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IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1
Produktcode: 189326
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IXYH50N65C3H1.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 22/80
auf Bestellung 22 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN-1129111.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.24 EUR
10+9.93 EUR
25+6.02 EUR
240+5 EUR
480+4.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB50N65DF5_DataSheet_v02_01_EN-3360644.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.98 EUR
10+6.12 EUR
100+4.42 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB50N65DH5_DataSheet_v02_01_EN-3360584.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.94 EUR
10+6.12 EUR
100+4.42 EUR
500+4.33 EUR
1000+3.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKBE50N65RF5ATMA1 AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKBE50N65RF5_DataSheet_v01_00_EN-3369286.pdf IGBTs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.77 EUR
10+10.14 EUR
100+8.17 EUR
1000+6.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW50N65DF5_DS_v02_01_EN-1730881.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.72 EUR
10+6.79 EUR
100+5.95 EUR
480+5.77 EUR
1200+5.63 EUR
2640+5.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65RF5XKSA1 AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW50N65RF5_DataSheet_v02_04_EN-1957308.pdf IGBTs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.77 EUR
10+11.3 EUR
100+10 EUR
480+9.75 EUR
1200+9.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.76 EUR
7+10.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.76 EUR
7+10.28 EUR
600+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.61 EUR
7+10.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.61 EUR
7+10.75 EUR
150+10.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.01 EUR
8+9.62 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.01 EUR
8+9.62 EUR
30+9.55 EUR
150+9.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW50N65T BIDW50N65T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDW50N65T_datasheet-3005216.pdf IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.01 EUR
10+4.56 EUR
100+4.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH150N65F-F155 FCH150N65F-F155 onsemi / Fairchild FCH150N65F_D-2037211.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.23 EUR
10+7.22 EUR
100+6.05 EUR
450+6.04 EUR
900+5.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi fcmt250n65s3-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
auf Bestellung 1671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.1 EUR
10+3.73 EUR
100+3.66 EUR
500+3.48 EUR
1000+3.27 EUR
3000+3.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF150N65F FCPF150N65F onsemi / Fairchild fcpf150n65f-d.pdf MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+4.14 EUR
100+4.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi fcpf250n65s3r0l-f154-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.76 EUR
10+3.56 EUR
100+3.04 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGB50N65H5_DataSheet_v02_02_EN-3361683.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.63 EUR
10+3.68 EUR
100+2.82 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.18 EUR
2000+1.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 Infineon DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5 IHW50N65R5 Infineon Technologies Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN-1731583.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.79 EUR
10+3.78 EUR
100+2.96 EUR
480+2.46 EUR
1200+2.11 EUR
2640+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.06 EUR
14+5.35 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.06 EUR
14+5.35 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW50N65R6_DataSheet_v01_20_EN-2583084.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.05 EUR
10+3.63 EUR
100+2.89 EUR
480+2.41 EUR
1200+2.11 EUR
2640+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N65EH5XKSA1 IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW50N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3361941.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.69 EUR
10+8.25 EUR
100+6.88 EUR
480+6.11 EUR
1200+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ150N65EH7XKSA1 IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ150N65EH7_DataSheet_v01_20_EN-3421508.pdf IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.1 EUR
10+12.69 EUR
100+10.88 EUR
480+10.35 EUR
1200+9.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65EH5_DataSheet_v01_10_EN-3361847.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.31 EUR
10+5.51 EUR
100+4.45 EUR
480+3.96 EUR
1200+3.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ES5 IKW50N65ES5 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN-1226692.pdf IGBTs Trenchstop 5 IGBT
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.32 EUR
10+5.53 EUR
100+4.49 EUR
480+3.96 EUR
1200+3.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN-1226692.pdf IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.05 EUR
25+5.07 EUR
100+4.24 EUR
240+4.22 EUR
480+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3362248.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.03 EUR
10+5.19 EUR
100+4.21 EUR
480+3.66 EUR
1200+3.22 EUR
2640+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.71 EUR
19+3.78 EUR
20+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.71 EUR
19+3.78 EUR
20+3.58 EUR
120+3.52 EUR
240+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65F5_DS_v02_01_EN-1226899.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.17 EUR
10+7.69 EUR
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IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
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IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IKW50N65RH5XKSA1 IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362121.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3361987.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
auf Bestellung 92 Stücke:
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12+6.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 11
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IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
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IKWH50N65EH7XKSA1 IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKWH50N65EH7_DataSheet_v01_10_EN-3421704.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
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100+4.59 EUR
480+4.07 EUR
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IKWH50N65WR6XKSA1 IKWH50N65WR6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKWH50N65WR6_DataSheet_v01_10_EN-3361893.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
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IKY150N65EH7XKSA1 IKY150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY150N65EH7_DataSheet_v01_10_EN-3421241.pdf IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
auf Bestellung 51 Stücke:
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480+12.28 EUR
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IKZA50N65EH7XKSA1 IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA50N65EH7_DataSheet_v01_10_EN-3421412.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
auf Bestellung 197 Stücke:
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100+5.53 EUR
480+4.73 EUR
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IKZA50N65RH5XKSA1 IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362298.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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1+11.3 EUR
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IKZA50N65SS5XKSA1 IKZA50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362265.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.52 EUR
10+11.02 EUR
100+9.75 EUR
480+9.36 EUR
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+32.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+32.82 EUR
25+32.15 EUR
100+31.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS media-3322674.pdf MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.97 EUR
10+44.12 EUR
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IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C8B86E1D378BF&compId=IXFN150N65X2.pdf?ci_sign=b8e5f0c766f20f8a34422d633165129f8ae5bd95 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate charge: 355nC
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+62.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C8B86E1D378BF&compId=IXFN150N65X2.pdf?ci_sign=b8e5f0c766f20f8a34422d633165129f8ae5bd95 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate charge: 355nC
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+62.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFN150N65X2 IXFN150N65X2 IXYS media-3320042.pdf MOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+76.89 EUR
10+70.15 EUR
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IXYA50N65C5 IXYA50N65C5 IXYS IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.19 EUR
10+7.81 EUR
100+6.3 EUR
500+5.6 EUR
1000+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.07 EUR
8+9.37 EUR
9+8.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.07 EUR
8+9.37 EUR
9+8.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS media-3321896.pdf IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.58 EUR
10+13.01 EUR
120+11.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP50N65C3 IXYP50N65C3 IXYS media-3320402.pdf IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.5 EUR
10+6.9 EUR
500+6.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N65FL2WG onsemi ngtb50n65fl2w-d.pdf IGBTs 600V/50A FAST IGBT FSII T
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.53 EUR
10+7.29 EUR
120+7.27 EUR
600+6.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB150N65S3HF NTB150N65S3HF onsemi ntb150n65s3hf-d.pdf MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.36 EUR
10+6.55 EUR
100+5.32 EUR
500+4.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD250N65S3H NTD250N65S3H onsemi ntd250n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 250MOHM DPAK
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+3.71 EUR
100+2.83 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.24 EUR
2500+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1
Produktcode: 189326
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IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AD
Vces: 650 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 130 A
Ic 100: 50 A
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 22/80
auf Bestellung 22 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW50N65F5XKSA1 Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN-1129111.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.24 EUR
10+9.93 EUR
25+6.02 EUR
240+5 EUR
480+4.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon_AIKB50N65DF5_DataSheet_v02_01_EN-3360644.pdf
AIKB50N65DF5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.98 EUR
10+6.12 EUR
100+4.42 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon_AIKB50N65DH5_DataSheet_v02_01_EN-3360584.pdf
AIKB50N65DH5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.94 EUR
10+6.12 EUR
100+4.42 EUR
500+4.33 EUR
1000+3.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon_AIKBE50N65RF5_DataSheet_v01_00_EN-3369286.pdf
AIKBE50N65RF5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.77 EUR
10+10.14 EUR
100+8.17 EUR
1000+6.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon_AIKW50N65DF5_DS_v02_01_EN-1730881.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.72 EUR
10+6.79 EUR
100+5.95 EUR
480+5.77 EUR
1200+5.63 EUR
2640+5.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon_AIKW50N65RF5_DataSheet_v02_04_EN-1957308.pdf
AIKW50N65RF5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.77 EUR
10+11.3 EUR
100+10 EUR
480+9.75 EUR
1200+9.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.76 EUR
7+10.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.76 EUR
7+10.28 EUR
600+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.61 EUR
7+10.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.61 EUR
7+10.75 EUR
150+10.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.01 EUR
8+9.62 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.01 EUR
8+9.62 EUR
30+9.55 EUR
150+9.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW50N65T Bourns_7_25_2022_BIDW50N65T_datasheet-3005216.pdf
BIDW50N65T
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.01 EUR
10+4.56 EUR
100+4.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH150N65F-F155 FCH150N65F_D-2037211.pdf
FCH150N65F-F155
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.23 EUR
10+7.22 EUR
100+6.05 EUR
450+6.04 EUR
900+5.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT250N65S3 fcmt250n65s3-d.pdf
FCMT250N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
auf Bestellung 1671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.1 EUR
10+3.73 EUR
100+3.66 EUR
500+3.48 EUR
1000+3.27 EUR
3000+3.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF150N65F fcpf150n65f-d.pdf
FCPF150N65F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.14 EUR
10+4.14 EUR
100+4.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L-F154 fcpf250n65s3r0l-f154-d.pdf
FCPF250N65S3R0L-F154
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.76 EUR
10+3.56 EUR
100+3.04 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1 Infineon_IGB50N65H5_DataSheet_v02_02_EN-3361683.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.63 EUR
10+3.68 EUR
100+2.82 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.18 EUR
2000+1.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
Hersteller: Infineon
IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5 Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN-1731583.pdf
IHW50N65R5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.79 EUR
10+3.78 EUR
100+2.96 EUR
480+2.46 EUR
1200+2.11 EUR
2640+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516
IHW50N65R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.06 EUR
14+5.35 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCFFAFB3183820&compId=IHW50N65R5.pdf?ci_sign=79609e9ed288e8af523721c936628f411dd72516
IHW50N65R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.06 EUR
14+5.35 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R6XKSA1 Infineon_IHW50N65R6_DataSheet_v01_20_EN-2583084.pdf
IHW50N65R6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.05 EUR
10+3.63 EUR
100+2.89 EUR
480+2.41 EUR
1200+2.11 EUR
2640+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon_IKFW50N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3361941.pdf
IKFW50N65EH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.69 EUR
10+8.25 EUR
100+6.88 EUR
480+6.11 EUR
1200+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon_IKQ150N65EH7_DataSheet_v01_20_EN-3421508.pdf
IKQ150N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.1 EUR
10+12.69 EUR
100+10.88 EUR
480+10.35 EUR
1200+9.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65EH5XKSA1 Infineon_IKW50N65EH5_DataSheet_v01_10_EN-3361847.pdf
IKW50N65EH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.31 EUR
10+5.51 EUR
100+4.45 EUR
480+3.96 EUR
1200+3.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ES5 Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN-1226692.pdf
IKW50N65ES5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Trenchstop 5 IGBT
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.32 EUR
10+5.53 EUR
100+4.49 EUR
480+3.96 EUR
1200+3.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ES5XKSA1 Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN-1226692.pdf
IKW50N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.05 EUR
25+5.07 EUR
100+4.24 EUR
240+4.22 EUR
480+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ET7XKSA1 Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3362248.pdf
IKW50N65ET7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.03 EUR
10+5.19 EUR
100+4.21 EUR
480+3.66 EUR
1200+3.22 EUR
2640+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290
IKW50N65F5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.71 EUR
19+3.78 EUR
20+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4C32ED04EF1CC&compId=IKW50N65F5-DTE.pdf?ci_sign=bba1665e443f317af0d8789097c07047bfdea290
IKW50N65F5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.71 EUR
19+3.78 EUR
20+3.58 EUR
120+3.52 EUR
240+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 Infineon_IKW50N65F5_DS_v02_01_EN-1226899.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.17 EUR
10+7.69 EUR
25+4.49 EUR
100+3.78 EUR
480+3.04 EUR
1200+2.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b
IKW50N65H5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.01 EUR
18+4.09 EUR
19+3.86 EUR
60+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B905150E9D8FA8&compId=IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf?ci_sign=7f10bd8bc8b551f0edda00af4f15d07c1c38118b
IKW50N65H5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.01 EUR
18+4.09 EUR
19+3.86 EUR
60+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951
Hersteller: Infineon
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
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Anzahl Preis
4+13.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65RH5XKSA1 Infineon_IKW50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362121.pdf
IKW50N65RH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.88 EUR
10+6.93 EUR
100+5.83 EUR
480+5.81 EUR
1200+5.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65SS5XKSA1 Infineon_IKW50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3361987.pdf
IKW50N65SS5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.79 EUR
10+9.59 EUR
100+8.15 EUR
480+8.13 EUR
1200+7.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65WR5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b
IKW50N65WR5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.99 EUR
12+6.29 EUR
15+4.82 EUR
16+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65WR5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2C6F50809D820&compId=IKW50N65WR5.pdf?ci_sign=8c4c9b0d0d9ac5f3cfcced20f163a629fe87121b
IKW50N65WR5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.99 EUR
12+6.29 EUR
15+4.82 EUR
16+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon_IKWH50N65EH7_DataSheet_v01_10_EN-3421704.pdf
IKWH50N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.54 EUR
10+5.67 EUR
100+4.59 EUR
480+4.07 EUR
1200+3.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH50N65WR6XKSA1 Infineon_IKWH50N65WR6_DataSheet_v01_10_EN-3361893.pdf
IKWH50N65WR6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.07 EUR
10+3.92 EUR
100+3.1 EUR
480+2.6 EUR
1200+2.22 EUR
2640+2.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY150N65EH7XKSA1 Infineon_IKY150N65EH7_DataSheet_v01_10_EN-3421241.pdf
IKY150N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.06 EUR
10+14.98 EUR
100+12.95 EUR
480+12.28 EUR
1200+10.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65EH7XKSA1 Infineon_IKZA50N65EH7_DataSheet_v01_10_EN-3421412.pdf
IKZA50N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.66 EUR
10+6.6 EUR
100+5.53 EUR
480+4.73 EUR
1200+4.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon_IKZA50N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362298.pdf
IKZA50N65RH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.3 EUR
10+11.23 EUR
25+7.13 EUR
100+6.42 EUR
240+6.41 EUR
480+5.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65SS5XKSA1 Infineon_IKZA50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362265.pdf
IKZA50N65SS5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.52 EUR
10+11.02 EUR
100+9.75 EUR
480+9.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781
IXFB150N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+32.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED463CFF1A3CA18&compId=IXFB150N65X2.pdf?ci_sign=f5f384917a55461544df260142eaf27680b54781
IXFB150N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+32.82 EUR
25+32.15 EUR
100+31.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2 media-3322674.pdf
IXFB150N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+50.97 EUR
10+44.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C8B86E1D378BF&compId=IXFN150N65X2.pdf?ci_sign=b8e5f0c766f20f8a34422d633165129f8ae5bd95
IXFN150N65X2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate charge: 355nC
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+62.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C8B86E1D378BF&compId=IXFN150N65X2.pdf?ci_sign=b8e5f0c766f20f8a34422d633165129f8ae5bd95
IXFN150N65X2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate charge: 355nC
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 145A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+62.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN150N65X2 media-3320042.pdf
IXFN150N65X2
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+76.89 EUR
10+70.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C5
IXYA50N65C5
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.19 EUR
10+7.81 EUR
100+6.3 EUR
500+5.6 EUR
1000+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.07 EUR
8+9.37 EUR
9+8.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.07 EUR
8+9.37 EUR
9+8.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 media-3321896.pdf
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.58 EUR
10+13.01 EUR
120+11.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP50N65C3 media-3320402.pdf
IXYP50N65C3
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.5 EUR
10+6.9 EUR
500+6.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NGTB50N65FL2WG ngtb50n65fl2w-d.pdf
Hersteller: onsemi
IGBTs 600V/50A FAST IGBT FSII T
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.53 EUR
10+7.29 EUR
120+7.27 EUR
600+6.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTB150N65S3HF ntb150n65s3hf-d.pdf
NTB150N65S3HF
Hersteller: onsemi
MOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.36 EUR
10+6.55 EUR
100+5.32 EUR
500+4.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD250N65S3H ntd250n65s3h-d.pdf
NTD250N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 250MOHM DPAK
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.07 EUR
10+3.71 EUR
100+2.83 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.24 EUR
2500+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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