Produkte > VISHAY SILICONIX > Alle Produkte des Herstellers VISHAY SILICONIX (11170) > Seite 186 nach 187
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| IRFC37N50AB | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V Packaging: Tube |
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| SIC675ACD-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: 60A VRPOWER SMART POWERSTAGE MODPackaging: Cut Tape (CT) Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation Package / Case: 30-PowerQFN Mounting Type: Surface Mount Interface: PWM Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 4.5V ~ 25V Applications: Buck Converters Current - Output / Channel: 60A Current - Peak Output: 90A Technology: NMOS Supplier Device Package: PowerPAK® MLP30-55L Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO Load Type: Inductive, Capacitive |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIS472ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIS472ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V |
auf Bestellung 5970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIC450EVB-A | Vishay Siliconix |
Description: SIC450 EVALUATION BOARDPackaging: Bulk Voltage - Output: 0.3V ~ 12V Voltage - Input: 4.5V ~ 20V Current - Output: 40A Contents: Board(s) Frequency - Switching: 1.5MHz Regulator Topology: Buck Utilized IC / Part: SiC450 Main Purpose: DC/DC, Step Down Outputs and Type: 1 Isolated Output |
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SI7454DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V |
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SI7454DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SIHG050N65SF-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 650VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG050N65SF-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 650VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHL050N65SF-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 650VPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
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IRF530 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
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| DG201BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Аналоговий комутатор; К-сть вх/вих = 4 1:1 SPST - NC; rDS(on), Ом = 85; Uживл, В = 4,5...25; ) ±4,5...22; Тексп, °C = -40...+85; ton = 300 нс; toff = 200 нс; SOICN-16 |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DG4051EEQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Аналоговий комутатор; К-сть вх/вих = 1; rDS(on), Ом = 78; Uживл, В = 3...16; Тексп, °C = -40...+125; ton = 75 нс; toff = 88 нс; Співвідн. = 8:1; F(3 дБ) = 308 МГц; TSSOP-16 |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DG419DY-E3 | Vishay Siliconix |
Аналоговий комутатор; Io = 1 нА; rDS(on), Ом = 40; Uживл, В = 12, ±15; Кіл. вх/вих = 1 x SPDT - NC/NO; Тексп, °С = -40...+85; ton = 175 нс; toff = 145 нс; SOICN-8 |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DG441DJ | Vishay Siliconix |
Аналоговий комутатор; Io = 15 мкА; rDS(on), Ом = 85; Uживл, В = 12; ±15; Кіл. вх/вих = 4 x SPST - NC; Тексп, °С = -40...+85; ton = 250 нс; toff = 120 нс; DIP-16 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DG9424DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Id, мА = 100; Umax (сток-исток), В = 16; Uживл, В = 3-16; К-сть. драйв./прийм, шт = 4; Тексп, °С = -40-85; TSSOP-16 |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI9112DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
ШІМ-регулятор; Fosc = 3 МГц; Iвих = 10 мА; Uживл, В = 9,5...13,5; К-сть. вих. = 1; К-т заповн, % = 50; Тексп, °С = -40...+85; Push-Pull СН прямого/зворотного ходу; SOICN-14 |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7272DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 25; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15; Qg, нКл = 26; Rds = 9,3 мОм; Ugs(th) = 2,5 В; Р, Вт = 22; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; POWERPACK SOIC-8 |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 5,3 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 665 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,3 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR882ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 60 А; Ptot, Вт = 83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 50; Qg, нКл = 60 @ 10 В; Rds = 8,7 мОм @ 20 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 250 мкА; SOICN-8 |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFPG50PBF | Vishay Siliconix |
N-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 6,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2800 @ 25; Qg, нКл = 190 @ 10 В; Rds = 2 Ом @ 3,6 A, 10 В; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 190; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-247-3 |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFL9110TRPBF-BE3 | Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25; Qg, нКл = 8,7 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; 3,1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SI3457CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TSOP-6 |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SI7155DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 12900 @ -20; Qg, нКл = 220; Rds = 4,6 мОм; Р, Вт = 104; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK-SO-8 |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SiA469DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15; Qg, нКл = 15; Rds = 26,5 мОм; Ugs(th) = 3 В; Р, Вт = 15,6; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SC70-6L |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 250 мкА; Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15; Qg, нКл = 27.8; Rds = 14 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 19.2; Тексп, °C = -55...+150; SC70-6L |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SIR165DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 60 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4930 @ 15; Qg, нКл = 138 @ 10 В; Rds = 4,6 мОм; Ugs(th) = 2,3 В; Р, Вт = 69,4; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8 |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SiRS4401DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 198; Ciss, пФ @ Uds, В = 21850 @ 20; Qg, нКл = 588 @ 10 В; Rds = 2,2 мОм; Ugs(th) = 2,3; Р, Вт = 132; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8 |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SQ2309ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 1,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25; Qg, нКл = 8,5 @ 10 В; Rds = 335 мОм @ 1,25 A, 10 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-23-3 |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SUM110P04-05-E3 | Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 110; Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25; Qg, нКл = 280; Rds = 5 мОм; Ugs(th) = 4 В; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SUM110P06-07L | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 11400 @ 25; Qg, нКл = 345 @ 10 В; Rds = 6,9 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+175; D2PAK |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SUM70101EL-GE3 | Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50; Qg, нКл = 190; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; TO-263 |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRF9530PBF | Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SiP11203DLP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Драйвер синхронного выпрямителя для DC-DC Converter, -40...+85C, MLP44-16, PBF |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SiP11204DLP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Драйвер синхронного выпрямителя для DC-DC Converter, -40...+85C, MLP44-16, PBF |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SIC471ED-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
IC REG BUCK ADJ 12A MLP55-27 |
auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| Si9122ADLP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SI9122ADQ-T1-E3 | Vishay Siliconix |
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auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRF530SPBF | Vishay Siliconix |
HEXFET Power MOSFET, 100V, 14A, 0,16 Ohm, D2PAK=TO-263 |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRF540PBF | Vishay Siliconix |
N-MOSFET, 100V, 28A, 150W, TO220AB |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRF620PBF | Vishay Siliconix |
N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRF9540SPBF | Vishay Siliconix |
D2PAK=TO-263 |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix |
TO-220AB |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFBC40PBF | Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFD9014PBF | Vishay Siliconix |
P-Channel 60V 1.1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFP360LCPBF | Vishay Siliconix |
TO-247AC |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFP360PBF | Vishay Siliconix |
TO-247AC |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFR9214PBF | Vishay Siliconix |
P-CH. 250V 2.7A DPAK=TO-252 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS11N50A | Vishay Siliconix |
N-CH U=500V I=11A R=0,52Oм D2PAK=TO-263 |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFZ34PBF | Vishay Siliconix |
TO-220-3 |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SI1304BDL-T1-E3 | Vishay Siliconix |
SC-70 |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SI2301BDS | Vishay Siliconix | P-Channel 20V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT-23-3 |
auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SI2323DS-T1-E3 | Vishay Siliconix |
MOSFET P-Ch, 20V, 3.7A, SOT-23-3 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SI2333DDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
P-Channel 12V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SI4156DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SI4434DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| SI5403DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
(1206-8,P-ch,Mosfet,30B,6A) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIC675ACD-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: 60A VRPOWER SMART POWERSTAGE MOD
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: 30-PowerQFN
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 25V
Applications: Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Current - Peak Output: 90A
Technology: NMOS
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP30-55L
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
Description: 60A VRPOWER SMART POWERSTAGE MOD
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: 30-PowerQFN
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 25V
Applications: Buck Converters
Current - Output / Channel: 60A
Current - Peak Output: 90A
Technology: NMOS
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP30-55L
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.91 EUR |
| 10+ | 3.68 EUR |
| 25+ | 3.37 EUR |
| 100+ | 3.03 EUR |
| 250+ | 2.87 EUR |
| 500+ | 2.83 EUR |
| SIS472ADN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.32 EUR |
| SIS472ADN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 14+ | 1.34 EUR |
| 22+ | 0.83 EUR |
| 100+ | 0.54 EUR |
| 500+ | 0.41 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| SIC450EVB-A |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: SIC450 EVALUATION BOARD
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 0.3V ~ 12V
Voltage - Input: 4.5V ~ 20V
Current - Output: 40A
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 1.5MHz
Regulator Topology: Buck
Utilized IC / Part: SiC450
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Isolated Output
Description: SIC450 EVALUATION BOARD
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 0.3V ~ 12V
Voltage - Input: 4.5V ~ 20V
Current - Output: 40A
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 1.5MHz
Regulator Topology: Buck
Utilized IC / Part: SiC450
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Isolated Output
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7454DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SI7454DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SIHG050N65SF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 4.28 EUR |
| SIHG050N65SF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 10.47 EUR |
| 10+ | 7.05 EUR |
| 100+ | 5.11 EUR |
| SIHL050N65SF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 10.61 EUR |
| 10+ | 7.15 EUR |
| 480+ | 4.37 EUR |
| IRF9540 | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF530 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DG201BDY-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор; К-сть вх/вих = 4 1:1 SPST - NC; rDS(on), Ом = 85; Uживл, В = 4,5...25; ) ±4,5...22; Тексп, °C = -40...+85; ton = 300 нс; toff = 200 нс; SOICN-16
Аналоговий комутатор; К-сть вх/вих = 4 1:1 SPST - NC; rDS(on), Ом = 85; Uживл, В = 4,5...25; ) ±4,5...22; Тексп, °C = -40...+85; ton = 300 нс; toff = 200 нс; SOICN-16
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DG4051EEQ-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор; К-сть вх/вих = 1; rDS(on), Ом = 78; Uживл, В = 3...16; Тексп, °C = -40...+125; ton = 75 нс; toff = 88 нс; Співвідн. = 8:1; F(3 дБ) = 308 МГц; TSSOP-16
Аналоговий комутатор; К-сть вх/вих = 1; rDS(on), Ом = 78; Uживл, В = 3...16; Тексп, °C = -40...+125; ton = 75 нс; toff = 88 нс; Співвідн. = 8:1; F(3 дБ) = 308 МГц; TSSOP-16
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DG419DY-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор; Io = 1 нА; rDS(on), Ом = 40; Uживл, В = 12, ±15; Кіл. вх/вих = 1 x SPDT - NC/NO; Тексп, °С = -40...+85; ton = 175 нс; toff = 145 нс; SOICN-8
Аналоговий комутатор; Io = 1 нА; rDS(on), Ом = 40; Uживл, В = 12, ±15; Кіл. вх/вих = 1 x SPDT - NC/NO; Тексп, °С = -40...+85; ton = 175 нс; toff = 145 нс; SOICN-8
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DG441DJ |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор; Io = 15 мкА; rDS(on), Ом = 85; Uживл, В = 12; ±15; Кіл. вх/вих = 4 x SPST - NC; Тексп, °С = -40...+85; ton = 250 нс; toff = 120 нс; DIP-16
Аналоговий комутатор; Io = 15 мкА; rDS(on), Ом = 85; Uживл, В = 12; ±15; Кіл. вх/вих = 4 x SPST - NC; Тексп, °С = -40...+85; ton = 250 нс; toff = 120 нс; DIP-16
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DG9424DQ-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Id, мА = 100; Umax (сток-исток), В = 16; Uживл, В = 3-16; К-сть. драйв./прийм, шт = 4; Тексп, °С = -40-85; TSSOP-16
Id, мА = 100; Umax (сток-исток), В = 16; Uживл, В = 3-16; К-сть. драйв./прийм, шт = 4; Тексп, °С = -40-85; TSSOP-16
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI9112DY-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
ШІМ-регулятор; Fosc = 3 МГц; Iвих = 10 мА; Uживл, В = 9,5...13,5; К-сть. вих. = 1; К-т заповн, % = 50; Тексп, °С = -40...+85; Push-Pull СН прямого/зворотного ходу; SOICN-14
ШІМ-регулятор; Fosc = 3 МГц; Iвих = 10 мА; Uживл, В = 9,5...13,5; К-сть. вих. = 1; К-т заповн, % = 50; Тексп, °С = -40...+85; Push-Pull СН прямого/зворотного ходу; SOICN-14
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI7272DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 25; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15; Qg, нКл = 26; Rds = 9,3 мОм; Ugs(th) = 2,5 В; Р, Вт = 22; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; POWERPACK SOIC-8
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 25; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15; Qg, нКл = 26; Rds = 9,3 мОм; Ugs(th) = 2,5 В; Р, Вт = 22; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; POWERPACK SOIC-8
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI9945BDY-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 5,3 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 665 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,3 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 5,3 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 665 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,3 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIR882ADP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 60 А; Ptot, Вт = 83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 50; Qg, нКл = 60 @ 10 В; Rds = 8,7 мОм @ 20 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 250 мкА; SOICN-8
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 60 А; Ptot, Вт = 83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 50; Qg, нКл = 60 @ 10 В; Rds = 8,7 мОм @ 20 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 250 мкА; SOICN-8
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFPG50PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 6,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2800 @ 25; Qg, нКл = 190 @ 10 В; Rds = 2 Ом @ 3,6 A, 10 В; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 190; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-247-3
N-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 6,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2800 @ 25; Qg, нКл = 190 @ 10 В; Rds = 2 Ом @ 3,6 A, 10 В; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 190; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-247-3
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFL9110TRPBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25; Qg, нКл = 8,7 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; 3,1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25; Qg, нКл = 8,7 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; 3,1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI3457CDV-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TSOP-6
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TSOP-6
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI7155DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 12900 @ -20; Qg, нКл = 220; Rds = 4,6 мОм; Р, Вт = 104; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK-SO-8
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 12900 @ -20; Qg, нКл = 220; Rds = 4,6 мОм; Р, Вт = 104; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK-SO-8
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SiA469DJ-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15; Qg, нКл = 15; Rds = 26,5 мОм; Ugs(th) = 3 В; Р, Вт = 15,6; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SC70-6L
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15; Qg, нКл = 15; Rds = 26,5 мОм; Ugs(th) = 3 В; Р, Вт = 15,6; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SC70-6L
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIA471DJ-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 250 мкА; Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15; Qg, нКл = 27.8; Rds = 14 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 19.2; Тексп, °C = -55...+150; SC70-6L
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 250 мкА; Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15; Qg, нКл = 27.8; Rds = 14 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 19.2; Тексп, °C = -55...+150; SC70-6L
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIR165DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 60 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4930 @ 15; Qg, нКл = 138 @ 10 В; Rds = 4,6 мОм; Ugs(th) = 2,3 В; Р, Вт = 69,4; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 60 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4930 @ 15; Qg, нКл = 138 @ 10 В; Rds = 4,6 мОм; Ugs(th) = 2,3 В; Р, Вт = 69,4; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SiRS4401DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 198; Ciss, пФ @ Uds, В = 21850 @ 20; Qg, нКл = 588 @ 10 В; Rds = 2,2 мОм; Ugs(th) = 2,3; Р, Вт = 132; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 198; Ciss, пФ @ Uds, В = 21850 @ 20; Qg, нКл = 588 @ 10 В; Rds = 2,2 мОм; Ugs(th) = 2,3; Р, Вт = 132; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SQ2309ES-T1_BE3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 1,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25; Qg, нКл = 8,5 @ 10 В; Rds = 335 мОм @ 1,25 A, 10 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-23-3
P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 1,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25; Qg, нКл = 8,5 @ 10 В; Rds = 335 мОм @ 1,25 A, 10 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-23-3
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SUM110P04-05-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 110; Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25; Qg, нКл = 280; Rds = 5 мОм; Ugs(th) = 4 В; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 110; Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25; Qg, нКл = 280; Rds = 5 мОм; Ugs(th) = 4 В; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SUM110P06-07L |
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 11400 @ 25; Qg, нКл = 345 @ 10 В; Rds = 6,9 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+175; D2PAK
P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 11400 @ 25; Qg, нКл = 345 @ 10 В; Rds = 6,9 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+175; D2PAK
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SUM70101EL-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50; Qg, нКл = 190; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; TO-263
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50; Qg, нКл = 190; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; TO-263
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF9530PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 12 А; Ptot, Вт = 88; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SiP11203DLP-T1-E3 | ![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Драйвер синхронного выпрямителя для DC-DC Converter, -40...+85C, MLP44-16, PBF
Драйвер синхронного выпрямителя для DC-DC Converter, -40...+85C, MLP44-16, PBF
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SiP11204DLP-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Драйвер синхронного выпрямителя для DC-DC Converter, -40...+85C, MLP44-16, PBF
Драйвер синхронного выпрямителя для DC-DC Converter, -40...+85C, MLP44-16, PBF
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIC471ED-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
IC REG BUCK ADJ 12A MLP55-27
IC REG BUCK ADJ 12A MLP55-27
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| Si9122ADLP-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI9122ADQ-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF530SPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
HEXFET Power MOSFET, 100V, 14A, 0,16 Ohm, D2PAK=TO-263
HEXFET Power MOSFET, 100V, 14A, 0,16 Ohm, D2PAK=TO-263
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF540PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
N-MOSFET, 100V, 28A, 150W, TO220AB
N-MOSFET, 100V, 28A, 150W, TO220AB
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF620PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II)
N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF9540SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
D2PAK=TO-263
D2PAK=TO-263
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFBC30APBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
TO-220AB
TO-220AB
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFBC40PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFD9014PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
P-Channel 60V 1.1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
P-Channel 60V 1.1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFP360LCPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
TO-247AC
TO-247AC
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFP360PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
TO-247AC
TO-247AC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFR9214PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
P-CH. 250V 2.7A DPAK=TO-252
P-CH. 250V 2.7A DPAK=TO-252
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFS11N50A |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
N-CH U=500V I=11A R=0,52Oм D2PAK=TO-263
N-CH U=500V I=11A R=0,52Oм D2PAK=TO-263
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFZ34PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
TO-220-3
TO-220-3
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI1304BDL-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
SC-70
SC-70
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI2301BDS |
Hersteller: Vishay Siliconix
P-Channel 20V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
P-Channel 20V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI2301CDS-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT-23-3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT-23-3
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI2323DS-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
MOSFET P-Ch, 20V, 3.7A, SOT-23-3
MOSFET P-Ch, 20V, 3.7A, SOT-23-3
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI2333DDS-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
P-Channel 12V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
P-Channel 12V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI3433CDV-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI4156DY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI4434DY-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI5403DC-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
(1206-8,P-ch,Mosfet,30B,6A)
(1206-8,P-ch,Mosfet,30B,6A)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH






