Produkte > BFU
Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||||
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BFU.2K.100.CZS | LEMO | Standard Circular Connector | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU06703 | auf Bestellung 1945 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
BFU308 | PHILIPS | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BFU309 | PHILIPS | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BFU310 | PHILIPS | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BFU520235 | NXP USA Inc. | Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | auf Bestellung 1349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU520AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | auf Bestellung 1349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU520AR | NXP | Description: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 8814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520AR | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Frequency: 10GHz Mounting: SMD Current gain: 60...200 Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 30mA | auf Bestellung 5376 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU520AR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520AR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor | auf Bestellung 102845 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520AR | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Frequency: 10GHz Mounting: SMD Current gain: 60...200 Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 30mA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 5376 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFU520AR | NXP | Description: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 8814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520AR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 18087 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520AVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520AVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 4688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520AVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520AVL | NXP | Description: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 9880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520AVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520AVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520AVL | NXP | Description: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 9880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU520R | NXP | Description: NXP - BFU520R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU520 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520R Produktcode: 191928
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Uceo,V: 12 V Ucbo,V: 24 V Ic,A: 0,005 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BFU520R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5981 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU520R | NXP | Description: NXP - BFU520R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU520 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520R | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 4586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520VL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520VL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520VL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 17.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520W135 | NXP USA Inc. | Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520WF | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 29371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520WF | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520WF | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active | auf Bestellung 18003 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520WX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520WX | NXP | Description: NXP - BFU520WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 10318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520WX | NXP | RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3 | auf Bestellung 2688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU520WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520WX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 129000 Stücke: Lieferzeit 30-34 Tag (e) |
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BFU520WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU520WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520WX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 25142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520WX | NXP | Description: NXP - BFU520WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 10318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520WX транзистор Produktcode: 205617
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BFU520X215 | NXP USA Inc. | Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520X215 | NXP | Description: NXP - BFU520X215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520X235 | NXP USA Inc. | Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520X235 | NXP | Description: NXP - BFU520X235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520XAR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520XAR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520XAR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143B T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520XAR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520XAR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520XAR | NXP | Description: NXP - BFU520XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450mW euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Bauform - HF-Transistor: SOT-143B Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 5mA Übergangsfrequenz: 10.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520XAR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU520XAR | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 30mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT143B Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 10.5GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520XAR | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 30mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT143B Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 10.5GHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520XRR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143R Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520XRR | NXP | Description: NXP - BFU520XRR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 55000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520XRR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520XRR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143R Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520XRR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 5296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520XRR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520XRR | NXP Semiconductors | Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-143R Packaging: Bulk Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 17.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143R Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 147960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520XRVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | auf Bestellung 3868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU520XRVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R Packaging: Bulk Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 17.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143R | auf Bestellung 3868 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520XRVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520XRVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520XRVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 17.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143R Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520XRVL | NXP | Description: NXP - BFU520XRVL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520XVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520XVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU520XVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520XVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 9990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520Y | NXP USA Inc. | Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520Y115 | NXP USA Inc. | Description: DUAL NPN WIDEBAND RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520YF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520YF | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband si silicon RF trans | auf Bestellung 9810 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520YF | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ 6-TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 14dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520YF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520YX | NXP | Description: NXP - BFU520YX - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-363 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 6063 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520YX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 60441 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520YX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ 6-TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520YX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520YX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520YX | NXP | Description: NXP - BFU520YX - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-363 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 6063 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU520YX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU520YX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ 6-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 26421 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU520YX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU520YX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU530215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU530215 | NXP | Description: NXP - BFU530215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU530AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530AR | NXP | Description: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530AR | NXP | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB BFU530AR TBFU530ar Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFU530AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU530AR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU530AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU530AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU530AR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 30454 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU530AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530AR | NXP | Description: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU530AR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU530AVL | NXP | Description: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530AVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530AVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530AVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 9791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU530AVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530AVL | NXP | Description: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530AVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) | auf Bestellung 6830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU530R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU530R | NXP | Description: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 Verlustleistung: 450 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95 Qualifikation: AEC-Q101 Bauform - Transistor: SOT-143B Dauer-Kollektorstrom: 40 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530R Produktcode: 99606
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BFU530R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 2972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU530R | NXP | Description: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95 DC-Stromverstärkung hFE: 95 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 450 Verlustleistung: 450 Bauform - Transistor: SOT-143B Bauform - HF-Transistor: SOT-143B Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: BFU530 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 40 Übergangsfrequenz: 11 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU530R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU530R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU530R | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 2918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU530R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530VL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530VL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 9800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU530VL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530W,115 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 433MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1809 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU530W115 | NXP Semiconductors | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530W115 | NXP | Description: NXP - BFU530W115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530WF | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 2101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU530WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530WF | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530WF | NXP | Description: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530WF | NXP | Description: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 7243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU530WX | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 0.45W Case: SOT323 Kind of package: reel; tape Frequency: 11GHz Mounting: SMD Current gain: 60...200 Collector-emitter voltage: 24V Collector current: 40mA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2933 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFU530WX | NXP | Description: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2678 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8839 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU530WX | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 0.45W Case: SOT323 Kind of package: reel; tape Frequency: 11GHz Mounting: SMD Current gain: 60...200 Collector-emitter voltage: 24V Collector current: 40mA | auf Bestellung 2933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU530WX | NXP | Description: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2678 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU530WX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor | auf Bestellung 26998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 7243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU530WX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU530XAR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530XAR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU530XAR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530XAR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU530XR | NXP USA Inc. | Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530XRR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530XRR | NXP | Description: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143R Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU530XR Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530XRR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143R Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530XRR | NXP | Description: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143R Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU530XR Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530XRR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143R Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530XRR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530XRR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530XRVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 16.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530XRVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU530XRVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530XRVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 16.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143R | auf Bestellung 6815 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU530XVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530XVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU530XVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 16.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550215 | NXP USA Inc. | Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550215 | NXP | Description: NXP - BFU550215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550235 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550235 | NXP | Description: NXP - BFU550235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550A215 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550A235 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | auf Bestellung 5058 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550AR | NXP | Description: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550AR | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 11GHz | auf Bestellung 9194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550AR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550AR | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 11GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 9194 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFU550AR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 48816 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550AR | NXP | Description: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550AR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 34189 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550AR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550AVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550AVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 9698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550AVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550AVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550AVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550R Produktcode: 182070
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BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 5848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550R | NXP | Description: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550R | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 34212 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | auf Bestellung 5848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550R | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 21049 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550R | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550R | NXP | Description: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550VL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550VL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550VL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550W135 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 8075 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550WF | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 11293 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550WF | NXP | Description: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550WF | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-70 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550WF | NXP | Description: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 929 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 9830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550WF | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550WF | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-70 | auf Bestellung 28196 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 3370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550WX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550WX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-70 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550WX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor | auf Bestellung 2588 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550WX | NXP | Description: NXP - BFU550WX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 7039 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550WX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 3370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550XAR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R | auf Bestellung 1664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550XAR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 23260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550XAR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143B T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550XAR | NXP | Description: NXP - BFU550XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550XAR | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
BFU550XAR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R | auf Bestellung 1664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550XAR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 59436 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550XAR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550XAR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550XAR | NXP | Description: NXP - BFU550XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550XAR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550XR215 | NXP USA Inc. | Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550XR235 | NXP USA Inc. | Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550XRR | NXP | Description: NXP - BFU550XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, SOT-143R Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 Verlustleistung: 450 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95 Qualifikation: AEC-Q101 Bauform - Transistor: SOT-143R Dauer-Kollektorstrom: 15 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550XRR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550XRR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143R Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550XRR | NXP | Description: NXP - BFU550XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, SOT-143R Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95 DC-Stromverstärkung hFE: 95 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 15 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 450 Verlustleistung: 450 Bauform - Transistor: SOT-143R Bauform - HF-Transistor: SOT-143R Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: BFU550XR Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 15 Übergangsfrequenz: 11 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550XRR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550XRR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU550XRR | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 21.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143R Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5889 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550XRR | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 5507 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550XRR | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 30V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143R T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550XRR215 | NXP USA Inc. | Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550XRVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 9950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550XRVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 30V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550XRVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143R Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550XVL | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 9648 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU550XVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550XVL | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU550XVL | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU580G115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU580GX | NXP | Description: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU580G Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU580GX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-73 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 10.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Active | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU580GX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU580GX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 1957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU580GX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU580GX | NXP | Description: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU580G Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU580GX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-73 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 10.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 11GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Active | auf Bestellung 10258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU580GX | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223 Mounting: SMD Frequency: 11GHz Case: SOT223 Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 60...130 Collector current: 60mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 1W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF | auf Bestellung 898 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU580GX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU580GX | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223 Mounting: SMD Frequency: 11GHz Case: SOT223 Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 60...130 Collector current: 60mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 1W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 898 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFU580QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU580QX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU580QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU580QX | NXP | Description: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BFU580Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU580QX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 8.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU580QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 558 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU580QX | NXP | Description: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BFU580Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU580QX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 8.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active | auf Bestellung 880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU590GX | NXP | Description: NXP - BFU590GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU590GX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SC-73 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 8dB Power - Max: 2W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V Frequency - Transition: 8.5GHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Active | auf Bestellung 16904 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU590GX | NXP | Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT223 Uceo=12V; Ic=0,2A; f=8.5GHz; Pdmax=2W; hfe=60/130 | auf Bestellung 362 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU590GX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 BFU590GX TBFU590g Anzahl je Verpackung: 4 Stücke | auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFU590GX | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.2A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 60...130 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8.5GHz | auf Bestellung 894 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU590GX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU590GX | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
BFU590GX Produktcode: 121346
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: SOT-223 fT: 8,5 GHz Uceo,V: 24 V Ucbo,V: 24 V Ic,A: 0,08 A h21: 95 ZCODE: SMD | auf Bestellung 43 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP | Description: NXP - BFU590GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SC-73 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 8dB Power - Max: 2W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V Frequency - Transition: 8.5GHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Active | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU590GX | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.2A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 60...130 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8.5GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 894 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFU590GX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 17812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU590GX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU590GX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU590Q115 | NXP | Description: NXP - BFU590Q115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 99442 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU590Q115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU590QX Produktcode: 131638
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 6815 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU590QX | NXP | Description: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 7144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 79617 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU590QX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-89 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 6.5dB Power - Max: 2W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU590QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU590QX | NXP | Description: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 7144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU590QX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-89 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 6.5dB Power - Max: 2W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active | auf Bestellung 584 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU590QX | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU610F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Single NPN 15GHz | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU610F,115 | NXP | Description: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU610F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 23.5dB Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU610F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU610F,115 | NXP | Description: NXP - BFU610F,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 3140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU610F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 3353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU610F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 3353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU610F,115 | NXP | Description: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU610F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 23.5dB Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP | auf Bestellung 5773 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU610F,115 Produktcode: 99602
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BFU610F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU630F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU630F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU630F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB ~ 22.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V Frequency - Transition: 21GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU630F,115 | NXP | Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 21GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU630F,115 | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5.5V; 30mA; 200mW; SOT343F Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 0.2W Case: SOT343F Kind of package: reel; tape Frequency: 55GHz Mounting: SMD Current gain: 90...180 Collector-emitter voltage: 5.5V Collector current: 30mA | auf Bestellung 2834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU630F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU630F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz | auf Bestellung 4959 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU630F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU630F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU630F,115 | NXP | Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 21GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU630F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB ~ 22.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V Frequency - Transition: 21GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | auf Bestellung 9705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU630F,115 | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5.5V; 30mA; 200mW; SOT343F Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 0.2W Case: SOT343F Kind of package: reel; tape Frequency: 55GHz Mounting: SMD Current gain: 90...180 Collector-emitter voltage: 5.5V Collector current: 30mA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2834 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFU660F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB ~ 21dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 21GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | auf Bestellung 4878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU660F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU660F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz | auf Bestellung 849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU660F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU660F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R | auf Bestellung 15852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU660F,115 Produktcode: 99607
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BFU660F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB ~ 21dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 21GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU660F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R | auf Bestellung 15852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU660F,115 | NXP | Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 21GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU660F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU660F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU660F,115 | NXP | Description: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 21GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU668F | NXP Semiconductors | BFU668F/DFP4///REEL 7 Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU668F,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR NPN SOT343F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU668F,115 | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT NPN wideband silicon RF transistor | auf Bestellung 2137 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU668F,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR NPN SOT343F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU668F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.04A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU690F,115 | NXP | Description: NXP - BFU690F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 18 GHz, 490 mW, 70 mA, SOT-343F Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 90 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 490 Übergangsfrequenz ft: 18 Bauform - HF-Transistor: SOT-343F Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5.5 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 70 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 2696 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU690F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU690F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4-DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15.5dB ~ 18.5dB Power - Max: 230mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 18GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP | auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU690F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU690F,115 | NXP | Description: NXP - BFU690F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 18 GHz, 490 mW, 70 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5 rohsCompliant: YES Verlustleistung: 490 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Bauform - Transistor: SOT-343F usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 70 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2696 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU690F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4-DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15.5dB ~ 18.5dB Power - Max: 230mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 18GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU690F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU690F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Single NPN 18GHz | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU690F,115 Produktcode: 83917
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BFU710F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU710F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 20407 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU710F,115 | NXP | Description: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 43GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU710F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 20407 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU710F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | auf Bestellung 1998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU710F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 43GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | auf Bestellung 9240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU710F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU710F,115 | NXP | Description: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 43GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU710F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 43GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU725F | NXP | 2007 SOT343 | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU725F Produktcode: 85278
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| NXP | Transistoren > HF-Transistoren Gehäuse: SOT-343 Freq.: 55 GHz | Produkt ist nicht verfügbar |
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BFU725F T/R | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU725F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 70GHZ 4DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 24dB Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 70GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-DFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU725F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU725F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors RF NPN Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU725F/N1 | NXP | SOT343F | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU725F/N1 | NXP Semiconductors | BFU725F/DFP4//N1/REEL 7 Q1/T1 *STANDARD MARK SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R | auf Bestellung 3540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU725F/N1,115 | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 136mW Case: SOT343F Kind of package: reel; tape Frequency: 110GHz Mounting: SMD Current gain: 160...400 Collector-emitter voltage: 2.8V Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe) Collector current: 40mA | auf Bestellung 2692 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU725F/N1,115 | NXP | Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 25mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 55GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R | auf Bestellung 3540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU725F/N1,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 24dB Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 55GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-SO Part Status: Active | auf Bestellung 4541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R | auf Bestellung 8974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU725F/N1,115 | NXP | Description: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 25mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 55GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU725F/N1,115 | NXP | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 136mW Case: SOT343F Kind of package: reel; tape Frequency: 110GHz Mounting: SMD Current gain: 160...400 Collector-emitter voltage: 2.8V Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe) Collector current: 40mA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2692 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU725F/N1,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 24dB Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 55GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-SO Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN | auf Bestellung 885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU725F/N1/S115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU730F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 1896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU730F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 16364 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU730F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 197mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 55GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | auf Bestellung 27992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU730F,115 Produktcode: 99614
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BFU730F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 2160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU730F,115 | NXP | Description: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 197mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 55GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 907 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU730F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU730F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | auf Bestellung 1456 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU730F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 197mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 55GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU730F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU730F,115 | NXP | Description: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 197mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 55GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 907 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU730F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU730F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 16364 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU730LXZ | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors SiGe:C MMIC Transistor | auf Bestellung 5571 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU730LXZ | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R | auf Bestellung 6350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU730LXZ | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ DFN1006C-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 15.8dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V Frequency - Transition: 53GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz Supplier Device Package: DFN1006C-3 | auf Bestellung 4246 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU730LXZ | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU730LXZ | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU730LXZ | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ DFN1006C-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 15.8dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V Frequency - Transition: 53GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz Supplier Device Package: DFN1006C-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU730LXZ | NXP | Description: NXP - BFU730LXZ - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, SOT-883C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: SOT-883C Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 53GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU760F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 1949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU760F,115 | NXP | Description: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 70mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 220mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU760F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 1949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU760F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4-DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU760F,115 | NXP | Description: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 70mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 220mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU760F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 6870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU760F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | auf Bestellung 84930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU760F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU760F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4-DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU760F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU768F,115 | NXP Semiconductors | Description: BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G Packaging: Bulk Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.1dB Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 110GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz Supplier Device Package: 4-DFP | auf Bestellung 2623150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU768F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.1dB Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP | auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP | Description: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 70mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 220mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU768F Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 110GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU768F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor | auf Bestellung 4769 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU768F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 1335000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.1dB Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU768F,115 | NXP | Description: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 70mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 220mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU768F Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 110GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU768F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 568150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU768F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU768F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | auf Bestellung 477000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU768F115 | NXP USA Inc. | Description: NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM R Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.1dB Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU768F115 | NXP | Description: NXP - BFU768F115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2493900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU790F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4-DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 234mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP | auf Bestellung 3587 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU790F,115 | NXP | Description: NXP - BFU790F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 25 GHz, 234 mW, 100 mA, SOT-343F Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8 Verlustleistung: 234 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 235 Qualifikation: - Bauform - Transistor: SOT-343F Dauer-Kollektorstrom: 100 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU790F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU790F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU790F,115 | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4-DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 234mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU790F,115 | NXP | Description: NXP - BFU790F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 25 GHz, 234 mW, 100 mA, SOT-343F Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 235 DC-Stromverstärkung hFE: 235 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 234 Verlustleistung: 234 Bauform - Transistor: SOT-343F Bauform - HF-Transistor: SOT-343F Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.8 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100 Übergangsfrequenz: 25 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU790F,115 | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU790F,115 | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | auf Bestellung 2075 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU910F115 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | auf Bestellung 227704 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU910FX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 13.5dB Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 15mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V Supplier Device Package: 4-DFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU910FX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F Packaging: Bulk Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 13.5dB Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 15mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V Supplier Device Package: 4-DFP | auf Bestellung 882540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFU910FX | NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon germanium RF trans | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU910FX | NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 9.5V 0.015A 300mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BFU910FX | NXP USA Inc. | Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 13.5dB Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 15mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V Supplier Device Package: 4-DFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |