3A5 AU40N120T3A5 LUXIN-SEMI TAU40n120t3a5_LUXIN-SEMI_0001.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,2V~5,8V; 239nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW40N120T2FKSA1; RGS80TSX2DHRC11; AU40N120T3A5 LUXIN-SEMI TAU40n120t3a5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.07 EUR
8+9.98 EUR
10+8.82 EUR
30+7.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor DACMI40N1200.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Operating temperature: -55...150°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+44.64 EUR
3+37.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.72 EUR
14+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW40N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+3.88 EUR
22+3.26 EUR
28+2.65 EUR
30+2.46 EUR
31+2.35 EUR
120+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW40N120R5_DataSheet_v02_03_EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES
auf Bestellung 1844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.18 EUR
10+4 EUR
100+3.29 EUR
480+2.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.43 EUR
10+8.55 EUR
100+7.22 EUR
480+7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ40N120CT2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.78 EUR
12+6.13 EUR
30+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CH7XKSA1 IKW40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CH7_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.31 EUR
10+5.9 EUR
100+4.93 EUR
480+4.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120CS6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.51 EUR
15+5.02 EUR
30+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Infineon TIKW40n120cs6_INFINEON_0001.pdf IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+14.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS7XKSA1 IKW40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.96 EUR
10+6.28 EUR
100+5.24 EUR
480+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3 IKW40N120H3 Infineon info-tikw40n120h3.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+11.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3 IKW40N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.95 EUR
10+7.96 EUR
100+6.44 EUR
480+5.7 EUR
1200+5.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.42 EUR
12+6.11 EUR
14+5.41 EUR
30+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.84 EUR
10+6.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2 IKW40N120T2 Infineon info-tikw40n120t2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+22.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2 IKW40N120T2 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.22 EUR
10+9.31 EUR
100+7.52 EUR
480+6.67 EUR
1200+5.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.49 EUR
11+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.77 EUR
10+7.43 EUR
100+6.25 EUR
480+5.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY140N120CH7XKSA1 IKY140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.68 EUR
10+13.08 EUR
100+11.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY40N120CH3XKSA1 IKY40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.41 EUR
10+8.45 EUR
100+7.15 EUR
480+6.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N120CH7XKSA1 IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA40N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.09 EUR
10+6.76 EUR
100+5.67 EUR
480+5.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120A2 IXGH40N120A2 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_40N120A2_Datasheet.PDF IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.07 EUR
10+25.45 EUR
120+22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120B2D1-Datasheet.PDF IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.58 EUR
10+25.08 EUR
120+19.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH40N120C3D1_Datasheet.PDF IGBTs 75Amps 1200V
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.56 EUR
10+19.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA40N120L2-7TR IXSA40N120L2-7TR IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.64 EUR
10+9.03 EUR
100+6.65 EUR
500+6.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH40N120L2KHV IXSH40N120L2KHV IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.81 EUR
10+9.19 EUR
120+7.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120B3D1_Datasheet.PDF IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.73 EUR
10+12.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B4H1 IXYH40N120B4H1 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120B4H1_Datasheet.pdf IGBTs IXYH40N120B4H1
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.25 EUR
10+18.11 EUR
120+15.08 EUR
510+13.46 EUR
1020+12.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3_Datasheet.PDF IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.92 EUR
10+14.85 EUR
120+12.36 EUR
510+11.02 EUR
1020+10.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3D1 IXYH40N120C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3D1_Datasheet.PDF IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.79 EUR
10+18.55 EUR
120+15.45 EUR
510+13.78 EUR
1020+13.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C4H1 IXYH40N120C4H1 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120C4H1_Datasheet.pdf IGBTs IXYH40N120C4H1
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.25 EUR
10+18.11 EUR
120+15.08 EUR
510+13.45 EUR
1020+12.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK140N120A4 IXYK140N120A4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyk140n120a4_datasheet.pdf IGBTs Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
auf Bestellung 2905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.8 EUR
10+62.59 EUR
100+61.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN140N120A4 IXYN140N120A4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn140n120a4_datasheet.pdf IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+95.62 EUR
10+83.07 EUR
100+72.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX140N120A4 IXYX140N120A4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx140n120a4_datasheet.pdf IGBTs PLUS247 1200V 140A GENX4
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.18 EUR
10+57.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW40N120F LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120F.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.79 EUR
17+4.3 EUR
19+3.8 EUR
30+3.53 EUR
120+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW40N120F2 LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120F2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.93 EUR
17+4.43 EUR
19+3.92 EUR
30+3.63 EUR
120+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120TS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.79 EUR
17+4.3 EUR
19+3.8 EUR
30+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG ONSEMI ngtb40n120fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 313nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+17.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG onsemi ngtb40n120fl2w-d.pdf IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII
auf Bestellung 7 Stücke:
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10+6.55 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
auf Bestellung 1 Stücke:
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NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 7 Stücke:
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10+11.12 EUR
100+9.13 EUR
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NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi ntbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 967 Stücke:
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10+23.34 EUR
100+23.18 EUR
500+20.96 EUR
800+20.36 EUR
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NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S onsemi nth4l040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 1211 Stücke:
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1+23.57 EUR
10+15.03 EUR
120+13.66 EUR
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NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 ONSEMI NTH4L040N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 130 Stücke:
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4+21.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 onsemi nth4l040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 1471 Stücke:
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1+31.26 EUR
10+22.26 EUR
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NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S onsemi nthl040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 366 Stücke:
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1+17.85 EUR
10+10.65 EUR
120+9.05 EUR
510+9.03 EUR
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NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 onsemi nthl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 612 Stücke:
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1+29.85 EUR
10+22.48 EUR
120+21.96 EUR
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NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.8 EUR
10+22.76 EUR
100+20.45 EUR
500+19.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 onsemi nvbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.27 EUR
10+31.28 EUR
100+29.83 EUR
500+27.07 EUR
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NVH4L040N120M3S NVH4L040N120M3S onsemi nvh4l040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.63 EUR
10+20.52 EUR
120+20.33 EUR
510+19.73 EUR
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NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 onsemi nvh4l040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.42 EUR
10+27.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 onsemi nvhl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.69 EUR
10+31.8 EUR
120+28.55 EUR
510+26.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.86 EUR
10+17.28 EUR
100+16.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRS40N120HB,S1Q TRS40N120HB,S1Q Toshiba TRS40N120HB_datasheet_en_20240612.pdf SiC Schottky Diodes 1200 V/40 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.62 EUR
10+21.26 EUR
100+18.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7MBI40N-120 module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7MBI40N120 FUJI MODULE
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL40N120AND FAIRCHIL
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL40N120ANTU ON Semiconductor FGL40N120AN.pdf
auf Bestellung 5625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AU40N120T3A5 TAU40n120t3a5_LUXIN-SEMI_0001.pdf
AU40N120T3A5
Hersteller: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,2V~5,8V; 239nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW40N120T2FKSA1; RGS80TSX2DHRC11; AU40N120T3A5 LUXIN-SEMI TAU40n120t3a5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+7.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.07 EUR
8+9.98 EUR
10+8.82 EUR
30+7.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DACMI40N1200 DACMI40N1200.pdf
DACMI40N1200
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Operating temperature: -55...150°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+44.64 EUR
3+37.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3-DTE.pdf
IGW40N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.72 EUR
14+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.88 EUR
22+3.26 EUR
28+2.65 EUR
30+2.46 EUR
31+2.35 EUR
120+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW40N120R5XKSA1 Infineon_IHW40N120R5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES
auf Bestellung 1844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.18 EUR
10+4 EUR
100+3.29 EUR
480+2.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.43 EUR
10+8.55 EUR
100+7.22 EUR
480+7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2.pdf
IKQ40N120CT2XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.78 EUR
12+6.13 EUR
30+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CH7XKSA1 Infineon_IKW40N120CH7_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW40N120CH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.31 EUR
10+5.9 EUR
100+4.93 EUR
480+4.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.51 EUR
15+5.02 EUR
30+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS6XKSA1 TIKW40n120cs6_INFINEON_0001.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Hersteller: Infineon
IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+14.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IKW40N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.96 EUR
10+6.28 EUR
100+5.24 EUR
480+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3 info-tikw40n120h3.pdf
IKW40N120H3
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+11.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3 Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW40N120H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.95 EUR
10+7.96 EUR
100+6.44 EUR
480+5.7 EUR
1200+5.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3-DTE.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.42 EUR
12+6.11 EUR
14+5.41 EUR
30+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3FKSA1 Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.84 EUR
10+6.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2 info-tikw40n120t2.pdf
IKW40N120T2
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+22.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2 Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf
IKW40N120T2
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.22 EUR
10+9.31 EUR
100+7.52 EUR
480+6.67 EUR
1200+5.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.49 EUR
11+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2FKSA1 Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.77 EUR
10+7.43 EUR
100+6.25 EUR
480+5.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY140N120CH7XKSA1 Infineon_IKY140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN.pdf
IKY140N120CH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.68 EUR
10+13.08 EUR
100+11.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY40N120CH3XKSA1 Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKY40N120CH3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.41 EUR
10+8.45 EUR
100+7.15 EUR
480+6.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon-IKZA40N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IKZA40N120CH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
auf Bestellung 187 Stücke:
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Anzahl Preis
1+11.09 EUR
10+6.76 EUR
100+5.67 EUR
480+5.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120A2 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_40N120A2_Datasheet.PDF
IXGH40N120A2
Hersteller: IXYS
IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
auf Bestellung 79 Stücke:
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1+34.07 EUR
10+25.45 EUR
120+22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120B2D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120B2D1-Datasheet.PDF
IXGH40N120B2D1
Hersteller: IXYS
IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
auf Bestellung 56 Stücke:
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1+33.58 EUR
10+25.08 EUR
120+19.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH40N120C3D1_Datasheet.PDF
IXGH40N120C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs 75Amps 1200V
auf Bestellung 324 Stücke:
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1+28.56 EUR
10+19.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA40N120L2-7TR Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf
IXSA40N120L2-7TR
Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
auf Bestellung 790 Stücke:
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1+12.64 EUR
10+9.03 EUR
100+6.65 EUR
500+6.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH40N120L2KHV Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf
IXSH40N120L2KHV
Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.81 EUR
10+9.19 EUR
120+7.06 EUR
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IXYH40N120B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120B3D1_Datasheet.PDF
IXYH40N120B3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
auf Bestellung 212 Stücke:
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1+19.73 EUR
10+12.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B4H1 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120B4H1_Datasheet.pdf
IXYH40N120B4H1
Hersteller: IXYS
IGBTs IXYH40N120B4H1
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+22.25 EUR
10+18.11 EUR
120+15.08 EUR
510+13.46 EUR
1020+12.6 EUR
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IXYH40N120C3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3_Datasheet.PDF
IXYH40N120C3
Hersteller: IXYS
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.92 EUR
10+14.85 EUR
120+12.36 EUR
510+11.02 EUR
1020+10.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3D1_Datasheet.PDF
IXYH40N120C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+22.79 EUR
10+18.55 EUR
120+15.45 EUR
510+13.78 EUR
1020+13.09 EUR
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IXYH40N120C4H1 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120C4H1_Datasheet.pdf
IXYH40N120C4H1
Hersteller: IXYS
IGBTs IXYH40N120C4H1
auf Bestellung 363 Stücke:
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Anzahl Preis
1+22.25 EUR
10+18.11 EUR
120+15.08 EUR
510+13.45 EUR
1020+12.57 EUR
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IXYK140N120A4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyk140n120a4_datasheet.pdf
IXYK140N120A4
Hersteller: IXYS
IGBTs Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
auf Bestellung 2905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+73.8 EUR
10+62.59 EUR
100+61.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN140N120A4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn140n120a4_datasheet.pdf
IXYN140N120A4
Hersteller: IXYS
IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+95.62 EUR
10+83.07 EUR
100+72.65 EUR
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IXYX140N120A4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx140n120a4_datasheet.pdf
IXYX140N120A4
Hersteller: IXYS
IGBTs PLUS247 1200V 140A GENX4
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+73.18 EUR
10+57.64 EUR
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LGEGW40N120F LGEGW40N120F.pdf
LGEGW40N120F
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.79 EUR
17+4.3 EUR
19+3.8 EUR
30+3.53 EUR
120+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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LGEGW40N120F2 LGEGW40N120F2.pdf
LGEGW40N120F2
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.93 EUR
17+4.43 EUR
19+3.92 EUR
30+3.63 EUR
120+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS.pdf
LGEGW40N120TS
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.79 EUR
17+4.3 EUR
19+3.8 EUR
30+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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NGTB40N120FL2WG ngtb40n120fl2w-d.pdf
NGTB40N120FL2WG
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 313nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB40N120FL2WG ngtb40n120fl2w-d.pdf
NGTB40N120FL2WG
Hersteller: onsemi
IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.33 EUR
10+6.55 EUR
120+5.49 EUR
600+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
NTBG040N120M3S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.93 EUR
10+11.12 EUR
100+9.13 EUR
500+8.52 EUR
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NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
NTBG040N120SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+28.49 EUR
10+23.34 EUR
100+23.18 EUR
500+20.96 EUR
800+20.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L040N120M3S nth4l040n120m3s-d.pdf
NTH4L040N120M3S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 1211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+23.57 EUR
10+15.03 EUR
120+13.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1.PDF
NTH4L040N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L040N120SC1 nth4l040n120sc1-d.pdf
NTH4L040N120SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 1471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+31.26 EUR
10+22.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120M3S nthl040n120m3s-d.pdf
NTHL040N120M3S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.85 EUR
10+10.65 EUR
120+9.05 EUR
510+9.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120SC1 nthl040n120sc1-d.pdf
NTHL040N120SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+29.85 EUR
10+22.48 EUR
120+21.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S-D.PDF
NVBG040N120M3S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+31.8 EUR
10+22.76 EUR
100+20.45 EUR
500+19.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120SC1 nvbg040n120sc1-d.pdf
NVBG040N120SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+40.27 EUR
10+31.28 EUR
100+29.83 EUR
500+27.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120M3S nvh4l040n120m3s-d.pdf
NVH4L040N120M3S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+32.63 EUR
10+20.52 EUR
120+20.33 EUR
510+19.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120SC1 nvh4l040n120sc1-d.pdf
NVH4L040N120SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+31.42 EUR
10+27.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
NVHL040N120SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+41.69 EUR
10+31.8 EUR
120+28.55 EUR
510+26.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTW40N120G2VAG sctw40n120g2vag.pdf
SCTW40N120G2VAG
Hersteller: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+27.86 EUR
10+17.28 EUR
100+16.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRS40N120HB,S1Q TRS40N120HB_datasheet_en_20240612.pdf
TRS40N120HB,S1Q
Hersteller: Toshiba
SiC Schottky Diodes 1200 V/40 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+29.62 EUR
10+21.26 EUR
100+18.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7MBI40N-120
Hersteller: module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7MBI40N120
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL40N120AND
Hersteller: FAIRCHIL
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL40N120ANTU FGL40N120AN.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 5625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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