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FGL40N120AND
Produktcode: 94242
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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erwartet: 5 Stück
5 Stück - erwartet 09.10.2025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.54 EUR
9+7.99 EUR
10+7.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Operating temperature: -55...150°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+33.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Operating temperature: -55...150°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+33.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IGW40N120H3 IGW40N120H3 Infineon Technologies Infineon-IGW40N120H3-DS-v02_02-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.76 EUR
10+5.05 EUR
100+4.21 EUR
480+3.59 EUR
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IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+7.99 EUR
13+5.51 EUR
14+5.21 EUR
30+5.03 EUR
90+5 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.99 EUR
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IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.53 EUR
16+4.75 EUR
21+3.55 EUR
22+3.35 EUR
30+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.53 EUR
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22+3.35 EUR
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IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW40N120R5-DataSheet-v02_03-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 5215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.21 EUR
10+4.07 EUR
100+3.04 EUR
480+2.71 EUR
1200+2.32 EUR
2640+2.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ140N120CH7XKSA1 IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ140N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.62 EUR
10+11.88 EUR
100+10.19 EUR
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IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ40N120CH3-DS-v02_03-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.51 EUR
10+9.1 EUR
100+7.59 EUR
480+6.76 EUR
1200+6.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ40N120CT2-DS-v02_03-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.8 EUR
10+9.35 EUR
100+7.8 EUR
480+7.43 EUR
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IKW40N120CH7XKSA1 IKW40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120CH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e2a17ad12da3 IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.4 EUR
10+7.2 EUR
100+5.81 EUR
480+5.17 EUR
1200+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.42 EUR
16+4.72 EUR
17+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0 IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+14.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.42 EUR
16+4.72 EUR
17+4.46 EUR
120+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120CS6-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.87 EUR
10+5.32 EUR
100+4.51 EUR
480+3.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS7XKSA1 IKW40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.35 EUR
10+5.95 EUR
100+4.96 EUR
480+4.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3 Infineon Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3 IKW40N120H3 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.88 EUR
10+8.04 EUR
100+6.51 EUR
480+5.83 EUR
2640+4.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4B1227AD871CC&compId=IKW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=f8b339f1e873d397d5d01461d09440706297c41f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.78 EUR
14+5.38 EUR
15+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.14 EUR
10+5.83 EUR
100+5.35 EUR
480+4.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2 Infineon Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+22.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2 IKW40N120T2 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.4 EUR
10+8.04 EUR
100+6.71 EUR
480+5.98 EUR
1200+5.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.61 EUR
10+7.32 EUR
11+6.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.61 EUR
10+7.32 EUR
11+6.92 EUR
240+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.48 EUR
10+6.56 EUR
100+5.63 EUR
480+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY140N120CH7XKSA1 IKY140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY140N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.69 EUR
10+11.95 EUR
100+10.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY40N120CH3XKSA1 IKY40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY40N120CH3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.58 EUR
10+6.76 EUR
100+5.68 EUR
480+5.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY40N120CS6XKSA1 IKY40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY40N120CS6-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.45 EUR
10+6.86 EUR
100+5.56 EUR
480+5.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N120CH7XKSA1 IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA40N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.82 EUR
10+6.25 EUR
100+5.24 EUR
480+4.66 EUR
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IKZA40N120CS7XKSA1 IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA40N120CS7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a5233ca273fe IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
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IXGH40N120A2 IXGH40N120A2 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120A2-Datasheet.PDF IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
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IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120B2D1-Datasheet.PDF IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
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IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGH40N120C3D1-Datasheet.PDF IGBTs 75Amps 1200V
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IXSA40N120L2-7TR IXSA40N120L2-7TR IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
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IXSH40N120L2KHV IXSH40N120L2KHV IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
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IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH40N120B3D1-Datasheet.PDF IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
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IXYH40N120B4H1 IXYH40N120B4H1 IXYS Power-Semiconductor-Discrete-IGBT-IXYH40N120B4H1-Datasheet.pdf IGBTs IXYH40N120B4H1
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IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH40N120C3-Datasheet.PDF IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
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IXYH40N120C4H1 IXYH40N120C4H1 IXYS Power-Semiconductor-Discrete-IGBT-IXYH40N120C4H1-Datasheet.pdf IGBTs IXYH40N120C4H1
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120+12.36 EUR
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IXYK140N120A4 IXYK140N120A4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyk140n120a4-datasheet.pdf IGBTs TO264 1200V 140A GENX4
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IXYN140N120A4 IXYN140N120A4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyn140n120a4-datasheet.pdf IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
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LGEGW40N120F LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D58F04A27BA0DF&compId=LGEGW40N120F.pdf?ci_sign=34bfd58e82610e625b2c324fae182c73a7102b29 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 134ns
auf Bestellung 140 Stücke:
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16+4.7 EUR
17+4.23 EUR
22+3.32 EUR
23+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D59C277ED4E0DF&compId=LGEGW40N120F2.pdf?ci_sign=73a03c89b6ff7695ebfee4df0daac1b77dc8736c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 135ns
auf Bestellung 150 Stücke:
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16+4.7 EUR
17+4.23 EUR
22+3.32 EUR
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LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5A343C32320DF&compId=LGEGW40N120TS.pdf?ci_sign=2515977ba6ffd0ff6662addc9640a15f1d6aaa84 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 121ns
auf Bestellung 150 Stücke:
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17+4.23 EUR
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MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW40N120FLA(TO-247AB).pdf IGBTs
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10+12.18 EUR
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NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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10+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
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7+11.04 EUR
10+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG onsemi 81EA9C1A987C7B3C0B6C54AD8B65AFB866A09DFC13C9612853020D648D05F0F2.pdf IGBTs IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A
auf Bestellung 221 Stücke:
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10+5.76 EUR
120+4.21 EUR
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NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 146 Stücke:
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500+8.52 EUR
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NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi NTBG040N120SC1-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 1085 Stücke:
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10+24.27 EUR
100+23.95 EUR
500+22.39 EUR
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NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S onsemi NTH4L040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 838 Stücke:
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1+22.9 EUR
10+13.66 EUR
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NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 onsemi NTH4L040N120SC1-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 1571 Stücke:
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1+31.66 EUR
10+22.26 EUR
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NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S onsemi NTHL040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 901 Stücke:
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1+16.67 EUR
10+9.94 EUR
120+9.35 EUR
510+9.13 EUR
1020+9.06 EUR
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NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 onsemi NTHL040N120SC1-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 638 Stücke:
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1+30.61 EUR
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NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 240 Stücke:
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1+27.26 EUR
10+23.13 EUR
100+21.6 EUR
500+19.24 EUR
800+19.22 EUR
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NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 onsemi NVBG040N120SC1-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 130 Stücke:
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1+37.24 EUR
10+31.28 EUR
100+29.83 EUR
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FGL40N120AND
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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5 Stück - erwartet 09.10.2025
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BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.54 EUR
9+7.99 EUR
10+7.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
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Anzahl Preis
7+11.54 EUR
9+7.99 EUR
10+7.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DACMI40N1200 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183
DACMI40N1200
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Operating temperature: -55...150°C
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+33.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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DACMI40N1200 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183
DACMI40N1200
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Operating temperature: -55...150°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
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Anzahl Preis
3+33.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IGW40N120H3 Infineon-IGW40N120H3-DS-v02_02-EN.pdf
IGW40N120H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1273 Stücke:
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Anzahl Preis
1+8.76 EUR
10+5.05 EUR
100+4.21 EUR
480+3.59 EUR
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IGW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8
IGW40N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.99 EUR
13+5.51 EUR
14+5.21 EUR
30+5.03 EUR
90+5 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IGW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8
IGW40N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.99 EUR
13+5.51 EUR
14+5.21 EUR
30+5.03 EUR
90+5 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IHW40N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa
IHW40N120R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.53 EUR
16+4.75 EUR
21+3.55 EUR
22+3.35 EUR
30+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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IHW40N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa
IHW40N120R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.53 EUR
16+4.75 EUR
21+3.55 EUR
22+3.35 EUR
30+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW40N120R5XKSA1 Infineon-IHW40N120R5-DataSheet-v02_03-EN.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 5215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.21 EUR
10+4.07 EUR
100+3.04 EUR
480+2.71 EUR
1200+2.32 EUR
2640+2.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon-IKQ140N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IKQ140N120CH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.62 EUR
10+11.88 EUR
100+10.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon-IKQ40N120CH3-DS-v02_03-EN.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.51 EUR
10+9.1 EUR
100+7.59 EUR
480+6.76 EUR
1200+6.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon-IKQ40N120CT2-DS-v02_03-EN.pdf
IKQ40N120CT2XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.8 EUR
10+9.35 EUR
100+7.8 EUR
480+7.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CH7XKSA1 Infineon-IKW40N120CH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e2a17ad12da3
IKW40N120CH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.4 EUR
10+7.2 EUR
100+5.81 EUR
480+5.17 EUR
1200+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b
IKW40N120CS6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.42 EUR
16+4.72 EUR
17+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0
Hersteller: Infineon
IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+14.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b
IKW40N120CS6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.42 EUR
16+4.72 EUR
17+4.46 EUR
120+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon-IKW40N120CS6-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.87 EUR
10+5.32 EUR
100+4.51 EUR
480+3.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IKW40N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.35 EUR
10+5.95 EUR
100+4.96 EUR
480+4.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3 Infineon-IKW40N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW40N120H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.88 EUR
10+8.04 EUR
100+6.51 EUR
480+5.83 EUR
2640+4.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4B1227AD871CC&compId=IKW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=f8b339f1e873d397d5d01461d09440706297c41f
IKW40N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.78 EUR
14+5.38 EUR
15+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120H3FKSA1 Infineon-IKW40N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.14 EUR
10+5.83 EUR
100+5.35 EUR
480+4.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+22.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2 Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf
IKW40N120T2
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.4 EUR
10+8.04 EUR
100+6.71 EUR
480+5.98 EUR
1200+5.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac
IKW40N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.61 EUR
10+7.32 EUR
11+6.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac
IKW40N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.61 EUR
10+7.32 EUR
11+6.92 EUR
240+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2FKSA1 Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
auf Bestellung 611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.48 EUR
10+6.56 EUR
100+5.63 EUR
480+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY140N120CH7XKSA1 Infineon-IKY140N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IKY140N120CH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.69 EUR
10+11.95 EUR
100+10.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY40N120CH3XKSA1 Infineon-IKY40N120CH3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKY40N120CH3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.58 EUR
10+6.76 EUR
100+5.68 EUR
480+5.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY40N120CS6XKSA1 Infineon-IKY40N120CS6-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKY40N120CS6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.45 EUR
10+6.86 EUR
100+5.56 EUR
480+5.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon-IKZA40N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IKZA40N120CH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.82 EUR
10+6.25 EUR
100+5.24 EUR
480+4.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon-IKZA40N120CS7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a5233ca273fe
IKZA40N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.3 EUR
10+7.97 EUR
100+6.65 EUR
480+5.91 EUR
1200+5.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120A2 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120A2-Datasheet.PDF
IXGH40N120A2
Hersteller: IXYS
IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+27.63 EUR
10+22.12 EUR
120+19.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120B2D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120B2D1-Datasheet.PDF
IXGH40N120B2D1
Hersteller: IXYS
IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+27.3 EUR
10+20.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH40N120C3D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGH40N120C3D1-Datasheet.PDF
IXGH40N120C3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs 75Amps 1200V
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+22.16 EUR
10+17.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSA40N120L2-7TR Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf
IXSA40N120L2-7TR
Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.46 EUR
10+12.44 EUR
500+11.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXSH40N120L2KHV Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf
IXSH40N120L2KHV
Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.16 EUR
120+12.65 EUR
510+12.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B3D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH40N120B3D1-Datasheet.PDF
IXYH40N120B3D1
Hersteller: IXYS
IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+18.97 EUR
10+13.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B4H1 Power-Semiconductor-Discrete-IGBT-IXYH40N120B4H1-Datasheet.pdf
IXYH40N120B4H1
Hersteller: IXYS
IGBTs IXYH40N120B4H1
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.13 EUR
10+11.65 EUR
120+9.98 EUR
510+9.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH40N120C3-Datasheet.PDF
IXYH40N120C3
Hersteller: IXYS
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.54 EUR
10+10.98 EUR
510+10.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C4H1 Power-Semiconductor-Discrete-IGBT-IXYH40N120C4H1-Datasheet.pdf
IXYH40N120C4H1
Hersteller: IXYS
IGBTs IXYH40N120C4H1
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.11 EUR
10+14.27 EUR
120+12.36 EUR
510+11.69 EUR
1020+9.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK140N120A4 littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyk140n120a4-datasheet.pdf
IXYK140N120A4
Hersteller: IXYS
IGBTs TO264 1200V 140A GENX4
auf Bestellung 3097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+66.56 EUR
10+47.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN140N120A4 littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyn140n120a4-datasheet.pdf
IXYN140N120A4
Hersteller: IXYS
IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+81.66 EUR
10+66.65 EUR
100+54.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW40N120F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D58F04A27BA0DF&compId=LGEGW40N120F.pdf?ci_sign=34bfd58e82610e625b2c324fae182c73a7102b29
LGEGW40N120F
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 134ns
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.7 EUR
17+4.23 EUR
22+3.32 EUR
23+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW40N120F2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D59C277ED4E0DF&compId=LGEGW40N120F2.pdf?ci_sign=73a03c89b6ff7695ebfee4df0daac1b77dc8736c
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 135ns
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.7 EUR
17+4.23 EUR
22+3.32 EUR
23+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW40N120TS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5A343C32320DF&compId=LGEGW40N120TS.pdf?ci_sign=2515977ba6ffd0ff6662addc9640a15f1d6aaa84
LGEGW40N120TS
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 121ns
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.7 EUR
17+4.23 EUR
22+3.32 EUR
23+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA(TO-247AB).pdf
MIW40N120FLA-BP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
IGBTs
auf Bestellung 1706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.56 EUR
10+12.18 EUR
100+9.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.04 EUR
10+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.04 EUR
10+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB40N120FL3WG 81EA9C1A987C7B3C0B6C54AD8B65AFB866A09DFC13C9612853020D648D05F0F2.pdf
NGTB40N120FL3WG
Hersteller: onsemi
IGBTs IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.89 EUR
10+5.76 EUR
120+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
NTBG040N120M3S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.66 EUR
10+11 EUR
100+9.13 EUR
500+8.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1-D.PDF
NTBG040N120SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+30.87 EUR
10+24.27 EUR
100+23.95 EUR
500+22.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S-D.PDF
NTH4L040N120M3S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+22.9 EUR
10+13.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1-D.PDF
NTH4L040N120SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 1571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+31.66 EUR
10+22.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S-D.PDF
NTHL040N120M3S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.67 EUR
10+9.94 EUR
120+9.35 EUR
510+9.13 EUR
1020+9.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1-D.PDF
NTHL040N120SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+30.61 EUR
10+21.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S-D.PDF
NVBG040N120M3S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+27.26 EUR
10+23.13 EUR
100+21.6 EUR
500+19.24 EUR
800+19.22 EUR
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NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1-D.PDF
NVBG040N120SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+37.24 EUR
10+31.28 EUR
100+29.83 EUR
500+27.07 EUR
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