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IGL65R055D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
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IGLD60R070D1Infineon TechnologiesInfineon GAN HV
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IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
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IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
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IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
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IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
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IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
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IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
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IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
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IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
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IGLD60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
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IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesSP005557209
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IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
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IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
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IGLD60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
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IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
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IGLD60R190D1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
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IGLD60R190D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CollGaN-Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN N-CH 600V 10A LSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
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IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
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IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+16.44 EUR
10+15.1 EUR
25+14.24 EUR
100+12.76 EUR
250+12.18 EUR
500+11.6 EUR
1000+11.03 EUR
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IGLD60R190D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CollGaN-Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN N-CH 600V 10A LSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
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IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
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IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+16.44 EUR
10+15.1 EUR
25+14.24 EUR
100+12.76 EUR
250+12.18 EUR
500+11.6 EUR
1000+11.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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IGLD60R190D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.19ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
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IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.72 EUR
10+7.27 EUR
25+6.51 EUR
100+5.74 EUR
250+5.51 EUR
500+5.16 EUR
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IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R190D1AUMA3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesSP005557217
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesIGLD60R190D1SAUMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesSP005562629
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV PG-LSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.12 EUR
10+6.82 EUR
100+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R055D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
auf Bestellung 1991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.72 EUR
10+7.85 EUR
100+6.34 EUR
500+5.63 EUR
1000+4.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R055D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesCool GaN Enhancement-mode Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R080D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R080D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
auf Bestellung 2054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.73 EUR
10+6.2 EUR
100+5 EUR
500+4.45 EUR
1000+4.31 EUR
3000+3.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R080D2AUMA1Infineon TechnologiesCool GaN Enhancement-mode Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R080D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R110D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R110D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HV GAN DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-2
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.5 EUR
10+4.96 EUR
100+3.53 EUR
500+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R110D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
auf Bestellung 2356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.76 EUR
10+4.51 EUR
100+3.47 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.92 EUR
3000+2.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R110D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-2
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R110D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R140D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R140D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
auf Bestellung 2091 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+4.03 EUR
100+2.96 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.48 EUR
3000+2.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R140D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R140D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R140D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R190D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R190D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 12.8A GaN 8-Pin TSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R190D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R190D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R260D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R260D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R260D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 4699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.71 EUR
10+5.97 EUR
25+5.95 EUR
100+4.36 EUR
500+3.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10.4A GaN 8-Pin TSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R260D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R340D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V
auf Bestellung 4842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.03 EUR
10+6.02 EUR
100+4.31 EUR
500+3.58 EUR
1000+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.25 EUR
10+6.11 EUR
25+5.76 EUR
100+4.93 EUR
250+4.66 EUR
500+4.38 EUR
1000+3.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 8.2A GaN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R340D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 8.2A GaN 8-Pin TSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR65R140D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4975 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR65R140D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IGLR65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
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1+5.84 EUR
10+3.82 EUR
100+2.99 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.25 EUR
5000+1.97 EUR
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IGLR65R200D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
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1+4.26 EUR
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100+1.97 EUR
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5000+1.3 EUR
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IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLR65R270D2XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IGLR65R270D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLR65R270D2XUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLR70R140D2SXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
auf Bestellung 63 Stücke:
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1+4.31 EUR
10+3.19 EUR
100+2.53 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.83 EUR
2500+1.74 EUR
5000+1.69 EUR
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IGLR70R140D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R140D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 106 Stücke:
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IGLR70R140D2SXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLR70R140D2SXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
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IGLR70R200D2SXUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
auf Bestellung 322 Stücke:
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1+3.63 EUR
10+2.32 EUR
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1000+1.23 EUR
5000+1.04 EUR
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IGLR70R200D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 260 Stücke:
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IGLR70R270D2SXUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
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1+3.33 EUR
10+2.13 EUR
100+1.47 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.06 EUR
5000+0.9 EUR
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IGLR70R270D2SXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R025D2AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLT65R025D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R025D2AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLT65R035D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R035D2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 1211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.86 EUR
10+12.02 EUR
100+10.03 EUR
500+8.94 EUR
1000+7.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R035D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLT65R045D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 6nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 38A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLT65R045D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.72 EUR
10+8.98 EUR
100+7.48 EUR
500+6.67 EUR
1000+6.27 EUR
1800+5.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLT65R045D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLT65R055D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 1211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.05 EUR
10+7.69 EUR
100+6.21 EUR
500+5.53 EUR
1000+4.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLT65R110D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R110D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLT65R110D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGLT65R110D2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLT65R110D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 190-194 Tag (e)
1+10.1 EUR
10+8.66 EUR
25+7.85 EUR
100+7.22 EUR
250+6.79 EUR
500+6.37 EUR
1000+5.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH