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IFX FET 15V-30V

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IQE004NE1LM7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R

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IQE004NE1LM7ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

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IQE004NE1LM7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R

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IQE004NE1LM7ATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm

auf Bestellung 2158 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	6.02 EUR
65+	3.62 EUR
100+	2.33 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.81 EUR

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IQE004NE1LM7ATMA1

MOSFETs IFX FET 15V-30V

auf Bestellung 4413 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.01 EUR
10+	3.22 EUR
100+	2.23 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.69 EUR
5000+	1.56 EUR

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IQE004NE1LM7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R

auf Bestellung 4208 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

292+	2.21 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 292 Stücke

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IQE004NE1LM7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R

auf Bestellung 3454 Stücke:

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79+	2.19 EUR
91+	1.88 EUR
102+	1.63 EUR
106+	1.54 EUR
250+	1.5 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.29 EUR
3000+	1.26 EUR

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IQE004NE1LM7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R

auf Bestellung 4645 Stücke:

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40+	4.32 EUR
59+	2.86 EUR
76+	2.12 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

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IQE004NE1LM7ATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm

auf Bestellung 2158 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.33 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.81 EUR

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IQE004NE1LM7ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

auf Bestellung 2027 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.11 EUR
10+	3.3 EUR
50+	2.51 EUR
100+	2.26 EUR
500+	1.81 EUR

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IQE004NE1LM7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R

auf Bestellung 3454 Stücke:

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79+	2.19 EUR
91+	1.83 EUR
102+	1.57 EUR
106+	1.45 EUR
250+	1.38 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.13 EUR
3000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 79 Stücke

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IQE004NE1LM7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R

auf Bestellung 4645 Stücke:

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40+	4.32 EUR
59+	2.92 EUR
76+	2.2 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.54 EUR

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IQE004NE1LM7ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon Technologies
Produktcode: 222741

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IQE004NE1LM7CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin TTFN EP T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

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5000+	2.05 EUR
20000+	1.84 EUR
30000+	1.68 EUR

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IQE004NE1LM7CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.43 EUR

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IQE004NE1LM7CGATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm

auf Bestellung 537 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.38 EUR
500+	1.98 EUR

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IQE004NE1LM7CGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IQE004NE1LM7CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin TTFN EP T/R

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQE004NE1LM7CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin TTFN EP T/R

auf Bestellung 1792 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

292+	2.21 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 292 Stücke

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IQE004NE1LM7CGATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm

auf Bestellung 537 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	6.15 EUR
63+	3.69 EUR
100+	2.38 EUR
500+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

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IQE004NE1LM7CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

auf Bestellung 9667 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.11 EUR
10+	3.3 EUR
50+	2.51 EUR
100+	2.26 EUR
500+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IQE004NE1LM7CGATMA1

MOSFETs IFX FET 15V-30V

auf Bestellung 3893 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.01 EUR
10+	3.22 EUR
100+	2.23 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.7 EUR
5000+	1.58 EUR

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IQE004NE1LM7CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin TTFN EP T/R

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IQE004NE1LM7CGSC

IFX FET 15V-30V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

auf Bestellung 5423 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.94 EUR
10+	5.21 EUR
50+	4.05 EUR
100+	3.67 EUR
500+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

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IQE004NE1LM7CGSCATMA1

MOSFETs IFX FET 15V-30V

auf Bestellung 56657 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.79 EUR
10+	5.13 EUR
100+	3.62 EUR
500+	3.03 EUR
2500+	2.93 EUR
6000+	2.84 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

auf Bestellung 115 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.72 EUR
59+	2.89 EUR
60+	2.77 EUR
100+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 47 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

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IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm

auf Bestellung 5956 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.86 EUR
500+	3.24 EUR
1000+	3.17 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

auf Bestellung 115 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.72 EUR
59+	2.83 EUR
60+	2.67 EUR
100+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 47 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm

auf Bestellung 5956 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	9.67 EUR
40+	5.91 EUR
100+	3.86 EUR
500+	3.24 EUR
1000+	3.17 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin WHSON EP T/R

auf Bestellung 3828 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

289+	2.24 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 289 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7SCATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm

auf Bestellung 3521 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	7.52 EUR
52+	4.5 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.38 EUR
1000+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

auf Bestellung 7742 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.18 EUR
10+	3.32 EUR
50+	2.53 EUR
100+	2.28 EUR
500+	1.83 EUR

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IQE004NE1LM7SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin WHSON EP T/R

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Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

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IQE004NE1LM7SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin WHSON EP T/R

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IQE004NE1LM7SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6000+	1.42 EUR

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IQE004NE1LM7SCATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IQE004NE1LM7SCATMA1

MOSFETs IFX FET 15V-30V

auf Bestellung 3410 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.09 EUR
10+	2.51 EUR
100+	2.26 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.74 EUR
2500+	1.7 EUR
6000+	1.59 EUR

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IQE004NE1LM7SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin WHSON EP T/R

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	4.27 EUR
59+	2.9 EUR
60+	2.78 EUR
75+	2.18 EUR
100+	1.93 EUR
250+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

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IQE004NE1LM7SCATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm

auf Bestellung 3521 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.89 EUR
500+	2.38 EUR
1000+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IQE004NE1LM7SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin WHSON EP T/R

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	4.27 EUR
59+	2.83 EUR
60+	2.69 EUR
75+	2.06 EUR
100+	1.77 EUR
250+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

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IQE006NE2LM5ATMA1

Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance

auf Bestellung 3167 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	4.2 EUR
65+	2.59 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

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IQE006NE2LM5ATMA1

Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance

auf Bestellung 273 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

81+	2.14 EUR
82+	2.03 EUR
83+	1.93 EUR
100+	1.82 EUR
250+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 81 Stücke

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IQE006NE2LM5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQE006NE2LM5ATMA1

Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance

auf Bestellung 575613 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

207+	3.12 EUR
500+	2.77 EUR
1000+	2.49 EUR
10000+	2.17 EUR
100000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 207 Stücke

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IQE006NE2LM5ATMA1

MOSFETs IFX FET 15V-30V

auf Bestellung 8508 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.05 EUR
10+	3.53 EUR
100+	2.62 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	2.23 EUR

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IQE006NE2LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm

auf Bestellung 7413 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	5.97 EUR
68+	3.44 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.25 EUR
1000+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

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IQE006NE2LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

auf Bestellung 5335 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.59 EUR
10+	4.3 EUR
50+	3.31 EUR
100+	2.99 EUR
500+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IQE006NE2LM5ATMA1

Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance

auf Bestellung 273 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

81+	2.14 EUR
82+	2.08 EUR
83+	2 EUR
100+	1.93 EUR
250+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 81 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5ATMA1

Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5ATMA1

Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	4.61 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQE006NE2LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQE006NE2LM5ATMA1

Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance

auf Bestellung 3167 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 97 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm

auf Bestellung 7413 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.7 EUR
500+	2.25 EUR
1000+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGATMA1

Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.49 EUR
500+	1.84 EUR
1000+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGATMA1

Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance

auf Bestellung 1020 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.71 EUR
71+	2.37 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 47 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3079 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	6.52 EUR
60+	3.93 EUR
100+	2.49 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGATMA1

Keeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance

auf Bestellung 1020 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 85 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGATMA1

MOSFETs IFX FET 15V-30V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSC

IFX FET 15V-30V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSC

IQE006NE2LM5CGSC

auf Bestellung 5800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	4.46 EUR
50+	4.24 EUR
100+	4 EUR
250+	3.8 EUR
500+	3.63 EUR
1000+	3.49 EUR
2500+	3.33 EUR
5000+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

MOSFETs IFX FET 15V-30V

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.78 EUR
10+	4.41 EUR
100+	3.09 EUR
500+	2.67 EUR
1000+	2.51 EUR
2500+	2.45 EUR
6000+	2.28 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm

auf Bestellung 1601 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	10.2 EUR
41+	5.69 EUR
100+	3.69 EUR
500+	2.98 EUR
1000+	2.78 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm

auf Bestellung 1601 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	10.2 EUR
41+	5.69 EUR
100+	3.69 EUR
500+	2.98 EUR
1000+	2.78 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Package / Case: 9-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

auf Bestellung 242 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.16 EUR
10+	4.66 EUR
50+	3.59 EUR
100+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R

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IQE006NE2LM5SC

IFX FET 15V-30V

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IQE006NE2LM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 47A 8-Pin WHSON EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 102 Stücke

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IQE006NE2LM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 47A 8-Pin WHSON EP T/R

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Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

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IQE006NE2LM5SCATMA1

MOSFETs IFX FET 15V-30V

auf Bestellung 7843 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.09 EUR
10+	3.28 EUR
100+	2.26 EUR
500+	1.82 EUR

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IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

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Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

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IQE006NE2LM5SCATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

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IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm

auf Bestellung 98 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	6.54 EUR
59+	3.96 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

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IQE006NE2LM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 47A 8-Pin WHSON EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	4.5 EUR
55+	3.05 EUR
100+	2.11 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

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IQE006NE2LM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 47A 8-Pin WHSON EP T/R

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Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

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IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm

auf Bestellung 98 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	6.54 EUR
59+	3.96 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

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IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

auf Bestellung 5591 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.18 EUR
10+	3.34 EUR
50+	2.55 EUR
100+	2.3 EUR
500+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IQE008N03LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2528 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.87 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IQE008N03LM5ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2528 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	6.32 EUR
56+	4.2 EUR
100+	2.87 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5ATMA1

MOSFETs IFX FET 15V-30V

auf Bestellung 5069 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.71 EUR
10+	3.69 EUR
100+	2.56 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.92 EUR
5000+	1.74 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1662 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.59 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

auf Bestellung 2648 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.21 EUR
10+	3.37 EUR
50+	2.57 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5CGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 5536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.02 EUR
10+	4.19 EUR
100+	3.33 EUR
250+	3.08 EUR
500+	2.78 EUR
1000+	2.43 EUR
5000+	2.2 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5CGATMA1