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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
S25FL512SAGMFAG10	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: QUAD SPI Operating frequency: 133MHz Operating voltage: 2.7...3.6V Case: SOIC16 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Application: automotive	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S25FL512SAGMFB010	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: QUAD SPI Operating frequency: 133MHz Operating voltage: 2.7...3.6V Case: SOIC16 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of package: in-tray Application: automotive	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S25FL512SAGMFBG10	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: QUAD SPI Operating frequency: 133MHz Operating voltage: 2.7...3.6V Case: SOIC16 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of package: in-tray Application: automotive	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 480 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S25FL512SAGMFI013	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 512Mb FLASH Interface: QUAD SPI Operating frequency: 133MHz Operating voltage: 2.7...3.6V Case: SOIC16 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPA70R600P7SXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 8.5A Power dissipation: 25W Case: TO220FP On-state resistance: 0.49Ω Mounting: THT Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPW60R017C7XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 109A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 109A Power dissipation: 446W Case: TO247 On-state resistance: 17mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 240nC	auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FS75R12W2T4B11BOMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 75A Case: AG-EASY2B-2 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 375W Technology: EasyPACK™ 2B Mechanical mounting: screw	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPP120N20NFDAKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 84A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ FD	auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BAS4007E6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 40V; 0.12A; 250mW Mounting: SMD Case: SOT143 Max. forward impulse current: 0.2A Max. forward voltage: 1V Power dissipation: 0.25W Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.12A Semiconductor structure: double independent Type of diode: Schottky switching	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSZ018NE2LSATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 4947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BGT24MTR12E6327XUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Integrated circuits - others Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; SPI; VQFN32; -40÷105°C Supply voltage: 3.135...3.465V DC Interface: SPI Frequency: 24...24.25GHz Case: VQFN32 Operating temperature: -40...105°C DC supply current: 210mA Number of transmitters: 1 Number of receivers: 2 Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver Noise Figure: 12dB Open-loop gain: 26dB Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: interface Mounting: SMD	auf Bestellung 475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BGT24LTR11N16E6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Integrated circuits - others Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; TSNP16; -40÷85°C; reel,tape Type of integrated circuit: interface Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver Case: TSNP16 Mounting: SMD Supply voltage: 3.2...3.4V DC DC supply current: 45mA Open-loop gain: 26dB Operating temperature: -40...85°C Number of receivers: 1 Number of transmitters: 1 Kind of package: reel; tape Noise Figure: 10dB Frequency: 24...24.25GHz	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BGSX22G5A10E6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Analog multiplexers and switches Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-5; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz Type of integrated circuit: RF switch Output configuration: DPDT Number of channels: 2 Case: ATSLP-10-5 Supply voltage: 1.65...3.4V DC Mounting: SMD Bandwidth: 0.1...6GHz Application: telecommunication	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BCW68GE6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 800mA; 330mW; SC59 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SC59 Mounting: SMD Frequency: 200MHz Application: automotive industry Current gain: 160	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BAT1502ELSE6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky switching Type of diode: Schottky switching	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BTN8982TA	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Motor and PWM drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Technology: NovalithIC™ Case: PG-TO263-7 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Output current: -44...50A Operating temperature: -40...150°C On-state resistance: 10mΩ Number of channels: 1 Operating voltage: 5.5...40V DC Kind of integrated circuit: IMC; motor controller	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BCW68FE6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BCW68HE6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BCW68GE6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPP60R160C6XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23.8A Power dissipation: 176W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BAS3010S02LRHE6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky switching Type of diode: Schottky switching	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPA80R310CEXKSA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16.7A; 35W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 16.7A Power dissipation: 35W Case: TO220-3 On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPP60R160P6XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3 Mounting: THT Power dissipation: 176W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ P6 Drain current: 23.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 0.16Ω	auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPP60R165CPXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO220-3 Mounting: THT Power dissipation: 192W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CP Drain current: 21A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 0.165Ω	auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB60R165CPATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 192W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPI60R165CPAKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 192W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB65R310CFDATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11.4A Power dissipation: 104.2W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPB65R420CFDATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 310W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8.7A Power dissipation: 310W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.42Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ISS17EP06LMXTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; 360mW; SOT23 Mounting: SMD Power dissipation: 0.36W Gate charge: 1.79nC Polarisation: unipolar Drain current: -300mA Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 1.7Ω	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IGW100N60H3FKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 714W Case: TO247-3 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 600V Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Manufacturer series: H3	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSL606SNH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 4.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSOP-6 On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD	auf Bestellung 2492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR2407TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 42A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR3504ZTRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 77A Power dissipation: 90W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AUIRFR3504Z	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 77A Power dissipation: 90W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 30nC On-state resistance: 9mΩ	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9335TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.4A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET®	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9358TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.2A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -9.2A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9362TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET®	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9952TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 3.5/-2.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel Case: SO8 On-state resistance: 0.1/0.25Ω Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IDV20E65D1XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying Type of diode: rectifying	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRS2336DSTRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC28; 200mA; Ch: 6; MOSFET; 10÷20V Integrated circuit features: MOSFET Mounting: SMD Case: SOIC28 Output current: 0.2A Number of channels: 6 Input voltage: 10...20V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-side; low-side	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF8707TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.1A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR2405TRLPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DZ540N26K	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diode modules Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 540A; BG-PB501-1; screw Case: BG-PB501-1 Max. forward impulse current: 16.5kA Max. forward voltage: 1.64V Type of semiconductor module: diode Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 2.6kV Electrical mounting: screw Load current: 540A Semiconductor structure: single diode	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DD540N26K	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diode modules Description: Module: diode; double series; 2.6kV; If: 540A; BG-PB60AT-1; screw Case: BG-PB60AT-1 Max. forward impulse current: 16.5kA Max. forward voltage: 1.48V Type of semiconductor module: diode Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 2.6kV Electrical mounting: screw Load current: 540A Semiconductor structure: double series	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DZ540N22K	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Diode modules Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 540A; BG-PB501-1; screw Case: BG-PB501-1 Max. forward impulse current: 16.5kA Max. forward voltage: 0.78V Type of semiconductor module: diode Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 2.2kV Electrical mounting: screw Load current: 540A Semiconductor structure: single diode	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPW60R041P6FKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 77.5A Power dissipation: 481W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7495TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFR360FH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 6V; 35mA; 0.21W; TSFP-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 6V Collector current: 35mA Power dissipation: 0.21W Case: TSFP-3 Current gain: 90...160 Mounting: SMD Frequency: 14GHz Kind of package: reel; tape	auf Bestellung 536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPA50R399CPXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; 8.3W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.3A Power dissipation: 8.3W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.399Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BCR402RE6327	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: LED drivers Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver Type of integrated circuit: driver Topology: single transistor Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver Case: SOT143R Output current: 20...60mA Number of channels: 1 Integrated circuit features: linear dimming Mounting: SMD Operating voltage: 1.2...18V DC	auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BCR402RE6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: LED drivers Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver Type of integrated circuit: driver Topology: single transistor Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver Case: SOT143R Output current: 20...60mA Number of channels: 1 Integrated circuit features: linear dimming Mounting: SMD Operating voltage: 1.2...18V DC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSZ075N08NS5ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR5410TRRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Power dissipation: 66W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S28HS02GTFPBHV053	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; octal; 166MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial Operating temperature: -40...105°C Type of integrated circuit: FLASH memory Memory: 2Gb FLASH Operating frequency: 166MHz Kind of interface: serial Kind of package: reel; tape Case: BGA24 Interface: octal Operating voltage: 1.7...2V Kind of memory: NOR Mounting: SMD	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPL60R065P7AUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 201W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 32A Power dissipation: 201W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 67nC Kind of package: reel	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPL65R1K5C6SATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4 Mounting: SMD Power dissipation: 26.6W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Drain current: 3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-VSON-4 On-state resistance: 1.5Ω	auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPL65R070C7AUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 169W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 28A Power dissipation: 169W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPL65R130C7AUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 102W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Power dissipation: 102W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPL65R195C7AUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A Power dissipation: 75W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.195Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPL65R210CFDAUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.6A; 151W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16.6A Power dissipation: 151W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S25FL512SAGMFAG10

Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2400 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S25FL512SAGMFB010

Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2400 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S25FL512SAGMFBG10

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 480 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S25FL512SAGMFI013

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Mindestbestellmenge: 1450 Stücke

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IPA70R600P7SXKSA1

Infineon-IPA70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf80e8880d96

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPW60R017C7XKSA1

Infineon-IPW60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc8319e77eb8

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 109A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 109A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FS75R12W2T4B11BOMA1

infineon-fs75r12w2t4-b11-datasheet-de.pdf

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: AG-EASY2B-2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 375W
Technology: EasyPACK™ 2B
Mechanical mounting: screw

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Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP120N20NFDAKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BAS4007E6327HTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Mounting: SMD
Case: SOT143
Max. forward impulse current: 0.2A
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double independent
Type of diode: Schottky switching

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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BSZ018NE2LSATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 4947 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BGT24MTR12E6327XUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; SPI; VQFN32; -40÷105°C
Supply voltage: 3.135...3.465V DC
Interface: SPI
Frequency: 24...24.25GHz
Case: VQFN32
Operating temperature: -40...105°C
DC supply current: 210mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 2
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Noise Figure: 12dB
Open-loop gain: 26dB
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: interface
Mounting: SMD

auf Bestellung 475 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BGT24LTR11N16E6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; TSNP16; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Case: TSNP16
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.2...3.4V DC
DC supply current: 45mA
Open-loop gain: 26dB
Operating temperature: -40...85°C
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
Noise Figure: 10dB
Frequency: 24...24.25GHz

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BGSX22G5A10E6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-5; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: DPDT
Number of channels: 2
Case: ATSLP-10-5
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BCW68GE6327HTSA1

bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 800mA; 330mW; SC59
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
Current gain: 160

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BAT1502ELSE6327XTSA1

Infineon-BAT15-02ELS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663895e8f04e77

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 15000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BTN8982TA

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Output current: -44...50A
Operating temperature: -40...150°C
On-state resistance: 10mΩ
Number of channels: 1
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BCW68FE6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BCW68HE6327HTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BCW68GE6327

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Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP60R160C6XKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BAS3010S02LRHE6327XTSA1

bas3010s-02lrh.pdf?folderId=db3a304313d846880113def5812204a1&fileId=db3a30431ddc9372011e24fd0b124647

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPA80R310CEXKSA2

Infineon-IPA80R310CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c78875be1e45

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16.7A; 35W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP60R160P6XKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Drain current: 23.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.16Ω

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP60R165CPXKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 192W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Drain current: 21A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.165Ω

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R165CPATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R165CPAKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R310CFDATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.4A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB65R420CFDATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 310W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 310W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISS17EP06LMXTSA1

Infineon-ISS17EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0731173673a6

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; 360mW; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 1.79nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -300mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 1.7Ω

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IGW100N60H3FKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Manufacturer series: H3

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSL606SNH6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD

auf Bestellung 2492 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFR2407TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 42A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFR3504ZTRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR3504Z

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Mindestbestellmenge: 150 Stücke

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IRF9335TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF9358TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF9362TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF9952TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 3.5/-2.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel
Case: SO8
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IDV20E65D1XKSA1

Infineon-IDV20E65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624923e78d0149329dc06a76e7

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying
Type of diode: rectifying

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRS2336DSTRPBF

Infineon-IRS2336x-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4e52d2c70c54

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC28; 200mA; Ch: 6; MOSFET; 10÷20V
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOIC28
Output current: 0.2A
Number of channels: 6
Input voltage: 10...20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IRF8707TRPBF

irf8707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d57f81d6b

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.1A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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IRFR2405TRLPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DZ540N26K

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 540A; BG-PB501-1; screw
Case: BG-PB501-1
Max. forward impulse current: 16.5kA
Max. forward voltage: 1.64V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 2.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 540A
Semiconductor structure: single diode

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Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DD540N26K

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.6kV; If: 540A; BG-PB60AT-1; screw
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward impulse current: 16.5kA
Max. forward voltage: 1.48V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 2.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 540A
Semiconductor structure: double series

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DZ540N22K

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 540A; BG-PB501-1; screw
Case: BG-PB501-1
Max. forward impulse current: 16.5kA
Max. forward voltage: 0.78V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 2.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 540A
Semiconductor structure: single diode

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW60R041P6FKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRF7495TRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BFR360FH6327XTSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 6V; 35mA; 0.21W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 6V
Collector current: 35mA
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-3
Current gain: 90...160
Mounting: SMD
Frequency: 14GHz
Kind of package: reel; tape

auf Bestellung 536 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPA50R399CPXKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; 8.3W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 8.3W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.399Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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BCR402RE6327

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: SOT143R
Output current: 20...60mA
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.2...18V DC

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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BCR402RE6327HTSA1

bcr402r.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a30431400ef68011407bc2b0a0189

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BSZ075N08NS5ATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFR5410TRRPBF

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S28HS02GTFPBHV053

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; octal; 166MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating temperature: -40...105°C
Type of integrated circuit: FLASH memory
Memory: 2Gb FLASH
Operating frequency: 166MHz
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Case: BGA24
Interface: octal
Operating voltage: 1.7...2V
Kind of memory: NOR
Mounting: SMD

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R065P7AUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 201W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 201W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL65R1K5C6SATMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Mounting: SMD
Power dissipation: 26.6W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-VSON-4
On-state resistance: 1.5Ω

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL65R070C7AUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 169W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Power dissipation: 169W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL65R130C7AUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 102W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 102W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL65R195C7AUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL65R210CFDAUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.6A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16.6A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH