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DMPH4015SK3-13 DIODES INCORPORATED DMPH4015SK3.PDF DMPH4015SK3-13 SMD P channel transistors
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DMPH4015SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMPH4015SK3Q.pdf DMPH4015SK3Q-13 SMD P channel transistors
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DMPH4015SPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMPH4015SPSQ.pdf DMPH4015SPSQ-13 SMD P channel transistors
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DMPH4015SSS-13 DIODES INCORPORATED DMPH4015SSS.pdf DMPH4015SSS-13 SMD P channel transistors
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DMPH4015SSSQ-13 DIODES INCORPORATED DMPH4015SSSQ.pdf DMPH4015SSSQ-13 SMD P channel transistors
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DMPH4023SK3-13 DIODES INCORPORATED DMPH4023SK3.pdf DMPH4023SK3-13 SMD P channel transistors
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DMPH4023SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMPH4023SK3Q.pdf DMPH4023SK3Q-13 SMD P channel transistors
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DMPH4025SFVWQ-13 DIODES INCORPORATED DMPH4025SFVWQ-13 SMD P channel transistors
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DMPH4025SFVWQ-7 DIODES INCORPORATED DMPH4025SFVWQ-7 SMD P channel transistors
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DMPH4029LFG-13 DIODES INCORPORATED DMPH4029LFG.pdf DMPH4029LFG-13 SMD P channel transistors
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DMPH4029LFG-7 DIODES INCORPORATED DMPH4029LFG.pdf DMPH4029LFG-7 SMD P channel transistors
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DMPH4029LFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMPH4029LFGQ.pdf DMPH4029LFGQ-13 SMD P channel transistors
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DMPH4029LFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMPH4029LFGQ.pdf DMPH4029LFGQ-7 SMD P channel transistors
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DMPH6023SK3-13 DIODES INCORPORATED DMPH6023SK3.pdf DMPH6023SK3-13 SMD P channel transistors
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DMPH6023SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMPH6023SK3Q.pdf DMPH6023SK3Q-13 SMD P channel transistors
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DMPH6050SFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMPH6050SFGQ.pdf DMPH6050SFGQ-13 SMD P channel transistors
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DMPH6050SFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMPH6050SFGQ.pdf DMPH6050SFGQ-7 SMD P channel transistors
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DMPH6050SK3-13 DMPH6050SK3-13 DIODES INCORPORATED DMPH6050SK3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6A; Idm: -40A; 3.8W; TO252
Case: TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
96+0.75 EUR
188+0.38 EUR
200+0.36 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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DMPH6050SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMPH6050SK3Q.pdf DMPH6050SK3Q-13 SMD P channel transistors
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DMPH6050SPD-13 DIODES INCORPORATED DMPH6050SPD.pdf DMPH6050SPD-13 SMD P channel transistors
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DMPH6050SPDQ-13 DIODES INCORPORATED DMPH6050SPDQ.pdf DMPH6050SPDQ-13 SMD P channel transistors
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DMPH6050SSD-13 DIODES INCORPORATED DMPH6050SSD.pdf DMPH6050SSD-13 Multi channel transistors
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DMPH6050SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMPH6050SSDQ.pdf DMPH6050SSDQ-13 SMD P channel transistors
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DMPH6250S-13 DIODES INCORPORATED DMPH6250S.pdf DMPH6250S-13 SMD P channel transistors
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DMPH6250S-7 DIODES INCORPORATED DMPH6250S.pdf DMPH6250S-7 SMD P channel transistors
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DMPH6250SQ-13 DIODES INCORPORATED DMPH6250SQ.pdf DMPH6250SQ-13 SMD P channel transistors
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DMPH6250SQ-7 DIODES INCORPORATED DMPH6250SQ.pdf DMPH6250SQ-7 SMD P channel transistors
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DMS2085LSD-13 DIODES INCORPORATED DMS2085LSD.pdf DMS2085LSD-13 SMD P channel transistors
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DMS2120LFWB-7 DIODES INCORPORATED ds31667.pdf DMS2120LFWB-7 SMD P channel transistors
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DMS2220LFDB-7 DIODES INCORPORATED ds31546.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -12A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.4W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -12A
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.12Ω
Drain-source voltage: -20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMS3014SFG-13 DIODES INCORPORATED DMS3014SFG.pdf DMS3014SFG-13 SMD N channel transistors
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DMS3014SFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMS3014SFGQ.pdf DMS3014SFGQ-13 SMD N channel transistors
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DMS3014SFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMS3014SFGQ.pdf DMS3014SFGQ-7 SMD N channel transistors
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DMT10H009LCG-7 DIODES INCORPORATED DMT10H009LCG.pdf DMT10H009LCG-7 SMD N channel transistors
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DMT10H009LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT10H009LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 200A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 200A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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DMT10H009LH3 DIODES INCORPORATED DMT10H009LH3.pdf DMT10H009LH3 THT N channel transistors
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DMT10H009LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H009LK3.pdf DMT10H009LK3-13 SMD N channel transistors
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DMT10H009LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H009LPS.pdf DMT10H009LPS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H009LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H009LSS.pdf DMT10H009LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H009SK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H009SK3.pdf DMT10H009SK3-13 SMD N channel transistors
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DMT10H009SPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H009SPS.pdf DMT10H009SPS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H010LCT DIODES INCORPORATED DMT10H010LCT.pdf DMT10H010LCT THT N channel transistors
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DMT10H010LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H010LK3.pdf DMT10H010LK3-13 SMD N channel transistors
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DMT10H010LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H010LPS.pdf DMT10H010LPS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H010LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H010LSS.pdf DMT10H010LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H010SPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H010SPS.pdf DMT10H010SPS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H014LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H014LSS.pdf DMT10H014LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H015LCG-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015LCG.pdf DMT10H015LCG-13 SMD N channel transistors
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DMT10H015LCG-7 DIODES INCORPORATED DMT10H015LCG.pdf DMT10H015LCG-7 SMD N channel transistors
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DMT10H015LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 75A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 33.3nC
On-state resistance: 23.5mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 75A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H015LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT10H015LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 75A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 33.3nC
On-state resistance: 23.5mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 75A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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DMT10H015LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015LK3.pdf DMT10H015LK3-13 SMD N channel transistors
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DMT10H015LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015LPS.pdf DMT10H015LPS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H015LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015LSS.pdf DMT10H015LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H015SK3-13 DMT10H015SK3-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8D85B1910AE0CE&compId=DMT10H015SK3.pdf?ci_sign=090259042cdd227154a2540f76ef3efe1729ad10 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 215A; 2.9W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 215A
Power dissipation: 2.9W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
93+0.77 EUR
108+0.67 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 62
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DMT10H015SPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H015SPS.pdf DMT10H015SPS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H017LPD-13 DIODES INCORPORATED DMT10H017LPD.pdf DMT10H017LPD-13 SMD N channel transistors
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DMT10H025LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H025LK3.pdf DMT10H025LK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H025LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H025LSS.pdf DMT10H025LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H025SK3-13 DIODES INCORPORATED DMT10H025SK3.pdf DMT10H025SK3-13 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4015SK3-13 DMPH4015SK3.PDF
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH4015SK3-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4015SK3Q-13 DMPH4015SK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH4015SK3Q-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4015SPSQ-13 DMPH4015SPSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH4015SPSQ-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4015SSS-13 DMPH4015SSS.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH4015SSS-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4015SSSQ-13 DMPH4015SSSQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH4015SSSQ-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4023SK3-13 DMPH4023SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH4023SK3-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4023SK3Q-13 DMPH4023SK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH4023SK3Q-13 SMD P channel transistors
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DMPH4025SFVWQ-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH4025SFVWQ-13 SMD P channel transistors
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DMPH4025SFVWQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH4025SFVWQ-7 SMD P channel transistors
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DMPH4029LFG-13 DMPH4029LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH4029LFG-13 SMD P channel transistors
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DMPH4029LFG-7 DMPH4029LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH4029LFG-7 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-13 DMPH4029LFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH4029LFGQ-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4029LFGQ-7 DMPH4029LFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH4029LFGQ-7 SMD P channel transistors
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DMPH6023SK3-13 DMPH6023SK3.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH6023SK3-13 SMD P channel transistors
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DMPH6023SK3Q-13 DMPH6023SK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH6023SK3Q-13 SMD P channel transistors
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DMPH6050SFGQ-13 DMPH6050SFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH6050SFGQ-13 SMD P channel transistors
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DMPH6050SFGQ-7 DMPH6050SFGQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH6050SFGQ-7 SMD P channel transistors
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DMPH6050SK3-13 DMPH6050SK3.pdf
DMPH6050SK3-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6A; Idm: -40A; 3.8W; TO252
Case: TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
96+0.75 EUR
188+0.38 EUR
200+0.36 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH6050SK3Q-13 SMD P channel transistors
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DMPH6050SPD-13 DMPH6050SPD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH6050SPD-13 SMD P channel transistors
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DMPH6050SPDQ-13 DMPH6050SPDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH6050SPDQ-13 SMD P channel transistors
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DMPH6050SSD-13 DMPH6050SSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH6050SSD-13 Multi channel transistors
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DMPH6050SSDQ-13 DMPH6050SSDQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH6050SSDQ-13 SMD P channel transistors
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DMPH6250S-13 DMPH6250S.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH6250S-13 SMD P channel transistors
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DMPH6250S-7 DMPH6250S.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH6250S-7 SMD P channel transistors
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DMPH6250SQ-13 DMPH6250SQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH6250SQ-13 SMD P channel transistors
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DMPH6250SQ-7 DMPH6250SQ.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMPH6250SQ-7 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMS2085LSD-13 DMS2085LSD.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMS2085LSD-13 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMS2120LFWB-7 ds31667.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMS2120LFWB-7 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMS2220LFDB-7 ds31546.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -12A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.4W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -12A
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.12Ω
Drain-source voltage: -20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMS3014SFG-13 DMS3014SFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMS3014SFG-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMS3014SFGQ-13 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMS3014SFGQ-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT10H009LCG-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 200A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 200A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMT10H009LH3 THT N channel transistors
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DMT10H009LK3-13 SMD N channel transistors
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DMT10H009LPS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H009LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H009SPS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H010LCT THT N channel transistors
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DMT10H015LCG-7 SMD N channel transistors
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 75A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 33.3nC
On-state resistance: 23.5mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 75A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMT10H015LFG-7 DMT10H015LFG.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 75A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 33.3nC
On-state resistance: 23.5mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 75A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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DMT10H015LK3-13 SMD N channel transistors
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DMT10H015LSS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H015SK3-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 215A; 2.9W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 215A
Power dissipation: 2.9W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
93+0.77 EUR
108+0.67 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 62
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DMT10H015SPS-13 SMD N channel transistors
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DMT10H017LPD-13 SMD N channel transistors
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DMT10H025LK3-13 SMD N channel transistors
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DMT10H025LSS-13 SMD N channel transistors
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