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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S29JL064J60TFA000 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL064J_64_Mb_(8M_x_8_Bit_4M_x_16_Bit)_3_V_Simultaneous_Read_Write_Flash-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6688c56c7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 60ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 60ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 960 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29JL064J60TFI000 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL064J_64_Mb_(8M_x_8_Bit_4M_x_16_Bit)_3_V_Simultaneous_Read_Write_Flash-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6688c56c7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 60ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 60ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29JL064J70BHI000 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL064J_64_Mb_(8M_x_8_Bit_4M_x_16_Bit)_3_V_Simultaneous_Read_Write_Flash-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6688c56c7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 338 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29JL064J70BHI003 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL064J_64_Mb_(8M_x_8_Bit_4M_x_16_Bit)_3_V_Simultaneous_Read_Write_Flash-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6688c56c7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29JL064J70TFA000 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL064J_64_Mb_(8M_x_8_Bit_4M_x_16_Bit)_3_V_Simultaneous_Read_Write_Flash-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6688c56c7 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 960 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29JL064J70TFA003 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29JL064J_64_Mb_(8M_x_8_Bit_4M_x_16_Bit)_3_V_Simultaneous_Read_Write_Flash-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6688c56c7 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP88H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS21UE6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAS21SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=5546d4624933b8750149880ded0b7e1a Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5301pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5302pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5304TRPBF IRFH5304TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5304pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7530pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 274nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB038N12N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB029N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB037N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB030N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB048N15N5LF IPB048N15N5LF INFINEON TECHNOLOGIES IPB048N15N5LF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 115A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N08N3GIPB019N08N3G
IPB019N08N3GIPB019N08N3G
 IPB019N08N3G INFINEON TECHNOLOGIES IPB019N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB057N06NATMA1 IPB057N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB057N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB081N06L3G IPB081N06L3G INFINEON TECHNOLOGIES IPB081N06L3G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB072N15N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB010N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB040N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc00361b15 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 107A; 150W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 107A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB050N10NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc12431b1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N06NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB015N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67bcc63b27 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB018N06NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB018N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67c38b3b2a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB042N10N3GE8187ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB044N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 123A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB044N15N5E8187ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB048N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 118A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO 263-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB048N15N5LFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB048N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b573da84a026c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB055N08NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc1a741b1e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 94A; 107W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 94A
Power dissipation: 107W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB054N08N3GATMA1 IPB054N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB054N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 150W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB060N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB060N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5ca333d3364d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 136A; 250W; TO263-7
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Gate charge: 68nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 136A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.8mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB060N15N5E8187ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB067N08N3GATMA1 IPB067N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB067N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB108N15N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 INFINEON TECHNOLOGIES IPB100N06S205.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
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IPB110P06LMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB110P06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2d06000ae Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
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IPB100N12S305ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I100N12S3-05-Data-Sheet-02-Infineon-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0aced7fe9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB100N06S2L05ATMA2 IPB100N06S2L05ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPB100N06S2L05.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
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IPB120N04S401ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I120N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c2ebd3b5d27&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 158W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N04S4L02ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB120N04S4L0210-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f27bb46492 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB120N10S403ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B_I120N10S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d46147a9c2e401480c5c81580b3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB120N10S405ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B_I120N10S4-05-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d46147a9c2e401480cf161070b67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB133N12NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB133N12NM6-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e55e1815825f3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB156N22NFDATMA1 IPB156N22NFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB156N22NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dacb0bcce22e7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 220V; 72A; 300W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 220V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Drain current: 72A
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IPB160N04S2L03ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB160N04S2L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b99f14568 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB17N25S3100ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB180N04S400ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB180N04S4LH0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N04S4LH010-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670cf90ea6434 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB180P04P403ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180P04P4-03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78472a2a2e4e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP452HUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP452-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca389011537739e37155f&fileId=db3a30431b3e89eb011b7eac4d321531&ack=t Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
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CY8C4127AZI-M485 CY8C4127AZI-M485 INFINEON TECHNOLOGIES CY8C4125AZI-M443.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; TQFP64; 16kBSRAM,128kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
Number of inputs/outputs: 51
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH
Case: TQFP64
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
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IRF200B211 IRF200B211 INFINEON TECHNOLOGIES IRF200B211.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 34A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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AUIRFR4620TRL INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002298851-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BBY5503WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15716-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
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 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
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IR2214SSPBF IR2214SSPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2114SSPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.5W
Case: SSOP24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 440ns
Power: 1.5W
Turn-off time: 440ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10.4...20V DC
Output current: -1.5...1A
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8721TRPBFXTMA1 IRF8721TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29JL064J60TFA000 Infineon-S29JL064J_64_Mb_(8M_x_8_Bit_4M_x_16_Bit)_3_V_Simultaneous_Read_Write_Flash-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6688c56c7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 60ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 60ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 960 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29JL064J60TFI000 Infineon-S29JL064J_64_Mb_(8M_x_8_Bit_4M_x_16_Bit)_3_V_Simultaneous_Read_Write_Flash-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6688c56c7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 60ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 60ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29JL064J70BHI000 Infineon-S29JL064J_64_Mb_(8M_x_8_Bit_4M_x_16_Bit)_3_V_Simultaneous_Read_Write_Flash-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6688c56c7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 338 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29JL064J70BHI003 Infineon-S29JL064J_64_Mb_(8M_x_8_Bit_4M_x_16_Bit)_3_V_Simultaneous_Read_Write_Flash-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6688c56c7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29JL064J70TFA000 Infineon-S29JL064J_64_Mb_(8M_x_8_Bit_4M_x_16_Bit)_3_V_Simultaneous_Read_Write_Flash-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6688c56c7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 960 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29JL064J70TFA003 Infineon-S29JL064J_64_Mb_(8M_x_8_Bit_4M_x_16_Bit)_3_V_Simultaneous_Read_Write_Flash-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6688c56c7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1.pdf
BSP88H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS21UE6433HTMA1 Infineon-BAS21SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=5546d4624933b8750149880ded0b7e1a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5301TRPBF irfh5301pbf.pdf
IRFH5301TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5302TRPBF irfh5302pbf.pdf
IRFH5302TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5304TRPBF irfh5304pbf.pdf
IRFH5304TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7530TRLPBF irfs7530pbf.pdf
IRFS7530TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 274nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3G-DTE.pdf
IPB038N12N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3G-DTE.pdf
IPB029N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3G-DTE.pdf
IPB037N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3G-DTE.pdf
IPB030N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPB048N15N5LF IPB048N15N5LF.pdf
IPB048N15N5LF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 115A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
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IPB019N08N3GIPB019N08N3G
IPB019N08N3GIPB019N08N3G
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB057N06NATMA1 IPB057N06N-DTE.pdf
IPB057N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPB081N06L3G IPB081N06L3G.pdf
IPB081N06L3G
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3G-DTE.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPB010N06NATMA1 IPB010N06N-DTE.pdf
IPB010N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPB040N08NF2SATMA1 Infineon-IPB040N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc00361b15
IPB040N08NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 107A; 150W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 107A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IPB050N10NF2SATMA1 Infineon-IPB050N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc12431b1b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N06NF2SATMA1 Infineon-IPB015N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67bcc63b27
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB018N06NF2SATMA1 Infineon-IPB018N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67c38b3b2a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IPB042N10N3GE8187ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB044N15N5ATMA1 Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 123A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB044N15N5E8187ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB048N15N5ATMA1 Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 118A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO 263-3
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB048N15N5LFATMA1 Infineon-IPB048N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b573da84a026c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB055N08NF2SATMA1 Infineon-IPB055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc1a741b1e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 94A; 107W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 94A
Power dissipation: 107W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB054N08N3GATMA1 IPB054N08N3G-DTE.pdf
IPB054N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 150W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB060N15N5ATMA1 Infineon-IPB060N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5ca333d3364d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 136A; 250W; TO263-7
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Gate charge: 68nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 136A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.8mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB060N15N5E8187ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB067N08N3GATMA1 IPB067N08N3G-DTE.pdf
IPB067N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3G-DTE.pdf
IPB108N15N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205.pdf
IPB100N06S205ATMA4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMATMA1 Infineon-IPB110P06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2d06000ae
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB100N12S305ATMA1 Infineon-IPP_B_I100N12S3-05-Data-Sheet-02-Infineon-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0aced7fe9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB100N06S2L05ATMA2 IPB100N06S2L05.pdf
IPB100N06S2L05ATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N04S401ATMA1 Infineon-IPP_B_I120N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c2ebd3b5d27&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N04S402ATMA1 Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t
IPB120N04S402ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 158W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N04S4L02ATMA1 Infineon-IPB120N04S4L0210-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f27bb46492
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N10S403ATMA1 IPP_B_I120N10S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d46147a9c2e401480c5c81580b3a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N10S405ATMA1 IPP_B_I120N10S4-05-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d46147a9c2e401480cf161070b67
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 7000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB133N12NM6ATMA1 Infineon-IPB133N12NM6-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e55e1815825f3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB156N22NFDATMA1 Infineon-IPB156N22NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dacb0bcce22e7
IPB156N22NFDATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 220V; 72A; 300W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 220V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Drain current: 72A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S2L03ATMA2 Infineon-IPB160N04S2L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b99f14568
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB17N25S3100ATMA1 Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S400ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4LH0ATMA1 Infineon-IPB180N04S4LH010-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670cf90ea6434
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P403ATMA2 Infineon-IPB180P04P4-03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78472a2a2e4e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP452HUMA1 Infineon-BSP452-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca389011537739e37155f&fileId=db3a30431b3e89eb011b7eac4d321531&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C4127AZI-M485 CY8C4125AZI-M443.pdf
CY8C4127AZI-M485
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; TQFP64; 16kBSRAM,128kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
Number of inputs/outputs: 51
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH
Case: TQFP64
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
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IRF200B211 IRF200B211.pdf
IRF200B211
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 34A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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AUIRFR4620TRL INFN-S-A0002298851-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BBY5503WE6327HTSA1 INFNS15716-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
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Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
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IR2214SSPBF IR2114SSPBF.pdf
IR2214SSPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.5W
Case: SSOP24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 440ns
Power: 1.5W
Turn-off time: 440ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10.4...20V DC
Output current: -1.5...1A
Type of integrated circuit: driver
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IRF8721TRPBFXTMA1
IRF8721TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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