Produkte > DIODES INCORPORATED > Alle Produkte des Herstellers DIODES INCORPORATED (79412) > Seite 1221 nach 1324
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMTH4004SCTB-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 4.7W Case: TO263AB Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 68.6nC On-state resistance: 3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 100A Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 200A Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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DMTH4004SCTBQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 4.7W Case: TO263AB Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 68.6nC On-state resistance: 3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 100A Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 200A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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DMTH4004SPS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 26A; Idm: 350A; 3.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 3.6W Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 68.6nC On-state resistance: 2.7mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 26A Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 350A Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMTH4004SPSQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 26A; Idm: 350A; 3.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 3.6W Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 68.6nC On-state resistance: 2.7mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 26A Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 350A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMTH4005SK3Q-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH4005SPS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 320A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 49.1nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 320A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMTH4005SPSQ-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH4007LK3-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 44A; Idm: 80A; 59W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 44A On-state resistance: 7.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 59W Polarisation: unipolar Gate charge: 29.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMTH4007LK3Q-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.9A; Idm: 80A; 2.6W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 13.9A On-state resistance: 9.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 2.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 29.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMTH4007LPS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 340A; 83.3W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 85A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 29.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 340A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMTH4007LPSQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; Idm: 340A; 2.7W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 11A On-state resistance: 9.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 2.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 29.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 340A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMTH4007SPD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 11.9A On-state resistance: 8.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 41.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMTH4007SPDQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 11.9A On-state resistance: 8.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 2.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 41.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMTH4007SPS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 13.1A On-state resistance: 7.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 41.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMTH4008LFDFW-7 | DIODES INCORPORATED | DMTH4008LFDFW-7 SMD N channel transistors |
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DMTH4008LFDFWQ-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH4008LFDFWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH4008LPDW-13 | DIODES INCORPORATED | DMTH4008LPDW-13 Multi channel transistors |
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DMTH4008LPDWQ-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH4008LPS-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH4008LPSQ-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH4011SPD-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH4011SPDQ-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH4014LDVW-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH4014LDVWQ-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH4014LFVWQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.1A; Idm: 180A; 3.1W Kind of package: 13 inch reel; tape Power dissipation: 3.1W Drain current: 8.1A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 180A Case: PowerDI3333-8 Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 11.2nC On-state resistance: 26mΩ Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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DMTH4014LFVWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.1A; Idm: 180A; 3.1W Kind of package: 7 inch reel; tape Power dissipation: 3.1W Drain current: 8.1A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 180A Case: PowerDI3333-8 Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 11.2nC On-state resistance: 26mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMTH4014LPD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7.5A; Idm: 174A; 2.4W Kind of package: 13 inch reel; tape Power dissipation: 2.4W Drain current: 7.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 174A Case: PowerDI5060-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 10.2nC On-state resistance: 25mΩ Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMTH4014LPDQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7.5A; Idm: 174A; 2.4W Kind of package: 13 inch reel; tape Power dissipation: 2.4W Drain current: 7.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 174A Case: PowerDI5060-8 Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 10.2nC On-state resistance: 25mΩ Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMTH41M8SPS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 3.03W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 3.03W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 79.5nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMTH41M8SPSQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 3.03W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 3.03W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 79.5nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMTH43M8LFGQ-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH43M8LFGQ-7 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH43M8LK3-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 150A; 88W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 88W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38.5nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 150A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMTH43M8LK3Q-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH43M8LPS-13 | DIODES INCORPORATED | DMTH43M8LPS-13 SMD N channel transistors |
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DMTH43M8LPSQ-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH45M5LPDWQ-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH45M5LPSWQ-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH45M5SPDWQ-13 | DIODES INCORPORATED | DMTH45M5SPDWQ-13 Multi channel transistors |
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DMTH47M2LFVWQ-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH47M2LPSW-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH47M2LPSWQ-13 | DIODES INCORPORATED | DMTH47M2LPSWQ-13 Multi channel transistors |
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DMTH48M3SFVWQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.3A; Idm: 209A; 2.82W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 12.1nC On-state resistance: 8.9mΩ Power dissipation: 2.82W Drain current: 10.3A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 209A Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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DMTH48M3SFVWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.3A; Idm: 209A; 2.82W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 12.1nC On-state resistance: 8.9mΩ Power dissipation: 2.82W Drain current: 10.3A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 209A Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMTH6002LPS-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH6002LPSWQ-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH6004LPS-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH6004LPSQ-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH6004SCTB-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB Case: TO263AB Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 3.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 4.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 95.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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DMTH6004SCTBQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB Case: TO263AB Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 3.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 4.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 95.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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DMTH6004SK3-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH6004SK3Q-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 3.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 3.9W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1125 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMTH6004SPSQ-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH6005LFG-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH6005LK3-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH6005LK3Q-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH6005LPS-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH6005LPSQ-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH6006LPSWQ-13 | DIODES INCORPORATED |
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DMTH4004SCTB-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 4.7W
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 68.6nC
On-state resistance: 3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 4.7W
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 68.6nC
On-state resistance: 3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Stück im Wert von UAH
DMTH4004SCTBQ-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 4.7W
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 68.6nC
On-state resistance: 3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 200A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 4.7W
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 68.6nC
On-state resistance: 3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 200A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH4004SPS-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 26A; Idm: 350A; 3.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.6W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 68.6nC
On-state resistance: 2.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 26A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 350A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 26A; Idm: 350A; 3.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.6W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 68.6nC
On-state resistance: 2.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 26A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 350A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH4004SPSQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 26A; Idm: 350A; 3.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.6W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 68.6nC
On-state resistance: 2.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 26A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 350A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 26A; Idm: 350A; 3.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.6W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 68.6nC
On-state resistance: 2.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 26A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 350A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
DMTH4005SK3Q-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4005SK3Q-13 SMD N channel transistors
DMTH4005SK3Q-13 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
DMTH4005SPS-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 320A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 320A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMTH4005SPSQ-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4005SPSQ-13 SMD N channel transistors
DMTH4005SPSQ-13 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
DMTH4007LK3-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 44A; Idm: 80A; 59W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 44A
On-state resistance: 7.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 44A; Idm: 80A; 59W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 44A
On-state resistance: 7.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
DMTH4007LK3Q-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.9A; Idm: 80A; 2.6W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 13.9A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.9A; Idm: 80A; 2.6W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 13.9A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
DMTH4007LPS-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 340A; 83.3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 340A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 340A; 83.3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 340A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH4007LPSQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; Idm: 340A; 2.7W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 340A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; Idm: 340A; 2.7W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 340A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
DMTH4007SPD-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
DMTH4007SPDQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH4007SPS-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 13.1A
On-state resistance: 7.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 13.1A
On-state resistance: 7.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
DMTH4008LFDFW-7 |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4008LFDFW-7 SMD N channel transistors
DMTH4008LFDFW-7 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
DMTH4008LFDFWQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4008LFDFWQ-13 SMD N channel transistors
DMTH4008LFDFWQ-13 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
DMTH4008LFDFWQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4008LFDFWQ-7 SMD N channel transistors
DMTH4008LFDFWQ-7 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
DMTH4008LPDW-13 |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4008LPDW-13 Multi channel transistors
DMTH4008LPDW-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH4008LPDWQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4008LPDWQ-13 Multi channel transistors
DMTH4008LPDWQ-13 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH4008LPS-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4008LPS-13 SMD N channel transistors
DMTH4008LPS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH4008LPSQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4008LPSQ-13 SMD N channel transistors
DMTH4008LPSQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
DMTH4011SPD-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4011SPD-13 SMD N channel transistors
DMTH4011SPD-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
DMTH4011SPDQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4011SPDQ-13 SMD N channel transistors
DMTH4011SPDQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH4014LDVW-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4014LDVW-13 Multi channel transistors
DMTH4014LDVW-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH4014LDVWQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH4014LDVWQ-13 Multi channel transistors
DMTH4014LDVWQ-13 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH4014LFVWQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.1A; Idm: 180A; 3.1W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 3.1W
Drain current: 8.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 180A
Case: PowerDI3333-8
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.2nC
On-state resistance: 26mΩ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.1A; Idm: 180A; 3.1W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 3.1W
Drain current: 8.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 180A
Case: PowerDI3333-8
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.2nC
On-state resistance: 26mΩ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH4014LFVWQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.1A; Idm: 180A; 3.1W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Power dissipation: 3.1W
Drain current: 8.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 180A
Case: PowerDI3333-8
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.2nC
On-state resistance: 26mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.1A; Idm: 180A; 3.1W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Power dissipation: 3.1W
Drain current: 8.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 180A
Case: PowerDI3333-8
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.2nC
On-state resistance: 26mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH4014LPD-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7.5A; Idm: 174A; 2.4W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 174A
Case: PowerDI5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.2nC
On-state resistance: 25mΩ
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7.5A; Idm: 174A; 2.4W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 174A
Case: PowerDI5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.2nC
On-state resistance: 25mΩ
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH4014LPDQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7.5A; Idm: 174A; 2.4W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 174A
Case: PowerDI5060-8
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.2nC
On-state resistance: 25mΩ
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7.5A; Idm: 174A; 2.4W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 174A
Case: PowerDI5060-8
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.2nC
On-state resistance: 25mΩ
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH41M8SPS-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 3.03W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 3.03W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 3.03W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 3.03W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH41M8SPSQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 3.03W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 3.03W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 3.03W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 3.03W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH43M8LFGQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH43M8LFGQ-13 SMD N channel transistors
DMTH43M8LFGQ-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH43M8LFGQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH43M8LFGQ-7 SMD N channel transistors
DMTH43M8LFGQ-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH43M8LK3-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 150A; 88W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 88W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 150A; 88W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 88W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH43M8LK3Q-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH43M8LK3Q-13 SMD N channel transistors
DMTH43M8LK3Q-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH43M8LPS-13 |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH43M8LPS-13 SMD N channel transistors
DMTH43M8LPS-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
DMTH43M8LPSQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH43M8LPSQ-13 SMD N channel transistors
DMTH43M8LPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH45M5LPDWQ-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH45M5LPDWQ-13 Multi channel transistors
DMTH45M5LPDWQ-13 Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
DMTH45M5LPSWQ-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH45M5LPSWQ-13 SMD N channel transistors
DMTH45M5LPSWQ-13 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
DMTH45M5SPDWQ-13 |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH45M5SPDWQ-13 Multi channel transistors
DMTH45M5SPDWQ-13 Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
DMTH47M2LFVWQ-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH47M2LFVWQ-13 Multi channel transistors
DMTH47M2LFVWQ-13 Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
DMTH47M2LPSW-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH47M2LPSW-13 Multi channel transistors
DMTH47M2LPSW-13 Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
DMTH47M2LPSWQ-13 |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH47M2LPSWQ-13 Multi channel transistors
DMTH47M2LPSWQ-13 Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
DMTH48M3SFVWQ-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.3A; Idm: 209A; 2.82W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.1nC
On-state resistance: 8.9mΩ
Power dissipation: 2.82W
Drain current: 10.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 209A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.3A; Idm: 209A; 2.82W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.1nC
On-state resistance: 8.9mΩ
Power dissipation: 2.82W
Drain current: 10.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 209A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
DMTH48M3SFVWQ-7 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.3A; Idm: 209A; 2.82W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.1nC
On-state resistance: 8.9mΩ
Power dissipation: 2.82W
Drain current: 10.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 209A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.3A; Idm: 209A; 2.82W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.1nC
On-state resistance: 8.9mΩ
Power dissipation: 2.82W
Drain current: 10.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 209A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
DMTH6002LPS-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6002LPS-13 SMD N channel transistors
DMTH6002LPS-13 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
DMTH6002LPSWQ-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6002LPSWQ-13 SMD N channel transistors
DMTH6002LPSWQ-13 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
DMTH6004LPS-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6004LPS-13 SMD N channel transistors
DMTH6004LPS-13 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
DMTH6004LPSQ-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6004LPSQ-13 SMD N channel transistors
DMTH6004LPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6004SCTB-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 4.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 4.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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DMTH6004SCTBQ-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 4.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 4.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Stück im Wert von UAH
DMTH6004SK3-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6004SK3-13 SMD N channel transistors
DMTH6004SK3-13 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
DMTH6004SK3Q-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
45+ | 1.6 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
100+ | 1.03 EUR |
DMTH6004SPSQ-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6004SPSQ-13 SMD N channel transistors
DMTH6004SPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6005LFG-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6005LFG-13 SMD N channel transistors
DMTH6005LFG-13 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
DMTH6005LK3-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6005LK3-13 SMD N channel transistors
DMTH6005LK3-13 SMD N channel transistors
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DMTH6005LK3Q-13 |
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DMTH6005LK3Q-13 SMD N channel transistors
DMTH6005LK3Q-13 SMD N channel transistors
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DMTH6005LPS-13 |
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DMTH6005LPS-13 SMD N channel transistors
DMTH6005LPS-13 SMD N channel transistors
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DMTH6005LPSQ-13 |
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DMTH6005LPSQ-13 SMD N channel transistors
DMTH6005LPSQ-13 SMD N channel transistors
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DMTH6006LPSWQ-13 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
DMTH6006LPSWQ-13 SMD N channel transistors
DMTH6006LPSWQ-13 SMD N channel transistors
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