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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1
Produktcode: 189326
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IXYH50N65C3H1.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 650 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 130 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 А
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 22/80
auf Bestellung: 19 St.
  • 19 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+19.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGB50N65H5ATMA1 AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.44 EUR
2000+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGB50N65H5ATMA1 AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
auf Bestellung 2244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.75 EUR
10+7.88 EUR
100+5.68 EUR
500+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.34 EUR
10+10.34 EUR
100+7.54 EUR
480+7.52 EUR
2640+7.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DF5ATMA1 AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB50N65DF5_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.25 EUR
10+8.16 EUR
100+5.87 EUR
500+4.86 EUR
1000+4.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.75 EUR
10+6.78 EUR
100+4.96 EUR
500+4.82 EUR
1000+4.25 EUR
2000+4.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKBE50N65RF5ATMA1 AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKBE50N65RF5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be5aabe714146 Description: IGBT TRENCH FS 650V 96A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.16 EUR
10+12.45 EUR
100+9.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKBE50N65RF5ATMA1 AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKBE50N65RF5_DataSheet_v01_00_EN.pdf IGBTs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.83 EUR
10+12.21 EUR
100+9.28 EUR
1000+8.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d081326247f3a Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.85 EUR
10+8.29 EUR
30+7.56 EUR
120+6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.77 EUR
6+16.08 EUR
30+14.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.57 EUR
30+12.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.29 EUR
7+12.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW50N65T BIDW50N65T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDW50N65T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.29 EUR
10+9.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CXG50N65HSEU CXG50N65HSEU Createk Microelectronics TCXG50n65hseu_CREATEK_0001.pdf Transistor IGBT ; 650V; 30V; 100A; 200A; 378W; 4,0V~5,5V; 200nC; -55°C~150°C; CXG50N65HSEU CREATEK TCXG50n65hseu
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ENGNTBL050N65GN1TXG ENGNTBL050N65GN1TXG onsemi NTBL050N65GN1-D.PDF Description: GAN FET, 650V, 39M, TOLL
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1200+8.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ENGNTBL050N65GN1TXG ENGNTBL050N65GN1TXG onsemi NTBL050N65GN1-D.PDF Description: GAN FET, 650V, 39M, TOLL
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.91 EUR
10+12.98 EUR
100+9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ENGNTBT050N65GN1TXG ENGNTBT050N65GN1TXG onsemi NTBT050N65GN1-D.PDF Description: GAN FET, 650V, 39M, TOLT
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1200+8.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ENGNTBT050N65GN1TXG ENGNTBT050N65GN1TXG onsemi NTBT050N65GN1-D.PDF Description: GAN FET, 650V, 39M, TOLT
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.91 EUR
10+12.98 EUR
100+9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi FCMT250N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.14 EUR
10+5.01 EUR
100+4.06 EUR
500+3.8 EUR
3000+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi FCMT250N65S3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3 onsemi FCMT250N65S3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.16 EUR
10+6.75 EUR
100+4.82 EUR
500+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP150N65F FCP150N65F onsemi FCP150N65F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.77 EUR
50+6.26 EUR
100+5.72 EUR
500+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF150N65F FCPF150N65F onsemi FCPF150N65F-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.02 EUR
50+6.4 EUR
100+5.85 EUR
500+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF150N65F FCPF150N65F onsemi FCPF150N65F-D.PDF MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.46 EUR
10+6.28 EUR
100+5.74 EUR
500+4.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3L1-F154 FCPF250N65S3L1-F154 onsemi FCPF250N65S3L1-F154-D.PDF Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
auf Bestellung 15978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.15 EUR
50+4.19 EUR
100+3.81 EUR
500+3.13 EUR
1000+2.92 EUR
2000+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.07 EUR
50+4.13 EUR
100+3.76 EUR
500+3.09 EUR
1000+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.82 EUR
10+3.53 EUR
100+3.25 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65H5-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.03 EUR
10+4.19 EUR
100+3.12 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.37 EUR
5000+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.33 EUR
2000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.78 EUR
10+4.43 EUR
100+3.08 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N65S5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.89 EUR
31+2.8 EUR
50+2.38 EUR
100+2.23 EUR
125+2.14 EUR
150+2.09 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N65S5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bbc6f2fec Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.78 EUR
10+4.43 EUR
100+3.08 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.74 EUR
16+5.33 EUR
18+5 EUR
22+4.01 EUR
25+3.51 EUR
30+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Infineon info-tigw50n65f5.pdf IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+18.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.82 EUR
30+4.89 EUR
120+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW50N65H5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+5.62 EUR
100+4.19 EUR
480+3.52 EUR
1200+3.27 EUR
2640+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.75 EUR
30+4.25 EUR
120+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5 IHW50N65R5 Infineon Technologies Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.96 EUR
10+5.21 EUR
100+3.89 EUR
480+3.27 EUR
1200+3.01 EUR
2640+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW50N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5XKSA1 Infineon Technologies DS_IHW50N65R5_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146ae23713f0115 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns
Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.85 EUR
30+4.32 EUR
120+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e1c8ed727b Description: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 251 W
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.72 EUR
30+4.25 EUR
120+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.79 EUR
10+5.09 EUR
100+3.8 EUR
480+3.19 EUR
1200+2.95 EUR
2640+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N65DH5XKSA1 IKFW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c23ecaa840da9 Description: IGBT TRENCH 650V 59A HSIP247-3-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/131ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12.2Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.96 EUR
30+8.65 EUR
120+7.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N65EH5XKSA1 IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW50N65EH5_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.34 EUR
10+11.52 EUR
100+9.29 EUR
480+8.27 EUR
1200+7.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N65EH5XKSA1 IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW50N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201754b1a2aa576ae Description: IGBT TRENCH FS 650V 59A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/138ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15.1Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.01 EUR
30+9.31 EUR
120+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ150N65EH7XKSA1 IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ150N65EH7_DataSheet_v01_20_EN.pdf IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.52 EUR
10+12.92 EUR
100+11.27 EUR
480+9.65 EUR
1200+8.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df77c98ca4461 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.08 EUR
30+6.25 EUR
120+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65EH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.82 EUR
10+7.75 EUR
100+5.71 EUR
480+5.07 EUR
1200+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ES5 IKW50N65ES5 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN.pdf IGBTs Trenchstop 5 IGBT
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.82 EUR
10+7.75 EUR
100+5.71 EUR
480+5.07 EUR
1200+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65ES5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef20150147874f758c0 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.08 EUR
30+6.25 EUR
120+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.82 EUR
10+7.75 EUR
100+5.71 EUR
480+5.07 EUR
1200+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bed62757f8 Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 273 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.08 EUR
30+6.26 EUR
120+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ET7XKSA1 IKW50N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.85 EUR
10+7.77 EUR
100+5.71 EUR
480+5.09 EUR
1200+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.62 EUR
17+5.3 EUR
21+4.2 EUR
23+3.75 EUR
30+3.49 EUR
120+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 2364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.36 EUR
10+6.78 EUR
100+5.01 EUR
480+4.44 EUR
1200+3.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 Infineon DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5 IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5 IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 Транзистори
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+9.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5 IKW50N65H5 Infineon Technologies Infineon_IKW50N65H5_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.86 EUR
10+7.14 EUR
100+5.32 EUR
480+3.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.71 EUR
19+4.55 EUR
30+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 Infineon info-tikw50n65h5.pdf 80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+16.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951 Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
auf Bestellung 3591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.32 EUR
30+5.22 EUR
120+4.32 EUR
510+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1
Produktcode: 189326
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IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 650 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 130 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 А
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 22/80
auf Bestellung: 19 St.
  • 19 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+19.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGB50N65H5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB50N65H5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.44 EUR
2000+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGB50N65H5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB50N65H5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
auf Bestellung 2244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.75 EUR
10+7.88 EUR
100+5.68 EUR
500+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW50N65F5XKSA1 Infineon_AIGW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.34 EUR
10+10.34 EUR
100+7.54 EUR
480+7.52 EUR
2640+7.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon_AIKB50N65DF5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
AIKB50N65DF5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.25 EUR
10+8.16 EUR
100+5.87 EUR
500+4.86 EUR
1000+4.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon-AIKB50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
AIKB50N65DH5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.75 EUR
10+6.78 EUR
100+4.96 EUR
500+4.82 EUR
1000+4.25 EUR
2000+4.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon-AIKBE50N65RF5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be5aabe714146
AIKBE50N65RF5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 96A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+18.16 EUR
10+12.45 EUR
100+9.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon_AIKBE50N65RF5_DataSheet_v01_00_EN.pdf
AIKBE50N65RF5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+17.83 EUR
10+12.21 EUR
100+9.28 EUR
1000+8.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d081326247f3a
AIKW50N65DF5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+10.85 EUR
10+8.29 EUR
30+7.56 EUR
120+6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1.pdf
BGH50N65HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+17.77 EUR
6+16.08 EUR
30+14.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1.pdf
BGH50N65HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 256ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+14.57 EUR
30+12.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1.pdf
BGH50N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 476ns
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+14.29 EUR
7+12.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW50N65T Bourns_7-25-2022_BIDW50N65T_datasheet.pdf
BIDW50N65T
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.29 EUR
10+9.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CXG50N65HSEU TCXG50n65hseu_CREATEK_0001.pdf
CXG50N65HSEU
Hersteller: Createk Microelectronics
Transistor IGBT ; 650V; 30V; 100A; 200A; 378W; 4,0V~5,5V; 200nC; -55°C~150°C; CXG50N65HSEU CREATEK TCXG50n65hseu
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+6.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ENGNTBL050N65GN1TXG NTBL050N65GN1-D.PDF
ENGNTBL050N65GN1TXG
Hersteller: onsemi
Description: GAN FET, 650V, 39M, TOLL
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1200+8.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ENGNTBL050N65GN1TXG NTBL050N65GN1-D.PDF
ENGNTBL050N65GN1TXG
Hersteller: onsemi
Description: GAN FET, 650V, 39M, TOLL
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+18.91 EUR
10+12.98 EUR
100+9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ENGNTBT050N65GN1TXG NTBT050N65GN1-D.PDF
ENGNTBT050N65GN1TXG
Hersteller: onsemi
Description: GAN FET, 650V, 39M, TOLT
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1200+8.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ENGNTBT050N65GN1TXG NTBT050N65GN1-D.PDF
ENGNTBT050N65GN1TXG
Hersteller: onsemi
Description: GAN FET, 650V, 39M, TOLT
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+18.91 EUR
10+12.98 EUR
100+9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3-D.PDF
FCMT250N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 12A 250 mOhm
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.14 EUR
10+5.01 EUR
100+4.06 EUR
500+3.8 EUR
3000+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3-D.PDF
FCMT250N65S3
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCMT250N65S3 FCMT250N65S3-D.PDF
FCMT250N65S3
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.16 EUR
10+6.75 EUR
100+4.82 EUR
500+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP150N65F FCP150N65F-D.pdf
FCP150N65F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.77 EUR
50+6.26 EUR
100+5.72 EUR
500+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF150N65F FCPF150N65F-D.PDF
FCPF150N65F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737 pF @ 100 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.02 EUR
50+6.4 EUR
100+5.85 EUR
500+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF150N65F FCPF150N65F-D.PDF
FCPF150N65F
Hersteller: onsemi
MOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.46 EUR
10+6.28 EUR
100+5.74 EUR
500+4.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3L1-F154 FCPF250N65S3L1-F154-D.PDF
FCPF250N65S3L1-F154
Hersteller: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
auf Bestellung 15978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.15 EUR
50+4.19 EUR
100+3.81 EUR
500+3.13 EUR
1000+2.92 EUR
2000+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF
FCPF250N65S3R0L-F154
Hersteller: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+8.07 EUR
50+4.13 EUR
100+3.76 EUR
500+3.09 EUR
1000+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154-D.PDF
FCPF250N65S3R0L-F154
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
auf Bestellung 863 Stücke:
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1+5.82 EUR
10+3.53 EUR
100+3.25 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.89 EUR
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IGB50N65H5ATMA1 Infineon-IGB50N65H5-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IGB50N65H5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1425 Stücke:
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1+7.03 EUR
10+4.19 EUR
100+3.12 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.37 EUR
5000+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65H5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.33 EUR
2000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IGB50N65H5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.78 EUR
10+4.43 EUR
100+3.08 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+3.89 EUR
31+2.8 EUR
50+2.38 EUR
100+2.23 EUR
125+2.14 EUR
150+2.09 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N65S5ATMA1 Infineon-IGB50N65S5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bbc6f2fec
IGB50N65S5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.78 EUR
10+4.43 EUR
100+3.08 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5.pdf
IGW50N65F5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+5.74 EUR
16+5.33 EUR
18+5 EUR
22+4.01 EUR
25+3.51 EUR
30+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 info-tigw50n65f5.pdf
IGW50N65F5FKSA1
Hersteller: Infineon
IGBT 650V 80A 305W   IGW50N65F5FKSA1 TIGW50n65f5
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+18.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65F5FKSA1 DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5
IGW50N65F5FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.82 EUR
30+4.89 EUR
120+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65H5FKSA1 Infineon_IGW50N65H5_DS_v02_01_EN.pdf
IGW50N65H5FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.57 EUR
10+5.62 EUR
100+4.19 EUR
480+3.52 EUR
1200+3.27 EUR
2640+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N65H5FKSA1 DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25
IGW50N65H5FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.75 EUR
30+4.25 EUR
120+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5 Infineon_IHW50N65R5_DS_v02_04_EN.pdf
IHW50N65R5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.96 EUR
10+5.21 EUR
100+3.89 EUR
480+3.27 EUR
1200+3.01 EUR
2640+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 IHW50N65R5.pdf
IHW50N65R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R5XKSA1 DS_IHW50N65R5_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146ae23713f0115
IHW50N65R5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns
Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.85 EUR
30+4.32 EUR
120+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R6XKSA1 Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e1c8ed727b
IHW50N65R6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 251 W
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.72 EUR
30+4.25 EUR
120+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW50N65R6XKSA1 Infineon-IHW50N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IHW50N65R6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.79 EUR
10+5.09 EUR
100+3.8 EUR
480+3.19 EUR
1200+2.95 EUR
2640+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N65DH5XKSA1 Infineon-IKFW50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c23ecaa840da9
IKFW50N65DH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 59A HSIP247-3-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/131ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12.2Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.96 EUR
30+8.65 EUR
120+7.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon_IKFW50N65EH5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKFW50N65EH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+16.34 EUR
10+11.52 EUR
100+9.29 EUR
480+8.27 EUR
1200+7.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon-IKFW50N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201754b1a2aa576ae
IKFW50N65EH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 59A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/138ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15.1Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+16.01 EUR
30+9.31 EUR
120+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon_IKQ150N65EH7_DataSheet_v01_20_EN.pdf
IKQ150N65EH7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+19.52 EUR
10+12.92 EUR
100+11.27 EUR
480+9.65 EUR
1200+8.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65EH5XKSA1 Infineon-IKW50N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df77c98ca4461
IKW50N65EH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W
auf Bestellung 162 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+11.08 EUR
30+6.25 EUR
120+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65EH5XKSA1 Infineon-IKW50N65EH5-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW50N65EH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
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1+11.82 EUR
10+7.75 EUR
100+5.71 EUR
480+5.07 EUR
1200+4.55 EUR
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IKW50N65ES5 Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN.pdf
IKW50N65ES5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Trenchstop 5 IGBT
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1+11.82 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ES5XKSA1 Infineon-IKW50N65ES5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef20150147874f758c0
IKW50N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
auf Bestellung 244 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+11.08 EUR
30+6.25 EUR
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IKW50N65ES5XKSA1 Infineon_IKW50N65ES5_DS_v02_03_EN.pdf
IKW50N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
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1+11.82 EUR
10+7.75 EUR
100+5.71 EUR
480+5.07 EUR
1200+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65ET7XKSA1 Infineon-IKW50N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bed62757f8
IKW50N65ET7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 273 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 240 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+11.08 EUR
30+6.26 EUR
120+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IKW50N65ET7XKSA1 Infineon_IKW50N65ET7_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW50N65ET7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 8 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+11.85 EUR
10+7.77 EUR
100+5.71 EUR
480+5.09 EUR
1200+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5-DTE.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+5.62 EUR
17+5.3 EUR
21+4.2 EUR
23+3.75 EUR
30+3.49 EUR
120+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 Infineon_IKW50N65F5_DS_v02_01_EN.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 2364 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+10.36 EUR
10+6.78 EUR
100+5.01 EUR
480+4.44 EUR
1200+3.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65F5FKSA1 DS_IKW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013afe09fcdb00e5
Hersteller: Infineon
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5 IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 Транзистори
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5 Infineon_IKW50N65H5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKW50N65H5
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.86 EUR
10+7.14 EUR
100+5.32 EUR
480+3.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+5.71 EUR
19+4.55 EUR
30+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 info-tikw50n65h5.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Hersteller: Infineon
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+16.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951
IKW50N65H5FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
auf Bestellung 3591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.32 EUR
30+5.22 EUR
120+4.32 EUR
510+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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