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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IGL65R055D2Infineon Technologies HV GAN DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R055D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 22A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R055D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 22A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
auf Bestellung 1104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.95 EUR
10+8.71 EUR
100+6.32 EUR
500+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R055D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.7 EUR
10+8.57 EUR
100+6.2 EUR
500+5.87 EUR
1000+5.09 EUR
3000+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R055D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 22A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R055D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 22A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R055D2XUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R080D2XUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R080D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 18A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R080D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 18A 8TDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.83 EUR
10+7.22 EUR
100+5.18 EUR
500+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R080D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.2 EUR
500+4.71 EUR
1000+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R080D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 18A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R080D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 18A 8TDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R080D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.67 EUR
30+7.87 EUR
100+5.2 EUR
500+4.71 EUR
1000+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R080D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.61 EUR
10+7.1 EUR
100+5.09 EUR
500+4.61 EUR
1000+4.44 EUR
3000+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R110D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.38 EUR
10+5.53 EUR
100+3.92 EUR
500+3.36 EUR
3000+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R110D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 16A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R110D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 16A 8TDFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.54 EUR
10+5.63 EUR
100+3.97 EUR
500+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R110D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGL65R110D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.01 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R110D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 16A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R110D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 16A 8TDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R110D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGL65R110D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10 EUR
38+6.13 EUR
100+4.01 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R140D2Infineon Technologies HV GAN DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 13A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R140D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGL65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 2977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.38 EUR
46+5.08 EUR
100+3.3 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
auf Bestellung 2285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.19 EUR
10+4.71 EUR
100+3.28 EUR
500+2.73 EUR
3000+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 13A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 13A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 400 V
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.33 EUR
10+4.8 EUR
100+3.36 EUR
500+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R140D2XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGL65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.3 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGL65R140D2XUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 13A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R070D1Infineon TechnologiesInfineon GAN HV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+34.65 EUR
10+31.99 EUR
25+30.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+44.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+34.65 EUR
10+32.69 EUR
25+31.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+55.68 EUR
10+49.47 EUR
25+46.01 EUR
100+40.27 EUR
250+37.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 3601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.14 EUR
11+22.84 EUR
12+18.04 EUR
50+16.6 EUR
100+14.48 EUR
250+14.18 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 1982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.9 EUR
10+15.9 EUR
100+15.16 EUR
500+14.97 EUR
1000+12.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+11.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 3601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+28.14 EUR
11+22.84 EUR
12+18.04 EUR
50+16.6 EUR
100+14.48 EUR
250+14.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+55.68 EUR
10+48.4 EUR
25+44.29 EUR
100+38.13 EUR
250+34.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 1206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.52 EUR
22+10.97 EUR
100+8.65 EUR
500+7.97 EUR
1000+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.79 EUR
10+18.59 EUR
25+17.8 EUR
100+16.22 EUR
250+15.89 EUR
500+15.54 EUR
1000+15.09 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 1206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.52 EUR
22+10.97 EUR
100+8.65 EUR
500+7.97 EUR
1000+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN N-CH 600V 10A LSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.79 EUR
10+18.18 EUR
25+17.15 EUR
100+15.36 EUR
250+14.66 EUR
500+13.97 EUR
1000+13.28 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 2369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.43 EUR
10+9.65 EUR
100+7.77 EUR
500+6.89 EUR
1000+5.57 EUR
3000+5.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.19ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.42 EUR
23+10.46 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R190D1AUMA3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.42 EUR
23+10.46 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesIGLD60R190D1SAUMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV PG-LSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs HV GAN DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R055D2Infineon Technologies HV GAN DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 20A 8-Pin LSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R055D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 2114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.59 EUR
25+9.45 EUR
100+6.56 EUR
500+6.24 EUR
1000+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 20A 8LDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
auf Bestellung 2053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.32 EUR
10+8.98 EUR
100+6.52 EUR
500+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 20A 8-Pin LSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R055D2AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 650V; 20A; 91W
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 91W
Gate charge: 4.7nC
Technology: GaN
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: -10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R055D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 2114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.59 EUR
25+9.45 EUR
100+6.56 EUR
500+6.24 EUR
1000+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
auf Bestellung 2149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.07 EUR
10+8.52 EUR
100+6.41 EUR
500+6.09 EUR
1000+5.32 EUR
3000+5.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 20A 8LDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R080D2Infineon Technologies HV GAN DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R080D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
auf Bestellung 2679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.46 EUR
10+7.39 EUR
100+5.51 EUR
500+4.9 EUR
1000+4.46 EUR
3000+4.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R080D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 18A 8LDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.5A
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-2
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R080D2AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 650V; 18A; 68W
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 68W
Gate charge: 3.3nC
Technology: GaN
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: -10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R080D2AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 18A 8-Pin LSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R080D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.42 EUR
33+7.19 EUR
100+4.95 EUR
500+4.71 EUR
1000+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R080D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 18A 8LDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.5A
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-2
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.16 EUR
10+7.45 EUR
100+5.36 EUR
500+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R080D2AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 18A 8-Pin LSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R080D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.95 EUR
500+4.71 EUR
1000+4.63 EUR
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IGLD65R110D2Infineon Technologies HV GAN DISCRETES
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IGLD65R110D2AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 14A 8-Pin LSON EP T/R
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IGLD65R110D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.13 EUR
500+3.58 EUR
1000+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IGLD65R110D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
auf Bestellung 2561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.63 EUR
10+5.51 EUR
100+4.05 EUR
500+3.5 EUR
1000+3.47 EUR
3000+2.98 EUR
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IGLD65R110D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 14A 8LDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-2
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IGLD65R110D2AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 14A 8-Pin LSON EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IGLD65R110D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.29 EUR
39+6.1 EUR
100+4.13 EUR
500+3.58 EUR
1000+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IGLD65R110D2AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IGLD65R110D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 14A 8LDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-2
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
auf Bestellung 2545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.79 EUR
10+5.81 EUR
100+4.11 EUR
500+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IGLD65R140D2Infineon Technologies HV GAN DISCRETES
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IGLD65R140D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 12A 8LDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.54 EUR
10+4.95 EUR
100+3.47 EUR
500+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IGLD65R140D2AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 12A 8-Pin LSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IGLD65R140D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 2168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.09 EUR
44+5.36 EUR
100+3.59 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IGLD65R140D2AUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
auf Bestellung 2667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.38 EUR
10+4.58 EUR
100+3.42 EUR
500+2.83 EUR
3000+2.4 EUR
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IGLD65R140D2AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R140D2AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 650V 12A 8LDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R140D2AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 650V 12A 8-Pin LSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLD65R140D2AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 2168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.59 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R190D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs (Max): -10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGLR60R190D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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