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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FQB020ADC-007-MTDK-LambdaDescription: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Current: 20 A
Voltage - Rated DC: 40V
Applications: General Purpose
Termination Style: PC Pins
Operating Temperature: -55°C ~ 115°C
Configuration: Single Stage
Mounting Type: Through Hole
Filter Type: DC
Packaging: Tray
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+574.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB020ADC-007-MTDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged M screening
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+582.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB020ADC-007-STDK-LambdaDescription: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Packaging: Tray
Filter Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: PC Pins
Applications: General Purpose
Voltage - Rated DC: 40V
Current: 20 A
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+400.47 EUR
10+381.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB020ADC-007-STDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB020ADC-N07-MTDK-LambdaPower Line Filters 40VDC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB020ADC-N07-STDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Non-Flanged
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+389.7 EUR
10+383.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB060AN08A0fairchild07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB10N20FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB10N20Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB10N20CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB10N20LFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB10N20Lonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB10N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB10N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB10N50CFTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB10N50CFTM-WSonsemi / FairchildMOSFET 500V 10A N-Channel
auf Bestellung 4725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.03 EUR
10+5.43 EUR
25+5.13 EUR
100+4.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB10N60Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB10N60Consemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB10N60CTMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB10N60CTMonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB10N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB10N60CTM_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/10A/QFET C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB11M40CTM
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB11N40FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB11N40Consemi / FairchildMOSFET QFC 400V 530MOHM D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB11N40Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB11N40CTMonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.13 EUR
10+4.58 EUR
25+4.33 EUR
100+3.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB11N40CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB11N40CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB11N40TMFAIRCHILD
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB11N40TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
363+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 363 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB11P06fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB11P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB11P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB11P06TMonsemi / FairchildMOSFET 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 6453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+3.09 EUR
100+2.4 EUR
500+1.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12N20FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12N20LFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12N50FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12N50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 12.1A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
176+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12N50TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 6.05A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12N60FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12N60Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12N60CTMonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12N60CTMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12N60CTM_NLonsemi / FairchildMOSFETs N-CH/600V/12A/QFET C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12N60TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
auf Bestellung 6990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
190+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12N60TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P10fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P10TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20onsemi / FairchildMOSFETs QF -200V 470MOHM D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.62 EUR
59+3.99 EUR
100+2.52 EUR
500+2.2 EUR
1000+1.93 EUR
5000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.36 EUR
250+3.22 EUR
800+2.53 EUR
1600+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TMonsemiMOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 17872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.45 EUR
100+2.39 EUR
500+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TMFairchildTransistor P-Channel MOSFET; 200V; 30V; 470mOhm; 11,5A; 120W; -55°C ~ 150°C; FQB12P20TM TFQB12p20tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 34840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
10+3.64 EUR
50+2.78 EUR
100+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB12P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FQB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
500+2.2 EUR
1000+1.93 EUR
5000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.4 EUR
60+2.89 EUR
61+2.8 EUR
100+1.94 EUR
250+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TMonsemi / FairchildMOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 24695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.41 EUR
10+3.17 EUR
100+2.24 EUR
500+1.96 EUR
800+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.59 EUR
30+2.88 EUR
34+2.53 EUR
50+1.86 EUR
100+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 34400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.92 EUR
1600+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.88 EUR
60+2.87 EUR
100+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.4 EUR
60+2.83 EUR
61+2.69 EUR
100+1.83 EUR
250+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB12P20TM_SB82075onsemi / FairchildMOSFETs 200V P-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB13N06FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB13N06Lonsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB13N06Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB13N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB13N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB13N10FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB13N10Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB13N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB13N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB13N50FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB13N50Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB13N50Consemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB13N50CTMonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB13N50CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB13N50CTM_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/500V/13A/QFET C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB140N03LFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB140N03L / FQI140N03L
Produktcode: 45579
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8504409000
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB140N03LTM
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB14N03L
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB14N15FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB14N15TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 14.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB14N30fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB14N30onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB14N30TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
173+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB15N25Cfairchild07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB15P12fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB15P12TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB16N15onsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB16N15fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB16N15TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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