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IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1
Produktcode: 189326
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IXYH50N65C3H1.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 22/80
auf Bestellung 22 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.01 EUR
10+10 EUR
25+5.86 EUR
100+5.76 EUR
240+4.79 EUR
480+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB50N65DF5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.11 EUR
10+5.86 EUR
100+4.22 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.59 EUR
10+5.86 EUR
100+4.22 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKBE50N65RF5ATMA1 AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKBE50N65RF5-DataSheet-v01_00-EN.pdf IGBTs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.12 EUR
10+9.68 EUR
100+7.8 EUR
1000+6.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.28 EUR
10+6.42 EUR
100+5.68 EUR
480+5.37 EUR
1200+5.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N65DH5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.82 EUR
10+7.11 EUR
25+6.49 EUR
100+5.93 EUR
240+5.68 EUR
480+5.37 EUR
1200+5.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65RF5XKSA1 AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N65RF5-DataSheet-v02_04-EN.pdf IGBTs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.68 EUR
10+8.59 EUR
100+7.78 EUR
480+6.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.93 EUR
6+13.51 EUR
30+11.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.93 EUR
6+13.51 EUR
30+11.9 EUR
150+9.97 EUR
600+9.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.24 EUR
30+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.24 EUR
30+10.81 EUR
150+10.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.01 EUR
7+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.01 EUR
7+10.81 EUR
30+9.55 EUR
150+9.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW50N65T BIDW50N65T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDW50N65T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.28 EUR
10+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi FCMT250N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.31 EUR
3000+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP150N65F FCP150N65F onsemi / Fairchild FCP150N65F-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.38 EUR
10+4.7 EUR
100+4.49 EUR
500+3.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF150N65F FCPF150N65F onsemi / Fairchild FCPF150N65F-D.PDF MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.88 EUR
10+3.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.95 EUR
10+2.97 EUR
100+2.75 EUR
500+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65H5-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.28 EUR
10+3.45 EUR
100+2.41 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.28 EUR
10+3.45 EUR
100+2.41 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 Infineon DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW50N65H5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+3.98 EUR
100+2.96 EUR
480+2.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5 IHW50N65R5 Infineon Technologies Infineon-IHW50N65R5-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.53 EUR
10+3.61 EUR
100+2.82 EUR
480+2.36 EUR
1200+2.01 EUR
2640+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ150N65EH7XKSA1 IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikq150n65eh7-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507e0bc2038 IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.23 EUR
10+10.03 EUR
100+8.55 EUR
480+8.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65EH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.22 EUR
10+4.44 EUR
100+3.68 EUR
480+3.1 EUR
1200+3.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ES5 IKW50N65ES5 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65ES5-DS-v02_03-EN.pdf IGBTs Trenchstop 5 IGBT
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.94 EUR
10+5.26 EUR
100+4.28 EUR
480+3.78 EUR
1200+3.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+4.15 EUR
100+2.97 EUR
480+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.18 EUR
26+2.77 EUR
30+2.42 EUR
60+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.18 EUR
26+2.77 EUR
30+2.42 EUR
60+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5 IKW50N65H5 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.88 EUR
10+4.59 EUR
100+3.52 EUR
480+3.13 EUR
1200+2.69 EUR
2640+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
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Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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10+8.8 EUR
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480+7.43 EUR
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IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
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IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65WR5-DataSheet-v01_30-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
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1200+2.11 EUR
2640+2.01 EUR
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IKWH50N65EH7XKSA1 IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH50N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
auf Bestellung 284 Stücke:
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480+3.13 EUR
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IKY150N65EH7XKSA1 IKY150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY150N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507ba8f202d IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
auf Bestellung 118 Stücke:
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1+19.73 EUR
10+11.92 EUR
100+10.21 EUR
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IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZ50N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd8175c56052a IGBTs INDUSTRY 14
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IKZA50N65EH7XKSA1 IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA50N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
auf Bestellung 197 Stücke:
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100+4.38 EUR
480+3.78 EUR
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IKZA50N65RH5XKSA1 IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA50N65RH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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1+12 EUR
10+6.97 EUR
100+5.81 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+32.03 EUR
10+31.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
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3+32.03 EUR
10+31.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFB150N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
auf Bestellung 53 Stücke:
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1+41.41 EUR
10+40.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFN150N65X2_Datasheet.PDF MOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
auf Bestellung 110 Stücke:
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1+71.28 EUR
10+70.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C5 IXYA50N65C5 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA50N65C5_Datasheet.pdf IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 85 Stücke:
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1+10.52 EUR
10+7.69 EUR
100+6.21 EUR
500+5.53 EUR
1000+4.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.38 EUR
7+11.14 EUR
10+9.85 EUR
30+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.38 EUR
7+11.14 EUR
10+9.85 EUR
30+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH50N65C3H1_Datasheet.PDF IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.62 EUR
10+11.9 EUR
120+11.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP50N65C3 IXYP50N65C3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_50N65C3_Datasheet.PDF IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.99 EUR
10+6.69 EUR
100+6.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F7348019C600E1&compId=LGEGW50N65F1A.pdf?ci_sign=8858ec95c174a9d9d63b9fb28a8b89b0b3230d80 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.95 EUR
28+2.65 EUR
31+2.33 EUR
34+2.16 EUR
120+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65F1A LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F7348019C600E1&compId=LGEGW50N65F1A.pdf?ci_sign=8858ec95c174a9d9d63b9fb28a8b89b0b3230d80 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.95 EUR
28+2.65 EUR
31+2.33 EUR
34+2.16 EUR
120+2.04 EUR
240+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D54E7A593BC0DF&compId=LGEGW50N65SEK.pdf?ci_sign=c5d945964622134594153b007f535b3b10d3c7f5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.95 EUR
28+2.65 EUR
31+2.33 EUR
34+2.16 EUR
120+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65SEK LGEGW50N65SEK LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D54E7A593BC0DF&compId=LGEGW50N65SEK.pdf?ci_sign=c5d945964622134594153b007f535b3b10d3c7f5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.95 EUR
28+2.65 EUR
31+2.33 EUR
34+2.16 EUR
120+2.04 EUR
240+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65SEU LGEGW50N65SEU LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5565FA8D780DF&compId=LGEGW50N65SEU.pdf?ci_sign=decfb58dbd5a843f7109b8b70fed4d222b1ab442 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.95 EUR
28+2.65 EUR
31+2.33 EUR
34+2.16 EUR
120+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IXYH50N65C3H1
Produktcode: 189326
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IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 22/80
auf Bestellung 22 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW50N65F5XKSA1 Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.01 EUR
10+10 EUR
25+5.86 EUR
100+5.76 EUR
240+4.79 EUR
480+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon-AIKB50N65DF5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
AIKB50N65DF5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.11 EUR
10+5.86 EUR
100+4.22 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon-AIKB50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
AIKB50N65DH5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+7.59 EUR
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500+4.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon-AIKBE50N65RF5-DataSheet-v01_00-EN.pdf
AIKBE50N65RF5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 36 Stücke:
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1+14.12 EUR
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100+7.8 EUR
1000+6.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 2 Stücke:
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1+9.28 EUR
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100+5.68 EUR
480+5.37 EUR
1200+5.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon-AIKW50N65DH5-DS-v02_01-EN.pdf
AIKW50N65DH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
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1+9.82 EUR
10+7.11 EUR
25+6.49 EUR
100+5.93 EUR
240+5.68 EUR
480+5.37 EUR
1200+5.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon-AIKW50N65RF5-DataSheet-v02_04-EN.pdf
AIKW50N65RF5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+10.68 EUR
10+8.59 EUR
100+7.78 EUR
480+6.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.93 EUR
6+13.51 EUR
30+11.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.93 EUR
6+13.51 EUR
30+11.9 EUR
150+9.97 EUR
600+9.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.24 EUR
30+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.24 EUR
30+10.81 EUR
150+10.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.01 EUR
7+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.01 EUR
7+10.81 EUR
30+9.55 EUR
150+9.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW50N65T Bourns_7-25-2022_BIDW50N65T_datasheet.pdf
BIDW50N65T
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.28 EUR
10+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3-D.PDF
FCMT250N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.47 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.31 EUR
3000+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP150N65F FCP150N65F-D.pdf
FCP150N65F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.38 EUR
10+4.7 EUR
100+4.49 EUR
500+3.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF150N65F FCPF150N65F-D.PDF
FCPF150N65F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.88 EUR
10+3.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF
FCPF250N65S3R0L-F154
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.95 EUR
10+2.97 EUR
100+2.75 EUR
500+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1 Infineon-IGB50N65H5-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.28 EUR
10+3.45 EUR
100+2.41 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1 Infineon-IGB50N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.28 EUR
10+3.45 EUR
100+2.41 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
Hersteller: Infineon
IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65H5FKSA1 Infineon-IGW50N65H5-DS-v02_01-EN.pdf
IGW50N65H5FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.14 EUR
10+3.98 EUR
100+2.96 EUR
480+2.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5 Infineon-IHW50N65R5-DS-v02_04-EN.pdf
IHW50N65R5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.53 EUR
10+3.61 EUR
100+2.82 EUR
480+2.36 EUR
1200+2.01 EUR
2640+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516
IHW50N65R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516
IHW50N65R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ150N65EH7XKSA1 infineon-ikq150n65eh7-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507e0bc2038
IKQ150N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.23 EUR
10+10.03 EUR
100+8.55 EUR
480+8.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65EH5XKSA1 Infineon-IKW50N65EH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW50N65EH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.22 EUR
10+4.44 EUR
100+3.68 EUR
480+3.1 EUR
1200+3.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ES5 Infineon-IKW50N65ES5-DS-v02_03-EN.pdf
IKW50N65ES5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Trenchstop 5 IGBT
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.94 EUR
10+5.26 EUR
100+4.28 EUR
480+3.78 EUR
1200+3.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ET7XKSA1 Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW50N65ET7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.41 EUR
10+4.15 EUR
100+2.97 EUR
480+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290
IKW50N65F5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.18 EUR
26+2.77 EUR
30+2.42 EUR
60+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290
IKW50N65F5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.18 EUR
26+2.77 EUR
30+2.42 EUR
60+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5 Infineon-IKW50N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKW50N65H5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.88 EUR
10+4.59 EUR
100+3.52 EUR
480+3.13 EUR
1200+2.69 EUR
2640+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b
IKW50N65H5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.35 EUR
17+4.36 EUR
20+3.82 EUR
30+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951
Hersteller: Infineon
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
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4+13.23 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b
IKW50N65H5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.35 EUR
17+4.36 EUR
20+3.82 EUR
30+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65RH5XKSA1 Infineon_IKW50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW50N65RH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.05 EUR
10+8.25 EUR
100+6.67 EUR
480+5.91 EUR
1200+5.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65SS5XKSA1 Infineon-IKW50N65SS5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW50N65SS5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.87 EUR
10+8.8 EUR
100+7.44 EUR
480+7.43 EUR
1200+7.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65WR5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b
IKW50N65WR5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.98 EUR
16+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65WR5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b
IKW50N65WR5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.98 EUR
16+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65WR5XKSA1 Infineon-IKW50N65WR5-DataSheet-v01_30-EN.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.76 EUR
10+3.75 EUR
100+2.94 EUR
480+2.45 EUR
1200+2.11 EUR
2640+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon-IKWH50N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKWH50N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.52 EUR
10+4.54 EUR
100+4.28 EUR
480+3.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY150N65EH7XKSA1 Infineon-IKY150N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507ba8f202d
IKY150N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.73 EUR
10+11.92 EUR
100+10.21 EUR
480+9.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65ES5XKSA1 Infineon-IKZ50N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd8175c56052a
IKZ50N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.32 EUR
10+4.65 EUR
100+3.85 EUR
480+3.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon-IKZA50N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKZA50N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.29 EUR
10+5.24 EUR
100+4.38 EUR
480+3.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon-IKZA50N65RH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKZA50N65RH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12 EUR
10+6.97 EUR
100+5.81 EUR
480+5.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781
IXFB150N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+32.03 EUR
10+31.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781
IXFB150N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain-source voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+32.03 EUR
10+31.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFB150N65X2_Datasheet.PDF
IXFB150N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+41.41 EUR
10+40.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFN150N65X2_Datasheet.PDF
IXFN150N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.28 EUR
10+70.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C5 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA50N65C5_Datasheet.pdf
IXYA50N65C5
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.52 EUR
10+7.69 EUR
100+6.21 EUR
500+5.53 EUR
1000+4.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.38 EUR
7+11.14 EUR
10+9.85 EUR
30+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.38 EUR
7+11.14 EUR
10+9.85 EUR
30+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH50N65C3H1_Datasheet.PDF
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.62 EUR
10+11.9 EUR
120+11.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP50N65C3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_50N65C3_Datasheet.PDF
IXYP50N65C3
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.99 EUR
10+6.69 EUR
100+6.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65F1A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F7348019C600E1&compId=LGEGW50N65F1A.pdf?ci_sign=8858ec95c174a9d9d63b9fb28a8b89b0b3230d80
LGEGW50N65F1A
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
28+2.65 EUR
31+2.33 EUR
34+2.16 EUR
120+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65F1A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F7348019C600E1&compId=LGEGW50N65F1A.pdf?ci_sign=8858ec95c174a9d9d63b9fb28a8b89b0b3230d80
LGEGW50N65F1A
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
28+2.65 EUR
31+2.33 EUR
34+2.16 EUR
120+2.04 EUR
240+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65SEK pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D54E7A593BC0DF&compId=LGEGW50N65SEK.pdf?ci_sign=c5d945964622134594153b007f535b3b10d3c7f5
LGEGW50N65SEK
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
28+2.65 EUR
31+2.33 EUR
34+2.16 EUR
120+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65SEK pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D54E7A593BC0DF&compId=LGEGW50N65SEK.pdf?ci_sign=c5d945964622134594153b007f535b3b10d3c7f5
LGEGW50N65SEK
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
28+2.65 EUR
31+2.33 EUR
34+2.16 EUR
120+2.04 EUR
240+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGEGW50N65SEU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5565FA8D780DF&compId=LGEGW50N65SEU.pdf?ci_sign=decfb58dbd5a843f7109b8b70fed4d222b1ab442
LGEGW50N65SEU
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
28+2.65 EUR
31+2.33 EUR
34+2.16 EUR
120+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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