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BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4449 Stücke:
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179+0.4 EUR
218+0.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1743 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F BXP4N65F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Power dissipation: 37W
Case: TO220F
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Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U BXP4N65U BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
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auf Bestellung 1601 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U BXP4N65U BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
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Case: TO251
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On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X3 IXFA34N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfa34n65x3-datasheet.pdf MOSFETs TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 684 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.94 EUR
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IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
auf Bestellung 744 Stücke:
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10+7.83 EUR
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IXFH34N65X2W IXFH34N65X2W IXYS Power-Semiconductor-Discrete-MOSFET-IXFH34N65X2W-Datasheet.pdf MOSFETs 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247
auf Bestellung 284 Stücke:
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10+9.54 EUR
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510+7.08 EUR
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IXFH34N65X3 IXFH34N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh34n65x3-datasheet.pdf MOSFETs TO247 650V 34A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 152 Stücke:
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1+11.58 EUR
10+7.96 EUR
120+7.55 EUR
510+7.04 EUR
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IXFH54N65X3 IXFH54N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh54n65x3-datasheet.pdf MOSFETs TO247 650V 54A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.17 EUR
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510+12.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.22 EUR
12+6.13 EUR
13+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet.PDF MOSFETs 650V/34A Ultra Junction X2-Class
auf Bestellung 356 Stücke:
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1+11.14 EUR
10+6.48 EUR
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IXFP34N65X2M IXFP34N65X2M IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFP34N65X2M-Datasheet.PDF MOSFETs 650V/34A OVERMOLDED TO-220
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.88 EUR
10+7.5 EUR
500+6.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP34N65X3 IXFP34N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfp34n65x3-datasheet.pdf MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.32 EUR
10+8.04 EUR
500+7.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
39+1.83 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_4N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO263 650V 4A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.72 EUR
10+3.75 EUR
100+2.92 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24N65X2 IXTH24N65X2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXT-24N65X2-Datasheet--2-.PDF MOSFETs TO247 650V 24A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.63 EUR
10+6.21 EUR
120+5.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH34N65X2 IXTH34N65X2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXT-34N65X2-Datasheet.PDF MOSFETs TO247 650V 34A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.53 EUR
10+6.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N65X IXTH64N65X IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXTH64N65X-Datasheet.PDF MOSFETs 650V/64A Power MOSFET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.82 EUR
10+19.2 EUR
120+16.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.34 EUR
16+4.59 EUR
17+4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.34 EUR
16+4.59 EUR
17+4.35 EUR
100+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC6AF60B9418BF&compId=IXTP24N65X2M.pdf?ci_sign=acf4ac55932da38e66e322ad68acfc5d0d08dc97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.55 EUR
20+3.62 EUR
21+3.42 EUR
100+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC6AF60B9418BF&compId=IXTP24N65X2M.pdf?ci_sign=acf4ac55932da38e66e322ad68acfc5d0d08dc97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.55 EUR
20+3.62 EUR
21+3.42 EUR
100+3.29 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXTP24N65X2M-Datasheet.PDF MOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.97 EUR
10+4.52 EUR
100+4.4 EUR
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IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXT-34N65X2-Datasheet.PDF MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X2CLASS
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IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
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Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
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Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
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Polarisation: unipolar
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Drain current: 4A
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Case: TO252
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On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
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IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_4N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
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SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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SIHB24N65EF-GE3 SIHB24N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n65ef.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65EFT1-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n65ef.pdf MOSFETs TO263 650V 24A N-CH MOSFET
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SIHF074N65E-GE3 SIHF074N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihf074n65e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 650V
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SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihg24n6.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SIHG24N65EF-GE3 SIHG24N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg24n65ef.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SiHG64N65E-GE3 SiHG64N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihg64n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SiHH14N65E-T1-GE3 SiHH14N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh14n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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10+8.11 EUR
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SiHH14N65EF-T1-GE3 SiHH14N65EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh14n65ef.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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SiHH24N65EF-T1-GE3 SiHH24N65EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh24n65ef.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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SIHP054N65E-GE3 SIHP054N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp054n65e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V
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10+10.63 EUR
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500+8.27 EUR
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SIHP074N65E-GE3 SIHP074N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp074n65e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V
auf Bestellung 1901 Stücke:
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1+13.36 EUR
10+9.31 EUR
100+7.41 EUR
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SiHP24N65E-E3 SiHP24N65E-E3 Vishay Semiconductors sihp24n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+6.58 EUR
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SIHP24N65E-GE3 SIHP24N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp24n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 688 Stücke:
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1+9.47 EUR
10+6.97 EUR
100+5.65 EUR
500+5.28 EUR
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SQW44N65EF-GE3 SQW44N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sqw44n65ef.pdf MOSFETs TO247 N CHAN 700V 47A
auf Bestellung 3894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.49 EUR
10+8.82 EUR
100+8.8 EUR
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STF24N65M2 STF24N65M2 STMicroelectronics en.DM00121015.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.77 EUR
31+2.33 EUR
33+2.2 EUR
34+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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STF24N65M2 STF24N65M2 STMicroelectronics en.DM00121015.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.77 EUR
31+2.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 26
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STF24N65M2 STF24N65M2 STMicroelectronics en.DM00121015.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+2.36 EUR
500+2.02 EUR
1000+2.01 EUR
2000+1.94 EUR
5000+1.92 EUR
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STP34N65M5 STP34N65M5 STMicroelectronics en.DM00049181.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.02 EUR
10+5.05 EUR
100+4.84 EUR
500+4.8 EUR
1000+4.26 EUR
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TK14N65W,S1F TK14N65W,S1F Toshiba 9DE7A579E00A4C4E624D5CE17579AFAC715DCCE0B83908D8346C8F105AB82FDE.pdf MOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+3.5 EUR
120+2.97 EUR
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WMF04N65C2 WMF04N65C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD882DC214500C4&compId=WMF04N65C2.pdf?ci_sign=33031bc257c11798fcd11d3425426dbd4f6d0370 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 2149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.47 EUR
173+0.41 EUR
205+0.35 EUR
233+0.31 EUR
247+0.29 EUR
252+0.28 EUR
261+0.27 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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WMK4N65D1B WMK4N65D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 112W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.29 EUR
314+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMP04N65C2 WMP04N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+0.93 EUR
207+0.35 EUR
231+0.31 EUR
262+0.27 EUR
277+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 77
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BXP4N65D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
218+0.33 EUR
244+0.29 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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BXP4N65D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4449 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
218+0.33 EUR
244+0.29 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
208+0.34 EUR
233+0.31 EUR
343+0.21 EUR
363+0.2 EUR
960+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1743 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
208+0.34 EUR
233+0.31 EUR
343+0.21 EUR
363+0.2 EUR
960+0.19 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
234+0.31 EUR
262+0.27 EUR
311+0.23 EUR
451+0.16 EUR
477+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
234+0.31 EUR
262+0.27 EUR
311+0.23 EUR
451+0.16 EUR
477+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfa34n65x3-datasheet.pdf
IXFA34N65X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.16 EUR
10+8.76 EUR
100+8.54 EUR
500+8.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5
IXFH34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.94 EUR
12+6.08 EUR
120+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5
IXFH34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.94 EUR
12+6.08 EUR
120+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet.PDF
IXFH34N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.8 EUR
10+7.83 EUR
120+7.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X2W Power-Semiconductor-Discrete-MOSFET-IXFH34N65X2W-Datasheet.pdf
IXFH34N65X2W
Hersteller: IXYS
MOSFETs 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.11 EUR
10+9.54 EUR
120+7.94 EUR
510+7.08 EUR
1020+6.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH34N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh34n65x3-datasheet.pdf
IXFH34N65X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 650V 34A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.58 EUR
10+7.96 EUR
120+7.55 EUR
510+7.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH54N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh54n65x3-datasheet.pdf
IXFH54N65X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 650V 54A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.17 EUR
10+12.87 EUR
510+12.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP34N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5
IXFP34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.22 EUR
12+6.13 EUR
13+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP34N65X2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet.PDF
IXFP34N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs 650V/34A Ultra Junction X2-Class
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.14 EUR
10+6.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP34N65X2M Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFP34N65X2M-Datasheet.PDF
IXFP34N65X2M
Hersteller: IXYS
MOSFETs 650V/34A OVERMOLDED TO-220
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.88 EUR
10+7.5 EUR
500+6.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP34N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfp34n65x3-datasheet.pdf
IXFP34N65X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.32 EUR
10+8.04 EUR
500+7.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTA4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTA4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
39+1.83 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_4N65X2_Datasheet.PDF
IXTA4N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO263 650V 4A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.72 EUR
10+3.75 EUR
100+2.92 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH24N65X2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXT-24N65X2-Datasheet--2-.PDF
IXTH24N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 650V 24A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.63 EUR
10+6.21 EUR
120+5.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH34N65X2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXT-34N65X2-Datasheet.PDF
IXTH34N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 650V 34A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.53 EUR
10+6.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N65X Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXTH64N65X-Datasheet.PDF
IXTH64N65X
Hersteller: IXYS
MOSFETs 650V/64A Power MOSFET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+24.82 EUR
10+19.2 EUR
120+16.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744
IXTP24N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.34 EUR
16+4.59 EUR
17+4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744
IXTP24N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.34 EUR
16+4.59 EUR
17+4.35 EUR
100+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC6AF60B9418BF&compId=IXTP24N65X2M.pdf?ci_sign=acf4ac55932da38e66e322ad68acfc5d0d08dc97
IXTP24N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.55 EUR
20+3.62 EUR
21+3.42 EUR
100+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC6AF60B9418BF&compId=IXTP24N65X2M.pdf?ci_sign=acf4ac55932da38e66e322ad68acfc5d0d08dc97
IXTP24N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.55 EUR
20+3.62 EUR
21+3.42 EUR
100+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXTP24N65X2M-Datasheet.PDF
IXTP24N65X2M
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.97 EUR
10+4.52 EUR
100+4.4 EUR
500+4.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP34N65X2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXT-34N65X2-Datasheet.PDF
IXTP34N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.98 EUR
10+7.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTP4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.06 EUR
41+1.74 EUR
43+1.67 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTP4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.06 EUR
41+1.74 EUR
43+1.67 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ34N65X2M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec
IXTQ34N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.55 EUR
9+7.97 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ34N65X2M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec
IXTQ34N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.55 EUR
9+7.97 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTY4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTY4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
26+2.75 EUR
140+1.7 EUR
280+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_4N65X2_Datasheet.PDF
IXTY4N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.61 EUR
10+4.05 EUR
70+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H-D.PDF
NTMT064N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs 650V 64MOHM MOSFET
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.8 EUR
10+10.31 EUR
100+9.01 EUR
500+8.54 EUR
1000+8.29 EUR
3000+7.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65E-GE3 sihb24n65e.pdf
SIHB24N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 3330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.1 EUR
10+5.05 EUR
100+4.89 EUR
500+4.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65EF-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.59 EUR
10+7.36 EUR
100+5.95 EUR
500+5.3 EUR
1000+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB24N65EFT1-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EFT1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 650V 24A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.2 EUR
10+6.83 EUR
100+5.02 EUR
500+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF074N65E-GE3 sihf074n65e.pdf
SIHF074N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 2209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.64 EUR
10+9.2 EUR
100+6.79 EUR
500+6.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N65E-GE3 sihg24n6.pdf
SIHG24N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.43 EUR
10+6.92 EUR
100+4.93 EUR
500+4.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N65EF-GE3 sihg24n65ef.pdf
SIHG24N65EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.65 EUR
10+7.67 EUR
100+6.21 EUR
500+4.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG64N65E-GE3 sihg64n65e.pdf
SiHG64N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+22.11 EUR
10+17.11 EUR
100+14.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH14N65E-T1-GE3 sihh14n65e.pdf
SiHH14N65E-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.24 EUR
10+8.11 EUR
3000+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH14N65EF-T1-GE3 sihh14n65ef.pdf
SiHH14N65EF-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.43 EUR
10+6.28 EUR
100+4.54 EUR
500+4.51 EUR
3000+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH24N65EF-T1-GE3 sihh24n65ef.pdf
SiHH24N65EF-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.57 EUR
3000+6.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP054N65E-GE3 sihp054n65e.pdf
SIHP054N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V
auf Bestellung 2024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.27 EUR
10+10.63 EUR
100+8.85 EUR
500+8.27 EUR
1000+7.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP074N65E-GE3 sihp074n65e.pdf
SIHP074N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V
auf Bestellung 1901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.36 EUR
10+9.31 EUR
100+7.41 EUR
1000+6.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHP24N65E-E3 sihp24n65e.pdf
SiHP24N65E-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.62 EUR
10+6.58 EUR
100+5.65 EUR
500+5.03 EUR
1000+4.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N65E-GE3 sihp24n65e.pdf
SIHP24N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.47 EUR
10+6.97 EUR
100+5.65 EUR
500+5.28 EUR
1000+4.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQW44N65EF-GE3 sqw44n65ef.pdf
SQW44N65EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO247 N CHAN 700V 47A
auf Bestellung 3894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.49 EUR
10+8.82 EUR
100+8.8 EUR
480+7.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N65M2 en.DM00121015.pdf
STF24N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
31+2.33 EUR
33+2.2 EUR
34+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N65M2 en.DM00121015.pdf
STF24N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
31+2.33 EUR
33+2.2 EUR
34+2.16 EUR
50+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF24N65M2 en.DM00121015.pdf
STF24N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.64 EUR
10+2.36 EUR
500+2.02 EUR
1000+2.01 EUR
2000+1.94 EUR
5000+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP34N65M5 en.DM00049181.pdf
STP34N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.02 EUR
10+5.05 EUR
100+4.84 EUR
500+4.8 EUR
1000+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK14N65W,S1F 9DE7A579E00A4C4E624D5CE17579AFAC715DCCE0B83908D8346C8F105AB82FDE.pdf
TK14N65W,S1F
Hersteller: Toshiba
MOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.41 EUR
10+3.5 EUR
120+2.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMF04N65C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD882DC214500C4&compId=WMF04N65C2.pdf?ci_sign=33031bc257c11798fcd11d3425426dbd4f6d0370
WMF04N65C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 2149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
173+0.41 EUR
205+0.35 EUR
233+0.31 EUR
247+0.29 EUR
252+0.28 EUR
261+0.27 EUR
500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK4N65D1B
WMK4N65D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 112W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
314+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMP04N65C2
WMP04N65C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
207+0.35 EUR
231+0.31 EUR
262+0.27 EUR
277+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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