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IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS IXYH50N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 600W
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Technology: GenX3™; Planar; XPT™
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Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Type of transistor: IGBT
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IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS IXYH50N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Mounting: THT
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Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
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Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Type of transistor: IGBT
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IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS media-3321896.pdf IGBT Transistors 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
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NTBL050N65S3H NTBL050N65S3H onsemi NTBL050N65S3H_D-2318665.pdf MOSFET MOSFET - Power, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 49 A, 50 mohm, TOLL MOSFET - Power, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 49 A, 50 mohm
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NTD250N65S3H NTD250N65S3H onsemi NTD250N65S3H_D-2318527.pdf MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 13 A, 250 mohm, DPAK
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1000+ 2.76 EUR
NTHL050N65S3HF NTHL050N65S3HF onsemi NTHL050N65S3HF_D-2318699.pdf MOSFET SF3 650V 50MOHM
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NTMT150N65S3HF NTMT150N65S3HF onsemi NTMT150N65S3HF_D-2319094.pdf MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 24 A, 150 mohm, Power88
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NTP150N65S3HF NTP150N65S3HF onsemi NTP150N65S3HF_D-2319009.pdf MOSFET Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
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NTPF250N65S3H NTPF250N65S3H onsemi NTPF250N65S3H_D-2319352.pdf MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 13 A, 250 mohm, TO220F
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1000+ 3.2 EUR
NTPF250N65S3H NTPF250N65S3H ON Semiconductor ntpf250n65s3h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A Tube
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NVB150N65S3F NVB150N65S3F onsemi NVB150N65S3F_D-2319371.pdf MOSFET 650V FRFET,150M
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NVHL050N65S3HF NVHL050N65S3HF onsemi NVHL050N65S3HF_D-2319661.pdf MOSFET Power Mosfet - N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 58 A, 50 mohm
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900+ 9.94 EUR
STP50N65DM6 STP50N65DM6 STMicroelectronics stp50n65dm6-1851540.pdf MOSFET N-channel 650 V, 74 mOhm typ 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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1000+ 6.85 EUR
STW50N65DM2AG STW50N65DM2AG STMicroelectronics stw50n65dm2ag-1852091.pdf MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET
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WG50N65DHWQ WG50N65DHWQ WeEn Semiconductors IGBT Transistors WG50N65DHW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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600+ 3.43 EUR
1200+ 2.92 EUR
AIGW50N65F5 Infineon
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FCMT250N65S3 ON Semiconductor fcmt250n65s3-d.pdf
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FCPF250N65S3L1 ON Semiconductor fcpf250n65s3l1-d.pdf
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FCPF250N65S3R0L ON Semiconductor fcpf250n65s3r0l-d.pdf
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IGW50N65H5 Infineon technologies Part_Number_Guide_Web.pdf
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IHW50N65R5 Infineon technologies
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IKW50N65EH5 Infineon
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IKW50N65F5 Infineon Part_Number_Guide_Web.pdf
auf Bestellung 960 Stücke:
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IKZ50N65NH5 Infineon technologies
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M34350N6-562SP MTTSUBIS
auf Bestellung 1878 Stücke:
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M34350N6562SP
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NGTB50N65FL2WG ON Semiconductor ngtb50n65fl2w-d.pdf
auf Bestellung 196 Stücke:
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auf Bestellung 600 Stücke:
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NTHL050N65S3HF ON Semiconductor nthl050n65s3hf-d.pdf
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NTP150N65S3HF ON Semiconductor ntp150n65s3hf-d.pdf
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NTPF150N65S3HF ON Semiconductor ntpf150n65s3hf-d.pdf
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NVB150N65S3F ON Semiconductor nvb150n65s3f-d.pdf
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NVH4L050N65S3F ON Semiconductor nvh4l050n65s3f-d.pdf
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NVHL050N65S3HF ON Semiconductor nvhl050n65s3hf-d.pdf
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WG50N65DFBHWQ
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AIKW50N65DH5XKSA1
Produktcode: 168638 		Infineon-AIKW50N65DH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d08132bd27f3c Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1
Produktcode: 85495 		DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IGW50N65H5
Produktcode: 182512 		Part_Number_Guide_Web.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IKW50N65ET7XKSA1
Produktcode: 178408 		Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bed62757f8 Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IKW50N65F5
Produktcode: 187321 		Part_Number_Guide_Web.pdf Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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IKW50N65F5FKSA1
Produktcode: 162192 		DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5 Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IKW50N65H5FKSA1
Produktcode: 125871 		DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951 Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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NGTB50N65FL2WAG
Produktcode: 154577 		ngtb50n65fl2wa-d.pdf Verschiedene Bauteile > Other components 3
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XYH50N65C3H1
Produktcode: 167754 		Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
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AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
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Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
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Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies 176infineon-aigw50n65f5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625cc9456a015d08.pdf High Speed Fast IGBT Chip
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AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
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AIGW50N65H5XKSA1 Infineon Technologies infineon-aigw50n65h5-ds-v02_01-en.pdf AIGW50N65H5XKSA1
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AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies infineon-aikb50n65dh5-datasheet-v02_01-en.pdf SP001686000
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AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N65DF5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
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Manufacturer series: F5
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Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N65DF5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
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Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies 42infineon-aikw50n65df5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625cc9456a015d0.pdf High Speed fast IGBT
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AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N65DH5XKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
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Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N65DH5XKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
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Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
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Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies infineon-aikw50n65dh5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625cc9456a015d0.pdf High speed fast IGBT
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BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
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Case: TO247-3
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Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
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Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
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Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
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Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BIDW50N65T Bourns bidw50n65t.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
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Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
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Type of transistor: IGBT
auf Bestellung 300 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Mounting: THT
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Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
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Type of transistor: IGBT
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IXYH50N65C3H1 media-3321896.pdf
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
IGBT Transistors 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
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NTBL050N65S3H NTBL050N65S3H_D-2318665.pdf
NTBL050N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFET MOSFET - Power, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 49 A, 50 mohm, TOLL MOSFET - Power, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 49 A, 50 mohm
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NTD250N65S3H NTD250N65S3H_D-2318527.pdf
NTD250N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 13 A, 250 mohm, DPAK
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NTHL050N65S3HF NTHL050N65S3HF_D-2318699.pdf
NTHL050N65S3HF
Hersteller: onsemi
MOSFET SF3 650V 50MOHM
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NTMT150N65S3HF NTMT150N65S3HF_D-2319094.pdf
NTMT150N65S3HF
Hersteller: onsemi
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 24 A, 150 mohm, Power88
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NTP150N65S3HF NTP150N65S3HF_D-2319009.pdf
NTP150N65S3HF
Hersteller: onsemi
MOSFET Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
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NTPF250N65S3H NTPF250N65S3H_D-2319352.pdf
NTPF250N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 13 A, 250 mohm, TO220F
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NTPF250N65S3H ntpf250n65s3h-d.pdf
NTPF250N65S3H
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 13A Tube
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NVB150N65S3F NVB150N65S3F_D-2319371.pdf
NVB150N65S3F
Hersteller: onsemi
MOSFET 650V FRFET,150M
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500+ 3.94 EUR
800+ 3.34 EUR
NVHL050N65S3HF NVHL050N65S3HF_D-2319661.pdf
NVHL050N65S3HF
Hersteller: onsemi
MOSFET Power Mosfet - N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 58 A, 50 mohm
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450+ 11.04 EUR
900+ 9.94 EUR
STP50N65DM6 stp50n65dm6-1851540.pdf
STP50N65DM6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 74 mOhm typ 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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1000+ 6.85 EUR
STW50N65DM2AG stw50n65dm2ag-1852091.pdf
STW50N65DM2AG
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET
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WG50N65DHWQ
WG50N65DHWQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
IGBT Transistors WG50N65DHW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
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250+ 3.45 EUR
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AIGW50N65F5
Hersteller: Infineon
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FCMT250N65S3 fcmt250n65s3-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
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FCPF250N65S3L1 fcpf250n65s3l1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
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FCPF250N65S3R0L fcpf250n65s3r0l-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
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IGW50N65H5 Part_Number_Guide_Web.pdf
Hersteller: Infineon technologies
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IHW50N65R5
Hersteller: Infineon technologies
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IKFW50N65DH5XKSA1 Infineon-IKFW50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c23ecaa840da9
Hersteller: Infineon
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IKW50N65EH5
Hersteller: Infineon
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IKW50N65F5 Part_Number_Guide_Web.pdf
Hersteller: Infineon
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IKZ50N65NH5
Hersteller: Infineon technologies
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M34350N6-562SP
Hersteller: MTTSUBIS
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M34350N6562SP
auf Bestellung 1878 Stücke:
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NGTB50N65FL2WG ngtb50n65fl2w-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
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NTB150N65S3HF ntb150n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
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NTHL050N65S3HF nthl050n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
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NTP150N65S3HF ntp150n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
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NTPF150N65S3HF ntpf150n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
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NVB150N65S3F nvb150n65s3f-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
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NVH4L050N65S3F nvh4l050n65s3f-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
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NVHL050N65S3HF nvhl050n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
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WG50N65DFBHWQ
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AIKW50N65DH5XKSA1
Produktcode: 168638		 Infineon-AIKW50N65DH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d08132bd27f3c
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IGW50N65F5FKSA1
Produktcode: 85495		 DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
IGW50N65F5FKSA1
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IGW50N65H5
Produktcode: 182512		 Part_Number_Guide_Web.pdf
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IKW50N65ET7XKSA1
Produktcode: 178408		 Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bed62757f8
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IKW50N65F5
Produktcode: 187321		 Part_Number_Guide_Web.pdf
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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IKW50N65F5FKSA1
Produktcode: 162192		 DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
IKW50N65H5FKSA1
Produktcode: 125871		 DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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NGTB50N65FL2WAG
Produktcode: 154577		 ngtb50n65fl2wa-d.pdf
Verschiedene Bauteile > Other components 3
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XYH50N65C3H1
Produktcode: 167754
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
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AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIGW50N65F5XKSA1 176infineon-aigw50n65f5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625cc9456a015d08.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
High Speed Fast IGBT Chip
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AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5.pdf
AIGW50N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
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AIGW50N65H5XKSA1 infineon-aigw50n65h5-ds-v02_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
AIGW50N65H5XKSA1
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AIKB50N65DH5ATMA1 infineon-aikb50n65dh5-datasheet-v02_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
SP001686000
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AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW50N65DF5XKSA1 42infineon-aikw50n65df5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625cc9456a015d0.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
High Speed fast IGBT
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AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1.pdf
AIKW50N65DH5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1.pdf
AIKW50N65DH5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW50N65DH5XKSA1 infineon-aikw50n65dh5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625cc9456a015d0.pdf
AIKW50N65DH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
High speed fast IGBT
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BGH50N65HF1 BGH50N65HF1.pdf
BGH50N65HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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BGH50N65HF1 BGH50N65HF1.pdf
BGH50N65HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BIDW50N65T bidw50n65t.pdf
Hersteller: Bourns
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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