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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
DMT10H025SSS-13	DIODES INCORPORATED	DMT10H025SSS-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT10H032LDV-13	DIODES INCORPORATED	DMT10H032LDV-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT10H032LFDF-7	DIODES INCORPORATED	DMT10H032LFDF-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT10H032LFVW-7	DIODES INCORPORATED	DMT10H032LFVW-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT10H072LFDF-7	DIODES INCORPORATED	DMT10H072LFDF-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT10H072LFDFQ-7	DIODES INCORPORATED	DMT10H072LFDFQ-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT10H072LFV-13	DIODES INCORPORATED	DMT10H072LFV-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT10H072LFV-7	DIODES INCORPORATED	DMT10H072LFV-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT10H4M5LPS-13	DIODES INCORPORATED	DMT10H4M5LPS-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT12H007LPS-13	DIODES INCORPORATED	DMT12H007LPS-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT12H007SPS-13	DIODES INCORPORATED	DMT12H007SPS-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT12H060LFDF-7	DIODES INCORPORATED	DMT12H060LFDF-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT12H065LFDF-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 3.4A; Idm: 25A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 115V Drain current: 3.4A Power dissipation: 1.2W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 5.5nC Pulsed drain current: 25A Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT12H065LFDF-7	DIODES INCORPORATED	DMT12H065LFDF-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT12H090LFDF4-7	DIODES INCORPORATED	DMT12H090LFDF4-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT15H017LPS-13	DIODES INCORPORATED	DMT15H017LPS-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT15H017LPSW-13	DIODES INCORPORATED	DMT15H017LPSW-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT15H017SK3-13	DIODES INCORPORATED	DMT15H017SK3-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT2004UFDF-7	DIODES INCORPORATED	DMT2004UFDF-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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DMT2004UFV-13	DIODES INCORPORATED	DMT2004UFV-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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DMT2005UDV-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 40A; Idm: 70A; 1.9W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD On-state resistance: 12mΩ Power dissipation: 1.9W Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 24V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 46.7nC Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3003LFG-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 44nC On-state resistance: 5.5mΩ Power dissipation: 2.4W Drain current: 18A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 100A Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3003LFG-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 44nC On-state resistance: 5.5mΩ Power dissipation: 2.4W Drain current: 18A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 100A Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3003LFGQ-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 44nC On-state resistance: 5.5mΩ Power dissipation: 2.4W Drain current: 18A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 100A Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3004LPS-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 180A; 2.7W Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -16...20V Gate charge: 43.7nC On-state resistance: 6mΩ Power dissipation: 2.7W Drain current: 17A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 180A Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFDF-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 16.7nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 2.1W Drain current: 12.5A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 80A Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFDF-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 16.7nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 2.1W Drain current: 12.5A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 80A Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFDFQ-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 16.7nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 2.1W Drain current: 12.5A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 80A Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFG-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.8A; Idm: 80A; 27.8W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 16.7nC On-state resistance: 10mΩ Power dissipation: 27.8W Drain current: 12.8A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 80A Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFG-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.8A; Idm: 80A; 27.8W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 16.7nC On-state resistance: 10mΩ Power dissipation: 27.8W Drain current: 12.8A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 80A Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFV-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 16.7nC On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 2W Drain current: 45A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 90A Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LFVQ-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 16.7nC On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 2W Drain current: 45A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 90A Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3006LPB-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 12.6nC On-state resistance: 14mΩ Power dissipation: 1.7W Drain current: 9/11A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 80...100A Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3009LDT-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 80A; 1.2W Case: V-DFN3030-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -16...20V Gate charge: 20nC On-state resistance: 22mΩ Power dissipation: 1.2W Drain current: 11A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 80A Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3009LFVW-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 12nC On-state resistance: 20mΩ Power dissipation: 2.3W Drain current: 10A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 90A Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3009LFVWQ-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 12nC On-state resistance: 20mΩ Power dissipation: 2.3W Drain current: 10A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 90A Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3009LFVWQ-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W Case: PowerDI®3333-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 12nC On-state resistance: 20mΩ Power dissipation: 2.3W Drain current: 10A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 90A Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3009UFVW-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 80A; 2.6W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±12V Gate charge: 14.6nC On-state resistance: 13mΩ Power dissipation: 2.6W Drain current: 8.5A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 80A Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LDV-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 50A; 1.9W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 7nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 1.9W Drain current: 25A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDB-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 7nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 1.8W Drain current: 6.2A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDB-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 7nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 1.8W Drain current: 6.2A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDBQ-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 7nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 1.8W Drain current: 6.2A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDBQ-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 7nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 1.8W Drain current: 6.2A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDF-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 7nC On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 1.1W Drain current: 5.4A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 40A Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDF-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 7nC On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 1.1W Drain current: 5.4A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 40A Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDFQ-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; Idm: 40A; 0.4W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 7nC On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 0.4W Drain current: 6.7A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 40A Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LFDFQ-7	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 7nC On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 1.1W Drain current: 5.4A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 40A Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020LSDQ-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 1.5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 7nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 1.5W Drain current: 13A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT3020UFDB-13	DIODES INCORPORATED	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; Idm: 35A; 1.3W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±12V Gate charge: 8.8nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 1.3W Drain current: 5.2A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 35A Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT30M9LPS-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 2.6W Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 160.5nC On-state resistance: 1.6mΩ Power dissipation: 2.6W Drain current: 100A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 400A Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT31M6LPS-13	DIODES INCORPORATED	DMT31M6LPS-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT32M5LFG-13	DIODES INCORPORATED	DMT32M5LFG-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT32M5LFG-7	DIODES INCORPORATED	DMT32M5LFG-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT32M5LPS-13	DIODES INCORPORATED	DMT32M5LPS-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT34M1LPS-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 1.3W; PowerDI®5060-8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 5.2mΩ Drain current: 80A Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Case: PowerDI®5060-8 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT35M4LFDF-7	DIODES INCORPORATED	DMT35M4LFDF-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT35M4LFVW-7	DIODES INCORPORATED	DMT35M4LFVW-7 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMT35M7LFV-13	DIODES INCORPORATED	DMT35M7LFV-13 SMD N channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH