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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
FQB-020-ADC-007-MTDK-LambdaPower Line Filter EMC 50Hz 20A 40VDC PC Pins Flange Mount/Through Hole
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FQB020ADC-007-MTDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged M screening
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FQB020ADC-007-MTDK-LambdaDescription: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Packaging: Tray
Filter Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -55°C ~ 115°C
Termination Style: PC Pins
Applications: General Purpose
Voltage - Rated DC: 40V
Current: 20 A
auf Bestellung 15 Stücke:
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FQB020ADC-007-STDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged
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255+ 478.5 EUR
510+ 454.06 EUR
FQB020ADC-007-STDK-LambdaDescription: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Packaging: Tray
Filter Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: PC Pins
Applications: General Purpose
Voltage - Rated DC: 40V
Current: 20 A
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1+571.4 EUR
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FQB020ADC-N07-STDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Non-Flanged
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10+ 566.12 EUR
30+ 556.24 EUR
60+ 537.08 EUR
105+ 488.25 EUR
255+ 478.5 EUR
510+ 454.06 EUR
FQB060AN08A0fairchildto-263/d2-pak
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FQB060AN08A0fairchild07+ to-263/d2-pak
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FQB10N20FAIRCHILDSOT-263
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FQB10N20fairchildto-263/d2-pak
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FQB10N20FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB10N20FAIRCHILDTO-263
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FQB10N20CFAIRCHILDSOT-263
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FQB10N20Cfairchildto-263/d2-pak
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FQB10N20CFAIRCHILDTO-263
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FQB10N20CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB10N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FQB10N20Lfairchildto-263/d2-pak
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FQB10N20Lonsemi / FairchildMOSFET
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FQB10N20LFAIRCHILDTO-263
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FQB10N20LFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB10N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB10N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB10N50CFTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FQB10N50CFTM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.35A; Idm: 40A; 143W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.35A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 143W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 610mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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FQB10N50CFTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB10N50CFTM-WSonsemi / FairchildMOSFET 500V 10A N-Channel
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7+7.49 EUR
10+ 6.73 EUR
25+ 6.37 EUR
100+ 5.54 EUR
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FQB10N50CFTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
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FQB10N60Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
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FQB10N60CFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB10N60Consemi / FairchildMOSFET
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FQB10N60CFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
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FQB10N60CFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
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FQB10N60CFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB10N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
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FQB10N60CTMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB10N60CTMonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
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FQB10N60CTM_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/10A/QFET C-Series
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FQB11M40CTM
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB11N40FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB11N40fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB11N40FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB11N40FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB11N40FAIRCHIL
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB11N40CFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB11N40Consemi / FairchildMOSFET QFC 400V 530MOHM D2PAK
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FQB11N40CFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB11N40Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB11N40CFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB11N40CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; Idm: 42A; 135W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB11N40CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB11N40CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB11N40CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB11N40CTMonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.37 EUR
10+ 5.69 EUR
25+ 5.38 EUR
100+ 4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FQB11N40TMFAIRCHILD
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB11N40TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB11N40TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
533+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 533
FQB11N40TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB11P06FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB11P06FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB11P06fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB11P06FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB11P06TMFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
449+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 449
FQB11P06TMONSEMIFQB11P06TM SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
FQB11P06TMonsemi / FairchildMOSFET 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 6453 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.26 EUR
14+ 3.85 EUR
100+ 2.99 EUR
500+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FQB11P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB12N20FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N20fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N20FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N20FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N20LFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N20LFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N20LFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N20Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N50FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N50fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N50FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N50FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 12.1A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
258+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 258
FQB12N50TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 6.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB12N60FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
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FQB12N60FAIRCHILDSOT-263
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FQB12N60fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB12N60FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB12N60CFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB12N60Cfairchildto-263/d2-pak
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FQB12N60CFAIRCHILDTO-263
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N60CTMFairchild
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB12N60CTMonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
FQB12N60TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
auf Bestellung 6990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
217+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 217
FQB12N60TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
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FQB12P10FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB12P10fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
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FQB12P10FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12P10FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
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FQB12P10TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK
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FQB12P20FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12P20FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12P20onsemi / FairchildMOSFET QF -200V 470MOHM D2PAK
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FQB12P20FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12P20fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB12P20TMFairchildTransistor P-Channel MOSFET; 200V; 30V; 470mOhm; 11,5A; 120W; -55°C ~ 150°C; FQB12P20TM TFQB12p20tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FQB12P20TMonsemi / FairchildMOSFET 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 34200 Stücke:
Lieferzeit 266-280 Tag (e)
11+4.73 EUR
14+ 3.95 EUR
100+ 3.15 EUR
800+ 2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FQB12P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB12P20TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
On-state resistance: 470mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB12P20TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
On-state resistance: 470mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
FQB12P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.65 EUR
10+ 3.87 EUR
100+ 3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FQB12P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB13N06FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB13N06FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N06fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N06LFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N06Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N06LFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB13N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB13N10FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N10FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N10FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N10fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N10LFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N10Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N10LFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N10LFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB13N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB13N50fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N50FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N50FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N50CFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N50Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N50CFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N50Consemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FQB13N50CFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB13N50CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB13N50CTMonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
FQB13N50CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB13N50CTM_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/500V/13A/QFET C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
FQB140N03LFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB140N03Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB140N03LFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB140N03L / FQI140N03L
Produktcode: 45579		Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8504409000
Produkt ist nicht verfügbar
FQB140N03LTM
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB14N03L
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB14N15FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB14N15FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB14N15FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB14N15fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB14N15TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 14.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB14N30FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB14N30fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB14N30FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB14N30onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FQB14N30FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB14N30TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB14N30TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
188+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 188
FQB15N25Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB15N25Cfairchild07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB15P12FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB15P12FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB15P12fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB15P12FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB15P12TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB15P12TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB16N15FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB16N15Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB16N15FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB16N15fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB16N15FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB16N15TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB16N15TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 16.4A D2PAK
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
451+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 451
FQB16N25FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB16N25onsemi / FairchildMOSFET
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FQB16N25fairchildto-263/d2-pak
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FQB16N25FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB16N25FAIRCHILDTO-263
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FQB16N25Fairchild
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FQB16N25CFAIRCHILDTO-263
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FQB16N25CFAIRCHILDSOT-263
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FQB16N25Cfairchildto-263/d2-pak
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FQB16N25CFAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB16N25CTMfairchildto-263/d2-pak
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FQB16N25CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
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FQB16N25CTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB16N25CTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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FQB16N25CTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
370+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 370
FQB16N25TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
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FQB16N25TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB17N08FAIRCHILDSOT-263
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FQB17N08fairchildto-263/d2-pak
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FQB17N08FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB17N08FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
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FQB17N08Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB17N08LFAIRCHILDTO-263
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FQB17N08LFAIRCHILDSOT-263
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FQB17N08LTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB17N08TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1332+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1332
FQB17P06FAIRCHILDSOT-263
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FQB17P06fairchildto-263/d2-pak
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FQB17P06FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB17P06FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
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FQB17P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB17P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FQB17P10FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
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FQB17P10FAIRCHILDSOT-263
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FQB17P10fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB17P10FAIRCHILD07+ SOT-263
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB17P10TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
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FQB19N10fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB19N10FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB19N10FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
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FQB19N10FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB19N10Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB19N10LFAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB19N10LFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB19N10Lonsemi / FairchildMOSFET
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FQB19N10LFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB19N10LFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB19N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N10LTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
auf Bestellung 5002 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
503+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 503
FQB19N10LTMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB19N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FQB19N20fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB19N20FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB19N20onsemi / FairchildMOSFET QF 200V 150MOHM D2PAK
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FQB19N20FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB19N20FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB19N20CFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB19N20Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB19N20CFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB19N20CFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB19N20CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; Idm: 76A; 139W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 139W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; Idm: 76A; 139W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 139W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20CTMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20LFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB19N20Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB19N20LFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB19N20LFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB19N20LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
41+ 1.76 EUR
54+ 1.34 EUR
57+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 37
FQB19N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20LTMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 31908 Stücke:
Lieferzeit 196-210 Tag (e)
14+3.93 EUR
16+ 3.28 EUR
100+ 2.6 EUR
500+ 2.59 EUR
800+ 1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 14
FQB19N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.94 EUR
41+ 1.76 EUR
54+ 1.34 EUR
57+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 37
FQB19N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 800
FQB19N20TMonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 746 Stücke:
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11+5.17 EUR
13+ 4.32 EUR
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500+ 3.3 EUR
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FQB19N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.3A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 789 Stücke:
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50+3.18 EUR
57+ 2.65 EUR
58+ 2.52 EUR
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250+ 1.86 EUR
500+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FQB19N20TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.3A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20TMFCS02+
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB19N20TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 2290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.17 EUR
10+ 4.3 EUR
100+ 3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FQB19N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB19N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 789 Stücke:
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50+3.18 EUR
57+ 2.65 EUR
58+ 2.52 EUR
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250+ 1.86 EUR
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FQB1N60FAIRCHILDSOT-263
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FQB1N60fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB1N60FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB1N60FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB1N60TMFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 1600 Stücke:
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FQB1N60TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB1P50FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB1P50fairchildto-263/d2-pak
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FQB1P50FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB1P50FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB1P50TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -0.95A; 63W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -0.95A
Power dissipation: 63W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 14
FQB1P50TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.87 EUR
10+ 3.45 EUR
100+ 2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FQB1P50TMonsemi / FairchildMOSFET 500V P-Channel QFET
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.74 EUR
16+ 3.38 EUR
100+ 2.68 EUR
250+ 2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 14
FQB1P50TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB20N06FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB20N06fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB20N06FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB20N06Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB20N06LFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB20N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB20N06LTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB20N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB20N06TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
740+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 740
FQB20N60Lfairchild07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB20N60Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB22P10fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB22P10FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB22P10FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB22P10FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB22P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB22P10TMFairchildTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 30V; 125mOhm; 22A; 125W; -55°C ~ 175°C; FQB22P10TM TFQB22p10tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FQB22P10TMonsemi / FairchildMOSFET 100V P-Channel QFET
auf Bestellung 63854 Stücke:
Lieferzeit 846-860 Tag (e)
12+4.65 EUR
14+ 3.87 EUR
100+ 3.09 EUR
800+ 2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FQB22P10TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.6 EUR
10+ 3.84 EUR
100+ 3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FQB22P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQB22P10TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB22P10TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FQB22P10TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB22P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.11 EUR
1600+ 1 EUR
2400+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 800
FQB22P10TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB22P10TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB22P10TM-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Chan, -100V, -22A 0.125HM@VGS=-10V
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FQB22P10TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB22P10TM_F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB24N08FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB24N08fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB24N08FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB24N08FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB24N08Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB24N08TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB24N08TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB25N33FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB25N33FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB25N33onsemi / FairchildMOSFET 330V, NCH, MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FQB25N33fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB25N33TMonsemi / FairchildMOSFET 330V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FQB25N33TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB25N33TM - MOSFET, N, SMD, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: Unknown
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: Unknown
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQB25N33TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 330V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB25N33TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB25N33TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
auf Bestellung 19100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
201+3.6 EUR
Mindestbestellmenge: 201
FQB25N33TM-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
FQB25N33TM-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
FQB25N33TM-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 330V NCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FQB25N33TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 330V 25A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB25N33TM-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FQB25N33TM-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQB25N33TM-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
159+4.54 EUR
Mindestbestellmenge: 159
FQB25N33TM-F085OSCTONSEMIDescription: ONSEMI - FQB25N33TM-F085OSCT - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQB25N33TM-F085OSCTonsemiDescription: Power Field-Effect Transistor, 2
Packaging: Bulk
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
159+4.54 EUR
Mindestbestellmenge: 159
FQB27N25TMON Semiconductor / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FQB27N25TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 16606 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
232+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 232
FQB27N25TM-AM002ON SemiconductorMOSFET N-Ch 250V 25.5A D2Pak
Produkt ist nicht verfügbar
FQB27N25TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 25.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB27N25TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 25.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB27N25TM-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 250V, 0.11OHM, 25.5A, N-CH MOSFET
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FQB27N25TM-F085Fairchild SemiconductorDescription: FQB27N25 - N-CHANNEL ULTRAFET 25
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
232+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 232
FQB27N25TM-F085PonsemiDescription: N-CHANNEL ULTRAFET 250V, 25.5A,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB27N25TM-F085PonsemiDescription: 250V, 26A, 108M, D2PAKN-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB27N25TM_AM002ON Semiconductor / FairchildMOSFET 250V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
FQB27N25TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB27N25TM_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
Produkt ist nicht verfügbar
FQB27N25TM_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB27N25TM_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB27P06onsemi / FairchildMOSFET QF -60V 70MOHM D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB27P06Fairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB27P06FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB27P06fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB27P06FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB27P06FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB27P06TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB27P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQB27P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB27P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB27P06TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FQB27P06TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB27P06TM
Produktcode: 165405		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
FQB27P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB27P06TMonsemi / FairchildMOSFET 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 11949 Stücke:
Lieferzeit 964-978 Tag (e)
11+4.76 EUR
14+ 3.98 EUR
100+ 3.17 EUR
250+ 2.94 EUR
500+ 2.63 EUR
800+ 2.18 EUR
4800+ 2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FQB27P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB27P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB27P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB28N15FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB28N15FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB28N15fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N30FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N30fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N30FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N30FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N30TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB2N50FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N50fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N50FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N50FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N50Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N50TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB2N50TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N60FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N60fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N60FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N60FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB2N80FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N80module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N80FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N80fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N80FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N80TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB2N90FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N90FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N90fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N90FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB2N90TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB2NA90FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2NA90FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2NA90FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2NA90fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2NA90TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB2O25fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2O25fairchild07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2P25fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2P25FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2P25FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2P25Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2P25FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2P25TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB2P25TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB2P40FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
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FQB2P40Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
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FQB2P40FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB2P40fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
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FQB2P40FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB2P40TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
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FQB2P40TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 400V 2A D2PAK
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FQB30N06FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB30N06FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB30N06fairchildto-263/d2-pak
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FQB30N06Fairchild
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FQB30N06Lfairchildto-263/d2-pak
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FQB30N06LFAIRCHIL09+ DO-214
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FQB30N06LFAIRCHILDSOT-263
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FQB30N06LFAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB30N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 470 Stücke:
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72+2.19 EUR
83+ 1.83 EUR
84+ 1.75 EUR
103+ 1.37 EUR
250+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 72
FQB30N06LTMonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
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14+3.9 EUR
15+ 3.51 EUR
100+ 2.73 EUR
500+ 2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 14
FQB30N06LTMFAIRCHILD
auf Bestellung 600 Stücke:
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FQB30N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB30N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB30N06LTMFAIRCHIL..09+ BGA
auf Bestellung 927 Stücke:
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FQB30N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB30N06LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22.6A; Idm: 128A; 79W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22.6A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 79W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB30N06LTMON Semiconductor
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB30N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB30N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB30N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB30N06TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
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FQB30N06TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
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FQB32N12V2FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB32N12V2FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB32N12V2FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB32N12V2fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB32N12V2TM
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB32N12V2TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
auf Bestellung 100628 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
292+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 292
FQB32N20CFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
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FQB32N20CFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB32N20Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
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FQB32N20CFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB32N20CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB32N20CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB33N10fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB33N10FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB33N10FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB33N10onsemi / FairchildMOSFET QF 100V 52MOHM D2PAK
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FQB33N10FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB33N10Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB33N10LFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB33N10LFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB33N10LFAIRCHIL..09+ TSSOP-56
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB33N10LFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB33N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB33N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB33N10LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FQB33N10LTMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 8634 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.73 EUR
13+ 4.26 EUR
25+ 4.13 EUR
100+ 3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FQB33N10LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB33N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.41 EUR
70+ 2.15 EUR
71+ 2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 65
FQB33N10LTM
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB33N10LTM
Produktcode: 114312		IC > IC andere
Produkt ist nicht verfügbar
FQB33N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB33N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB33N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB33N10TMFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C; FQB33N10TM TFQB33n10tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FQB33N10TMFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB33N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB33N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB33N10TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB33N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQB33N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB33N10TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FQB33N10TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FQB33N10TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34N20FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB34N20FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB34N20onsemi / FairchildMOSFET QF 200V 75MOHM D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34N20FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB34N20fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB34N20Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB34N20LFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB34N20LFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB34N20LFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB34N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34N20LTMonsemi / FairchildMOSFET 200V Single
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34N20LTMFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 80mOhm; 31A; 180W; -55°C ~ 150°C; FQB34N20LTM TFQB34n20ltm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FQB34N20LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34N20LTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34N20TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
111+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 111
FQB34N20TM-AM002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; Idm: 124A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 124A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34N20TM-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FQB34N20TM-AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34N20TM-AM002onsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel QFET
auf Bestellung 3216 Stücke:
Lieferzeit 114-128 Tag (e)
6+9.26 EUR
10+ 8.32 EUR
25+ 7.88 EUR
100+ 6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FQB34N20TM-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34N20TM-AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
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FQB34P10FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB34P10onsemi / FairchildMOSFET QF -100V 60MOHM D2PAK
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FQB34P10FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB34P10fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB34P10FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB34P10TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34P10TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34P10TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34P10TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34P10TMON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 25V; 60mOhm; 33,5A; 155W; -55°C ~ 175°C; FQB34P10TM TFQB34p10tm
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.14 EUR
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FQB34P10TMonsemi / FairchildMOSFET 100V P-Channel QFET
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100+ 4.65 EUR
800+ 3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FQB34P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34P10TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34P10TM-F085ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; Idm: -134A; 155W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Pulsed drain current: -134A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34P10TM-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET -33.5A,-100V, P-ch
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34P10TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34P10TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 33.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34P10TM-F085PON Semiconductor / FairchildMOSFET -33.5A,-100V, P-ch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34P10TM-F085PonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34P10TM-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 33.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
Produkt ist nicht verfügbar
FQB34P10TM-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 33.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
Produkt ist nicht verfügbar
FQB3N25FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N25fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N25FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N25FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N25TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK
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FQB3N30FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N30fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N30FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N30FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N30Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N30TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB3N30TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N40FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N40fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N40FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N40FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N40TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
740+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 740
FQB3N60FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N60FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N60fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N60CFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N60Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N60CFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N60CFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB3N60CTMfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N60CTMFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N60CTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 25 V
auf Bestellung 1376 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
452+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 452
FQB3N60CTMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N80FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N80fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N80FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N80FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N80TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB3N90FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N90FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N90FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N90fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3N90TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB3N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB3P20FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3P20FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3P20Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3P20FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3P20fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3P20TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3P20TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 3077 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
740+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 740
FQB3P50FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3P50FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3P50FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3P50fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB3P50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB44N08FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB44N08fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB44N08FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB44N08FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB44N10FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB44N10fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
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FQB44N10onsemi / FairchildMOSFET QF 100V 39MOHM D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB44N10FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB44N10FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB44N10 (Transistor)
Produktcode: 57769		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
FQB44N10TM
Produktcode: 172567		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FQB44N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.78 EUR
93+ 1.62 EUR
98+ 1.49 EUR
105+ 1.33 EUR
250+ 1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 88
FQB44N10TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30.8A; 146W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 146W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FQB44N10TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQB44N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB44N10TMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.67 EUR
12+ 4.68 EUR
100+ 3.74 EUR
250+ 3.67 EUR
500+ 3.56 EUR
800+ 2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FQB44N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB44N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.62 EUR
10+ 4.67 EUR
100+ 3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FQB44N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 43.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQB44N10TMFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 39mOhm; 43,5A; 146W; -55°C ~ 175°C; FQB44N10TM TFQB44n10tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FQB44N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB44N10TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQB44N10TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30.8A; 146W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 146W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB45N03LFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB45N03Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB45N03LFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB45N15V2Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB45N15V2FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB45N15V2fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB45N15V2FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB45N15V2FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB45N15V2TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 45A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB45N15V2TM
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB45N15V2TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 45A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB46N15TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
197+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 197
FQB46N15TM-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 45.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB46N15TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB47P06FSCSOP14
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB47P06FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB47P06fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB47P06FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB47P06FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB47P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB47P06TM-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB47P06TM-AM002onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB47P06TM-AM002ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB47P06TM-AM002ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FQB47P06TM-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB47P06TM-AM002onsemi / FairchildMOSFET 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 917-931 Tag (e)
7+8.61 EUR
10+ 7.23 EUR
100+ 5.85 EUR
800+ 4.6 EUR
Mindestbestellmenge: 7
FQB47P06TM-AM002onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB47P06TM_AM002ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.21 EUR
55+ 2.79 EUR
56+ 2.63 EUR
100+ 2.03 EUR
250+ 1.89 EUR
500+ 1.69 EUR
1000+ 1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 49
FQB47P06TM_AM002ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB4N20FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N20Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N20FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N20fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N20FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N20Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N20LFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N20LFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N20LFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N20LTMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB4N20TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
auf Bestellung 10614 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
452+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 452
FQB4N20TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N25FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N25FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N25FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N25fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N25TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 3.6A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB4N50FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N50fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N50FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N50FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 3.4A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB4N60FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N60FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N60fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N60FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N80fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N80FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N80FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N80FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4N80TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB4N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB4N80TMonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
FQB4N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.25 EUR
10+ 4.38 EUR
100+ 3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5
FQB4N80TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FQB4N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
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FQB4N90fairchildto-263/d2-pak
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FQB4N90FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB4N90FAIRCHILDTO-263
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FQB4N90FAIRCHILDSOT-263
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FQB4N90TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB4P25fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4P25FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB4P25FAIRCHILDTO-263
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FQB4P25Fairchild
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FQB4P25FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4P25TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4P25TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
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FQB4P40FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB4P40Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
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FQB4P40FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB4P40fairchildto-263/d2-pak
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FQB4P40FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB4P40TMFairchild
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FQB4P40TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 400V 3.5A D2PAK
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FQB4P40TM-NLFairchild
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FQB50N06onsemi / FairchildMOSFET QF 60V 22MOHM D2PAK
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FQB50N06FAIRCHILDTO-263
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FQB50N06FAIRCHILD
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FQB50N06FAIRCHILDSOT-263
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FQB50N06fairchildto-263/d2-pak
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FQB50N06FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB50N06Lfairchildto-263/d2-pak
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FQB50N06LFAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB50N06LFAIRCHILDTO-263
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FQB50N06L
Produktcode: 78106		Verschiedene Bauteile > Other components 3
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FQB50N06LFAIRCHILDSOT-263
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FQB50N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB50N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB50N06LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB50N06LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB50N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB50N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB50N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB50N06TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FQB50N06TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB55N06fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB55N06FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB55N06FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB55N06FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB55N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB55N06TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
314+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 314
FQB55N10FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB55N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 55
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 155
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 155
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQB55N10fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB55N10FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB55N10FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB55N10TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB55N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FQB55N10TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.67 EUR
30+ 2.43 EUR
39+ 1.84 EUR
41+ 1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 27
FQB55N10TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.67 EUR
30+ 2.43 EUR
39+ 1.84 EUR
41+ 1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 27
FQB55N10TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB55N10TMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel QFET
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.75 EUR
11+ 4.78 EUR
100+ 3.82 EUR
800+ 2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FQB58N08FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB58N08FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB58N08fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB58N08TMonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N15FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N15fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N15FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N15FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N15TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 5.4A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N20FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N20FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB5N20fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB5N20FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N20LFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N20LFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N20LFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N20Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N20LTMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N20TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N30FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N30FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N30Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N30FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N30fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N30TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 5.4A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N30TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N40Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N40FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N40fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N40FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N40FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N40TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A D2PAK
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N40TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N50FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N50fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N50FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N50FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N50CFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N50CFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N50CFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N50Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N50CFfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N50CFfairchild07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N50CFTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N50CFTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N50CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N50CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N50CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 73W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 73W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N50CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N50CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N50CTMonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.47 EUR
13+ 4.03 EUR
25+ 3.8 EUR
100+ 3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FQB5N50CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 73W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 73W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N60fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N60FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N60FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N60FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N60CFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N60Consemionsemi QFC 600V 2.5OHM D2PA
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FQB5N60CFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N60Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N60CTMFairchild SemiconductorDescription: 4.5A, 600V, 2OHM, N CHANNEL , D2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 3218 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
503+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 503
FQB5N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N60CTM-WSonsemi / FairchildMOSFET 600V,4.5A NCH MOSFET
auf Bestellung 2057 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.06 EUR
15+ 3.67 EUR
25+ 3.43 EUR
100+ 2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FQB5N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
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FQB5N60CTM-WSON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 4.5A
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FQB5N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.61 EUR
10+ 3 EUR
100+ 2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FQB5N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB5N60TM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQB5N60TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N60TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
431+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 431
FQB5N80fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N80FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N80FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N80FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N80TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 4.8A D2PAK
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FQB5N90fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N90FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N90FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N90Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N90FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 5.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 24800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQB5N90TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 5.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N90TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.47 EUR
24+ 3.07 EUR
31+ 2.36 EUR
33+ 2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
FQB5N90TMonsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
auf Bestellung 12492 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.07 EUR
10+ 5.95 EUR
25+ 5.77 EUR
100+ 4.81 EUR
250+ 4.65 EUR
500+ 4.52 EUR
800+ 3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FQB5N90TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.05 EUR
10+ 5.91 EUR
100+ 4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FQB5N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 5.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5N90TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.47 EUR
24+ 3.07 EUR
31+ 2.36 EUR
33+ 2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
FQB5P10FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5P10Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5P10FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5P10fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5P10FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5P10TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 4.5A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5P10TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5P20FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5P20onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5P20fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5P20FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5P20FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5P20Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB5P20TMonsemi / FairchildMOSFET P-CH/200V/4.8A/1.4OHM
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5P20TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 4.8A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB5P20TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB60N03KN/A
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB60N03LFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB60N03LFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB60N03LFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB60N03Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB60N03LTM
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB60N03LTMonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
FQB630FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB630FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB630FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB630fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB630TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB65N06fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB65N06FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB65N06FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB65N06FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB65N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB65N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB65N06TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V
auf Bestellung 6179 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
314+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 314
FQB6N15fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N15FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N15FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N15Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N15FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N15TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 6.4A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB6N15TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N25fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N25FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N25FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N25FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N25TMRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N40FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N40FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N40fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N40CFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N40Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
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FQB6N40CFAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB6N40CFAIRCHILDTO-263
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FQB6N40CFfairchildto-263/d2-pak
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FQB6N40CFFAIRCHILDSOT-263
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FQB6N40CFTMFAIRCHILDSOT-263
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FQB6N40CFTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
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FQB6N40CFTMfairchildto-263/d2-pak
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FQB6N40CTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
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369+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 369
FQB6N40CTMON Semiconductor / FairchildMOSFET N-CH/400V/6A/CFET
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FQB6N40CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FQB6N40CTMFairchild
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FQB6N45FAIRCHILDTO-263
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FQB6N45FAIRCHILDSOT-263
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FQB6N45fairchildto-263/d2-pak
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FQB6N45FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB6N50FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB6N50FAIRCHILDTO-263
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FQB6N50FAIRCHILDSOT-263
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FQB6N50fairchildto-263/d2-pak
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FQB6N50TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK
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FQB6N60FAIRCHILDSOT-263
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FQB6N60fairchildto-263/d2-pak
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FQB6N60FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB6N60FAIRCHILDTO-263
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FQB6N60Cfairchildto-263/d2-pak
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FQB6N60CFAIRCHILDTO-263
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FQB6N60CFAIRCHILDSOT-263
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FQB6N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB6N60TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 25656 Stücke:
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204+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 204
FQB6N60TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FQB6N70FAIRCHILDSOT-263
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FQB6N70fairchildto-263/d2-pak
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FQB6N70FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB6N70FAIRCHILDTO-263
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FQB6N70TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3322 Stücke:
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124+5.77 EUR
Mindestbestellmenge: 124
FQB6N70TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 700V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FQB6N70TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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FQB6N80FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB6N80FAIRCHILDTO-263
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FQB6N80FAIRCHILDSOT-263
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FQB6N80fairchildto-263/d2-pak
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FQB6N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FQB6N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
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FQB6N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FQB6N80TMON-SemicoductorN-MOSFET 5.8A 800V 158W 1.95Ω FQB6N80TM TFQB6n80tm
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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10+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FQB6N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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81+1.94 EUR
88+ 1.66 EUR
100+ 1.4 EUR
250+ 1.3 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 81
FQB6N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB6N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB6N80TMonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
FQB6N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB6N90FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB6N90fairchildto-263/d2-pak
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FQB6N90FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB6N90TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB6N90TM-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB6N90TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB6P25FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB70N08FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB70N08FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB70N08Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB70N08FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB70N08fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB70N08TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB70N08TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB70N08TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
231+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 231
FQB70N10FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB70N10FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB70N10FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB70N10fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB70N10TMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB70N10TMFairchild
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB70N10TM-AM002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB70N10TM_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB7N10Fairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N10FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N10fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N10FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N10FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N10LFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N10LFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N10LFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N10Lfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FQB7N10TMFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N10TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
952+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 952
FQB7N20FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N20FAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N20FAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N20fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N20LFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
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FQB7N20LFAIRCHILDSOT-263
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FQB7N20Lfairchildto-263/d2-pak
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FQB7N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 6.5A D2PAK
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FQB7N20TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK
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FQB7N30FAIRCHILDTO-263
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FQB7N30Fairchild
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FQB7N30FAIRCHILDSOT-263
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FQB7N30fairchildto-263/d2-pak
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FQB7N30FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB7N30TMFairchild
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FQB7N30TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 10034 Stücke:
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419+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 419
FQB7N30TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
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FQB7N40FAIRCHILDSOT-263
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FQB7N40fairchildto-263/d2-pak
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FQB7N40FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB7N40FAIRCHILDTO-263
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FQB7N60FAIRCHILD07+ SOT-263
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FQB7N60FAIRCHILDTO-263
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FQB7N60FAIRCHILDSOT-263
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FQB7N60fairchildto-263/d2-pak
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FQB7N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
auf Bestellung 3200 Stücke:
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233+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 233
FQB7N60TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; Idm: 29.6A; 142W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 29.6A
Power dissipation: 142W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FQB7N60TMonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
FQB7N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
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FQB7N60TMFairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
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FQB7N60TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQB7N60TM - MOSFET, N, SMD, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: Unknown
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: Unknown
auf Bestellung 1600 Stücke:
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FQB7N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
FQB7N60TM-WSFairchild SemiconductorDescription: FQB7N60 - MOSFET N-CHANNEL SINGL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
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307+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 307
FQB7N60TM_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N60TM_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N60TM_WSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
auf Bestellung 800800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N65CFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FQB7N65Cfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
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FQB7N65CFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N65CTMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 173W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
auf Bestellung 10026 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
193+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 193
FQB7N65CTMfairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N65CTMFAIRCHILDSOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N65CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FQB7N80FAIRC09+ DIP16
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N80FAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N80fairchildto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB7N80FAIRCHILD
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)