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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPP07N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP_A_I07N60C3-DS-v03_02-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42de18b490c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE824523SAAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE82452-3SA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d28a2858b1e15 Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE824533SAAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE82453-3SA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d289949d61dff Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKQ120N75CP2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIKQ120N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0672206b14ee Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR129E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR129WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFP4568 INFINEON TECHNOLOGIES auirfp4568.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1d8751458 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; Idm: 684A; 517W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 684A
Power dissipation: 517W
Technology: HEXFET®
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+25.95 EUR
9+24.85 EUR
10+24.7 EUR
20+24.1 EUR
30+21.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFP4568-E INFINEON TECHNOLOGIES auirfp4568.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1d8751458 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; 517W; TO247; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 517W
Technology: HEXFET®
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+29.65 EUR
5+20.66 EUR
10+19.42 EUR
30+18.6 EUR
50+16.59 EUR
100+16.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D1030N26TXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES D1030N.pdf Category: Diode modules
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D1031SH45TXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3711TRPBF IRFR3711TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3711pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C1415KV18-250BZXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1411KV18_CY7C1426KV18_CY7C1413KV18_CY7C1415KV18_36-Mbit_QDR_II_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd4aea2fa7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 36Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx36bit
Case: FBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Frequency: 250MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7545TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh7545pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f1e511ef1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 54A; Idm: 340A; 83W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 83W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKQ200N75CP2XKSA1 AIKQ200N75CP2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIKQ200N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0656853314e6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 750V; 200A; 535W; PG-TO247-3-U01
Case: PG-TO247-3-U01
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 750V
Power dissipation: 535W
Gate charge: 1260nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 600A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 202ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 344ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.15 EUR
6+15.27 EUR
10+14.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC360N15NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 74W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5SCATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC160N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5c20df631fd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EUTBSC360N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Transistors - Unclassified
Description: EUTBSC360N15NS3GATMA1
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 56A; Idm: 224A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 224A
Gate charge: 19nC
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 16mΩ
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.99 EUR
30+3.32 EUR
50+3.18 EUR
100+3.09 EUR
300+2.73 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGQ100N120S7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IGQ100N120S7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a59a2439786d Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 188A; 824W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 188A
Power dissipation: 824W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Turn-off time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BBY5302VH6327XTSA1 BBY5302VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15715-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 6V; 20mA; SC79; single diode; reel,tape
Case: SC79
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 6V
Load current: 20mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+0.83 EUR
145+0.58 EUR
171+0.5 EUR
214+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB439E6327HTSA1 BB439E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BB439-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 28V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Case: SOD323
Capacitance: 5.1...53pF
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 28V
Load current: 20mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB837E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bb837_bb857series.pdf?folderId=db3a304313d846880113d94414f400fc&fileId=db3a304313d846880113d97339a9011a Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BBY5602VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BBY5702VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bby57series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113de4dfd070341 Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BBY6502VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bby65series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113deb0006e03f6 Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BBY6602VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bby66series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113deb52d8e0400 Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 12V; 50mA; SC79; single diode; reel,tape
Case: SC79
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 12V
Load current: 50mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS215P H6327 BSS215P H6327 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15443-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -20V; -1.5A; 500mW; SOT23-3
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23-3
Power dissipation: 0.5W
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
auf Bestellung 8912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
421+0.24 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
4000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 421 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP181E7764HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bfp181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142665c77b0601&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bfp181.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPD3172-24LQXQ INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CCG3PA-NFET_USB_Type-C_Port_Controller-AdditionalTechnicalInformation-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eea4c007347 Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP30R06KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FP30R06KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 125W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 60A
Application: Inverter
Max. off-state voltage: 0.6kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R06KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP50R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4332c9b5a83 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 60A; AG-ECONO2C; Inverter; 190W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 60A
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Technology: Field Stop; Trench
Case: AG-ECONO2C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP75R06KE3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP75R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43330245a87 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 95A; AG-ECONO3-3; Inverter; 250W
Case: AG-ECONO3-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 95A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 250W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS50R06KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS50R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b432ea305a10 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 70A; AG-ECONO2B; Inverter; 190W
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 190W
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS75R06KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS75R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b432edc65a14 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 75A; AG-ECONO2B; Inverter; 250W
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 250W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R06KE3 FF300R06KE3 INFINEON TECHNOLOGIES FF300R06KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 940W
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR4615TRL INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS11820-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R4K5P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6W
Gate charge: 4nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+1.26 EUR
109+0.79 EUR
123+0.69 EUR
135+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R1K4P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R2K4P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.3W
Gate charge: 8nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R1K2P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.8W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1 IPN80R750P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R750P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7.2W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R3K3P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.1W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R600P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7.4W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S4L-08 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 50A; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Case: DPAK
On-state resistance: 7.8mΩ
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.2 EUR
100+1.11 EUR
300+1.04 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP842ESDH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP 840ESD H6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 35mA; SOT343
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT343
Frequency: 80GHz
Collector current: 35mA
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+0.42 EUR
300+0.36 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP 840FESD H6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; 35mA
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Frequency: 85GHz
Collector current: 35mA
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
227+0.38 EUR
300+0.32 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 227 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4321PBF IRFI4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi4321pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C4014LQI-421 CY8C4014LQI-421 INFINEON TECHNOLOGIES CY8C4014LQI-412.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 16MHz; QFN16; 2kBSRAM,16kBFLASH
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: QFN16
Interface: GPIO; I2C
Number of inputs/outputs: 13
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: CapSense
Clock frequency: 16MHz
Kind of core: 32-bit
Memory: 2kB SRAM; 16kB FLASH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF500R17KE4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF500R17KE4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 500A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1kA
Mechanical mounting: screw
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FD500R65KE3KNOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FD500R65KE3_K-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432cd42ee3012cea107abc562f Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 9.6kW
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 9.6kW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS500R17OE4DBOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS500R17OE4D-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=5546d46145f1f3a40145fb209c810fee Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS500R17OE4DPBOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS500R17OE4DP-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a01584f1b6b760b26 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ500R65KE3NOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ500R65KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432cd42ee3012cea1a9f4a5639 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1500R12IE5BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF1500R12IE5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f2e9197d90007 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1500R12IE5PBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF1500R12IE5P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a96243f0694b Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.5kA; Field Stop,Trench; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 1.5kA
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1500R17IP5BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF1500R17IP5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f2e7f2c2c0002 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1500R17IP5PBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF1500R17IP5P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164f4b761db4512 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.5kA; 1.5kW; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 1.5kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 3kA
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 1.5kW
Technology: Field Stop; Trench
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3XKSA1 Infineon-SPP_A_I07N60C3-DS-v03_02-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42de18b490c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE824523SAAUMA1 Infineon-TLE82452-3SA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d28a2858b1e15
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE824533SAAUMA1 Infineon-TLE82453-3SA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d289949d61dff
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKQ120N75CP2XKSA1 Infineon-AIKQ120N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0672206b14ee
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR129E6327HTSA1 bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCR129WH6327XTSA1 bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFP4568 auirfp4568.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1d8751458
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; Idm: 684A; 517W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 684A
Power dissipation: 517W
Technology: HEXFET®
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+25.95 EUR
9+24.85 EUR
10+24.7 EUR
20+24.1 EUR
30+21.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFP4568-E auirfp4568.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1d8751458
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; 517W; TO247; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 517W
Technology: HEXFET®
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+29.65 EUR
5+20.66 EUR
10+19.42 EUR
30+18.6 EUR
50+16.59 EUR
100+16.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D1030N26TXPSA1 D1030N.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D1031SH45TXPSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3711TRPBF irfr3711pbf.pdf
IRFR3711TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C1415KV18-250BZXI Infineon-CY7C1411KV18_CY7C1426KV18_CY7C1413KV18_CY7C1415KV18_36-Mbit_QDR_II_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd4aea2fa7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 36Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx36bit
Case: FBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Frequency: 250MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7545TRPBF irfh7545pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f1e511ef1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 54A; Idm: 340A; 83W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 83W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKQ200N75CP2XKSA1 Infineon-AIKQ200N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0656853314e6
AIKQ200N75CP2XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 750V; 200A; 535W; PG-TO247-3-U01
Case: PG-TO247-3-U01
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 750V
Power dissipation: 535W
Gate charge: 1260nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 600A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 202ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 344ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+17.15 EUR
6+15.27 EUR
10+14.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3G-DTE.pdf
BSC360N15NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 74W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1 Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5SCATMA1 Infineon-BSC160N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5c20df631fd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EUTBSC360N15NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: EUTBSC360N15NS3GATMA1
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 56A; Idm: 224A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 224A
Gate charge: 19nC
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 16mΩ
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+3.99 EUR
30+3.32 EUR
50+3.18 EUR
100+3.09 EUR
300+2.73 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGQ100N120S7XKSA1 Infineon-IGQ100N120S7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a59a2439786d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 188A; 824W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 188A
Power dissipation: 824W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Turn-off time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BBY5302VH6327XTSA1 INFNS15715-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BBY5302VH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 6V; 20mA; SC79; single diode; reel,tape
Case: SC79
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 6V
Load current: 20mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 2885 Stücke:
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103+0.83 EUR
145+0.58 EUR
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Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB439E6327HTSA1 BB439-DTE.pdf
BB439E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 28V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Case: SOD323
Capacitance: 5.1...53pF
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 28V
Load current: 20mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB837E6327HTSA1 bb837_bb857series.pdf?folderId=db3a304313d846880113d94414f400fc&fileId=db3a304313d846880113d97339a9011a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
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Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BBY5602VH6327XTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
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Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BBY5702VH6327XTSA1 bby57series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113de4dfd070341
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BBY6502VH6327XTSA1 bby65series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113deb0006e03f6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BBY6602VH6327XTSA1 bby66series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113deb52d8e0400
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 12V; 50mA; SC79; single diode; reel,tape
Case: SC79
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 12V
Load current: 50mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS215P H6327 INFNS15443-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS215P H6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -20V; -1.5A; 500mW; SOT23-3
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23-3
Power dissipation: 0.5W
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
auf Bestellung 8912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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421+0.24 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
4000+0.2 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP181E7764HTSA1 bfp181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142665c77b0601&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bfp181.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPD3172-24LQXQ Infineon-CCG3PA-NFET_USB_Type-C_Port_Controller-AdditionalTechnicalInformation-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eea4c007347
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
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Mindestbestellmenge: 4900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP30R06KE3BPSA1 FP30R06KE3.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 125W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 60A
Application: Inverter
Max. off-state voltage: 0.6kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R06KE3BPSA1 Infineon-FP50R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4332c9b5a83
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 60A; AG-ECONO2C; Inverter; 190W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 60A
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Technology: Field Stop; Trench
Case: AG-ECONO2C
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP75R06KE3BOSA1 Infineon-FP75R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43330245a87
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 95A; AG-ECONO3-3; Inverter; 250W
Case: AG-ECONO3-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 95A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 250W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS50R06KE3BPSA1 Infineon-FS50R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b432ea305a10
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 70A; AG-ECONO2B; Inverter; 190W
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 190W
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS75R06KE3BPSA1 Infineon-FS75R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b432edc65a14
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 75A; AG-ECONO2B; Inverter; 250W
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 250W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R06KE3 FF300R06KE3.pdf
FF300R06KE3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 940W
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR4615TRL IRSDS11820-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7.pdf
IPN80R4K5P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6W
Gate charge: 4nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+1.26 EUR
109+0.79 EUR
123+0.69 EUR
135+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7.pdf
IPN80R2K4P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.3W
Gate charge: 8nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.8W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R750P7ATMA1 IPN80R750P7.pdf
IPN80R750P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7.2W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7.pdf
IPN80R3K3P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.1W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7.pdf
IPN80R600P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7.4W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N06S4L-08
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 50A; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Case: DPAK
On-state resistance: 7.8mΩ
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+1.2 EUR
100+1.11 EUR
300+1.04 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1405STRLPBF irf1405spbf.pdf
IRF1405STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP 840ESD H6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 35mA; SOT343
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT343
Frequency: 80GHz
Collector current: 35mA
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
203+0.42 EUR
300+0.36 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP 840FESD H6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; 35mA
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Frequency: 85GHz
Collector current: 35mA
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
227+0.38 EUR
300+0.32 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 227 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI4321PBF irfi4321pbf.pdf
IRFI4321PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C4014LQI-421 CY8C4014LQI-412.pdf
CY8C4014LQI-421
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 16MHz; QFN16; 2kBSRAM,16kBFLASH
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: QFN16
Interface: GPIO; I2C
Number of inputs/outputs: 13
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: CapSense
Clock frequency: 16MHz
Kind of core: 32-bit
Memory: 2kB SRAM; 16kB FLASH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF500R17KE4BOSA1 FF500R17KE4.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 500A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1kA
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FD500R65KE3KNOSA1 Infineon-FD500R65KE3_K-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432cd42ee3012cea107abc562f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 9.6kW
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 9.6kW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS500R17OE4DBOSA1 Infineon-FS500R17OE4D-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=5546d46145f1f3a40145fb209c810fee
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS500R17OE4DPBOSA1 Infineon-FS500R17OE4DP-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a01584f1b6b760b26
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ500R65KE3NOSA1 Infineon-FZ500R65KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432cd42ee3012cea1a9f4a5639
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1500R12IE5BPSA1 Infineon-FF1500R12IE5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f2e9197d90007
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1500R12IE5PBPSA1 Infineon-FF1500R12IE5P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a96243f0694b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.5kA; Field Stop,Trench; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 1.5kA
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1500R17IP5BPSA1 Infineon-FF1500R17IP5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f2e7f2c2c0002
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF1500R17IP5PBPSA1 Infineon-FF1500R17IP5P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164f4b761db4512
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.5kA; 1.5kW; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 1.5kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 3kA
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 1.5kW
Technology: Field Stop; Trench
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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