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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SIC450EVB-A Vishay Siliconix sic450_sic451_sic453.pdf Description: SIC450 EVALUATION BOARD
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 0.3V ~ 12V
Voltage - Input: 4.5V ~ 20V
Current - Output: 40A
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 1.5MHz
Regulator Topology: Buck
Utilized IC / Part: SiC450
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Isolated Output
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454DP-T1-GE3 SI7454DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 71618.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454DP-T1-GE3 SI7454DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 71618.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG050N65SF-GE3 SIHG050N65SF-GE3 Vishay Siliconix sihg050n65sf.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG050N65SF-GE3 SIHG050N65SF-GE3 Vishay Siliconix sihg050n65sf.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.47 EUR
10+7.05 EUR
100+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL050N65SF-GE3 SIHL050N65SF-GE3 Vishay Siliconix sihl050n65sf.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.61 EUR
10+7.15 EUR
480+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530 IRF530 Vishay Siliconix irf530.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH150N60E-T1-FE3 SIHH150N60E-T1-FE3 Vishay Siliconix sihh150n60e-fe3.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH150N60E-T1-FE3 SIHH150N60E-T1-FE3 Vishay Siliconix sihh150n60e-fe3.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL023N60E-GE3 SIHL023N60E-GE3 Vishay Siliconix sihl023n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10291 pF @ 100 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.53 EUR
10+15.8 EUR
480+10.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-BE3 SI3493DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3493ddv.pdf Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-BE3 SI3493DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix si3493ddv.pdf Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH075N65E-T1-GE3 SIHH075N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh075n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihk075n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH186N60EF-T1FE3 SIHH186N60EF-T1FE3 Vishay Siliconix sihh186n60ef-fe3.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH186N60EF-T1FE3 SIHH186N60EF-T1FE3 Vishay Siliconix sihh186n60ef-fe3.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.13 EUR
10+4.7 EUR
100+3.32 EUR
500+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ457EP-T2_BE3 SQJ457EP-T2_BE3 Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ457EP-T2_BE3 SQJ457EP-T2_BE3 Vishay Siliconix sqj457ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.41 EUR
12+1.52 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3419CEV-T1_GE3 SQ3419CEV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3419cev.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.28 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3419CEV-T1_GE3 SQ3419CEV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3419cev.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.27 EUR
23+0.79 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N65E-GE3 SIHP065N65E-GE3 Vishay Siliconix sihp065n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 IRF9530 Vishay Siliconix IRF9530.pdf description Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
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TSOP34356 Vishay Siliconix TSOP343_.pdf Інфрачервоний фотоприймач, Ic, мА = 5, Uживл, В = 2,5...5,5, Тексп, °С = -25...+85, 3 виводи,... Група товару: Датчики Корпус: 7x6x5.7mm Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
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TSOP34356SS1F Vishay Siliconix tsop321_Vishay.pdf Інфрачервоний фотоприймач, Ic, мА = 5, Uживл, В = 2.5...5.5, Тексп, °С = -25...+85,... Група товару: Датчики Корпус: 6x6.95x5.6mm Од. вим: шт
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MBR0540PBF Vishay Siliconix 94283mbr.pdf Діод Шотткі smd, Io, A = 0,5, Uзвор, В = 40, Uf (max), В = 0,56, If, А = 1, Тексп, °С = -65...+150, I, мкА @ Ur, В = 20,... Група товару: Діоди Корпус: SOD-123 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BZX84C2V4-V-GS08 Vishay Siliconix bzx84-v-.pdf Стабілітрон SMD, Uz, В = 2,4, Zzt, Ом = 275, Ptot, Вт = 0,3, Тексп, °C = -65...+150, Точн., % = 5,... Група товару: Діоди Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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DG1412EQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg1411-2-3_Vishay.pdf Аналоговий комутатор, Io = 220 мкА, rDS(on), Ом = 1,8, Uживл, В = 4,5...24, ±4,5...16,5, Кіл. вх/вих = 4 x SPST - NO, Тексп, °С = -40...+125, ton = 170 нс, toff = 140 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-16 Од. вим: шт
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DG201BDY-T1-E3 Vishay Siliconix dg201b-202b_vishay.pdf Аналоговий комутатор, К-сть вх/вих = 4 1:1 SPST - NC, rDS(on), Ом = 85, Uживл, В = 4,5...25, ) ±4,5...22, Тексп, °C = -40...+85, ton = 300 нс, toff = 200 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DG4051EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg4051a.pdf Аналоговий комутатор, К-сть вх/вих = 1, Uживл, В = 3...16, Опис Аналоговий комутатор, ton = 75 нс, toff = 88 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: WFQFN-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DG4051EEQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg4051a.pdf Аналоговий комутатор, К-сть вх/вих = 1, rDS(on), Ом = 78, Uживл, В = 3...16, Тексп, °C = -40...+125, ton = 75 нс, toff = 88 нс, Співвідн. = 8:1, F(3 дБ) = 308 МГц,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DG408DY-E3 Vishay Siliconix dg408-dg409_Vishay.pdf Аналоговий комутатор/Мультиплексор, Io = 1 мкА, rDS(on), Ом = 90, Uживл, В = ±5...20, Кіл. вх/вих = 1 х 8:1, Тексп, °С = -40...+85, ton = 115 нс, toff = 105 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-16 Од. вим: шт
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DG419DY-E3 Vishay Siliconix dg417-dg419_Vishay.pdf Аналоговий комутатор, Io = 1 нА, rDS(on), Ом = 40, Uживл, В = 12, ±15, Кіл. вх/вих = 1 x SPDT - NC/NO, Тексп, °С = -40...+85, ton = 175 нс, toff = 145 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
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DG441DJ Vishay Siliconix DG441_Vishay.pdf Аналоговий комутатор, Io = 15 мкА, rDS(on), Ом = 85, Uживл, В = 12, ±15, Кіл. вх/вих = 4 x SPST - NC, Тексп, °С = -40...+85, ton = 250 нс, toff = 120 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-16 Од. вим: шт
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DG441DY-E3 Vishay Siliconix dg441.pdf description Аналоговий комутатор, Io = 15 мкА, rDS(on), Ом = 85, Uживл, В = 12, ±15, Кіл. вх/вих = 4 x SPST, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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DG468DV-T1-E3 Vishay Siliconix dg467-468_Vishay.pdf Аналоговий комутатор, rDS(on), Ом = 9, Uживл, В = 7...36, Кіл. вх/вих = 1 1:1 SPST - NO, Тексп, °С = -40...+85, ton = 140 нс, toff = 80 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOT-23-6 Од. вим: шт
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SI3865DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix Si3865DDV.pdf Аналоговий комутатор розподілу живлення, Io = 2,8, rDS(on), Ом = 0,045, Тексп, °С = -55...+150, Інтерфейс = On/Off, Тип вих. = P-канальний, Вих. конф. = High Side,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOT-23-6 Од. вим: шт
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SIP32430DN-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32430_Vishay.pdf Аналоговий комутатор розподілу живлення, Io = 3,2 А, rDS(on), Ом = 0,0999, Uживл, В = 6...28, Кіл. вх/вих = 1, Тексп, °С = -40...+85, Інтерфейс = On/Off, Тип виходу = P-канальний, Тип вих. конф. = High Side,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DG9424DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG9424DQ-T1-E3.pdf Id, мА = 100, Umax (сток-исток), В = 16, Uживл, В = 3-16, К-сть. драйв./прийм, шт = 4, Тексп, °С = -40-85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-16 Од. вим: шт
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SI9112DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9112_vish.pdf ШІМ-регулятор, Fosc = 3 МГц, Iвих = 10 мА, Uживл, В = 9,5...13,5, К-сть. вих. = 1, К-т заповн, % = 50, Тексп, °С = -40...+85, Push-Pull СН прямого/зворотного ходу,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-14 Од. вим: шт
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FB190SA10 Vishay Siliconix vs-fb190sa10_Vishay.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 190 А, Ptot, Вт = 480, Тип монт. = на шасі, Ciss, пФ @ Uds, В = 10700 @ 25, Qg, нКл = 380 @ 10 В, Rds = 6,5 мОм @ 180 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, td(on), нс = 45, td(off), нс = 181,... Груп
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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IRF9540SPBF Vishay Siliconix IRF9540S.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 19 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400, Qg, нКл = 61, Rds = 200 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 150, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
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IRF9Z14PBF-BE3 Vishay Siliconix 91088.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 12, Rds = 500 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 43, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFL9110PBF_Vishay.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од.
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IRFR320PBF Vishay Siliconix sihfr320.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 20, Rds = 1,8 Ом, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 2,5, 45, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: 200
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFR9220PBF Vishay Siliconix sihfr922.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,6 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 1.5 Ом @ 2.2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI1013CX-T1-GE3 Vishay Siliconix si1013cx.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 450 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 10, Qg, нКл = 2,5, Rds = 760 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,19, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-490 Од. вим: шт
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SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1025x.pdf 2P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 23 @ 25, Qg, нКл = 1,7 @ 15, Rds = 4 Ом, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-666 Од. вим: 20
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 300 Stücke:
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SI1317DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1317dl.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 272 @ 10, Qg, нКл = 6,5, Rds = 150 мОм, Ugs(th) = 0,8 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -50...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2301cd.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 405 @ 10, Qg, нКл = 10 @ 4,5 В, Rds = 112 мОм @ 2,8 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,86, 1,6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI2302CDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2302cd_Vishay.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,6 А, Ptot, Вт = 0,71, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 5,5 @ 4,5 В, Rds = 57 мОм @ 3,6 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,85 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2323DS_Vishay.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 0,75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 10, Qg, нКл = 19 @ 4,5 В, Rds = 39 мОм @ 4,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 198 Stücke:
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SI2347DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2347ds.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 705 @ 15, Qg, нКл = 22 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 3,8 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2367ds.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,8, Ciss, пФ @ Uds, В = 561 pF @ 10 V, Qg, нКл = 23, Rds = 0.066, Ugs(th) = -1, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 1.7, Тексп, °C = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 100 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3127DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3127dv.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 3,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 833 @ 20, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 89 мОм @ 1,5 A, 4,5 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, 4,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 13 А,... Група товару: Транзистори Корпус: T
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SI3457CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3457cd.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: 3330
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verfügbar 17 Stücke:
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SI3900DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3932dv_Vishay.pdf 2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2 А, Qg, нКл = 4 @ 4,5 В, Rds = 125 мОм @ 2,4 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,83, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: TSOT-23-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Si3932DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3932dv_Vishay.pdf 2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 235 @ 15, Qg, нКл = 6 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 3,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од.
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI4143DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4143dy.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6630 @ 15, Qg, нКл = 167 @ 10 В, Rds = 6,2 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 426 Stücke:
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SI4154DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4154dy.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4230 @ 20, Qg, нКл = 105 @ 10, Rds = 3,3 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 7,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: 10000
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 359 Stücke:
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SI4286DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4286dy.pdf 2N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 7 А, Ptot, Вт = 2,9, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 375 @ 20, Qg, нКл = 10.5 @ 10 B, Rds = 32.5 мОм @ 8 A , 10 B, Tексп, °C = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 2500 Stücke:
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SIC450EVB-A sic450_sic451_sic453.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: SIC450 EVALUATION BOARD
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 0.3V ~ 12V
Voltage - Input: 4.5V ~ 20V
Current - Output: 40A
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 1.5MHz
Regulator Topology: Buck
Utilized IC / Part: SiC450
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Isolated Output
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SI7454DP-T1-GE3 71618.pdf
SI7454DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
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SI7454DP-T1-GE3 71618.pdf
SI7454DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG050N65SF-GE3 sihg050n65sf.pdf
SIHG050N65SF-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG050N65SF-GE3 sihg050n65sf.pdf
SIHG050N65SF-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.47 EUR
10+7.05 EUR
100+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL050N65SF-GE3 sihl050n65sf.pdf
SIHL050N65SF-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.61 EUR
10+7.15 EUR
480+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530 irf530.pdf
IRF530
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH150N60E-T1-FE3 sihh150n60e-fe3.pdf
SIHH150N60E-T1-FE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH150N60E-T1-FE3 sihh150n60e-fe3.pdf
SIHH150N60E-T1-FE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL023N60E-GE3 sihl023n60e.pdf
SIHL023N60E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10291 pF @ 100 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+22.53 EUR
10+15.8 EUR
480+10.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-BE3 si3493ddv.pdf
SI3493DDV-T1-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3493DDV-T1-BE3 si3493ddv.pdf
SI3493DDV-T1-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH075N65E-T1-GE3 sihh075n65e.pdf
SIHH075N65E-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N65E-T1-GE3 sihk075n65e.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH186N60EF-T1FE3 sihh186n60ef-fe3.pdf
SIHH186N60EF-T1FE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH186N60EF-T1FE3 sihh186n60ef-fe3.pdf
SIHH186N60EF-T1FE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.13 EUR
10+4.7 EUR
100+3.32 EUR
500+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ457EP-T2_BE3 sqj457ep.pdf
SQJ457EP-T2_BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJ457EP-T2_BE3 sqj457ep.pdf
SQJ457EP-T2_BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.41 EUR
12+1.52 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3419CEV-T1_GE3 sq3419cev.pdf
SQ3419CEV-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.3 EUR
6000+0.28 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3419CEV-T1_GE3 sq3419cev.pdf
SQ3419CEV-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.27 EUR
23+0.79 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N65E-GE3 sihp065n65e.pdf
SIHP065N65E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9530 description IRF9530.pdf
IRF9530
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSOP34356 TSOP343_.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Інфрачервоний фотоприймач, Ic, мА = 5, Uживл, В = 2,5...5,5, Тексп, °С = -25...+85, 3 виводи,... Група товару: Датчики Корпус: 7x6x5.7mm Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
verfügbar 400 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSOP34356SS1F tsop321_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Інфрачервоний фотоприймач, Ic, мА = 5, Uживл, В = 2.5...5.5, Тексп, °С = -25...+85,... Група товару: Датчики Корпус: 6x6.95x5.6mm Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR0540PBF 94283mbr.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Діод Шотткі smd, Io, A = 0,5, Uзвор, В = 40, Uf (max), В = 0,56, If, А = 1, Тексп, °С = -65...+150, I, мкА @ Ur, В = 20,... Група товару: Діоди Корпус: SOD-123 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX84C2V4-V-GS08 bzx84-v-.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Стабілітрон SMD, Uz, В = 2,4, Zzt, Ом = 275, Ptot, Вт = 0,3, Тексп, °C = -65...+150, Точн., % = 5,... Група товару: Діоди Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG1412EQ-T1-GE3 dg1411-2-3_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор, Io = 220 мкА, rDS(on), Ом = 1,8, Uживл, В = 4,5...24, ±4,5...16,5, Кіл. вх/вих = 4 x SPST - NO, Тексп, °С = -40...+125, ton = 170 нс, toff = 140 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG201BDY-T1-E3 dg201b-202b_vishay.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор, К-сть вх/вих = 4 1:1 SPST - NC, rDS(on), Ом = 85, Uживл, В = 4,5...25, ) ±4,5...22, Тексп, °C = -40...+85, ton = 300 нс, toff = 200 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 6 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG4051EEN-T1-GE4 dg4051a.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор, К-сть вх/вих = 1, Uживл, В = 3...16, Опис Аналоговий комутатор, ton = 75 нс, toff = 88 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: WFQFN-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG4051EEQ-T1-GE3 dg4051a.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор, К-сть вх/вих = 1, rDS(on), Ом = 78, Uживл, В = 3...16, Тексп, °C = -40...+125, ton = 75 нс, toff = 88 нс, Співвідн. = 8:1, F(3 дБ) = 308 МГц,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG408DY-E3 dg408-dg409_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор/Мультиплексор, Io = 1 мкА, rDS(on), Ом = 90, Uживл, В = ±5...20, Кіл. вх/вих = 1 х 8:1, Тексп, °С = -40...+85, ton = 115 нс, toff = 105 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG419DY-E3 dg417-dg419_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор, Io = 1 нА, rDS(on), Ом = 40, Uживл, В = 12, ±15, Кіл. вх/вих = 1 x SPDT - NC/NO, Тексп, °С = -40...+85, ton = 175 нс, toff = 145 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG441DJ DG441_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор, Io = 15 мкА, rDS(on), Ом = 85, Uживл, В = 12, ±15, Кіл. вх/вих = 4 x SPST - NC, Тексп, °С = -40...+85, ton = 250 нс, toff = 120 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG441DY-E3 description dg441.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор, Io = 15 мкА, rDS(on), Ом = 85, Uживл, В = 12, ±15, Кіл. вх/вих = 4 x SPST, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG468DV-T1-E3 dg467-468_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор, rDS(on), Ом = 9, Uживл, В = 7...36, Кіл. вх/вих = 1 1:1 SPST - NO, Тексп, °С = -40...+85, ton = 140 нс, toff = 80 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOT-23-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3865DDV-T1-GE3 Si3865DDV.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор розподілу живлення, Io = 2,8, rDS(on), Ом = 0,045, Тексп, °С = -55...+150, Інтерфейс = On/Off, Тип вих. = P-канальний, Вих. конф. = High Side,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOT-23-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32430DN-T1-GE4 sip32430_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Аналоговий комутатор розподілу живлення, Io = 3,2 А, rDS(on), Ом = 0,0999, Uживл, В = 6...28, Кіл. вх/вих = 1, Тексп, °С = -40...+85, Інтерфейс = On/Off, Тип виходу = P-канальний, Тип вих. конф. = High Side,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG9424DQ-T1-E3 DG9424DQ-T1-E3.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Id, мА = 100, Umax (сток-исток), В = 16, Uживл, В = 3-16, К-сть. драйв./прийм, шт = 4, Тексп, °С = -40-85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 8 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9112DY-T1-E3 SI9112_vish.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
ШІМ-регулятор, Fosc = 3 МГц, Iвих = 10 мА, Uживл, В = 9,5...13,5, К-сть. вих. = 1, К-т заповн, % = 50, Тексп, °С = -40...+85, Push-Pull СН прямого/зворотного ходу,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-14 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 55 Stücke
verfügbar 11 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FB190SA10 vs-fb190sa10_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 190 А, Ptot, Вт = 480, Тип монт. = на шасі, Ciss, пФ @ Uds, В = 10700 @ 25, Qg, нКл = 380 @ 10 В, Rds = 6,5 мОм @ 180 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, td(on), нс = 45, td(off), нс = 181,... Груп
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9540SPBF IRF9540S.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 19 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400, Qg, нКл = 61, Rds = 200 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 150, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14PBF-BE3 91088.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 12, Rds = 500 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 43, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 1000 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110PBF_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR320PBF sihfr320.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 20, Rds = 1,8 Ом, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 2,5, 45, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: 200
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 50 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBF sihfr922.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,6 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 1.5 Ом @ 2.2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3 si1013cx.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 450 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 10, Qg, нКл = 2,5, Rds = 760 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,19, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-490 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 16 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1025X-T1-GE3 si1025x.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
2P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 23 @ 25, Qg, нКл = 1,7 @ 15, Rds = 4 Ом, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-666 Од. вим: 20
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 300 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-GE3 si1317dl.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 272 @ 10, Qg, нКл = 6,5, Rds = 150 мОм, Ugs(th) = 0,8 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -50...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cd.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 405 @ 10, Qg, нКл = 10 @ 4,5 В, Rds = 112 мОм @ 2,8 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,86, 1,6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-E3 si2302cd_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,6 А, Ptot, Вт = 0,71, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 5,5 @ 4,5 В, Rds = 57 мОм @ 3,6 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,85 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 0,75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 10, Qg, нКл = 19 @ 4,5 В, Rds = 39 мОм @ 4,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 198 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2347DS-T1-GE3 si2347ds.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 705 @ 15, Qg, нКл = 22 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 3,8 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3 si2367ds.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,8, Ciss, пФ @ Uds, В = 561 pF @ 10 V, Qg, нКл = 23, Rds = 0.066, Ugs(th) = -1, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 1.7, Тексп, °C = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 100 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3127DV-T1-GE3 si3127dv.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 3,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 833 @ 20, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 89 мОм @ 1,5 A, 4,5 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, 4,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 13 А,... Група товару: Транзистори Корпус: T
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3457CDV-T1-GE3 si3457cd.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: 3330
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 17 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3900DV-T1-E3 si3932dv_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2 А, Qg, нКл = 4 @ 4,5 В, Rds = 125 мОм @ 2,4 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,83, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: TSOT-23-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3932DV-T1-GE3 si3932dv_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 235 @ 15, Qg, нКл = 6 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 3,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од.
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4143DY-T1-GE3 si4143dy.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6630 @ 15, Qg, нКл = 167 @ 10 В, Rds = 6,2 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 426 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4230 @ 20, Qg, нКл = 105 @ 10, Rds = 3,3 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 7,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: 10000
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 359 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4286DY-T1-GE3 si4286dy.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
2N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 7 А, Ptot, Вт = 2,9, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 375 @ 20, Qg, нКл = 10.5 @ 10 B, Rds = 32.5 мОм @ 8 A , 10 B, Tексп, °C = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 2500 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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