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IQE004NE1LM7ATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4608 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	5.18 EUR
68+	3.46 EUR
100+	2.4 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 49 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.96 EUR
10+	4.13 EUR
100+	3.28 EUR
500+	2.77 EUR
1000+	2.36 EUR
2000+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4908 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.88 EUR
10+	4.05 EUR
100+	3.2 EUR
250+	2.95 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.31 EUR
2500+	2.18 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7ATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4608 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.4 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4847 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.46 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

auf Bestellung 9980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.84 EUR
10+	4.02 EUR
100+	3.2 EUR
500+	2.71 EUR
1000+	2.3 EUR
2000+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4847 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	5.82 EUR
63+	3.69 EUR
100+	2.46 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4879 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.88 EUR
10+	4.05 EUR
100+	3.2 EUR
250+	2.95 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.31 EUR
2500+	2.18 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

auf Bestellung 402 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.63 EUR
46+	3.68 EUR
47+	3.51 EUR
100+	2.7 EUR
250+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1585 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.51 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4348 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.26 EUR
10+	4.36 EUR
100+	3.47 EUR
250+	3.2 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.49 EUR
2500+	2.37 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

auf Bestellung 5797 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.57 EUR
10+	3.61 EUR
100+	2.49 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

auf Bestellung 402 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.63 EUR
46+	3.76 EUR
47+	3.64 EUR
100+	2.86 EUR
250+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1585 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	5.57 EUR
63+	3.71 EUR
100+	2.51 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7SCATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5426 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	5.18 EUR
66+	3.52 EUR
100+	2.46 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 49 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.26 EUR
10+	4.36 EUR
100+	3.47 EUR
250+	3.2 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.49 EUR
2500+	2.37 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7SCATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6000+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7SCATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5426 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.46 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE004NE1LM7SCATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

auf Bestellung 9031 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.63 EUR
10+	3.65 EUR
100+	2.52 EUR
500+	2.03 EUR
1000+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

auf Bestellung 5345 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.19 EUR
10+	3.36 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm

auf Bestellung 7428 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	5.97 EUR
70+	3.32 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.69 EUR
5000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

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IQE006NE2LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQE006NE2LM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 15V-30V

auf Bestellung 13638 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.19 EUR
10+	3.42 EUR
100+	2.37 EUR
500+	2 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm

auf Bestellung 7428 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.2 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.69 EUR
5000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.49 EUR
500+	1.84 EUR
1000+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IQE006NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 15V-30V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3079 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	6.52 EUR
60+	3.93 EUR
100+	2.49 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSC

Infineon Technologies

IQE006NE2LM5CGSC

auf Bestellung 5800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	4.52 EUR
50+	4.28 EUR
100+	4.05 EUR
250+	3.83 EUR
500+	3.68 EUR
1000+	3.53 EUR
2500+	3.37 EUR
5000+	3.31 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSC

Infineon Technologies

IFX FET 15V-30V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm

auf Bestellung 1611 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	9.34 EUR
41+	5.66 EUR
100+	3.64 EUR
500+	2.98 EUR
1000+	2.95 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R

auf Bestellung 377 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	3.26 EUR

Mindestbestellmenge: 200 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Package / Case: 9-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

auf Bestellung 413 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.76 EUR
10+	4.41 EUR
100+	3.07 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 15V-30V

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.77 EUR
10+	4.66 EUR
100+	3.27 EUR
500+	2.64 EUR
1000+	2.48 EUR
6000+	2.45 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm

auf Bestellung 1611 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	9.34 EUR
41+	5.66 EUR
100+	3.64 EUR
500+	2.98 EUR
1000+	2.95 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 5648 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.09 EUR
10+	3.42 EUR
100+	2.37 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.93 EUR
6000+	1.65 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 224 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	6.05 EUR
62+	3.78 EUR
100+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

auf Bestellung 5895 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.63 EUR
10+	3.65 EUR
100+	2.52 EUR
500+	2.03 EUR
1000+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 224 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	6.05 EUR
62+	3.78 EUR
100+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2528 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.87 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2528 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	6.32 EUR
56+	4.2 EUR
100+	2.87 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 15V-30V

auf Bestellung 5069 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.71 EUR
10+	3.69 EUR
100+	2.56 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.92 EUR
5000+	1.74 EUR

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IQE008N03LM5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

auf Bestellung 3119 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.38 EUR
10+	3.49 EUR
100+	2.39 EUR
500+	1.93 EUR
1000+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1662 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.59 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IQE008N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 5536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.02 EUR
10+	4.19 EUR
100+	3.33 EUR
250+	3.08 EUR
500+	2.78 EUR
1000+	2.43 EUR
5000+	2.2 EUR

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IQE008N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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IQE008N03LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1662 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	6.47 EUR
58+	4.03 EUR
100+	2.59 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE008N03LM5SCATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE012N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.05 EUR
10+	3.27 EUR
100+	2.24 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.69 EUR
2500+	1.63 EUR
5000+	1.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE012N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: IQE012N03LM5CGATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE012N03LM5CGATMA1

Infineon Technologies

Description: IQE012N03LM5CGATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE012N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: IQE012N03LM5CGSCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE012N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE012N03LM5CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: IQE012N03LM5CGSCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6ATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 7826 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.31 EUR
500+	2.02 EUR
1000+	1.94 EUR
5000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4989 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.71 EUR
10+	2.76 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.89 EUR
2500+	1.87 EUR
5000+	1.61 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6ATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 7826 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	6.54 EUR
59+	3.95 EUR
100+	2.81 EUR
500+	2.33 EUR
1000+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active

auf Bestellung 5846 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.41 EUR
10+	4.14 EUR
100+	2.86 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.13 EUR
2000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 205A; 107W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 107W
Drain current: 205A
Case: TSON8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

auf Bestellung 274 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.95 EUR
10+	4.55 EUR
100+	3.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6CGATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6CGATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IQE013N04LM6CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 40V

auf Bestellung 13286 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.99 EUR
10+	3.88 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	2.07 EUR
2500+	1.95 EUR

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IQE013N04LM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

auf Bestellung 29322 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.06 EUR
10+	4.62 EUR
100+	3.22 EUR
500+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 6368 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	7.38 EUR
52+	4.55 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.44 EUR
1000+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

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IQE013N04LM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 32818 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.57 EUR
10+	3.67 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	2.12 EUR
6000+	1.82 EUR

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IQE013N04LM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6000+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

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IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 6368 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	7.38 EUR
52+	4.55 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.44 EUR
1000+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

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IQE013N04LM6SCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 2949 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	8.52 EUR
46+	5.15 EUR
100+	3.32 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

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IQE013N04LM6SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 40V

auf Bestellung 4165 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.9 EUR
10+	3.83 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.23 EUR
1000+	2.12 EUR
2500+	2.09 EUR
6000+	2.01 EUR

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IQE013N04LM6SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

auf Bestellung 10525 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.06 EUR
10+	3.93 EUR
100+	2.73 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IQE013N04LM6SCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 2949 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	8.52 EUR
46+	5.15 EUR
100+	3.32 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE013N04LM6SCATMA1

Infineon Technologies

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6000+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

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IQE018N06NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 60V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6CGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 60V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6CGATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6CGSCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 60V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6SCATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

auf Bestellung 4190 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.43 EUR
10+	4.19 EUR
100+	2.93 EUR
500+	2.56 EUR
2500+	2.48 EUR
6000+	2.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IQE018N06NM6SCATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.81 EUR
10+	4.44 EUR
100+	3.09 EUR
500+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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