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BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.41 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
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Case: TO220F
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Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U BXP4N65U BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Case: TO251
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Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
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472+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U BXP4N65U BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X3 IXFA34N65X3 IXYS media-3321432.pdf MOSFETs TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS media-3321279.pdf MOSFETs MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2W IXFH34N65X2W IXYS MOSFETs 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X3 IXFH34N65X3 IXYS media-3322021.pdf MOSFETs TO247 650V 34A N-CH X3CLASS
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120+8.08 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH54N65X3 IXFH54N65X3 IXYS media-3321213.pdf MOSFETs TO247 650V 54A N-CH X3CLASS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 IXYS media-3321279.pdf MOSFETs 650V/34A Ultra Junction X2-Class
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100+6.81 EUR
500+6.51 EUR
1000+6.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP34N65X2M IXFP34N65X2M IXYS media-3320187.pdf MOSFETs 650V/34A OVERMOLDED TO-220
auf Bestellung 208 Stücke:
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1+13.36 EUR
10+7.5 EUR
500+6.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP34N65X3 IXFP34N65X3 IXYS media-3322676.pdf MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.64 EUR
10+9.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
39+1.83 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS media-3322412.pdf MOSFETs TO263 650V 4A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.98 EUR
10+3.92 EUR
100+3.06 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24N65X2 IXTH24N65X2 IXYS media-3323499.pdf MOSFETs TO247 650V 24A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.07 EUR
10+6.93 EUR
510+6.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH34N65X2 IXTH34N65X2 IXYS media-3319832.pdf MOSFETs TO247 650V 34A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.83 EUR
10+8.06 EUR
510+7.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N65X IXTH64N65X IXYS media-3319323.pdf MOSFETs 650V/64A Power MOSFET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.98 EUR
10+20.1 EUR
120+17.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.34 EUR
16+4.6 EUR
17+4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.34 EUR
16+4.6 EUR
17+4.35 EUR
100+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC6AF60B9418BF&compId=IXTP24N65X2M.pdf?ci_sign=acf4ac55932da38e66e322ad68acfc5d0d08dc97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.43 EUR
20+3.62 EUR
21+3.42 EUR
100+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC6AF60B9418BF&compId=IXTP24N65X2M.pdf?ci_sign=acf4ac55932da38e66e322ad68acfc5d0d08dc97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.43 EUR
20+3.62 EUR
21+3.42 EUR
100+3.39 EUR
250+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS media-3323831.pdf MOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
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1+7.76 EUR
10+4.79 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 IXYS media-3319832.pdf MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.32 EUR
10+6.58 EUR
100+6.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.06 EUR
41+1.74 EUR
43+1.67 EUR
50+1.62 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.06 EUR
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IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.55 EUR
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IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
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IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
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IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS media-3322412.pdf MOSFETs TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
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NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H onsemi ntmt064n65s3h-d.pdf MOSFETs 650V 64MOHM MOSFET
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10+10.7 EUR
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SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 3330 Stücke:
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SIHB24N65EF-GE3 SIHB24N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n65ef.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65EFT1-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n65ef.pdf MOSFETs TO263 650V 24A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3959 Stücke:
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SIHF074N65E-GE3 SIHF074N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihf074n65e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 650V
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SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihg24n6.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 476 Stücke:
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SIHG24N65EF-GE3 SIHG24N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg24n65ef.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 440 Stücke:
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SiHG64N65E-GE3 SiHG64N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihg64n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SiHH14N65E-T1-GE3 SiHH14N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh14n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2860 Stücke:
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10+8.48 EUR
100+8.18 EUR
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SiHH14N65EF-T1-GE3 SiHH14N65EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh14n65ef.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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SiHH24N65EF-T1-GE3 SiHH24N65EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh24n65ef.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SIHP054N65E-GE3 SIHP054N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp054n65e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V
auf Bestellung 2024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+11.12 EUR
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SIHP074N65E-GE3 SIHP074N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp074n65e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V
auf Bestellung 1911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.78 EUR
10+9.75 EUR
100+7.74 EUR
1000+6.58 EUR
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SiHP24N65E-E3 SiHP24N65E-E3 Vishay Semiconductors sihp24n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+5.17 EUR
100+5.07 EUR
500+4.7 EUR
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SIHP24N65E-GE3 SIHP24N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp24n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.12 EUR
10+7.3 EUR
100+5.91 EUR
500+5.53 EUR
1000+4.24 EUR
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SQW44N65EF-GE3 SQW44N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sqw44n65ef.pdf MOSFETs TO247 N CHAN 700V 47A
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.3 EUR
10+9.22 EUR
100+8.2 EUR
480+7.43 EUR
960+7.29 EUR
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STF24N65M2 STF24N65M2 STMicroelectronics en.DM00121015.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.53 EUR
31+2.33 EUR
33+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N65M2 STF24N65M2 STMicroelectronics en.DM00121015.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.53 EUR
31+2.33 EUR
33+2.2 EUR
500+2.13 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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STF24N65M2 STF24N65M2 STMicroelectronics en.DM00121015.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ 16 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.84 EUR
10+2.64 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.02 EUR
2000+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34N65M5 STP34N65M5 STMicroelectronics en.DM00049181.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
auf Bestellung 1501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.08 EUR
10+5.47 EUR
100+5.26 EUR
500+5.19 EUR
1000+4.56 EUR
2000+4.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65W,S1F TK14N65W,S1F Toshiba TK14N65W_datasheet_en_20140225-1916236.pdf MOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.6 EUR
10+4.42 EUR
120+3.38 EUR
510+3.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRS24N65FB,S1Q TRS24N65FB,S1Q Toshiba TRS24N65FB_datasheet_en_20200703-1891869.pdf SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.59 EUR
10+11.93 EUR
120+8.06 EUR
510+7.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF04N65C2 WMF04N65C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD882DC214500C4&compId=WMF04N65C2.pdf?ci_sign=33031bc257c11798fcd11d3425426dbd4f6d0370 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 2149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.47 EUR
171+0.42 EUR
204+0.35 EUR
232+0.31 EUR
247+0.29 EUR
261+0.27 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK4N65D1B WMK4N65D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 112W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.29 EUR
336+0.21 EUR
347+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMP04N65C2 WMP04N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+0.93 EUR
207+0.35 EUR
230+0.31 EUR
262+0.27 EUR
277+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 77
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BXP4N65D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
217+0.33 EUR
243+0.29 EUR
421+0.17 EUR
447+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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BXP4N65D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9986 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
217+0.33 EUR
243+0.29 EUR
421+0.17 EUR
447+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
207+0.35 EUR
232+0.31 EUR
343+0.21 EUR
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960+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
207+0.35 EUR
232+0.31 EUR
343+0.21 EUR
363+0.2 EUR
960+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
271+0.26 EUR
302+0.24 EUR
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472+0.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
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302+0.24 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X3 media-3321432.pdf
IXFA34N65X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.52 EUR
10+10.24 EUR
100+9.05 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5
IXFH34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.94 EUR
12+6.09 EUR
120+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5
IXFH34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.94 EUR
12+6.09 EUR
120+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 media-3321279.pdf
IXFH34N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.25 EUR
10+8.34 EUR
120+7.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2W
IXFH34N65X2W
Hersteller: IXYS
MOSFETs 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.71 EUR
10+9.98 EUR
120+8.31 EUR
510+7.39 EUR
1020+6.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X3 media-3322021.pdf
IXFH34N65X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 650V 34A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.88 EUR
10+8.91 EUR
120+8.08 EUR
510+7.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH54N65X3 media-3321213.pdf
IXFH54N65X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 650V 54A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.05 EUR
10+13.64 EUR
120+13.27 EUR
510+12.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP34N65X2 media-3321279.pdf
IXFP34N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs 650V/34A Ultra Junction X2-Class
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.21 EUR
10+7.62 EUR
100+6.81 EUR
500+6.51 EUR
1000+6.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP34N65X2M media-3320187.pdf
IXFP34N65X2M
Hersteller: IXYS
MOSFETs 650V/34A OVERMOLDED TO-220
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.36 EUR
10+7.5 EUR
500+6.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP34N65X3 media-3322676.pdf
IXFP34N65X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.64 EUR
10+9.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTA4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTA4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
39+1.83 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 media-3322412.pdf
IXTA4N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO263 650V 4A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.98 EUR
10+3.92 EUR
100+3.06 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24N65X2 media-3323499.pdf
IXTH24N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 650V 24A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.07 EUR
10+6.93 EUR
510+6.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH34N65X2 media-3319832.pdf
IXTH34N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 650V 34A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.83 EUR
10+8.06 EUR
510+7.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N65X media-3319323.pdf
IXTH64N65X
Hersteller: IXYS
MOSFETs 650V/64A Power MOSFET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+25.98 EUR
10+20.1 EUR
120+17.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744
IXTP24N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.34 EUR
16+4.6 EUR
17+4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744
IXTP24N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.34 EUR
16+4.6 EUR
17+4.35 EUR
100+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC6AF60B9418BF&compId=IXTP24N65X2M.pdf?ci_sign=acf4ac55932da38e66e322ad68acfc5d0d08dc97
IXTP24N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.43 EUR
20+3.62 EUR
21+3.42 EUR
100+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC6AF60B9418BF&compId=IXTP24N65X2M.pdf?ci_sign=acf4ac55932da38e66e322ad68acfc5d0d08dc97
IXTP24N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.43 EUR
20+3.62 EUR
21+3.42 EUR
100+3.39 EUR
250+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M media-3323831.pdf
IXTP24N65X2M
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.76 EUR
10+4.79 EUR
100+4.49 EUR
500+4.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP34N65X2 media-3319832.pdf
IXTP34N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.32 EUR
10+6.58 EUR
100+6.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTP4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.06 EUR
41+1.74 EUR
43+1.67 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTP4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.06 EUR
41+1.74 EUR
43+1.67 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ34N65X2M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec
IXTQ34N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.55 EUR
9+7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ34N65X2M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec
IXTQ34N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.55 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTY4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTY4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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26+2.75 EUR
560+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2 media-3322412.pdf
IXTY4N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.7 EUR
10+2.64 EUR
70+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMT064N65S3H ntmt064n65s3h-d.pdf
NTMT064N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs 650V 64MOHM MOSFET
auf Bestellung 2921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.03 EUR
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500+8.85 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65E-GE3 sihb24n65e.pdf
SIHB24N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 3330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.31 EUR
10+5.23 EUR
100+5.12 EUR
500+4.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65EF-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.05 EUR
10+7.69 EUR
100+6.23 EUR
500+5.54 EUR
1000+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65EFT1-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EFT1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 650V 24A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.43 EUR
10+7.15 EUR
100+5.24 EUR
500+4.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF074N65E-GE3 sihf074n65e.pdf
SIHF074N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 2209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.24 EUR
10+9.63 EUR
100+7.11 EUR
500+6.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N65E-GE3 sihg24n6.pdf
SIHG24N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.56 EUR
10+7.23 EUR
100+4.93 EUR
500+4.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N65EF-GE3 sihg24n65ef.pdf
SIHG24N65EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.95 EUR
10+8.01 EUR
100+6.49 EUR
500+4.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG64N65E-GE3 sihg64n65e.pdf
SiHG64N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+22.62 EUR
10+16.32 EUR
100+12.67 EUR
500+12.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH14N65E-T1-GE3 sihh14n65e.pdf
SiHH14N65E-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.66 EUR
10+8.48 EUR
100+8.18 EUR
500+7.27 EUR
1000+6.23 EUR
3000+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH14N65EF-T1-GE3 sihh14n65ef.pdf
SiHH14N65EF-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.57 EUR
10+6.58 EUR
100+4.75 EUR
500+4.72 EUR
1000+4.4 EUR
3000+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH24N65EF-T1-GE3 sihh24n65ef.pdf
SiHH24N65EF-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.19 EUR
100+11.62 EUR
500+10.7 EUR
1000+9.87 EUR
3000+6.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP054N65E-GE3 sihp054n65e.pdf
SIHP054N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V
auf Bestellung 2024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.94 EUR
10+11.12 EUR
100+9.28 EUR
500+8.64 EUR
1000+7.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP074N65E-GE3 sihp074n65e.pdf
SIHP074N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V
auf Bestellung 1911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.78 EUR
10+9.75 EUR
100+7.74 EUR
1000+6.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHP24N65E-E3 sihp24n65e.pdf
SiHP24N65E-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.21 EUR
10+5.17 EUR
100+5.07 EUR
500+4.7 EUR
1000+4.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N65E-GE3 sihp24n65e.pdf
SIHP24N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.12 EUR
10+7.3 EUR
100+5.91 EUR
500+5.53 EUR
1000+4.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQW44N65EF-GE3 sqw44n65ef.pdf
SQW44N65EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO247 N CHAN 700V 47A
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.3 EUR
10+9.22 EUR
100+8.2 EUR
480+7.43 EUR
960+7.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N65M2 en.DM00121015.pdf
STF24N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
31+2.33 EUR
33+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N65M2 en.DM00121015.pdf
STF24N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
31+2.33 EUR
33+2.2 EUR
500+2.13 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N65M2 en.DM00121015.pdf
STF24N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ 16 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.84 EUR
10+2.64 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.02 EUR
2000+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34N65M5 en.DM00049181.pdf
STP34N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
auf Bestellung 1501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.08 EUR
10+5.47 EUR
100+5.26 EUR
500+5.19 EUR
1000+4.56 EUR
2000+4.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65W,S1F TK14N65W_datasheet_en_20140225-1916236.pdf
TK14N65W,S1F
Hersteller: Toshiba
MOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.6 EUR
10+4.42 EUR
120+3.38 EUR
510+3.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRS24N65FB,S1Q TRS24N65FB_datasheet_en_20200703-1891869.pdf
TRS24N65FB,S1Q
Hersteller: Toshiba
SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.59 EUR
10+11.93 EUR
120+8.06 EUR
510+7.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF04N65C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD882DC214500C4&compId=WMF04N65C2.pdf?ci_sign=33031bc257c11798fcd11d3425426dbd4f6d0370
WMF04N65C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 2149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
171+0.42 EUR
204+0.35 EUR
232+0.31 EUR
247+0.29 EUR
261+0.27 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK4N65D1B
WMK4N65D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 112W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
336+0.21 EUR
347+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMP04N65C2
WMP04N65C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
207+0.35 EUR
230+0.31 EUR
262+0.27 EUR
277+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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