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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMZA65R007M2HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IMZA65R007M2H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD350N06L G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+0.98 EUR
300+0.89 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.77 EUR
4000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Gate-source voltage: ±16V
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.12 EUR
25+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLS3036TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS5210LAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS5210L-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa3fecc9c104a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L06ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4L_06-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038818b620c96 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S404ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK3
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 128nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S4L04ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-I90N06S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d111570ce3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S405ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS14108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S407ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TO252-3-11
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 170nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L05ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038729a180c91 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S418AATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPG20N04S4-18A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4ca88ee717a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC019N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC019N04NSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP25R12KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP25R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9545185 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 40A; ECONO2; Inverter; 155W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 40A
Case: ECONO2
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 155W
Technology: Field Stop; Trench
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD60981EPXUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLD6098-1EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d37d2a26a6959 Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD60981EPXUMA3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLD6098-1EP-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d37d2a26a6959 Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123N H6327 BSS123N H6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 190mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
auf Bestellung 13246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
598+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 598 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRLB3036-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153566033ea2589 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DPS368 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Pressure Sensors
Description: Sensor: pressure; 30÷120kPa; absolute; -40÷85°C
Type of sensor: pressure
Pressure measuring range: 30...120kPa
Operation mode: absolute
Operating temperature: -40...85°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+5.66 EUR
30+4.86 EUR
50+4.68 EUR
100+4.56 EUR
200+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCX41E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCX41E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N10S305AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29AL016J70TFI013 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29AL016J_16_MBIT_(2M_X_8_BIT_1M_X_16_BIT)_3_V_BOOT_SECTOR_FLASH-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed709c05803 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; TSOP48; parallel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 16Mb FLASH
Kind of interface: parallel
Case: TSOP48
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N10S3L-16 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry
Application: automotive industry
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Gate charge: 49nC
auf Bestellung 1867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+2.62 EUR
50+1.86 EUR
100+1.74 EUR
300+1.65 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD30N06S2L-23 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS09593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 30A; 100W; PG-TO252-3-11
Application: automotive industry
Technology: OptiMOS™
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3-11
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Gate charge: 42nC
auf Bestellung 2442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+2.18 EUR
56+1.54 EUR
100+1.45 EUR
300+1.38 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA08N80C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A08N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a6011638595c9600e0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS134D BTS134D INFINEON TECHNOLOGIES BTS134D.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Output voltage: 42V
Case: TO252-3
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
auf Bestellung 2124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.32 EUR
30+2.86 EUR
33+2.61 EUR
100+2.23 EUR
250+1.99 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP320N20N3 G IPP320N20N3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 34A; 136W; TO220-3; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
Semiconductor structure: single transistor
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.88 EUR
30+4.24 EUR
50+4.11 EUR
100+4 EUR
200+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP200N25N3 G IPP200N25N3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 64A; Idm: 256A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 256A
Semiconductor structure: single transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH04G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 23A
Leakage current: 31µA
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT 15-04W H6327 BAT 15-04W H6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Max. forward voltage: 0.41V
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+0.45 EUR
300+0.39 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R360P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8e6dde41500b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP082N10NF2SAKMA1 IPP082N10NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP082N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa67027a000b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 100W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Drain current: 77A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 100W
Gate charge: 28nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280P7 IPA60R280P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R280P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 24W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipa60r280p7-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDH08G65C6XKSA1 IDH08G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH08G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; Ir: 62uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 37A
Leakage current: 62µA
Power dissipation: 63W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7730TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 269A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 269A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP40R12KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP40R12KE3-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9dc5189 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 55A; AG-ECONO2C; Inverter; 210W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 210W
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Topology: NTC thermistor
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 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP15R12KE3GBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP15R12KE3G-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a8c95181 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 25A; AG-ECONO2C; Inverter; 105W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 105W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Topology: NTC thermistor
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 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS75R12KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS75R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311bfa5380 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 105A; AG-ECONO2B; Inverter; 350W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 350W
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 105A
Topology: NTC thermistor
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 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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FP25R12KT4B11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP25R12KT4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043394427e4013952057a6f7b91 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 25A; AG-ECONO2B; Inverter; 160W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 160W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Topology: NTC thermistor
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 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IAUMN08S5N013GAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUMN08S5N013G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f2f29b336110c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPB039N10N3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 214W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+4.56 EUR
30+3.75 EUR
50+3.57 EUR
100+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IDH16G65C5 IDH16G65C5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; PG-TO220-2; 129W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 105A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 129W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Heatsink thickness: 1.17...137mm
Load current: 16A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3.2µA
Case: PG-TO220-2
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IDH16G65C5XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IDH16G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30433a047ba0013a06c7efb201a1 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
Type of diode: Schottky rectifying
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ15DC02KDHXTMA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63/164mΩ
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 5.1/-3.2A
Kind of channel: enhancement
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XC886LM6FFI5VACFXUMA1 XC886LM6FFI5VACFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XC88X-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 24kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XC886LM8FFI5VACFXUMA1 XC886LM8FFI5VACFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XC88X-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
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XC8888FFI5VACFXUMA1 XC8888FFI5VACFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XC88X-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-LQFP-64
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
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XC886C6FFI3V3ACFXUMA1 XC886C6FFI3V3ACFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XC88X-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: CAN x2,SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: CAN x2; SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 24kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
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BSC014N04LSI INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 96W
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.93 EUR
30+3.28 EUR
50+3.15 EUR
100+3.05 EUR
300+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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BSC010N04LS INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 139W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 139W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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 Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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SPD04N50C3 SPD04N50C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPD04N50C3.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 4.5A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127 H6327 BSS127 H6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 0.65nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
auf Bestellung 16420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.3 EUR
391+0.21 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
4000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
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XMC4402F64F256ABXQMA1 XMC4402F64F256ABXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4400-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-64; 80kBSRAM,256kBFLASH; 3.3VDC
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-64
Supply voltage: 3.3V DC
Interface: CAN x2; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Memory: 80kB SRAM; 256kB FLASH
Number of 16bit timers: 26
Family: XMC4400
Kind of core: 32-bit
Operating temperature: -40...85°C
Kind of architecture: Cortex M4
Number of A/D channels: 9
Number of inputs/outputs: 31
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 Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP297H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.66A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA07N60C3 SPA07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPA07N60C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.14 EUR
50+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3 SPP07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx07N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.27 EUR
76+1.12 EUR
84+1.02 EUR
90+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R007M2HXKSA1 IMZA65R007M2H.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IPD350N06L G
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
114+0.98 EUR
300+0.89 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.77 EUR
4000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3036TRL7PP irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b
IRLS3036TRL7PP
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Gate-source voltage: ±16V
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+5.12 EUR
25+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF.pdf
IRLS3036TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS5210LAUMA1 Infineon-BTS5210L-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa3fecc9c104a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_06-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038818b620c96
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S404ATMA2 INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK3
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 128nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon-I90N06S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d111570ce3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S405ATMA2 INFNS14108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S407ATMA2 Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TO252-3-11
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d
IPD90N06S4L03ATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 170nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD90N06S4L05ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038729a180c91
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N04S418AATMA1 Infineon-IPG20N04S4-18A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4ca88ee717a0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LS-DTE.pdf
BSC019N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSG-DTE.pdf
BSC019N04NSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP25R12KE3BPSA1 Infineon-FP25R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9545185
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 40A; ECONO2; Inverter; 155W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 40A
Case: ECONO2
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 155W
Technology: Field Stop; Trench
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Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD60981EPXUMA2 Infineon-TLD6098-1EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d37d2a26a6959
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD60981EPXUMA3 Infineon-TLD6098-1EP-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d37d2a26a6959
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123N H6327
BSS123N H6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 190mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
auf Bestellung 13246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
598+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 598 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3036PBFXKMA1 Infineon-IRLB3036-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153566033ea2589
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DPS368
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Pressure Sensors
Description: Sensor: pressure; 30÷120kPa; absolute; -40÷85°C
Type of sensor: pressure
Pressure measuring range: 30...120kPa
Operation mode: absolute
Operating temperature: -40...85°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+5.66 EUR
30+4.86 EUR
50+4.68 EUR
100+4.56 EUR
200+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCX41E6327HTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCX41E6433HTMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP100N10S305AKSA1 Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29AL016J70TFI013 Infineon-S29AL016J_16_MBIT_(2M_X_8_BIT_1M_X_16_BIT)_3_V_BOOT_SECTOR_FLASH-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed709c05803
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; TSOP48; parallel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 16Mb FLASH
Kind of interface: parallel
Case: TSOP48
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50N10S3L-16
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry
Application: automotive industry
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Gate charge: 49nC
auf Bestellung 1867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+2.62 EUR
50+1.86 EUR
100+1.74 EUR
300+1.65 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD30N06S2L-23 INFNS09593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 30A; 100W; PG-TO252-3-11
Application: automotive industry
Technology: OptiMOS™
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3-11
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Gate charge: 42nC
auf Bestellung 2442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+2.18 EUR
56+1.54 EUR
100+1.45 EUR
300+1.38 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA08N80C3XKSA1 SPP_I_A08N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a6011638595c9600e0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS134D BTS134D.pdf
BTS134D
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Output voltage: 42V
Case: TO252-3
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
auf Bestellung 2124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+4.32 EUR
30+2.86 EUR
33+2.61 EUR
100+2.23 EUR
250+1.99 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP320N20N3 G
IPP320N20N3 G
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 34A; 136W; TO220-3; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
Semiconductor structure: single transistor
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+4.88 EUR
30+4.24 EUR
50+4.11 EUR
100+4 EUR
200+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP200N25N3 G
IPP200N25N3 G
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 64A; Idm: 256A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 256A
Semiconductor structure: single transistor
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Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6.pdf
IDH04G65C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 23A
Leakage current: 31µA
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT 15-04W H6327
BAT 15-04W H6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Max. forward voltage: 0.41V
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
188+0.45 EUR
300+0.39 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R360P7XKSA1 Infineon-IPA60R360P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8e6dde41500b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP082N10NF2SAKMA1 Infineon-IPP082N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa67027a000b
IPP082N10NF2SAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 100W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Drain current: 77A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 100W
Gate charge: 28nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280P7 IPA60R280P7.pdf
IPA60R280P7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 24W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280P7XKSA1 infineon-ipa60r280p7-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDH08G65C6XKSA1 IDH08G65C6.pdf
IDH08G65C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; Ir: 62uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 37A
Leakage current: 62µA
Power dissipation: 63W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7730TRL7PP infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 269A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 269A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP40R12KE3BPSA1 Infineon-FP40R12KE3-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9dc5189
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 55A; AG-ECONO2C; Inverter; 210W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 210W
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Topology: NTC thermistor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP15R12KE3GBPSA1 Infineon-FP15R12KE3G-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a8c95181
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 25A; AG-ECONO2C; Inverter; 105W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 105W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Topology: NTC thermistor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS75R12KE3BPSA1 Infineon-FS75R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311bfa5380
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 105A; AG-ECONO2B; Inverter; 350W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 350W
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 105A
Topology: NTC thermistor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP25R12KT4B11BPSA1 Infineon-FP25R12KT4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043394427e4013952057a6f7b91
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 25A; AG-ECONO2B; Inverter; 160W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 160W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Topology: NTC thermistor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUMN08S5N013GAUMA1 Infineon-IAUMN08S5N013G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f2f29b336110c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB039N10N3 G
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 214W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+4.56 EUR
30+3.75 EUR
50+3.57 EUR
100+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDH16G65C5
IDH16G65C5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; PG-TO220-2; 129W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 105A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 129W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Heatsink thickness: 1.17...137mm
Load current: 16A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3.2µA
Case: PG-TO220-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDH16G65C5XKSA2 IDH16G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30433a047ba0013a06c7efb201a1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
Type of diode: Schottky rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1.pdf
BSZ15DC02KDHXTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63/164mΩ
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 5.1/-3.2A
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XC886LM6FFI5VACFXUMA1 XC88X-DTE.pdf
XC886LM6FFI5VACFXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 24kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XC886LM8FFI5VACFXUMA1 XC88X-DTE.pdf
XC886LM8FFI5VACFXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XC8888FFI5VACFXUMA1 XC88X-DTE.pdf
XC8888FFI5VACFXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-LQFP-64
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XC886C6FFI3V3ACFXUMA1 XC88X-DTE.pdf
XC886C6FFI3V3ACFXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: CAN x2,SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: CAN x2; SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 24kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSI
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 96W
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+3.93 EUR
30+3.28 EUR
50+3.15 EUR
100+3.05 EUR
300+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 139W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 139W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD04N50C3 description SPD04N50C3.pdf
SPD04N50C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 4.5A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127 H6327
BSS127 H6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 0.65nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
auf Bestellung 16420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
291+0.3 EUR
391+0.21 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
4000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XMC4402F64F256ABXQMA1 XMC4400-DTE.pdf
XMC4402F64F256ABXQMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-64; 80kBSRAM,256kBFLASH; 3.3VDC
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-64
Supply voltage: 3.3V DC
Interface: CAN x2; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Memory: 80kB SRAM; 256kB FLASH
Number of 16bit timers: 26
Family: XMC4400
Kind of core: 32-bit
Operating temperature: -40...85°C
Kind of architecture: Cortex M4
Number of A/D channels: 9
Number of inputs/outputs: 31
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1.pdf
BSP297H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.66A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA07N60C3 description SPA07N60C3.pdf
SPA07N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+2.14 EUR
50+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP07N60C3 SPx07N60C3.pdf
SPP07N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+1.27 EUR
76+1.12 EUR
84+1.02 EUR
90+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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