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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
NJV1MJD32CT4GonsemiDescription: IC
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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NJV25T-680J-PF
auf Bestellung 8000 Stücke:
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NJV2N6109GonsemiDescription: BIP T0-220 PNP 7A 50V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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NJV2N6109GONSEMIDescription: ONSEMI - NJV2N6109G - BIP T0-220 PNP 7A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NJV32T-R47J-PFDTDKDO214
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NJV4030PT1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
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49+1.06 EUR
59+ 0.89 EUR
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500+ 0.55 EUR
1000+ 0.4 EUR
2000+ 0.37 EUR
10000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 49
NJV4030PT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
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NJV4030PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJV4030PT1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
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NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NJV4030PT1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
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NJV4030PT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NJV4030PT3GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
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NJV4030PT3GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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8000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 45
NJV4030PT3GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
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NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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3000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 468
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
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3000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 489
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NJV4031NT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT SOT223 BP
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NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NJV4031NT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
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NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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4000+0.29 EUR
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NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NJV4031NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2000 Stücke:
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NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NJV4031NT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
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NJV4031NT3GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
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NJV4031NT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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470+0.33 EUR
486+ 0.31 EUR
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543+ 0.24 EUR
1000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 470
NJV4031NT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3960 Stücke:
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489+0.32 EUR
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3000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 489
NJV4031NT3GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
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NJV4031NT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NJV4031NT3GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT SOT223 BP
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
54+0.97 EUR
61+ 0.85 EUR
100+ 0.69 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.48 EUR
4000+ 0.47 EUR
8000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 54
NJV6407CFQFP64
auf Bestellung 89 Stücke:
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NJV7002MJRC01+
auf Bestellung 608 Stücke:
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NJV7032M-TBB
auf Bestellung 1700 Stücke:
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NJV7052M
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJV7082BVJRC00+ SSOP
auf Bestellung 860 Stücke:
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NJV7141F-TE1
auf Bestellung 2208 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJV7201L55
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJV7261V30-TE1JRC1997 SOT23-6
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJV7660MJRCSOP-8 04+
auf Bestellung 188 Stücke:
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NJVBD139GonsemiDescription: BIP C77 NPN 1.5A 80V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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NJVBD437TGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVBD437TG - BIP C77 NPN 4A 45V
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productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVBD437TGonsemiDescription: BIP C77 NPN 4A 45V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1158+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1158
NJVBDW42onsemiDarlington Transistors
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NJVBDW42GonsemiDarlington Transistors
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NJVBDW47onsemiDarlington Transistors
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NJVBDW47GonsemiDarlington Transistors
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NJVBDX33CGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVBDX33CG - BIP TO-220 NPN 10A 100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 39900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVBDX33CGonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 10A 100V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 29150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
987+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 987
NJVBDX53ConsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 65 W
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NJVBDX53C
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVBUB323ZT4GON Semiconductor
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVBUB323ZT4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 150 W
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NJVBUB323ZT4GON SemiconductorNPN Silicon Power Darlington
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NJVBUB323ZT4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVBUB323ZT4GON SemiconductorDarlington Transistors BIP D2PAK DARL XSTR TR
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMD45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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NJVMJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 4165 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.09 EUR
11+ 2.52 EUR
100+ 1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NJVMJB41CT4GFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 57600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
533+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 533
NJVMJB41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVMJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJB41CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 98-112 Tag (e)
17+3.15 EUR
21+ 2.59 EUR
100+ 2 EUR
500+ 1.89 EUR
800+ 1.35 EUR
2400+ 1.3 EUR
4800+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NJVMJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
800+1.66 EUR
1600+ 1.35 EUR
2400+ 1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 800
NJVMJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 4165 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.09 EUR
11+ 2.52 EUR
100+ 1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 9
NJVMJB41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVMJB41CT4GON Semiconductor
auf Bestellung 4346 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJB42CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 6A 100V TR
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.15 EUR
20+ 2.7 EUR
100+ 2.38 EUR
500+ 2.02 EUR
800+ 1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NJVMJB42CT4GON Semiconductor
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.8 EUR
10+ 3.11 EUR
100+ 2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 7
NJVMJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJB44H11T4GFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 73342 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
447+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 447
NJVMJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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NJVMJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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NJVMJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVMJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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NJVMJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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NJVMJB44H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 91-105 Tag (e)
14+3.72 EUR
18+ 3.04 EUR
100+ 2.38 EUR
500+ 2.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 14
NJVMJB44H11T4GON Semiconductor
auf Bestellung 6260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVMJB45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVMJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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NJVMJB45H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR
auf Bestellung 6938 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.77 EUR
17+ 3.09 EUR
100+ 2.44 EUR
500+ 1.95 EUR
800+ 1.67 EUR
2400+ 1.57 EUR
4800+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14
NJVMJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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NJVMJB45H11T4GON Semiconductor
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJB45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVMJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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NJVMJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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NJVMJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 25434 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
447+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 447
NJVMJD112GON Semiconductor
auf Bestellung 55 Stücke:
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NJVMJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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NJVMJD112GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 6771 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
16+1.72 EUR
75+ 1.41 EUR
150+ 1.02 EUR
525+ 0.85 EUR
1050+ 0.73 EUR
2025+ 0.65 EUR
5025+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 16
NJVMJD112GonsemiDarlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
30+1.77 EUR
35+ 1.51 EUR
75+ 1.05 EUR
525+ 0.88 EUR
1050+ 0.73 EUR
2550+ 0.64 EUR
4950+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 30
NJVMJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
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NJVMJD112T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 2A 100V TR
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 77-91 Tag (e)
28+1.88 EUR
32+ 1.63 EUR
100+ 1.13 EUR
500+ 0.95 EUR
1000+ 0.82 EUR
2500+ 0.73 EUR
5000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NJVMJD112T4G
auf Bestellung 200500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 1706 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+1.9 EUR
16+ 1.65 EUR
100+ 1.14 EUR
500+ 0.95 EUR
1000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 14
NJVMJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NJVMJD117T4GonsemiDarlington Transistors BIP PNP 2A 100V TR
auf Bestellung 4252 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
22+2.44 EUR
26+ 2.02 EUR
100+ 1.57 EUR
500+ 1.33 EUR
1000+ 1.09 EUR
2500+ 1.02 EUR
5000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NJVMJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NJVMJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD122T4G
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3565 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.16 EUR
14+ 1.86 EUR
100+ 1.29 EUR
500+ 1.08 EUR
1000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NJVMJD122T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.15 EUR
28+ 1.88 EUR
100+ 1.3 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 0.92 EUR
2500+ 0.82 EUR
5000+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NJVMJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NJVMJD122T4G-VF01ON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVMJD122T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 8A, 80mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD122T4G-VF01onsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NJVMJD122T4G-VF01ON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD122T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 8A, 80mA
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Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD122T4G-VF01ON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD127T4onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
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Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
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Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 1554858 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.21 EUR
14+ 1.92 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.11 EUR
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NJVMJD127T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V
auf Bestellung 12701 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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42+ 1.25 EUR
100+ 1.1 EUR
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2500+ 0.85 EUR
5000+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 40
NJVMJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
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Power - Max: 20 W
auf Bestellung 1552500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.84 EUR
5000+ 0.8 EUR
12500+ 0.74 EUR
25000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NJVMJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD128T4GonsemiDarlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR
auf Bestellung 5540 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
29+1.84 EUR
33+ 1.62 EUR
100+ 1.12 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.82 EUR
2500+ 0.73 EUR
5000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 29
NJVMJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
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Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
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NJVMJD128T4GON Semiconductor
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NJVMJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
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NJVMJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NJVMJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
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NJVMJD148T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 45V TR
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38+1.4 EUR
40+ 1.33 EUR
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2500+ 0.99 EUR
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NJVMJD148T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
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NJVMJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
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NJVMJD210T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 5A 25V TR
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NJVMJD210T4GonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A, PN
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NJVMJD210T4G-VF01onsemiDescription: NJVMJD210T4G-VF01
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NJVMJD243T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V TR
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40+1.31 EUR
44+ 1.2 EUR
100+ 0.99 EUR
500+ 0.9 EUR
1000+ 0.81 EUR
2500+ 0.74 EUR
5000+ 0.69 EUR
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NJVMJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
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14+1.95 EUR
16+ 1.69 EUR
100+ 1.17 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 14
NJVMJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
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NJVMJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NJVMJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD253T4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NJVMJD253T4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 4A 100V
auf Bestellung 10000 Stücke:
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NJVMJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NJVMJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 15000 Stücke:
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2500+0.62 EUR
5000+ 0.58 EUR
12500+ 0.54 EUR
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NJVMJD2955T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 60V TR
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NJVMJD2955T4GON Semiconductor
auf Bestellung 2103 Stücke:
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NJVMJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 16508 Stücke:
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17+1.61 EUR
19+ 1.41 EUR
100+ 0.97 EUR
500+ 0.81 EUR
1000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NJVMJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 4619 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.47 EUR
13+ 2.02 EUR
100+ 1.57 EUR
500+ 1.33 EUR
1000+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NJVMJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NJVMJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD3055T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V TR
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 105-119 Tag (e)
21+2.49 EUR
26+ 2.03 EUR
100+ 1.58 EUR
500+ 1.34 EUR
1000+ 1.09 EUR
2500+ 1.03 EUR
5000+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 21
NJVMJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD31CGonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
auf Bestellung 1408 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
36+1.45 EUR
42+ 1.25 EUR
75+ 0.81 EUR
525+ 0.74 EUR
1050+ 0.66 EUR
1875+ 0.54 EUR
5625+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 36
NJVMJD31CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.48 EUR
75+ 1.24 EUR
150+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NJVMJD31CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
auf Bestellung 14504 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
44+1.21 EUR
49+ 1.08 EUR
100+ 0.82 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.71 EUR
1800+ 0.63 EUR
3600+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 44
NJVMJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1800+0.7 EUR
3600+ 0.63 EUR
5400+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
NJVMJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 7252 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
16+1.66 EUR
19+ 1.43 EUR
100+ 0.99 EUR
500+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 16
NJVMJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD31CT4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD31CT4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD31CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
32+1.64 EUR
36+ 1.46 EUR
100+ 1 EUR
500+ 0.85 EUR
1000+ 0.73 EUR
2500+ 0.63 EUR
5000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 32
NJVMJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD31CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V TR
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NJVMJD31CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.84 EUR
223+ 0.68 EUR
226+ 0.64 EUR
320+ 0.44 EUR
323+ 0.41 EUR
500+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 186
NJVMJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 629375 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.38 EUR
22+ 1.2 EUR
100+ 0.83 EUR
500+ 0.69 EUR
1000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NJVMJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 627500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.53 EUR
5000+ 0.5 EUR
12500+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NJVMJD31T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD32CGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V
auf Bestellung 1584 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
38+1.4 EUR
39+ 1.35 EUR
75+ 0.81 EUR
525+ 0.72 EUR
1050+ 0.61 EUR
1875+ 0.5 EUR
5625+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 38
NJVMJD32CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 3405 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.4 EUR
75+ 1.15 EUR
150+ 0.84 EUR
525+ 0.7 EUR
1050+ 0.6 EUR
2025+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NJVMJD32CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V TR
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 717-731 Tag (e)
38+1.4 EUR
43+ 1.22 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.71 EUR
1000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 38
NJVMJD32CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
19+1.4 EUR
22+ 1.21 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NJVMJD32CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVMJD32CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJD32CT4GON Semiconductor
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVMJD32CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVMJD32CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD32CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD32CT4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V TR
auf Bestellung 4956 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NJVMJD32CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD32CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2135 Stücke:
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356+0.44 EUR
368+ 0.41 EUR
373+ 0.39 EUR
413+ 0.34 EUR
420+ 0.32 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 356
NJVMJD32CT4G-VF02onsemiDescription: IC
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD32T4GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 1448 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.42 EUR
13+ 2.14 EUR
100+ 1.64 EUR
500+ 1.29 EUR
1000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NJVMJD32T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR
auf Bestellung 3422 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.3 EUR
26+ 2.01 EUR
100+ 1.54 EUR
500+ 1.22 EUR
1000+ 0.98 EUR
2500+ 0.88 EUR
10000+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NJVMJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD32T4GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD340T4GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD340T4GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD340T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.5A 300V TR
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
30+1.74 EUR
35+ 1.5 EUR
100+ 1.04 EUR
500+ 0.87 EUR
1000+ 0.75 EUR
2500+ 0.66 EUR
5000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 30
NJVMJD340T4G-VF01ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK-4
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD340T4G-VF01ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK-4
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD350T4GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NJVMJD350T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.5A 300V TR
auf Bestellung 2246 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
34+1.57 EUR
38+ 1.37 EUR
100+ 0.95 EUR
500+ 0.79 EUR
1000+ 0.67 EUR
2500+ 0.6 EUR
5000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 34
NJVMJD350T4GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.59 EUR
20+ 1.36 EUR
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500+ 0.79 EUR
1000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NJVMJD41CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
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Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
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Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.86 EUR
5000+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NJVMJD41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
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Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.08 EUR
16+ 1.71 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NJVMJD41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD41CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK-4
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD42CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
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Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
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Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1800+1 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
NJVMJD42CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
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Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
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Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.26 EUR
15+ 1.85 EUR
100+ 1.44 EUR
500+ 1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NJVMJD42CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 6A 100V TR
auf Bestellung 1812 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.27 EUR
28+ 1.87 EUR
100+ 1.45 EUR
500+ 1.23 EUR
1000+ 1.1 EUR
1800+ 0.97 EUR
3600+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NJVMJD42CT4
auf Bestellung 8437 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJD42CT4onsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
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Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD42CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
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Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
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Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+1.87 EUR
17+ 1.62 EUR
100+ 1.12 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 14
NJVMJD42CT4GON Semiconductor
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJD42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
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Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD42CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK-4
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44E3T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.26 EUR
14+ 1.86 EUR
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500+ 1.23 EUR
1000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NJVMJD44E3T4GON Semiconductor
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJD44E3T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+0.94 EUR
5000+ 0.89 EUR
12500+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NJVMJD44E3T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 10A 80V TR
auf Bestellung 2494 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
28+1.86 EUR
33+ 1.59 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 0.98 EUR
2500+ 0.92 EUR
5000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NJVMJD44H11D3T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11D3T4GonsemiBipolar Transistors - BJT SILICON POWER TRANSI
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11D3T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 4-Pin(3+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11D3T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 2176 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
50+14.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
NJVMJD44H11GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V
auf Bestellung 1638 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.23 EUR
29+ 1.85 EUR
75+ 1.44 EUR
525+ 1.22 EUR
1050+ 0.99 EUR
2550+ 0.93 EUR
5100+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NJVMJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3441 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.24 EUR
75+ 1.8 EUR
150+ 1.43 EUR
525+ 1.21 EUR
1050+ 0.99 EUR
2025+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NJVMJD44H11RLGON Semiconductor
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJD44H11RLGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.03 EUR
15+ 1.77 EUR
100+ 1.22 EUR
500+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NJVMJD44H11RLGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11RLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
100+ 0.72 EUR
113+ 0.64 EUR
124+ 0.58 EUR
131+ 0.55 EUR
500+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 76
NJVMJD44H11RLGonsemiBipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transistor, NPN, 8 A, 80 V, 20 Watt
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 56-70 Tag (e)
26+2.06 EUR
30+ 1.78 EUR
100+ 1.23 EUR
500+ 1.03 EUR
1000+ 0.99 EUR
1800+ 0.85 EUR
3600+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NJVMJD44H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11RLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
100+ 0.72 EUR
113+ 0.64 EUR
124+ 0.58 EUR
131+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 76
NJVMJD44H11RLG-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11RLG-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11RLG-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11RLG-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11RLG-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11RLG-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11T4
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJD44H11T4onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.21 EUR
14+ 1.91 EUR
100+ 1.32 EUR
500+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NJVMJD44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVMJD44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVMJD44H11T4G
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJD44H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR
auf Bestellung 4304 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
36+1.47 EUR
100+ 1.16 EUR
500+ 1.06 EUR
1000+ 0.95 EUR
2500+ 0.8 EUR
10000+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 36
NJVMJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJD44H11T4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT SILICON POWER TRANSISTOR
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
22+2.39 EUR
25+ 2.16 EUR
100+ 1.69 EUR
500+ 1.39 EUR
1000+ 1.1 EUR
2500+ 1.02 EUR
5000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NJVMJD44H11T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD45H11D3T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 4-Pin(3+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD45H11D3T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
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Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD45H11GonsemiBipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transistor, PNP, 8 A, 80 V, 20 Watt
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.27 EUR
25+ 2.12 EUR
75+ 1.27 EUR
525+ 1.07 EUR
1050+ 0.85 EUR
2550+ 0.81 EUR
5100+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NJVMJD45H11GON Semiconductor
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJD45H11GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
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Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5145 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.26 EUR
75+ 1.86 EUR
150+ 1.35 EUR
525+ 1.13 EUR
1050+ 0.96 EUR
2025+ 0.86 EUR
5025+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NJVMJD45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD45H11RLGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
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Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD45H11RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD45H11RLGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
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Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.21 EUR
15+ 1.8 EUR
100+ 1.4 EUR
500+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NJVMJD45H11RLGON Semiconductor
auf Bestellung 8190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVMJD45H11RLG-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD45H11RLG-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD45H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transistor, PNP, 8 A, 80 V, 20 Watt
auf Bestellung 1577 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.23 EUR
29+ 1.84 EUR
100+ 1.43 EUR
500+ 1.21 EUR
1000+ 0.99 EUR
2500+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NJVMJD45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVMJD45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1739 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.24 EUR
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1000+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NJVMJD45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVMJD45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
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Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD45H11T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD45H11T4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
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Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD45H11T4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
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Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD47T4GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
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Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
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Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD47T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD47T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 250V TR
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD47T4GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD50T4GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1A DPAK
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.03 EUR
15+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NJVMJD50T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD50T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 400V TR
auf Bestellung 27110 Stücke:
Lieferzeit 603-617 Tag (e)
30+1.78 EUR
34+ 1.57 EUR
100+ 1.21 EUR
500+ 0.95 EUR
1000+ 0.76 EUR
2500+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 30
NJVMJD50T4GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD50T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD6039T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
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NJVMJD6039T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 4A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NJVMJD6039T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 2A 80V
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.15 EUR
28+ 1.91 EUR
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1000+ 0.92 EUR
2500+ 0.82 EUR
5000+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NJVMJE15032GonsemiDescription: NPN PWR XSTR AUDIO DRV
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJF6668Gonsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJK31CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP LFPAK4 NPN 3A 100V TR
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
22+2.42 EUR
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100+ 1.54 EUR
500+ 1.31 EUR
1000+ 1.12 EUR
3000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NJVMJK31CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
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Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVMJK31CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVMJK32CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK32CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
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Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVMJK32CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK32CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVMJK32CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP LFPAK4 PNP 3A 100V TR
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
22+2.44 EUR
26+ 2.03 EUR
100+ 1.58 EUR
500+ 1.33 EUR
1000+ 1.09 EUR
3000+ 1.02 EUR
6000+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NJVMJK44H11TWGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PWR XTSR 8A/80V LFPAK56
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 84-98 Tag (e)
22+2.39 EUR
27+ 1.98 EUR
100+ 1.54 EUR
500+ 1.3 EUR
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3000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NJVMJK44H11TWGonsemiDescription: 80 V, 8A, LOW VCE(SAT) NPN TRANS
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJK44H11TWGonsemiDescription: 80 V, 8A, LOW VCE(SAT) NPN TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJK45H11TWGonsemiDescription: 80 V, 8A, LOW VCE(SAT) PNP TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
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Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJK45H11TWGonsemiDescription: 80 V, 8A, LOW VCE(SAT) PNP TRANS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJK45H11TWGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PWR XTSR 8A/80V LFPAK56
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 675-689 Tag (e)
22+2.39 EUR
27+ 1.98 EUR
100+ 1.54 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1.06 EUR
3000+ 1 EUR
6000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NJVNJD1718T4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NJVNJD1718T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVNJD1718T4GRochester Electronics, LLCDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVNJD1718T4GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIPOLAR DPAK 50V
auf Bestellung 2334 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NJVNJD1718T4GON Semiconductor
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVNJD1718T4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 2A DPAK
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVNJD2873T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
auf Bestellung 28521 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
28+1.86 EUR
33+ 1.61 EUR
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500+ 0.93 EUR
1000+ 0.8 EUR
2500+ 0.71 EUR
5000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NJVNJD2873T4GONSEMINJVNJD2873T4G NPN SMD transistors
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
NJVNJD2873T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NJVNJD2873T4GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.68 W
auf Bestellung 2416 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.08 EUR
15+ 1.81 EUR
100+ 1.39 EUR
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1000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NJVNJD2873T4GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.68 W
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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367+ 0.41 EUR
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NJVNJD35N04GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NJVNJD35N04GON SemiconductorDarlington Transistors Pwr DARLINGTON TRANSIST
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NJVNJD35N04GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
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NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NJVNJD35N04T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
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NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NJVNJD35N04T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
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NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NJVNJD35N04T4GonsemiDarlington Transistors NPN DARLINGTON Pwr TRAN
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NJVTIP106GonsemiSwitching Controllers
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NJVTIP31CGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP31CG - BIP TO-220 NPN 3A 100V
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NJVTIP31CGonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 3A 100V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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987+0.72 EUR
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NJVTIP31GonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 3A 100V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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987+0.72 EUR
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NJVTIP31GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP31G - BIP TO-220 NPN 3A 100V
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NJVTIP32BGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP32BG - BIP T0220 PNP 3A 80V
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NJVTIP32BGonsemiDescription: BIP T0220 PNP 3A 80V
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Part Status: Active
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919+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 919
NJVTIP50GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP50G - BIP TO-220 NPN 1A 400V
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NJVTIP50GonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 1A 400V
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Part Status: Active
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951+0.76 EUR
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