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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
BFU.2K.100.CZSLEMOStandard Circular Connector
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BFU06703
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BFU308PHILIPS
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BFU309PHILIPS
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BFU310PHILIPS
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BFU520235NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
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209+0.75 EUR
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Mindestbestellmenge: 209
BFU520ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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18+1.48 EUR
20+ 1.31 EUR
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Mindestbestellmenge: 18
BFU520ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Case: SOT23
Frequency: 10GHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 60...200
Collector current: 30mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+0.74 EUR
128+ 0.56 EUR
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191+ 0.37 EUR
3000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 97
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
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BFU520ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Case: SOT23
Frequency: 10GHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 60...200
Collector current: 30mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5843 Stücke:
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97+0.74 EUR
128+ 0.56 EUR
142+ 0.5 EUR
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Mindestbestellmenge: 97
BFU520ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.57 EUR
6000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU520ARNXPDescription: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
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130+1.2 EUR
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209+ 0.67 EUR
500+ 0.52 EUR
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2000+ 0.33 EUR
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BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
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BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
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201+ 0.75 EUR
209+ 0.7 EUR
265+ 0.53 EUR
275+ 0.49 EUR
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BFU520ARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
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38+1.38 EUR
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1000+ 0.62 EUR
3000+ 0.58 EUR
6000+ 0.54 EUR
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BFU520ARNXPDescription: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 14213 Stücke:
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BFU520AVLNXPDescription: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
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BFU520AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
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BFU520AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
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BFU520AVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
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47+1.11 EUR
57+ 0.92 EUR
100+ 0.63 EUR
1000+ 0.35 EUR
10000+ 0.28 EUR
20000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 47
BFU520AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520AVLNXPDescription: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
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BFU520RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
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44+1.19 EUR
51+ 1.02 EUR
100+ 0.76 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.47 EUR
3000+ 0.42 EUR
9000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 44
BFU520RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520RNXPDescription: NXP - BFU520R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU520
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1733 Stücke:
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BFU520RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3051 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.2 EUR
26+ 1.02 EUR
28+ 0.95 EUR
100+ 0.76 EUR
250+ 0.71 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
BFU520RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
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BFU520R
Produktcode: 191928
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Uceo,V: 12 V
Ucbo,V: 24 V
Ic,A: 0,005 A
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520RNXPDescription: NXP - BFU520R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU520
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU520VLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520VLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520VLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520W135NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
auf Bestellung 15190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+1.2 EUR
28+ 0.96 EUR
30+ 0.88 EUR
100+ 0.65 EUR
250+ 0.59 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.37 EUR
2500+ 0.34 EUR
5000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 22
BFU520WFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 9724 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
44+1.19 EUR
59+ 0.89 EUR
105+ 0.5 EUR
1000+ 0.37 EUR
2500+ 0.32 EUR
10000+ 0.29 EUR
20000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 44
BFU520WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BFU520WXNXPRF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.23 EUR
10+ 1.86 EUR
BFU520WXNXPDescription: NXP - BFU520WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 1935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
280+0.56 EUR
351+ 0.43 EUR
368+ 0.39 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 280
BFU520WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11174 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
28+ 0.96 EUR
30+ 0.89 EUR
100+ 0.71 EUR
250+ 0.66 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BFU520WXNXPDescription: NXP - BFU520WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 1935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+0.7 EUR
277+ 0.54 EUR
280+ 0.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 224
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 8330 Stücke:
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354+0.44 EUR
355+ 0.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 354
BFU520WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU520WXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
46+1.14 EUR
58+ 0.9 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.45 EUR
3000+ 0.38 EUR
9000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 46
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520X215NXPDescription: NXP - BFU520X215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU520X215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
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2323+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2323
BFU520X235NXPDescription: NXP - BFU520X235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU520X235NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2323+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2323
BFU520XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU520XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520XARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 2252 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
46+1.14 EUR
62+ 0.85 EUR
110+ 0.47 EUR
1000+ 0.36 EUR
3000+ 0.3 EUR
9000+ 0.28 EUR
24000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 46
BFU520XARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT143B
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10.5GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8203 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.12 EUR
29+ 0.91 EUR
32+ 0.83 EUR
100+ 0.62 EUR
250+ 0.56 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BFU520XARNXPDescription: NXP - BFU520XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Bauform - HF-Transistor: SOT-143B
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5mA
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU520XARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT143B
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10.5GHz
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520XRRNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 10692 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
47+1.11 EUR
57+ 0.92 EUR
100+ 0.63 EUR
1000+ 0.35 EUR
3000+ 0.32 EUR
9000+ 0.28 EUR
24000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 47
BFU520XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU520XRRNXPDescription: NXP - BFU520XRR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU520XRRNXP SemiconductorsDescription: BFU520XR - NPN Wideband Silicon
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2323+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2323
BFU520XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6047 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.12 EUR
29+ 0.91 EUR
32+ 0.83 EUR
100+ 0.62 EUR
250+ 0.56 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BFU520XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520XRVLNXPDescription: NXP - BFU520XRVL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU520XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520XRVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520XRVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520XVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520XVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520YNXP USA Inc.Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520Y115NXP USA Inc.Description: DUAL NPN WIDEBAND RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520YFNXP USA Inc.Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520YFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520YFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520YFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband si silicon RF trans
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
28+1.88 EUR
32+ 1.65 EUR
100+ 1.13 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.8 EUR
2500+ 0.79 EUR
10000+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BFU520YXNXP USA Inc.Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.97 EUR
6000+ 0.92 EUR
15000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU520YXNXPDescription: NXP - BFU520YX - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 2505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.86 EUR
206+ 0.73 EUR
215+ 0.68 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 181
BFU520YXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 64485 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.27 EUR
28+ 1.86 EUR
100+ 1.5 EUR
500+ 1.33 EUR
1000+ 1.05 EUR
3000+ 0.98 EUR
6000+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 23
BFU520YXNXPDescription: NXP - BFU520YX - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU520YXNXP USA Inc.Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 47863 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.29 EUR
13+ 2.05 EUR
25+ 1.94 EUR
100+ 1.59 EUR
250+ 1.49 EUR
500+ 1.32 EUR
1000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2032+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2032
BFU530215NXPDescription: NXP - BFU530215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU530ARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 36255 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
44+1.21 EUR
57+ 0.92 EUR
100+ 0.79 EUR
500+ 0.71 EUR
1000+ 0.6 EUR
3000+ 0.53 EUR
6000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 44
BFU530ARNXPDescription: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 677 Stücke:
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BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
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BFU530ARNXPTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB BFU530AR TBFU530ar
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100+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100
BFU530ARNXPDescription: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU530ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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19+1.4 EUR
22+ 1.23 EUR
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250+ 0.88 EUR
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1000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 19
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
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151+1.04 EUR
226+ 0.67 EUR
243+ 0.57 EUR
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1000+ 0.42 EUR
2000+ 0.4 EUR
3000+ 0.38 EUR
6000+ 0.36 EUR
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BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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3000+0.54 EUR
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BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
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BFU530AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530AVLNXPDescription: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9500 Stücke:
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BFU530AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530AVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
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53+0.99 EUR
62+ 0.84 EUR
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2500+ 0.36 EUR
10000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 53
BFU530AVLNXPDescription: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9500 Stücke:
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BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
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54+0.97 EUR
62+ 0.84 EUR
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3000+ 0.35 EUR
9000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 54
BFU530RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 305 Stücke:
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27+0.99 EUR
32+ 0.83 EUR
34+ 0.77 EUR
100+ 0.62 EUR
250+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 27
BFU530RNXPDescription: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Verlustleistung: 450
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: SOT-143B
Dauer-Kollektorstrom: 40
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
auf Bestellung 2972 Stücke:
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624+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 624
BFU530R
Produktcode: 99606
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530RNXPDescription: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
DC-Stromverstärkung hFE: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 450
Verlustleistung: 450
Bauform - Transistor: SOT-143B
Bauform - HF-Transistor: SOT-143B
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BFU530
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 40
Übergangsfrequenz: 11
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
624+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 624
BFU530VLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530VLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530VLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530W,115NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 433MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1809 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1214+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1214
BFU530W115NXPDescription: NXP - BFU530W115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1809 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU530W115NXP SemiconductorsDescription: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530WFNXPDescription: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU530WFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 5446 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
67+ 0.78 EUR
100+ 0.54 EUR
1000+ 0.3 EUR
2500+ 0.29 EUR
10000+ 0.24 EUR
20000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 54
BFU530WFNXPDescription: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU530WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530WXNXPDescription: NXP - BFU530WX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 155211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU530WXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
auf Bestellung 27034 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
56+0.94 EUR
64+ 0.82 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.54 EUR
3000+ 0.52 EUR
6000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 56
BFU530WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.54 EUR
6000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530WXNXPDescription: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.62 EUR
199+ 0.76 EUR
217+ 0.67 EUR
218+ 0.64 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.45 EUR
2000+ 0.43 EUR
3000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 97
BFU530WXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.45W
Frequency: 11GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Current gain: 60...200
Collector current: 40mA
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 2956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
139+ 0.51 EUR
155+ 0.46 EUR
184+ 0.39 EUR
195+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 71
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 11243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+0.35 EUR
453+ 0.33 EUR
460+ 0.32 EUR
467+ 0.3 EUR
474+ 0.28 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.25 EUR
6000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 446
BFU530WXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.45W
Frequency: 11GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Current gain: 60...200
Collector current: 40mA
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2956 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
139+ 0.51 EUR
155+ 0.46 EUR
184+ 0.39 EUR
195+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 71
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU530WXNXPDescription: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU530WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17924 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.38 EUR
22+ 1.22 EUR
25+ 1.15 EUR
100+ 0.94 EUR
250+ 0.87 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 19
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 11243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
460+0.34 EUR
467+ 0.32 EUR
474+ 0.31 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.27 EUR
3000+ 0.26 EUR
6000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 460
BFU530XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+1.17 EUR
26+ 1 EUR
28+ 0.94 EUR
100+ 0.75 EUR
250+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 23
BFU530XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530XARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
44+1.19 EUR
55+ 0.95 EUR
100+ 0.7 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.46 EUR
3000+ 0.39 EUR
9000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 44
BFU530XRNXP USA Inc.Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530XRRNXPDescription: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143R
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU530XR
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU530XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530XRRNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530XRRNXPDescription: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143R
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU530XR
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU530XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 16.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530XRVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530XRVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 16.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
auf Bestellung 9120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
27+0.99 EUR
32+ 0.83 EUR
34+ 0.77 EUR
100+ 0.62 EUR
250+ 0.57 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.38 EUR
2500+ 0.34 EUR
5000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 27
BFU530XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530XVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
Produkt ist nicht verfügbar
BFU530XVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 16.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1189+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1189
BFU550215NXPDescription: NXP - BFU550215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU550235NXPDescription: NXP - BFU550235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU550235NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1807+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1807
BFU550A215NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550A235NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
auf Bestellung 10102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
409+0.38 EUR
682+ 0.22 EUR
688+ 0.21 EUR
695+ 0.2 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.12 EUR
6000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 409
BFU550ARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 16118 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
57+0.92 EUR
76+ 0.69 EUR
135+ 0.39 EUR
1000+ 0.29 EUR
3000+ 0.25 EUR
9000+ 0.23 EUR
24000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 57
BFU550ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
28+0.94 EUR
35+ 0.75 EUR
38+ 0.69 EUR
100+ 0.51 EUR
250+ 0.46 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BFU550ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 12V
Mounting: SMD
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Current gain: 60...200
Collector current: 50mA
Type of transistor: NPN
Frequency: 11GHz
auf Bestellung 9820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.27 EUR
360+ 0.2 EUR
410+ 0.18 EUR
460+ 0.16 EUR
485+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 265
BFU550ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 12V
Mounting: SMD
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Current gain: 60...200
Collector current: 50mA
Type of transistor: NPN
Frequency: 11GHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 9820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
265+0.27 EUR
360+ 0.2 EUR
410+ 0.18 EUR
460+ 0.16 EUR
485+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 265
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU550ARNXPDescription: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
auf Bestellung 5978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
538+0.29 EUR
541+ 0.28 EUR
549+ 0.26 EUR
1000+ 0.19 EUR
2000+ 0.18 EUR
3000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 538
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
auf Bestellung 10102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
314+0.5 EUR
391+ 0.39 EUR
409+ 0.35 EUR
682+ 0.2 EUR
688+ 0.19 EUR
695+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.12 EUR
6000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 314
BFU550ARNXPDescription: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU550AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550AVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 339-353 Tag (e)
47+1.11 EUR
62+ 0.85 EUR
100+ 0.53 EUR
1000+ 0.28 EUR
2500+ 0.25 EUR
10000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 47
BFU550AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550R
Produktcode: 182070
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU550RNXPDescription: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU550RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 26302 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
44+1.21 EUR
52+ 1.01 EUR
100+ 0.8 EUR
500+ 0.68 EUR
1000+ 0.59 EUR
3000+ 0.54 EUR
6000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 44
BFU550RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.55 EUR
6000+ 0.51 EUR
15000+ 0.49 EUR
30000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
auf Bestellung 6938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
324+0.48 EUR
353+ 0.43 EUR
357+ 0.41 EUR
398+ 0.35 EUR
402+ 0.33 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.26 EUR
6000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 324
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
413+0.38 EUR
415+ 0.36 EUR
1000+ 0.34 EUR
3000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 413
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU550RNXPDescription: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 44420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.43 EUR
21+ 1.25 EUR
25+ 1.17 EUR
100+ 0.96 EUR
250+ 0.89 EUR
500+ 0.76 EUR
1000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 19
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
auf Bestellung 6938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
357+0.44 EUR
398+ 0.38 EUR
402+ 0.36 EUR
500+ 0.33 EUR
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3000+ 0.27 EUR
6000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 357
BFU550VLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550VLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550VLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550W135NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 8075 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1483+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1483
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
auf Bestellung 23040 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.43 EUR
22+ 1.23 EUR
25+ 1.15 EUR
100+ 0.92 EUR
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5000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 19
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550WFNXPDescription: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU550WFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 3418 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
37+1.43 EUR
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2500+ 0.49 EUR
10000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 37
BFU550WFNXPDescription: NXP - BFU550WF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 744202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU550WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
BFU550WFNXP SemiconductorsDescription: BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
auf Bestellung 743543 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1369+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1369
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 9930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.06 EUR
168+ 0.9 EUR
224+ 0.65 EUR
225+ 0.62 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.34 EUR
2000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 148
BFU550WFNXPDescription: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU550WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.08 EUR
15+ 1.84 EUR
25+ 1.73 EUR
100+ 1.41 EUR
250+ 1.31 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550WXNXPDescription: NXP - BFU550WX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 5770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+0.47 EUR
336+ 0.45 EUR
337+ 0.41 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.38 EUR
3000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 335
BFU550WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 5770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.47 EUR
335+ 0.45 EUR
336+ 0.43 EUR
337+ 0.4 EUR
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1000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 334
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550WXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
auf Bestellung 5381 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
36+1.45 EUR
42+ 1.26 EUR
100+ 1.02 EUR
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1000+ 0.81 EUR
3000+ 0.76 EUR
6000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 36
BFU550XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 61412 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.51 EUR
20+ 1.31 EUR
25+ 1.22 EUR
100+ 0.98 EUR
250+ 0.91 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 18
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550XARNXPDescription: NXP - BFU550XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550XARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 2318 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
34+1.55 EUR
41+ 1.27 EUR
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500+ 0.78 EUR
1000+ 0.61 EUR
3000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 34
BFU550XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.54 EUR
6000+ 0.51 EUR
15000+ 0.47 EUR
30000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU550XARNXPDescription: NXP - BFU550XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550XARNXPDescription: NXP - BFU550XAR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU550XAR
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
BFU550XR215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550XR235NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU550XRRNXPDescription: NXP - BFU550XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, SOT-143R
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Verlustleistung: 450
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: SOT-143R
Dauer-Kollektorstrom: 15
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550XRRNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 2766 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
50+1.04 EUR
65+ 0.81 EUR
104+ 0.5 EUR
1000+ 0.26 EUR
3000+ 0.24 EUR
9000+ 0.2 EUR
24000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BFU550XRRNXPDescription: NXP - BFU550XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, SOT-143R
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
DC-Stromverstärkung hFE: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 450
Verlustleistung: 450
Bauform - Transistor: SOT-143R
Bauform - HF-Transistor: SOT-143R
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BFU550XR
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 15
Übergangsfrequenz: 11
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.04 EUR
33+ 0.79 EUR
37+ 0.71 EUR
100+ 0.49 EUR
250+ 0.42 EUR
500+ 0.34 EUR
1000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 25
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 30V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143R T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550XRR215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550XRVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 30V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550XRVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU550XVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 237-251 Tag (e)
47+1.11 EUR
55+ 0.95 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.43 EUR
2500+ 0.4 EUR
10000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 47
BFU550XVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU580G115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BFU580GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BFU580GXNXPDescription: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU580G
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU580GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BFU580GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
auf Bestellung 1928 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.03 EUR
15+ 1.81 EUR
25+ 1.72 EUR
100+ 1.41 EUR
250+ 1.32 EUR
500+ 1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU580GXNXPDescription: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU580G
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU580GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
Produkt ist nicht verfügbar
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU580GXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
26+2.03 EUR
31+ 1.7 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.18 EUR
1000+ 0.93 EUR
2000+ 0.86 EUR
5000+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 26
BFU580QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU580QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU580QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+1.04 EUR
2000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BFU580QXNXPDescription: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BFU580Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU580QXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 1383 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.32 EUR
28+ 1.9 EUR
100+ 1.5 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 23
BFU580QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
auf Bestellung 3181 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.29 EUR
13+ 2.04 EUR
25+ 1.93 EUR
100+ 1.59 EUR
250+ 1.48 EUR
500+ 1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 12
BFU580QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.38 EUR
129+ 1.17 EUR
147+ 0.99 EUR
200+ 0.91 EUR
500+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 114
BFU580QXNXPDescription: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.7 EUR
93+ 1.58 EUR
100+ 1.51 EUR
250+ 1.45 EUR
500+ 1.39 EUR
1000+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 92
BFU590GXNXPDescription: NXP - BFU590GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU590GXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 16798 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.89 EUR
21+ 2.49 EUR
100+ 1.91 EUR
500+ 1.68 EUR
1000+ 1.33 EUR
2000+ 1.22 EUR
5000+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 19
BFU590GX
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.69 EUR
102+ 1.48 EUR
125+ 1.16 EUR
200+ 1.05 EUR
500+ 1 EUR
1000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 93
BFU590GXNXPТранз. Бипол. ВЧ NPN SOT223 Uceo=12V; Ic=0,2A; f=8.5GHz; Pdmax=2W; hfe=60/130
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+ 3.35 EUR
BFU590GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8.5GHz
Produkt ist nicht verfügbar
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU590GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8.5GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
auf Bestellung 33925 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+1.32 EUR
2000+ 1.23 EUR
5000+ 1.17 EUR
10000+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.64 EUR
100+ 1.57 EUR
250+ 1.51 EUR
500+ 1.45 EUR
1000+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 93
BFU590GXNXPDescription: NXP - BFU590GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU590GX
Produktcode: 121346
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-223
fT: 8,5 GHz
Uceo,V: 24 V
Ucbo,V: 24 V
Ic,A: 0,08 A
h21: 95
ZCODE: SMD
auf Bestellung 83 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BFU590GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8.5GHz
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BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BFU590GXNXPTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 BFU590GX TBFU590g
Anzahl je Verpackung: 4 Stücke
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Mindestbestellmenge: 12
BFU590GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8.5GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
auf Bestellung 33925 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BFU590Q115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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BFU590Q115NXPDescription: NXP - BFU590Q115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 99442 Stücke:
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BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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132+1.19 EUR
133+ 1.13 EUR
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250+ 0.87 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 132
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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1000+0.77 EUR
2000+ 0.7 EUR
5000+ 0.65 EUR
10000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BFU590QX
Produktcode: 131638
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
BFU590QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 6.5dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+1.23 EUR
2000+ 1.15 EUR
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BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1120 Stücke:
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91+1.72 EUR
132+ 1.15 EUR
133+ 1.09 EUR
142+ 0.98 EUR
250+ 0.83 EUR
500+ 0.79 EUR
1000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 91
BFU590QXNXPDescription: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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99+1.59 EUR
116+ 1.31 EUR
135+ 1.08 EUR
200+ 0.98 EUR
500+ 0.88 EUR
1000+ 0.79 EUR
2000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 99
BFU590QXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 2871 Stücke:
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20+2.73 EUR
23+ 2.32 EUR
100+ 1.78 EUR
500+ 1.57 EUR
1000+ 1.24 EUR
2000+ 1.16 EUR
5000+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 20
BFU590QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 6.5dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
auf Bestellung 2822 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.7 EUR
11+ 2.43 EUR
25+ 2.3 EUR
100+ 1.89 EUR
250+ 1.77 EUR
500+ 1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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1000+0.86 EUR
2000+ 0.77 EUR
5000+ 0.72 EUR
10000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BFU590QXNXPDescription: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU610F,115NXPDescription: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU610F,115NXPDescription: NXP - BFU610F,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU610F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 15GHz
auf Bestellung 2752 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
35+1.52 EUR
40+ 1.33 EUR
100+ 0.99 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.61 EUR
3000+ 0.55 EUR
9000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 35
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
auf Bestellung 3353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
395+0.4 EUR
435+ 0.35 EUR
439+ 0.33 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.25 EUR
3000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 395
BFU610F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
auf Bestellung 5793 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.51 EUR
20+ 1.31 EUR
100+ 0.91 EUR
500+ 0.71 EUR
1000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 18
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
auf Bestellung 3353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
368+0.43 EUR
391+ 0.39 EUR
395+ 0.37 EUR
435+ 0.32 EUR
439+ 0.31 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 368
BFU610F,115NXPDescription: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU610F,115
Produktcode: 99602
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
BFU610F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU630F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.64 EUR
6000+ 0.61 EUR
9000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.07 EUR
173+ 0.87 EUR
175+ 0.83 EUR
241+ 0.58 EUR
250+ 0.55 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.37 EUR
3000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 147
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.76 EUR
167+ 0.91 EUR
196+ 0.74 EUR
200+ 0.71 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 90
BFU630F,115NXPDescription: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU630F,115NXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5.5V; 30mA; 200mW; SOT343F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 5.5V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343F
Current gain: 90...180
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 55GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU630F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
auf Bestellung 17026 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
16+1.69 EUR
18+ 1.46 EUR
100+ 1.01 EUR
500+ 0.84 EUR
1000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 16
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU630F,115NXPDescription: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU630F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
auf Bestellung 11838 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
31+1.69 EUR
37+ 1.44 EUR
100+ 1.02 EUR
500+ 0.85 EUR
1000+ 0.73 EUR
3000+ 0.63 EUR
6000+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 31
BFU630F,115NXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5.5V; 30mA; 200mW; SOT343F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 5.5V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343F
Current gain: 90...180
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 55GHz
Produkt ist nicht verfügbar
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+0.89 EUR
241+ 0.63 EUR
250+ 0.6 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.4 EUR
3000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 175
BFU660F,115NXPDescription: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU660F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU660F,115
Produktcode: 99607
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
BFU660F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
auf Bestellung 7479 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
36+1.45 EUR
49+ 1.07 EUR
100+ 0.83 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.61 EUR
3000+ 0.53 EUR
9000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 36
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
auf Bestellung 16472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
352+0.44 EUR
370+ 0.41 EUR
385+ 0.38 EUR
410+ 0.34 EUR
411+ 0.33 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.25 EUR
3000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 352
BFU660F,115NXPDescription: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
auf Bestellung 16472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.41 EUR
410+ 0.37 EUR
411+ 0.35 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.27 EUR
3000+ 0.25 EUR
6000+ 0.24 EUR
15000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 385
BFU660F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU668F,115NXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 2137 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BFU668F,115NXP USA Inc.Description: TRANSISTOR NPN SOT343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BFU668F,115NXP USA Inc.Description: TRANSISTOR NPN SOT343F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
BFU668F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.04A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU690F,115
Produktcode: 83917
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
BFU690F,115NXPDescription: NXP - BFU690F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 18 GHz, 490 mW, 70 mA, SOT-343F
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 90
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 490
Übergangsfrequenz ft: 18
Bauform - HF-Transistor: SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU690F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB ~ 18.5dB
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 18GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
auf Bestellung 14980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.56 EUR
20+ 1.34 EUR
100+ 0.93 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 17
BFU690F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU690F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU690F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 18GHz
auf Bestellung 23800 Stücke:
Lieferzeit 220-234 Tag (e)
34+1.57 EUR
39+ 1.35 EUR
100+ 1.01 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.61 EUR
3000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 34
BFU690F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB ~ 18.5dB
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 18GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.53 EUR
6000+ 0.5 EUR
9000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU690F,115NXPDescription: NXP - BFU690F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 18 GHz, 490 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 490
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-343F
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 70
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU690F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
auf Bestellung 20407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
577+0.26 EUR
578+ 0.24 EUR
3000+ 0.23 EUR
6000+ 0.22 EUR
15000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 577
BFU710F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
auf Bestellung 2669 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
63+ 0.83 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.49 EUR
3000+ 0.45 EUR
9000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 54
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU710F,115NXPDescription: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU710F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
auf Bestellung 9260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.43 EUR
22+ 1.22 EUR
100+ 0.85 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 19
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
auf Bestellung 20407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
577+0.25 EUR
578+ 0.23 EUR
3000+ 0.22 EUR
6000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 577
BFU710F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.48 EUR
6000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU710F,115NXPDescription: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU725FNXP2007 SOT343
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BFU725F
Produktcode: 85278
NXPTransistoren > HF-Transistoren
Gehäuse: SOT-343
Freq.: 55 GHz
Produkt ist nicht verfügbar
BFU725F T/RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS
Produkt ist nicht verfügbar
BFU725F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 70GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 70GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Produkt ist nicht verfügbar
BFU725F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors RF NPN Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
BFU725F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU725F/N1NXP SemiconductorsNXP Semiconductors BFU725F/DFP4//N1/REEL 7 Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Produkt ist nicht verfügbar
BFU725F/N1NXPSOT343F
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
auf Bestellung 4550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
633+0.25 EUR
643+ 0.23 EUR
644+ 0.22 EUR
645+ 0.21 EUR
646+ 0.2 EUR
1000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 633
BFU725F/N1,115NXPDescription: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU725F/N1,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 7462 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
21+1.27 EUR
24+ 1.09 EUR
100+ 0.76 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 21
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
auf Bestellung 2974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
413+0.38 EUR
415+ 0.36 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.29 EUR
2000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 413
BFU725F/N1,115NXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 2.8V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 136mW
Case: SOT343F
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110GHz
Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BFU725F/N1,115NXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 2.8V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 136mW
Case: SOT343F
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110GHz
Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe)
Produkt ist nicht verfügbar
BFU725F/N1,115NXPDescription: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
auf Bestellung 1169 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
45+1.16 EUR
52+ 1 EUR
100+ 0.74 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.48 EUR
3000+ 0.41 EUR
9000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 45
BFU725F/N1,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.43 EUR
6000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
auf Bestellung 4550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
597+0.26 EUR
628+ 0.24 EUR
635+ 0.23 EUR
639+ 0.22 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 597
BFU725F/N1/S115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
BFU730F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 197mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
auf Bestellung 82957 Stücke:
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BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
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BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
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BFU730F,115
Produktcode: 99614
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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BFU730F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
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BFU730F,115NXPDescription: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BFU730F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 197mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
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BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
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478+ 0.28 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.25 EUR
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BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
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BFU730F,115NXPDescription: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2272 Stücke:
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BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
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BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
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BFU730LXZNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 15.8dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 53GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Supplier Device Package: DFN1006C-3
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BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
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BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
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610+0.26 EUR
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BFU730LXZNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 15.8dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 53GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Supplier Device Package: DFN1006C-3
Produkt ist nicht verfügbar
BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
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BFU730LXZNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors SiGe:C MMIC Transistor
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62+0.85 EUR
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BFU730LXZNXPDescription: NXP - BFU730LXZ - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, SOT-883C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-883C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 53GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
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BFU760F,115NXPDescription: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 155
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 220
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220
Bauform - Transistor: SOT-343F
Bauform - HF-Transistor: SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.8
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Übergangsfrequenz: 45
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9955 Stücke:
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BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
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195+0.8 EUR
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BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
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413+0.38 EUR
415+ 0.36 EUR
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2000+ 0.28 EUR
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6000+ 0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 413
BFU760F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU760F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
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40+1.33 EUR
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BFU760F,115NXPDescription: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 220
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-343F
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 70
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9955 Stücke:
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BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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263+0.59 EUR
328+ 0.46 EUR
331+ 0.44 EUR
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3000+ 0.22 EUR
6000+ 0.19 EUR
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BFU760F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU768F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BFU768F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor
auf Bestellung 5224 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
49+1.06 EUR
61+ 0.86 EUR
100+ 0.65 EUR
500+ 0.51 EUR
1000+ 0.42 EUR
3000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 49
BFU768F,115NXP SemiconductorsDescription: BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 110GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Produkt ist nicht verfügbar
BFU768F,115NXPDescription: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU768F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU768F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
25+1.07 EUR
29+ 0.92 EUR
100+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 25
BFU768F,115NXPDescription: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU768F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU768F115NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM R
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Produkt ist nicht verfügbar
BFU768F115NXPDescription: NXP - BFU768F115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2493900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU790F,115NXPDescription: NXP - BFU790F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 25 GHz, 234 mW, 100 mA, SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 234
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 235
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-343F
Dauer-Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.74 EUR
224+ 0.67 EUR
225+ 0.65 EUR
263+ 0.53 EUR
316+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 210
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+0.7 EUR
225+ 0.67 EUR
263+ 0.55 EUR
316+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 224
BFU790F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 234mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BFU790F,115NXPDescription: NXP - BFU790F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 25 GHz, 234 mW, 100 mA, SOT-343F
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 235
DC-Stromverstärkung hFE: 235
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 234
Verlustleistung: 234
Bauform - Transistor: SOT-343F
Bauform - HF-Transistor: SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.8
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100
Übergangsfrequenz: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BFU790F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.08 EUR
29+ 1.81 EUR
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BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
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BFU790F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 234mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
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BFU910F115Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
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BFU910FXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F
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BFU910FXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon germanium RF trans
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BFU910FXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F
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BFU910FXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 9.5V 0.015A 300mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
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