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DPS422XTSA1 | Infineon |
 Pressure Sensor; 4.35PSI ~ 17.4PSI (30kPa ~ 120kPa); Vented Gauge 24 b; I2C, SPI; 1,7V~3,6V; -40°C~85°C: EVAL.BOARD S2GOPRESSUREDPS422TOBO1; DPS422XTSA1 WLGA8 CZ DPS422Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DPS422XTSA1 | Infineon |
Pressure Sensor; 4.35PSI ~ 17.4PSI (30kPa ~ 120kPa); Vented Gauge 24 b; I2C, SPI; 1,7V~3,6V; -40°C~85°C: EVAL.BOARD S2GOPRESSUREDPS422TOBO1; DPS422XTSA1 WLGA8 CZ DPS422 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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Супресор ESD5V3U2U03FH6327XT Infineon | Infineon | Супресор TSFP-3 ESD Protection/TVS Diode Vbd=6 V Unidirectional 2 Channel ESD Запобіжники |
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PIN Діод ВЧ BAR63-04E6327 Infineon | Infineon | PIN Diode for high speed switching of RF signals F<=3 GHz, Ur=50 V, If=100 mA, Ctot=0,3 pF, Pt=250 mW, корп. SOT-23 BAR63-04E6327.pdf Діоди ВЧ |
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PIN Діод ВЧ BAR6402VH6327XTSA1 Infineon | Infineon | PIN Diode for RF attenuator & switches 0,001...6 GHz, Ur=150 V, If=100 mA, Ctot=0,17 pF (F>1GHz), Pt=250 mW, корп. SOD-523-2 (SC79) BAR64-02V.pdf Діоди ВЧ |
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PIN Діод ВЧ BAR90-02LSE6327 Infineon | Infineon | PIN Diode TSLP-2-1 (Single) Ur=80 V, If=100 mA, Ls=0,2 nH Ptot=250 mW BAR90-02LSE6327.pdf Діоди ВЧ |
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PIN Діод ВЧ BAR9002ELE6327XTMA1 Infineon | Infineon | PIN Diode TSLP-2-19 (Single) Ur=80 V, If=100 mA, Ls=0,4 nH Ptot=250 mW BAR9002ELE6327XTMA1.pdf Діоди ВЧ |
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Діод Шотткі ВЧ BAS12504WH6327XTSA1 Infineon | Infineon | Діод Шотткі SOT-323 (SC-70) два послідов. включених Діода, If=0,1 A, Ur=25 V, Uf=0,95 V BAS12504WH6327XTSA1.pdf Діоди ВЧ |
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Діод Шотткі ВЧ BAT15-04RE6152 | Infineon | RF Діод Шотткі SOT-23-3 Reverse Series Pair U=4V I=0,11A Ls=1,8 nH F Діоди ВЧ |
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Діод Шотткі ВЧ BAT15-099RE6327 Infineon | Infineon | RF Діод Шотткі SOT143 crossover ring quad U=4V I=0,11A F Діоди ВЧ |
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Діод Шотткі ВЧ BAT2402LSE6327XTSA1 Infineon | Infineon | RF Діод Шотткі TSSLP-2-1 single U=4V I=0,11A Ls=0,2 nH F<=26 GHz BAT2402LSE6327XTSA1.pdf Діоди ВЧ |
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PIN Діод ВЧ BAR 88-02V H6327 Infineon | Infineon | PIN Diode SC79 with very low resistance (typ. 1.5 Ohm@If=1mA), Ur=80 V, If=100 mA, Pt=250 mW BAR 88-02V H6327.pdf Діоди ВЧ |
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PIN Діод ВЧ BAR63-02W Infineon | Infineon | PIN Diode SCD-80-2 Vr=50V, If=0,1A, Vf=1,2V, Ctot=0,3pF, Rsmax=1Ohms, Fmax=3GHz BAR63-02W.pdf Діоди ВЧ |
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PIN Діод ВЧ BAR63-03W Infineon | Infineon | PIN Diode for high speed switching of RF signals F Діоди ВЧ |
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PIN Діод ВЧ BAR6302LE6327XTMA1 Infineon | Infineon | PIN Diode TSLP-2-1 F=0,01...3 GHz, Vr=50 V, If=100 mA, Ct=0,21 pF, Rs=1,2 Ohm BAR6302LE6327XTMA1.pdf Діоди ВЧ |
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PIN Діод ВЧ BAR64-04E6327 Infineon | Infineon | PIN Diode SOT23-3 (1 Pair Series Connection) for RF attenuator & switches 0,001...6 GHz, Ur=150 V, If=100 mA, Ctot=0,35 pF (F>1GHz), Pt=250 mW BAR64-04E6327.pdf Діоди ВЧ |
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Діод Шотткі ВЧ BAT15-03W Infineon | Infineon | RF Діод Шотткі SOD323 single U=4V I=0,11A Ls=1,8 nH F Діоди ВЧ |
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Діод Шотткі ВЧ BAT15-04W Infineon | Infineon | RF Діод Шотткі SOT323 series U=4V I=0,11A Ls=1,8 nH F<=12 GHz BAT15-04W.pdf Діоди ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA614H6327 Infineon | Infineon | ІМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 3 GHz Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA616H6327 Infineon | Infineon | ІМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 2,7 GHz BGA616H6327.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ BGB707L7ESDE6327XTSA1 Infineon | Infineon | ІМС ВЧ TSLP-7-1 RF Amplifier IC 802.11a/b/g/n 2.3GHz, 2.7GHz Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP450H6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4,5V; Ic=0,1A; ft=24GHz; Pdmax=0,45W; hfe=60 @ 50mA, 4V BFP450H6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP520E6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=2,5V; Ic=0,04A; f=45GHz; Pdmax=0,1W; hfe=70/200 Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP620FH7764 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN TSFP-4 Uceo=2,8 V; Ic=0,08A; f=65GHz; Ptot=0,185W; hfe=110 @ 50mA, 1.5V, Nf=0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz BFP620FH7764.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP640E6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,05A; f=30GHz; Ptot=0,2W; hfe=110...270, Nf=0,65dB @ 1,8 GHz INFNS10679-1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP650H6327XTSA1 Infineon | Infineon | TRANS RF NPN 37GHz 4,5V 150MA SOT343 BFP650H6327XTSA1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP740 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,03A; f=10GHz; Ptot=0,16W; hfe=160...400, Nf=0,5dB @ 1,8 GHz BFP740.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP760H6327XTSA1 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,07A; f=45GHz; Ptot=0,24W; hfemin=160 BFP760H6327XTSA1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN TSFP-4 Uceo=2,6V; Ic=0,035A; f=85GHz; Ptot=0,075W; hfemin=150, Nf=0.75dB @ 5.5GHz BFP840FESDH6327XTSA1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFQ19SH6327XTSA1 Infineon | Infineon | RF Transistor NPN 15V 120mA 5.5GHz 1W Surface Mount PG-SOT89 BFQ19SH6327XTSA1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFR360F Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN TSFP-3 Uceo=6V; Ic=0,035A; f=3,5GHz; Pdmax=0,21W: hfe=90/160: Nf=1 dB@1,8 GHz BFR360F.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFR750L3RH Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN TSLP-3-9 Uceo=4,7 V; Icmax=90 mA; f=10 GHz; Pdmax=0,36 W: hfe=160/400: Nf=0,6 dB@1,8 GHz BFR750L3RH.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFR92PE6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT23 Uceo=15V; Ic=0,045A; f=5GHz; Pdmax=0,28W; hfe=70 BFR92PE6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFS17W H6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT323 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=1GHz BFS17W H6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ BFR182E6327HTSA1 Infineon | Infineon | Транзистор біполярний ВЧ NPN SOT-23-3; Ft = 8 GHz, NFmin = 0,9 dB at 900 MHz; Vceo= 12 V; Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP450E Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343R Uceo=4,5V; Ic=0,1A; f=24GHz; Pdmax=0,45W; h=50/150 Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP450G Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN, 5 V 100 mA NPN Linear Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-343 BFP450G.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP520FH6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN TFSP-4 Uceo=3,5V; Ic=0,04A; f=45GHz; Pdmax=0,1W; hfemib=70 @ 20mA, 2V BFP520FH6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP650FH6327XTSA1 Infineon | Infineon | TRANS RF NPN 42GHZ 4.5V 4TSFP BFP650FH6327XTSA1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFR106 E6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT23 Pdmax=0,7W BFR106 E6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFR380FH6327XTSA1 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN TSFP-3-1 Uceo=6V; Ic=0,08A; f=3,5GHz; Pdmax=0,38W: Gma = 13.5 dB at 1.8 GHz: Nf=1.1 dB@1,8 GHz Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT-883 (TSLP-3) Uceo=2,6 V; Icmax=35 mA; Ft=75 GHz; Pdmax=0,075 W: hfe=150: Nf=0,5 dB@4550 GHz BFR840L3RHESDE6327XTSA1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFT92E6327 Infineon | Infineon | Транз. Біпол. ВЧ PNP SOT23 Uceo=-15V; Ic=-0,025A; f=5GHz; Pdmax=0,3W; hfe=50 BFT92E6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BSP50E6327 Infineon | Infineon | TRANS, NPN, 60V, 1A, SOT223 BSP50E6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ PTF180101M Infineon | Infineon | Транз. Пол. БМ ВЧ LDMOS PG-RFP-10 (TSSOP10 SMD) 10 W 1.0-2.0 GHz Udss=65V Id=0.001A Rds=0.83Ohm PTF180101M.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ PTF180101S Infineon | Infineon | Транз. Пол. БМ ВЧ GOLDMOS 10 W 1805-1880, 1930-1990 MHz Udss=65V Rds=0.83 Ohm PTF180101S.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ PTFA210301E Infineon | Infineon | High Power LDMOS internally matched FET, for WCDMA 2110-2170 MHz, 30 W PTFA210301E.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ PTF080101M Infineon | Infineon | Транз. Пол. БМ ВЧ LDMOS PG-RFP-10 (TSSOP10 SMD) 10 W, 450-960 MHz Udss=65V Id=0.001A Rds=0.83Ohm PTF080101M.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ PTF180301E Infineon | Infineon | Транз. Пол. БМ ВЧ GOLDMOS 30 W 1805-1880, 1930-1990 MHz Udss=65V Rds=0.27 Ohm PTF180301E.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ PTFA240451E Infineon | Infineon | High Power RF LDMOS Thermally-Enhanced FET 45W, 2420-2480 MHz (CDMA2000 & WiMAX) PTFA240451E.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Драйвер FET-IGBT IR2181SPBF Infineon | Infineon | Драйвер FET-IGBT SOIC-8-3.9 Nнижн: 1 Nверхн: 1 Uoffset: 600 В Iout+ 1900 мА Iout-: 2500 мА Мікросхеми логічні |
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Мікроконтроллер SAB80C535-16-N | Infineon | ІМС 8-Bit Microcontroller PLCC-68, 16 MHz, for external ROM Мікроконтролери |
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Мікросхема-мікроконтролер BTN7970B Infineon | Infineon | контролер та драйвер для двигунів/руху/запалювання HI CRRENT PN HALF BRIDGE NOVALITH IC Мікроконтролери |
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Мікросхема-мікроконтролер SAB80C166W-M-T3 Infineon | Infineon | 16-Bit Microcontroller Мікроконтролери |
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Плата 471-015 Infineon | Infineon | Zybo Z7-20 Zynq-7000 ARM/FPGA AP SoC with SDSoC Voucher XC7Z020 Zynq®-7000 FPGA + MCU/MPU SoC Evaluation Board Мікроконтролери |
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Мікросхема ОП TLE2074AIN Infineon | Infineon | ІМС DIP-14 High Speed Low Noise 4 Channel Operational Amplifier TLE2074AIN.pdf Операційні підсилювачі та компаратори |
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Інтегральна мікросхема AUIPS6031 Infineon | Infineon | ІМС TO-220-5 Power Switch/Driver, Vs=6-28V, I=16A, Pd=25W AUIPS6031.pdf Інтегральні мікросхеми |
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Інтегральна мікросхема H11D2 Infineon | Infineon | ІМС DIP6 Оптопара; phototransistor-type optically coupled optoisolator H11D2.pdf Інтегральні мікросхеми |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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Інтегральна мікросхема IR2110PBF Infineon | Infineon | ІМС DIP14 Драйвер IR2110PBF.pdf Інтегральні мікросхеми |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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Інтегральна мікросхема IR2172SPBF Infineon | Infineon | ІМС SOIC-8 Current Sense IC, Vin=9,5-20V, Iout=20mA IR2172SPBF.pdf Інтегральні мікросхеми |
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| DPS422XTSA1 |
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Hersteller: Infineon
Pressure Sensor; 4.35PSI ~ 17.4PSI (30kPa ~ 120kPa); Vented Gauge 24 b; I2C, SPI; 1,7V~3,6V; -40°C~85°C: EVAL.BOARD S2GOPRESSUREDPS422TOBO1; DPS422XTSA1 WLGA8 CZ DPS422
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Pressure Sensor; 4.35PSI ~ 17.4PSI (30kPa ~ 120kPa); Vented Gauge 24 b; I2C, SPI; 1,7V~3,6V; -40°C~85°C: EVAL.BOARD S2GOPRESSUREDPS422TOBO1; DPS422XTSA1 WLGA8 CZ DPS422
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 8.22 EUR |
| DPS422XTSA1 |
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Hersteller: Infineon
Pressure Sensor; 4.35PSI ~ 17.4PSI (30kPa ~ 120kPa); Vented Gauge 24 b; I2C, SPI; 1,7V~3,6V; -40°C~85°C: EVAL.BOARD S2GOPRESSUREDPS422TOBO1; DPS422XTSA1 WLGA8 CZ DPS422
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Pressure Sensor; 4.35PSI ~ 17.4PSI (30kPa ~ 120kPa); Vented Gauge 24 b; I2C, SPI; 1,7V~3,6V; -40°C~85°C: EVAL.BOARD S2GOPRESSUREDPS422TOBO1; DPS422XTSA1 WLGA8 CZ DPS422
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 8.22 EUR |
| Супресор ESD5V3U2U03FH6327XT Infineon |
Hersteller: Infineon
Супресор TSFP-3 ESD Protection/TVS Diode Vbd=6 V Unidirectional 2 Channel ESD Запобіжники
Супресор TSFP-3 ESD Protection/TVS Diode Vbd=6 V Unidirectional 2 Channel ESD Запобіжники
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PIN Діод ВЧ BAR63-04E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
PIN Diode for high speed switching of RF signals F<=3 GHz, Ur=50 V, If=100 mA, Ctot=0,3 pF, Pt=250 mW, корп. SOT-23 BAR63-04E6327.pdf Діоди ВЧ
PIN Diode for high speed switching of RF signals F<=3 GHz, Ur=50 V, If=100 mA, Ctot=0,3 pF, Pt=250 mW, корп. SOT-23 BAR63-04E6327.pdf Діоди ВЧ
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PIN Діод ВЧ BAR6402VH6327XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
PIN Diode for RF attenuator & switches 0,001...6 GHz, Ur=150 V, If=100 mA, Ctot=0,17 pF (F>1GHz), Pt=250 mW, корп. SOD-523-2 (SC79) BAR64-02V.pdf Діоди ВЧ
PIN Diode for RF attenuator & switches 0,001...6 GHz, Ur=150 V, If=100 mA, Ctot=0,17 pF (F>1GHz), Pt=250 mW, корп. SOD-523-2 (SC79) BAR64-02V.pdf Діоди ВЧ
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PIN Діод ВЧ BAR90-02LSE6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
PIN Diode TSLP-2-1 (Single) Ur=80 V, If=100 mA, Ls=0,2 nH Ptot=250 mW BAR90-02LSE6327.pdf Діоди ВЧ
PIN Diode TSLP-2-1 (Single) Ur=80 V, If=100 mA, Ls=0,2 nH Ptot=250 mW BAR90-02LSE6327.pdf Діоди ВЧ
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PIN Діод ВЧ BAR9002ELE6327XTMA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
PIN Diode TSLP-2-19 (Single) Ur=80 V, If=100 mA, Ls=0,4 nH Ptot=250 mW BAR9002ELE6327XTMA1.pdf Діоди ВЧ
PIN Diode TSLP-2-19 (Single) Ur=80 V, If=100 mA, Ls=0,4 nH Ptot=250 mW BAR9002ELE6327XTMA1.pdf Діоди ВЧ
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| Діод Шотткі ВЧ BAS12504WH6327XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Діод Шотткі SOT-323 (SC-70) два послідов. включених Діода, If=0,1 A, Ur=25 V, Uf=0,95 V BAS12504WH6327XTSA1.pdf Діоди ВЧ
Діод Шотткі SOT-323 (SC-70) два послідов. включених Діода, If=0,1 A, Ur=25 V, Uf=0,95 V BAS12504WH6327XTSA1.pdf Діоди ВЧ
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| Діод Шотткі ВЧ BAT15-04RE6152 |
Hersteller: Infineon
RF Діод Шотткі SOT-23-3 Reverse Series Pair U=4V I=0,11A Ls=1,8 nH F Діоди ВЧ
RF Діод Шотткі SOT-23-3 Reverse Series Pair U=4V I=0,11A Ls=1,8 nH F Діоди ВЧ
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| Діод Шотткі ВЧ BAT15-099RE6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
RF Діод Шотткі SOT143 crossover ring quad U=4V I=0,11A F Діоди ВЧ
RF Діод Шотткі SOT143 crossover ring quad U=4V I=0,11A F Діоди ВЧ
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| Діод Шотткі ВЧ BAT2402LSE6327XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
RF Діод Шотткі TSSLP-2-1 single U=4V I=0,11A Ls=0,2 nH F<=26 GHz BAT2402LSE6327XTSA1.pdf Діоди ВЧ
RF Діод Шотткі TSSLP-2-1 single U=4V I=0,11A Ls=0,2 nH F<=26 GHz BAT2402LSE6327XTSA1.pdf Діоди ВЧ
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| PIN Діод ВЧ BAR 88-02V H6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
PIN Diode SC79 with very low resistance (typ. 1.5 Ohm@If=1mA), Ur=80 V, If=100 mA, Pt=250 mW BAR 88-02V H6327.pdf Діоди ВЧ
PIN Diode SC79 with very low resistance (typ. 1.5 Ohm@If=1mA), Ur=80 V, If=100 mA, Pt=250 mW BAR 88-02V H6327.pdf Діоди ВЧ
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| PIN Діод ВЧ BAR63-02W Infineon |
Hersteller: Infineon
PIN Diode SCD-80-2 Vr=50V, If=0,1A, Vf=1,2V, Ctot=0,3pF, Rsmax=1Ohms, Fmax=3GHz BAR63-02W.pdf Діоди ВЧ
PIN Diode SCD-80-2 Vr=50V, If=0,1A, Vf=1,2V, Ctot=0,3pF, Rsmax=1Ohms, Fmax=3GHz BAR63-02W.pdf Діоди ВЧ
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| PIN Діод ВЧ BAR63-03W Infineon |
Hersteller: Infineon
PIN Diode for high speed switching of RF signals F Діоди ВЧ
PIN Diode for high speed switching of RF signals F Діоди ВЧ
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| PIN Діод ВЧ BAR6302LE6327XTMA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
PIN Diode TSLP-2-1 F=0,01...3 GHz, Vr=50 V, If=100 mA, Ct=0,21 pF, Rs=1,2 Ohm BAR6302LE6327XTMA1.pdf Діоди ВЧ
PIN Diode TSLP-2-1 F=0,01...3 GHz, Vr=50 V, If=100 mA, Ct=0,21 pF, Rs=1,2 Ohm BAR6302LE6327XTMA1.pdf Діоди ВЧ
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| PIN Діод ВЧ BAR64-04E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
PIN Diode SOT23-3 (1 Pair Series Connection) for RF attenuator & switches 0,001...6 GHz, Ur=150 V, If=100 mA, Ctot=0,35 pF (F>1GHz), Pt=250 mW BAR64-04E6327.pdf Діоди ВЧ
PIN Diode SOT23-3 (1 Pair Series Connection) for RF attenuator & switches 0,001...6 GHz, Ur=150 V, If=100 mA, Ctot=0,35 pF (F>1GHz), Pt=250 mW BAR64-04E6327.pdf Діоди ВЧ
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| Діод Шотткі ВЧ BAT15-03W Infineon |
Hersteller: Infineon
RF Діод Шотткі SOD323 single U=4V I=0,11A Ls=1,8 nH F Діоди ВЧ
RF Діод Шотткі SOD323 single U=4V I=0,11A Ls=1,8 nH F Діоди ВЧ
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| Діод Шотткі ВЧ BAT15-04W Infineon |
Hersteller: Infineon
RF Діод Шотткі SOT323 series U=4V I=0,11A Ls=1,8 nH F<=12 GHz BAT15-04W.pdf Діоди ВЧ
RF Діод Шотткі SOT323 series U=4V I=0,11A Ls=1,8 nH F<=12 GHz BAT15-04W.pdf Діоди ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA614H6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
ІМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 3 GHz Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 3 GHz Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA616H6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
ІМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 2,7 GHz BGA616H6327.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 2,7 GHz BGA616H6327.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Мікросхема ВЧ/НВЧ BGB707L7ESDE6327XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
ІМС ВЧ TSLP-7-1 RF Amplifier IC 802.11a/b/g/n 2.3GHz, 2.7GHz Мікросхеми РЧ/ВЧ
ІМС ВЧ TSLP-7-1 RF Amplifier IC 802.11a/b/g/n 2.3GHz, 2.7GHz Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP450H6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4,5V; Ic=0,1A; ft=24GHz; Pdmax=0,45W; hfe=60 @ 50mA, 4V BFP450H6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4,5V; Ic=0,1A; ft=24GHz; Pdmax=0,45W; hfe=60 @ 50mA, 4V BFP450H6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP520E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=2,5V; Ic=0,04A; f=45GHz; Pdmax=0,1W; hfe=70/200 Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=2,5V; Ic=0,04A; f=45GHz; Pdmax=0,1W; hfe=70/200 Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP620FH7764 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN TSFP-4 Uceo=2,8 V; Ic=0,08A; f=65GHz; Ptot=0,185W; hfe=110 @ 50mA, 1.5V, Nf=0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz BFP620FH7764.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN TSFP-4 Uceo=2,8 V; Ic=0,08A; f=65GHz; Ptot=0,185W; hfe=110 @ 50mA, 1.5V, Nf=0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz BFP620FH7764.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP640E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,05A; f=30GHz; Ptot=0,2W; hfe=110...270, Nf=0,65dB @ 1,8 GHz INFNS10679-1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,05A; f=30GHz; Ptot=0,2W; hfe=110...270, Nf=0,65dB @ 1,8 GHz INFNS10679-1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP650H6327XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
TRANS RF NPN 37GHz 4,5V 150MA SOT343 BFP650H6327XTSA1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
TRANS RF NPN 37GHz 4,5V 150MA SOT343 BFP650H6327XTSA1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP740 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,03A; f=10GHz; Ptot=0,16W; hfe=160...400, Nf=0,5dB @ 1,8 GHz BFP740.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,03A; f=10GHz; Ptot=0,16W; hfe=160...400, Nf=0,5dB @ 1,8 GHz BFP740.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP760H6327XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,07A; f=45GHz; Ptot=0,24W; hfemin=160 BFP760H6327XTSA1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4V; Ic=0,07A; f=45GHz; Ptot=0,24W; hfemin=160 BFP760H6327XTSA1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN TSFP-4 Uceo=2,6V; Ic=0,035A; f=85GHz; Ptot=0,075W; hfemin=150, Nf=0.75dB @ 5.5GHz BFP840FESDH6327XTSA1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN TSFP-4 Uceo=2,6V; Ic=0,035A; f=85GHz; Ptot=0,075W; hfemin=150, Nf=0.75dB @ 5.5GHz BFP840FESDH6327XTSA1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFQ19SH6327XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
RF Transistor NPN 15V 120mA 5.5GHz 1W Surface Mount PG-SOT89 BFQ19SH6327XTSA1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
RF Transistor NPN 15V 120mA 5.5GHz 1W Surface Mount PG-SOT89 BFQ19SH6327XTSA1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFR360F Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN TSFP-3 Uceo=6V; Ic=0,035A; f=3,5GHz; Pdmax=0,21W: hfe=90/160: Nf=1 dB@1,8 GHz BFR360F.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN TSFP-3 Uceo=6V; Ic=0,035A; f=3,5GHz; Pdmax=0,21W: hfe=90/160: Nf=1 dB@1,8 GHz BFR360F.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFR750L3RH Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN TSLP-3-9 Uceo=4,7 V; Icmax=90 mA; f=10 GHz; Pdmax=0,36 W: hfe=160/400: Nf=0,6 dB@1,8 GHz BFR750L3RH.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN TSLP-3-9 Uceo=4,7 V; Icmax=90 mA; f=10 GHz; Pdmax=0,36 W: hfe=160/400: Nf=0,6 dB@1,8 GHz BFR750L3RH.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFR92PE6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT23 Uceo=15V; Ic=0,045A; f=5GHz; Pdmax=0,28W; hfe=70 BFR92PE6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT23 Uceo=15V; Ic=0,045A; f=5GHz; Pdmax=0,28W; hfe=70 BFR92PE6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFS17W H6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT323 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=1GHz BFS17W H6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT323 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=1GHz BFS17W H6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний ВЧ BFR182E6327HTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транзистор біполярний ВЧ NPN SOT-23-3; Ft = 8 GHz, NFmin = 0,9 dB at 900 MHz; Vceo= 12 V; Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транзистор біполярний ВЧ NPN SOT-23-3; Ft = 8 GHz, NFmin = 0,9 dB at 900 MHz; Vceo= 12 V; Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP450E Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343R Uceo=4,5V; Ic=0,1A; f=24GHz; Pdmax=0,45W; h=50/150 Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT343R Uceo=4,5V; Ic=0,1A; f=24GHz; Pdmax=0,45W; h=50/150 Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP450G Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN, 5 V 100 mA NPN Linear Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-343 BFP450G.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN, 5 V 100 mA NPN Linear Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-343 BFP450G.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP520FH6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN TFSP-4 Uceo=3,5V; Ic=0,04A; f=45GHz; Pdmax=0,1W; hfemib=70 @ 20mA, 2V BFP520FH6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN TFSP-4 Uceo=3,5V; Ic=0,04A; f=45GHz; Pdmax=0,1W; hfemib=70 @ 20mA, 2V BFP520FH6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFP650FH6327XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
TRANS RF NPN 42GHZ 4.5V 4TSFP BFP650FH6327XTSA1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
TRANS RF NPN 42GHZ 4.5V 4TSFP BFP650FH6327XTSA1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFR106 E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT23 Pdmax=0,7W BFR106 E6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT23 Pdmax=0,7W BFR106 E6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFR380FH6327XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN TSFP-3-1 Uceo=6V; Ic=0,08A; f=3,5GHz; Pdmax=0,38W: Gma = 13.5 dB at 1.8 GHz: Nf=1.1 dB@1,8 GHz Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN TSFP-3-1 Uceo=6V; Ic=0,08A; f=3,5GHz; Pdmax=0,38W: Gma = 13.5 dB at 1.8 GHz: Nf=1.1 dB@1,8 GHz Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT-883 (TSLP-3) Uceo=2,6 V; Icmax=35 mA; Ft=75 GHz; Pdmax=0,075 W: hfe=150: Nf=0,5 dB@4550 GHz BFR840L3RHESDE6327XTSA1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN SOT-883 (TSLP-3) Uceo=2,6 V; Icmax=35 mA; Ft=75 GHz; Pdmax=0,075 W: hfe=150: Nf=0,5 dB@4550 GHz BFR840L3RHESDE6327XTSA1.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BFT92E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Біпол. ВЧ PNP SOT23 Uceo=-15V; Ic=-0,025A; f=5GHz; Pdmax=0,3W; hfe=50 BFT92E6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ PNP SOT23 Uceo=-15V; Ic=-0,025A; f=5GHz; Pdmax=0,3W; hfe=50 BFT92E6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ BSP50E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
TRANS, NPN, 60V, 1A, SOT223 BSP50E6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
TRANS, NPN, 60V, 1A, SOT223 BSP50E6327.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ PTF180101M Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ ВЧ LDMOS PG-RFP-10 (TSSOP10 SMD) 10 W 1.0-2.0 GHz Udss=65V Id=0.001A Rds=0.83Ohm PTF180101M.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. БМ ВЧ LDMOS PG-RFP-10 (TSSOP10 SMD) 10 W 1.0-2.0 GHz Udss=65V Id=0.001A Rds=0.83Ohm PTF180101M.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ PTF180101S Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ ВЧ GOLDMOS 10 W 1805-1880, 1930-1990 MHz Udss=65V Rds=0.83 Ohm PTF180101S.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. БМ ВЧ GOLDMOS 10 W 1805-1880, 1930-1990 MHz Udss=65V Rds=0.83 Ohm PTF180101S.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ PTFA210301E Infineon |
Hersteller: Infineon
High Power LDMOS internally matched FET, for WCDMA 2110-2170 MHz, 30 W PTFA210301E.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
High Power LDMOS internally matched FET, for WCDMA 2110-2170 MHz, 30 W PTFA210301E.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ PTF080101M Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ ВЧ LDMOS PG-RFP-10 (TSSOP10 SMD) 10 W, 450-960 MHz Udss=65V Id=0.001A Rds=0.83Ohm PTF080101M.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. БМ ВЧ LDMOS PG-RFP-10 (TSSOP10 SMD) 10 W, 450-960 MHz Udss=65V Id=0.001A Rds=0.83Ohm PTF080101M.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ PTF180301E Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ ВЧ GOLDMOS 30 W 1805-1880, 1930-1990 MHz Udss=65V Rds=0.27 Ohm PTF180301E.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. БМ ВЧ GOLDMOS 30 W 1805-1880, 1930-1990 MHz Udss=65V Rds=0.27 Ohm PTF180301E.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ PTFA240451E Infineon |
Hersteller: Infineon
High Power RF LDMOS Thermally-Enhanced FET 45W, 2420-2480 MHz (CDMA2000 & WiMAX) PTFA240451E.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Драйвер FET-IGBT IR2181SPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
Драйвер FET-IGBT SOIC-8-3.9 Nнижн: 1 Nверхн: 1 Uoffset: 600 В Iout+ 1900 мА Iout-: 2500 мА Мікросхеми логічні
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| Мікроконтроллер SAB80C535-16-N |
Hersteller: Infineon
ІМС 8-Bit Microcontroller PLCC-68, 16 MHz, for external ROM Мікроконтролери
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| Мікросхема-мікроконтролер BTN7970B Infineon |
Hersteller: Infineon
контролер та драйвер для двигунів/руху/запалювання HI CRRENT PN HALF BRIDGE NOVALITH IC Мікроконтролери
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| Мікросхема-мікроконтролер SAB80C166W-M-T3 Infineon |
Hersteller: Infineon
16-Bit Microcontroller Мікроконтролери
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| Плата 471-015 Infineon |
Hersteller: Infineon
Zybo Z7-20 Zynq-7000 ARM/FPGA AP SoC with SDSoC Voucher XC7Z020 Zynq®-7000 FPGA + MCU/MPU SoC Evaluation Board Мікроконтролери
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| Мікросхема ОП TLE2074AIN Infineon |
Hersteller: Infineon
ІМС DIP-14 High Speed Low Noise 4 Channel Operational Amplifier TLE2074AIN.pdf Операційні підсилювачі та компаратори
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| Інтегральна мікросхема AUIPS6031 Infineon |
Hersteller: Infineon
ІМС TO-220-5 Power Switch/Driver, Vs=6-28V, I=16A, Pd=25W AUIPS6031.pdf Інтегральні мікросхеми
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| Інтегральна мікросхема H11D2 Infineon |
Hersteller: Infineon
ІМС DIP6 Оптопара; phototransistor-type optically coupled optoisolator H11D2.pdf Інтегральні мікросхеми
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| Інтегральна мікросхема IR2110PBF Infineon |
Hersteller: Infineon
ІМС DIP14 Драйвер IR2110PBF.pdf Інтегральні мікросхеми
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| Інтегральна мікросхема IR2172SPBF Infineon |
Hersteller: Infineon
ІМС SOIC-8 Current Sense IC, Vin=9,5-20V, Iout=20mA IR2172SPBF.pdf Інтегральні мікросхеми
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